JPH021185A - 光電子集積回路装置 - Google Patents
光電子集積回路装置Info
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- JPH021185A JPH021185A JP63128175A JP12817588A JPH021185A JP H021185 A JPH021185 A JP H021185A JP 63128175 A JP63128175 A JP 63128175A JP 12817588 A JP12817588 A JP 12817588A JP H021185 A JPH021185 A JP H021185A
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は受光ダイオードと受光ダイオードの出力電流
を増幅する機能を有する電界効果トランジスタとを一体
化してモノリシックに集積化した光電子集積回路装置に
関するものである。
を増幅する機能を有する電界効果トランジスタとを一体
化してモノリシックに集積化した光電子集積回路装置に
関するものである。
従来の光電子集積回路装置においては、特開昭６１−２
２６９５２号公報、特開昭６２−１７６１７５号公報等
に示されるように、共通半導体基板上の受光ダイオード
領域、電界効果トランジスタ領域には、各素子の動作条
件に応じて、それぞれ別の半導体層をエピタキシャル成
長により形成している。
２６９５２号公報、特開昭６２−１７６１７５号公報等
に示されるように、共通半導体基板上の受光ダイオード
領域、電界効果トランジスタ領域には、各素子の動作条
件に応じて、それぞれ別の半導体層をエピタキシャル成
長により形成している。
しかし、受光ダイオード領域、電界効果トランジスタ領
域にそれぞれ別の半導体層を形成したときには、製作プ
ロセスが複雑になるとともに、受光ダイオードの活性層
の厚さは数−であるのに対して、電界効果トランジスタ
の活性層の厚さは１０００人程度であるので、受光ダイ
オード領域と電界効果トランジスタ領域との段差が大き
くなるので、電極配線の断線不良が生じ、微細パターン
形成が困難になるので、集積度を大きくすることができ
ない。
域にそれぞれ別の半導体層を形成したときには、製作プ
ロセスが複雑になるとともに、受光ダイオードの活性層
の厚さは数−であるのに対して、電界効果トランジスタ
の活性層の厚さは１０００人程度であるので、受光ダイ
オード領域と電界効果トランジスタ領域との段差が大き
くなるので、電極配線の断線不良が生じ、微細パターン
形成が困難になるので、集積度を大きくすることができ
ない。
この発明は上述の課題を解決するためになされたもので
、製作プロセスが簡単であり、しかも集積度を大きくす
ることができる光電子集積回路装置を提供することを目
的とする。
、製作プロセスが簡単であり、しかも集積度を大きくす
ることができる光電子集積回路装置を提供することを目
的とする。
この目的を達成するため、この発明においては、受光ダ
イオードと上記受光ダイオードの出力電流を増幅する機
能を有する電界効果トランジスタとを一体化してモノリ
シックに集積化した光電子集積回路装置において、半絶
縁性半導体基板上に第１の半導体層を形成し、上記第１
の半導体層上に上記第１の半導体層よりもバンドギャッ
プエネルギが広い第２の半導体層を形成し、上記第１の
半導体層および上記第２の半導体層の上記電界効果トラ
ンジスタの領域以外の領域に深い準位を・形成する不純
物を導入する。
イオードと上記受光ダイオードの出力電流を増幅する機
能を有する電界効果トランジスタとを一体化してモノリ
シックに集積化した光電子集積回路装置において、半絶
縁性半導体基板上に第１の半導体層を形成し、上記第１
の半導体層上に上記第１の半導体層よりもバンドギャッ
プエネルギが広い第２の半導体層を形成し、上記第１の
半導体層および上記第２の半導体層の上記電界効果トラ
ンジスタの領域以外の領域に深い準位を・形成する不純
物を導入する。
また、上記半絶縁性半導体基板として半絶縁性ＩｎＰ基
板を用い、上記第１の半導体層としてバッファ層および
ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ層を用い、第２の半導体層としてア
ンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層を用いてもよい。
板を用い、上記第１の半導体層としてバッファ層および
ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ層を用い、第２の半導体層としてア
ンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層を用いてもよい。
さらに、上記第２の半導体層として、高濃度に不純物を
ドープした半導体層の両側をアンドープ半導体層ではさ
んだものを用いることができる。
ドープした半導体層の両側をアンドープ半導体層ではさ
んだものを用いることができる。
この光電子集積回路装置においては、受光ダイオード領
域、電界効果トランジスタ領域に同一の半導体層を形成
すればよく、また深い準位を形成する不純物が導入され
た第１半導体層の受光ダイオード領域と電界効果トラン
ジスタ領域との間の部分は、受光ダイオードと電界効果
トランジスタとの絶縁分離層として作用するので、受光
ダイオード領域と電界効果トランジスタ領域とを分離す
るためにメサエッチングを行なう必要がない。
域、電界効果トランジスタ領域に同一の半導体層を形成
すればよく、また深い準位を形成する不純物が導入され
た第１半導体層の受光ダイオード領域と電界効果トラン
ジスタ領域との間の部分は、受光ダイオードと電界効果
トランジスタとの絶縁分離層として作用するので、受光
ダイオード領域と電界効果トランジスタ領域とを分離す
るためにメサエッチングを行なう必要がない。
第１図はこの発明に係る光電子集積回路装置の一部を示
す断面図である。図において、１は半絶縁性ＩｎＰ基板
、２はバッファ層であるアンドープ丁ｎ Ａ Ｉ Ａ
ｓ層で、アンドープＩ ｎＡｌＡｓ層２のノｌさは０．
１〜０．５虜である。３はｎ型Ｉ ｎ Ｇ ａＡｓ層で
、ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ層３の厚さは０．１〜０．５７７
Ｉｎであり、アンドープＩｎ−ＡＩＡｓ）７ｙＪ２、ｎ
型ＩｎＧａＡｓ層３で第１の半導体層を構成している。
す断面図である。図において、１は半絶縁性ＩｎＰ基板
、２はバッファ層であるアンドープ丁ｎ Ａ Ｉ Ａ
ｓ層で、アンドープＩ ｎＡｌＡｓ層２のノｌさは０．
１〜０．５虜である。３はｎ型Ｉ ｎ Ｇ ａＡｓ層で
、ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ層３の厚さは０．１〜０．５７７
Ｉｎであり、アンドープＩｎ−ＡＩＡｓ）７ｙＪ２、ｎ
型ＩｎＧａＡｓ層３で第１の半導体層を構成している。
５は第２の半導体層であるアンドープＩｎＡｌＡｓ層で
あり、アンドープＩ ｎＡｌＡｓ層５の厚さは０．２μ
ｍ以下である。Ａは受光ダイオード領域、Ｂは電界効果
トランジスタ領域で、アンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ
ｓ層２．ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３、アンドープＩ ｎＡｌ
Ａｓ層５の電界効果トランジスタ領域Ｂ以外の領域に酸
素イオンがイオン打ち込みされており、電界効果１〜ラ
ンジスタ領域Ｂ以外の領域のｎ型ＩｎＧａＡｓ層３は高
抵抗化ＩｎＧａＡｓ層４となっており、高抵抗化Ｉ ｎ
ＧａＡｓ層４の酸素イオン濃度は５ Ｘ １０” ｃｍ
−’以上であり、最大酸素イオン濃度は１０１８■１以
上であり、電界効果トランジスタ領域Ｂ以外の領域のア
ンドープＩｎＡｌＡｓ層２、アンドープＩｎＡｌＡｓ層
５も高抵抗化されている。６は電界効果トランジスタ領
域Ｂに形成されたオーミック電極からなるソース・ドレ
イン電極、７は電界効果トランジスタ領域Ｂに形成され
たゲート電極、８は受光ダイオード領域Ａに形成された
ショットキ電極からなるカソード・アノード電極で、カ
ソード・アノード電極８は隔列置きに同電位に配線され
ており、カソード・アノード電極８の厚さは約０．３岬
、カソード・アノード電極８の間隔は約２＃ｆｆｌであ
る。
あり、アンドープＩ ｎＡｌＡｓ層５の厚さは０．２μ
ｍ以下である。Ａは受光ダイオード領域、Ｂは電界効果
トランジスタ領域で、アンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ
ｓ層２．ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３、アンドープＩ ｎＡｌ
Ａｓ層５の電界効果トランジスタ領域Ｂ以外の領域に酸
素イオンがイオン打ち込みされており、電界効果１〜ラ
ンジスタ領域Ｂ以外の領域のｎ型ＩｎＧａＡｓ層３は高
抵抗化ＩｎＧａＡｓ層４となっており、高抵抗化Ｉ ｎ
ＧａＡｓ層４の酸素イオン濃度は５ Ｘ １０” ｃｍ
−’以上であり、最大酸素イオン濃度は１０１８■１以
上であり、電界効果トランジスタ領域Ｂ以外の領域のア
ンドープＩｎＡｌＡｓ層２、アンドープＩｎＡｌＡｓ層
５も高抵抗化されている。６は電界効果トランジスタ領
域Ｂに形成されたオーミック電極からなるソース・ドレ
イン電極、７は電界効果トランジスタ領域Ｂに形成され
たゲート電極、８は受光ダイオード領域Ａに形成された
ショットキ電極からなるカソード・アノード電極で、カ
ソード・アノード電極８は隔列置きに同電位に配線され
ており、カソード・アノード電極８の厚さは約０．３岬
、カソード・アノード電極８の間隔は約２＃ｆｆｌであ
る。
この光電子集積回路装置を製造するには、半絶縁性Ｉ
ｎ Ｐ基板ｌ上にアンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層
２、ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ層３、アンドープＩｎＡｌＡｓ
層５を順次エピタキシャル成長させる。つぎに、電界効
果１−ランリスタ領域Ｂとなるべき領域をホトレジスト
で覆い、酸素イオンをイオン打ち込みする。つぎに、ホ
トレジストを除去したのち、６００℃以上、１分以上の
熱処理を行なう。つぎに、電界効果トランジスタ領域Ｂ
にソース・ドレイン電極６．ゲート電極７を形成し、受
光ダイオード領域Ａにカソード・アノード電極８を形成
する。
ｎ Ｐ基板ｌ上にアンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層
２、ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ層３、アンドープＩｎＡｌＡｓ
層５を順次エピタキシャル成長させる。つぎに、電界効
果１−ランリスタ領域Ｂとなるべき領域をホトレジスト
で覆い、酸素イオンをイオン打ち込みする。つぎに、ホ
トレジストを除去したのち、６００℃以上、１分以上の
熱処理を行なう。つぎに、電界効果トランジスタ領域Ｂ
にソース・ドレイン電極６．ゲート電極７を形成し、受
光ダイオード領域Ａにカソード・アノード電極８を形成
する。
この光電子集積回路装置においては、受光ダイオード領
域Ａに波長がたとえば１．３．の光９を照射すると、高
抵抗化Ｉ ｎＧａＡｓ層４内で電子と正孔とが発生し、
１対のカソード・アノード電極８間に生じた高電界によ
り電子と正孔とが分離され、受光ダイオードの出力電流
が電界効果トランジスタにより増幅されて、外部回路に
電流として取り出される。そして、受光ダイオード領域
Ａと電界効果トランジスタ領域Ｂとの間の光が照射され
ない高抵抗化ＩｎＧａＡｓ層４は受光ダイオードと電界
効果トランジスタとの絶縁分離層として作用する。
域Ａに波長がたとえば１．３．の光９を照射すると、高
抵抗化Ｉ ｎＧａＡｓ層４内で電子と正孔とが発生し、
１対のカソード・アノード電極８間に生じた高電界によ
り電子と正孔とが分離され、受光ダイオードの出力電流
が電界効果トランジスタにより増幅されて、外部回路に
電流として取り出される。そして、受光ダイオード領域
Ａと電界効果トランジスタ領域Ｂとの間の光が照射され
ない高抵抗化ＩｎＧａＡｓ層４は受光ダイオードと電界
効果トランジスタとの絶縁分離層として作用する。
このように、第１図に示した光電子集積回路装置におい
ては、受光ダイオード領域Ａ、ｔ！ｉ界効果１ヘランジ
スタ領域Ｂに同一の半導体層すなわちアンドープＩ ｎ
Ａ Ｉ Ａ ｓ層２．ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３、アンド
ープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層５を形成すればよいから
、製作プロセスが簡単になるとともに、受光ダイオード
領域Ａと電界効果トランジスタ領域Ｂとの段差が生ずる
ことがなく、シかも受光ダイオード領域Ａと電界効果ト
ランジスタ蔭域Ｂとの間の光が照射されない高抵抗化Ｉ
ｎＧａＡｓ層４は受光ダイオードと電界効果トランジス
タとの絶縁分離層として作用するので、受光ダイオード
領域Ａと電界効果トランジスタ領域Ｂとを分離するため
にメサエッチングを行なう必要がないため、電極配線の
断線不良が生ずることがなく、微細パターン形成が容易
になるので、集積度を大きくすることができる。
ては、受光ダイオード領域Ａ、ｔ！ｉ界効果１ヘランジ
スタ領域Ｂに同一の半導体層すなわちアンドープＩ ｎ
Ａ Ｉ Ａ ｓ層２．ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３、アンド
ープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層５を形成すればよいから
、製作プロセスが簡単になるとともに、受光ダイオード
領域Ａと電界効果トランジスタ領域Ｂとの段差が生ずる
ことがなく、シかも受光ダイオード領域Ａと電界効果ト
ランジスタ蔭域Ｂとの間の光が照射されない高抵抗化Ｉ
ｎＧａＡｓ層４は受光ダイオードと電界効果トランジス
タとの絶縁分離層として作用するので、受光ダイオード
領域Ａと電界効果トランジスタ領域Ｂとを分離するため
にメサエッチングを行なう必要がないため、電極配線の
断線不良が生ずることがなく、微細パターン形成が容易
になるので、集積度を大きくすることができる。
第２図はこの発明に係る他の光電子集積回路装置の一部
を示す断面図である。図において、１３はアンドープＩ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ層で、アンドープＩｎＡｌＡｓ層
２、アンドープＩｎＧａＡｓ層１３で第１の半導体層を
構成している。１５はアンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ
ｓ層、１９はｎ＋ドープＩ ｎ Ａ ＩＡｓ層、２０は
アンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層で、アンドープＩ
ｎＡｌＡｓ層１５、ｎ＋ドープＩｎＡｌＡｓ層１９、ア
ンドープＩｎＡｌＡｓ層２０で第２の半導体層を構成し
ている。そして、アンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層
２、アンドープＩ ｎＧａＡｓ層１３．アンドープＩｎ
ＡｌＡｓ層１５、ｎ＋ドープＩｎＡｌＡｓ層１９、アン
ドープＩｎＡ Ｌ Ａ ｓ層２０の電界効果トランジス
タ領域Ｂ以外の領域に酸素イオンがイオン打ち込みされ
ており、電界効果トランリスタ領域Ｂ以外の領域のアン
ドープＩｎＧａＡｓ層１３は高抵抗化ＩｎＧａＡｓ層１
４となっている。１６は電界効果トランジスタ領域Ｂに
形成されたソース・ドレイン電極、１７は電界効果トラ
ンジスタ領域Ｂに形成されたゲート電極、１８は受光ダ
イオード領域Ａに形成されたショク１−キ電極からなる
カソード・アノード電極で、カソード・アノード電極１
８は隔列置きに同電位に配線されている。
を示す断面図である。図において、１３はアンドープＩ
ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ層で、アンドープＩｎＡｌＡｓ層
２、アンドープＩｎＧａＡｓ層１３で第１の半導体層を
構成している。１５はアンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ
ｓ層、１９はｎ＋ドープＩ ｎ Ａ ＩＡｓ層、２０は
アンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層で、アンドープＩ
ｎＡｌＡｓ層１５、ｎ＋ドープＩｎＡｌＡｓ層１９、ア
ンドープＩｎＡｌＡｓ層２０で第２の半導体層を構成し
ている。そして、アンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層
２、アンドープＩ ｎＧａＡｓ層１３．アンドープＩｎ
ＡｌＡｓ層１５、ｎ＋ドープＩｎＡｌＡｓ層１９、アン
ドープＩｎＡ Ｌ Ａ ｓ層２０の電界効果トランジス
タ領域Ｂ以外の領域に酸素イオンがイオン打ち込みされ
ており、電界効果トランリスタ領域Ｂ以外の領域のアン
ドープＩｎＧａＡｓ層１３は高抵抗化ＩｎＧａＡｓ層１
４となっている。１６は電界効果トランジスタ領域Ｂに
形成されたソース・ドレイン電極、１７は電界効果トラ
ンジスタ領域Ｂに形成されたゲート電極、１８は受光ダ
イオード領域Ａに形成されたショク１−キ電極からなる
カソード・アノード電極で、カソード・アノード電極１
８は隔列置きに同電位に配線されている。
この光電子集積回路装置においては、電界効果トランジ
スタ領域Ｂにｎ＋ドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層１９
が形成されているから、アンドープＩｎＧａＡｓ層１３
に二次元電子ガス層３１が形成されている。
スタ領域Ｂにｎ＋ドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層１９
が形成されているから、アンドープＩｎＧａＡｓ層１３
に二次元電子ガス層３１が形成されている。
第３図はこの発明に係る他の光電子集積回路装置の一部
を示す断面図である。この光電子集積回路装置において
は、ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ層３、アンドープＩ ｎ Ａ
Ｉ Ａ ｓ層５の電界効果トランジスタ領域Ｂ以外の領
域に酸素イオンがイオン打ち込みされている。そして、
受光ダイオード領域Ａに形成された電極２１としては、
たとえばＡｕＧｅ／Ｎ ｉ ／ Ａ ｕからなるｎ＋オ
ーミック電極、たとえばＡ ｕ Ｚ ｎ ／ Ｎ ｉ
／ Ａ ｕからなるｐ＋オーミック電極、たとえばＡｔ
からなるショットキ′市極を用いることができる。さら
に、電界効果トランジスタ領域Ｂに形成されたソース・
ドレイン電極２２としてはｎ＋オーミック電極を用いる
ことができ、また電界効果トランジスタ領域Ｂに形成さ
れたゲート電極２３としてはショットキ電極を用いるこ
とができる。
を示す断面図である。この光電子集積回路装置において
は、ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ層３、アンドープＩ ｎ Ａ
Ｉ Ａ ｓ層５の電界効果トランジスタ領域Ｂ以外の領
域に酸素イオンがイオン打ち込みされている。そして、
受光ダイオード領域Ａに形成された電極２１としては、
たとえばＡｕＧｅ／Ｎ ｉ ／ Ａ ｕからなるｎ＋オ
ーミック電極、たとえばＡ ｕ Ｚ ｎ ／ Ｎ ｉ
／ Ａ ｕからなるｐ＋オーミック電極、たとえばＡｔ
からなるショットキ′市極を用いることができる。さら
に、電界効果トランジスタ領域Ｂに形成されたソース・
ドレイン電極２２としてはｎ＋オーミック電極を用いる
ことができ、また電界効果トランジスタ領域Ｂに形成さ
れたゲート電極２３としてはショットキ電極を用いるこ
とができる。
第４図はこの発明に係る他の光電子集積回路装置の一部
を示す断面図である。図−において、２４はアンドープ
ＩｎＡｌＡｓ層、２５はＡｌＰＯ４層で、ｎ型Ｉ ｎＧ
ａＡｓ層３、アンドープＩｎＡｌＡｓ層２４の電界効果
トランジスタ領域Ｂ以外の領域に酸素イオンがイオン打
ち込みされている。そして、受光ダイオード領域Ａに形
成された電極２６としてはｎ＋オーミック電極、ｐ＋オ
ーミック電極、ショットキ電極を用いることができ。
を示す断面図である。図−において、２４はアンドープ
ＩｎＡｌＡｓ層、２５はＡｌＰＯ４層で、ｎ型Ｉ ｎＧ
ａＡｓ層３、アンドープＩｎＡｌＡｓ層２４の電界効果
トランジスタ領域Ｂ以外の領域に酸素イオンがイオン打
ち込みされている。そして、受光ダイオード領域Ａに形
成された電極２６としてはｎ＋オーミック電極、ｐ＋オ
ーミック電極、ショットキ電極を用いることができ。
また受光ダイオード領域Ａに形成された電極２７として
はショットキ電極を用いることができる。
はショットキ電極を用いることができる。
さらに、電界効果トランジスタ領域Ｂに形成されたソー
ス・ドレイン電極２８としてはｎ＋オーミック電極を用
いることができ、また電界効果トランジスタ領域Ｂに形
成されたゲート電極２９としてはショットキ電極を用い
ることができる。
ス・ドレイン電極２８としてはｎ＋オーミック電極を用
いることができ、また電界効果トランジスタ領域Ｂに形
成されたゲート電極２９としてはショットキ電極を用い
ることができる。
この光電子集積回路装置においては、電界効果トランジ
スタがＭＯＳ型になっており、受光ダイオード領域Ａに
電極２６．２７を形成しているから、受光ダイオードを
変調することができる。
スタがＭＯＳ型になっており、受光ダイオード領域Ａに
電極２６．２７を形成しているから、受光ダイオードを
変調することができる。
なお、上述実施例においては、深い準位を形成する不純
物として酸素イオンを導入したが、他の不純物を導入し
てもよい。また、第３図に示した実施例においては、ア
ンドープＩｎＡｌＡｓ層５の代りにｐ” ＩｎＡｌＡｓ
層を形成してもよく、この場合には電極２１としてはｎ
＋オーミック電極、ｐ＋オーミック電極、ショットキ電
極を用いることができ、さらにソース・ドレイン電極２
２としては１１＋オーミツク電極を用いることができ。
物として酸素イオンを導入したが、他の不純物を導入し
てもよい。また、第３図に示した実施例においては、ア
ンドープＩｎＡｌＡｓ層５の代りにｐ” ＩｎＡｌＡｓ
層を形成してもよく、この場合には電極２１としてはｎ
＋オーミック電極、ｐ＋オーミック電極、ショットキ電
極を用いることができ、さらにソース・ドレイン電極２
２としては１１＋オーミツク電極を用いることができ。
またゲート電極２３としてはｐ１オーミック１ｉｔｆ！
、ショットキ電極を用いることができる。さらに、第４
図に示した実施例においては、ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ層３
の代りにｐ型Ｉ ｎＧａＡｓ層を形成してもよく、この
場合には電極２６としてはｎ１オーミック電極、ｐ＋オ
ニミック電極、ショットキ電極を用いることができ、ま
た電極２７としてはショットキ電極を用いることができ
、さらにソース・ドレイン電極２８としてはｐ１オーミ
ック電極を用いることができ、またゲート電極２９とし
てはショク１ヘキ、ｕｔｉを用いることができる。
、ショットキ電極を用いることができる。さらに、第４
図に示した実施例においては、ｎ型Ｉ ｎＧａＡｓ層３
の代りにｐ型Ｉ ｎＧａＡｓ層を形成してもよく、この
場合には電極２６としてはｎ１オーミック電極、ｐ＋オ
ニミック電極、ショットキ電極を用いることができ、ま
た電極２７としてはショットキ電極を用いることができ
、さらにソース・ドレイン電極２８としてはｐ１オーミ
ック電極を用いることができ、またゲート電極２９とし
てはショク１ヘキ、ｕｔｉを用いることができる。
以上説明したように、この発明に係る光電子集積回路装
置においては、受光ダイオード領域、電界効果トランジ
スタ領域に同一の半導体層を形成すればよいから、製作
プロセスが簡単になるとともに、受光ダイオード領域と
電界効果トランジスタ領域との段差が生ずることがなく
、しかも受光ダイオード領域と電界効果トランジスタ領
域とを分離するためにメサエッチングを行なう必要がな
いため、電極配線の断線不良が生ずることがなく。
置においては、受光ダイオード領域、電界効果トランジ
スタ領域に同一の半導体層を形成すればよいから、製作
プロセスが簡単になるとともに、受光ダイオード領域と
電界効果トランジスタ領域との段差が生ずることがなく
、しかも受光ダイオード領域と電界効果トランジスタ領
域とを分離するためにメサエッチングを行なう必要がな
いため、電極配線の断線不良が生ずることがなく。
微細パターン形成が容易になるので、集積度を大きくす
ることができる。このように、この発明の効果は顕著で
ある。
ることができる。このように、この発明の効果は顕著で
ある。
第１図〜第４図はそれぞれこの発明に係る光電子集積回
路装置の一部を示す断面図である。 １・・・半絶縁性ＩｎＰ基板 ２・・・アンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層３− ｎ
型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ５層 ４・・・高抵抗化ＩｎＧａＡｓ層 ５・・・アンドープＩｎＡｌＡｓ層 １３・・・アンドープＩ ｎＧａＡｓ層１４・・・高抵
抗化Ｉ ｎＧａＡｓ層 １５−・・アンドープＩｎＡｌＡｓ層 １９− ｎ＋ドープＩｎＡｌＡｓ層 ２０−・・アンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層２４−
・・アンドープＩｎＡｌＡｓ層 ２５・・・ＡｌＰＯ４層 代理人 弁理士 中 村 純之助
路装置の一部を示す断面図である。 １・・・半絶縁性ＩｎＰ基板 ２・・・アンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層３− ｎ
型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ５層 ４・・・高抵抗化ＩｎＧａＡｓ層 ５・・・アンドープＩｎＡｌＡｓ層 １３・・・アンドープＩ ｎＧａＡｓ層１４・・・高抵
抗化Ｉ ｎＧａＡｓ層 １５−・・アンドープＩｎＡｌＡｓ層 １９− ｎ＋ドープＩｎＡｌＡｓ層 ２０−・・アンドープＩ ｎ Ａ Ｉ Ａ ｓ層２４−
・・アンドープＩｎＡｌＡｓ層 ２５・・・ＡｌＰＯ４層 代理人 弁理士 中 村 純之助
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、受光ダイオードと上記受光ダイオードの出力電流を
増幅する機能を有する電界効果トランジスタとを一体化
してモノリシックに集積化した光電子集積回路装置にお
いて、半絶縁性半導体基板上に第１の半導体層を形成し
、上記第１の半導体層上に上記第１の半導体層よりもバ
ンドギャップエネルギが広い第２の半導体層を形成し、
上記第１の半導体層および上記第２の半導体層の上記電
界効果トランジスタの領域以外の領域に深い準位を形成
する不純物を導入したことを特徴とする光電子集積回路
装置。 ２、上記半絶縁性半導体基板が半絶縁性ＩｎＰ基板から
なり、上記第１の半導体層がバッファ層およびｎ型Ｉｎ
ＧａＡｓ層からなり、第２の半導体層がアンドープＩｎ
ＡｌＡｓ層からなることを特徴とする請求項第１項記載
の光電子集積回路装置。 ３、上記第２の半導体層として、高濃度に不純物をドー
プした半導体層の両側をアンドープ半導体層ではさんだ
ものを用いたことを特徴とする請求項第１項記載の光電
子集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128175A JPH021185A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 光電子集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128175A JPH021185A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 光電子集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021185A true JPH021185A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=14978269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63128175A Pending JPH021185A (ja) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | 光電子集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021185A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2494231A (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-06 | Ibm | On-chip radiation dosimeter |
-
1988
- 1988-05-27 JP JP63128175A patent/JPH021185A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2494231A (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-06 | Ibm | On-chip radiation dosimeter |
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