JPH02116733U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02116733U JPH02116733U JP2707789U JP2707789U JPH02116733U JP H02116733 U JPH02116733 U JP H02116733U JP 2707789 U JP2707789 U JP 2707789U JP 2707789 U JP2707789 U JP 2707789U JP H02116733 U JPH02116733 U JP H02116733U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- substrate
- electrode
- processing apparatus
- cooling pipe
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例のプラズマ処理装
置の基本的な構成を示す断面図、第２図は先行技
術の基本的な構成を示す断面図である。 ２……基板、３……基板ホルダ、６……ヒータ
、７……プラズマ生成容器、１１……プラズマ電
極（引出電極）、１２……抑制電極（引出電極）
、１３……接地電極（引出電極）、１４……引出
系（電極系）、１５……イオンビーム、２０……
冷却パイプ。
置の基本的な構成を示す断面図、第２図は先行技
術の基本的な構成を示す断面図である。 ２……基板、３……基板ホルダ、６……ヒータ
、７……プラズマ生成容器、１１……プラズマ電
極（引出電極）、１２……抑制電極（引出電極）
、１３……接地電極（引出電極）、１４……引出
系（電極系）、１５……イオンビーム、２０……
冷却パイプ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 プラズマ生成容器内のプラズマからイオンを引
き出すための引出電極を含む複数の電極を有する
電極系を備え、前記プラズマ生成容器から引き出
したイオンを加熱保持した基板に照射させて、こ
の基板に対する処理を行うようにしたプラズマ処
理装置において、 前記複数の電極のうち前記基板に最も近接した
電極の表面に沿わせて冷却パイプを配置し、この
冷却パイプに冷却媒体を流すようにしたことを特
徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2707789U JPH02116733U (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2707789U JPH02116733U (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116733U true JPH02116733U (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=31249271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2707789U Pending JPH02116733U (ja) | 1989-03-07 | 1989-03-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116733U (ja) |
-
1989
- 1989-03-07 JP JP2707789U patent/JPH02116733U/ja active Pending
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