JPH0211538A - 光学活性ジエステル類 - Google Patents

光学活性ジエステル類

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JPH0211538A
JPH0211538A JP1104789A JP10478989A JPH0211538A JP H0211538 A JPH0211538 A JP H0211538A JP 1104789 A JP1104789 A JP 1104789A JP 10478989 A JP10478989 A JP 10478989A JP H0211538 A JPH0211538 A JP H0211538A
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マリナ・バシリエブナ・ロセバ
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オルガ・エス・ペトラシエビチ
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エブゲニイ・パブロビチ・ポズヒダエブ
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アルノルド・ジノビエビチ・ラビノビチ
Martin Schadt
マルテイン・シヤツト
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な液晶混合物、特にキラルの傾斜したスメ
クティク相（ｃｈｉｒａｌ　　ｔｉｎｅｄ　　ｓｍｅｃ
ｔｉｃｐｈａｓｅ）を有する混合物、並びに新規な光学
的活性ジエステル及び電子−光学装置のためのその用途
に関する。本発明を要約すれば、一般式式中、環Ａ、Ｂ
及びＣは各々独立に、１個のＣＨ基または２個のＣＨ基
が随時窒素にとって代わっていてもよい未置換或いはハ
ロゲン−、シアノ−、メチル−及び／またはメトキシ−
置換された１、４−フ二二しンヲ表ワし、Ｒ１はヒドロ
キシ基の開裂後の光学的活性テルペンアルコールの基ま
たは基 −（ＣＨ，）ｍ−Ｃ＊ＨＸ　’−Ｒ”を表わし；Ｒ１は
ヒドロキシ基の開裂後の光学的活性テルペンアルコール
の基または基 −（ＣＨ、）　ｎ　−Ｃ＊ＨＸ　”　−Ｒ’を表わし；
ｍおよびｎは各々独立に、数Ｏまたはｌを表わし；Ｃ町
よキラル炭素原子を表わし；ｘｌ及びＸ２は各々独立に
、フッ素、塩素、シアノ、メチルまたはメトキシを表わ
し、Ｒ３及びＲ４ハ各々独立に、基Ｒ，フェニルまたは
Ｒで置換されたフェニルを表わし、ただし　Ｒ３はＸＩ
とは異なり、モしてＲ４はｘ２とは異なるものとし；Ｒ
は随時１個のメチレン基が酸素にとって代わっていても
よく及び／または随時１個の基ＣＨ−ＣＨが基Ｃ−Ｃに
とって代わっていてもよいアルキル基を表わし；ただし
、環Ａ、Ｂ及びＣが共にｐ−ターフェニルを表わす場合
、Ｒ１及びＲ２は同時に２−アルキルを表わさぬものと
する、 の光学的活性化合物並びに液晶混合物及び電子−液晶は
表示装置における誘電体として適しており、その理由は
、その光学的特性が電位によって影響され得るためであ
る。適当な電子光学装置は当該分野に精通せる者にとっ
てはよく知られている。かかる装置の例は動的散乱を有
するセル、ＤＡＰセル（整列した相の変形）、ねじれた
ネマティク（ｔｗｉｓｔｅｄ　　ｎｅｍａｔｉｃ）構造
を有するＴＮセル（ねじれたーネマティク）及びＳＴＮ
セル［超ねじれ（ｓｕｐｅｒ　　ｔｗｉｓｔｅｄ）−ネ
マティク１、ゲスト／ホスト（ｇｕｅｓｔ／ｈｏｓｔ）
　、コレステリック（Ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ）−ネマ
ティク相転移を有する相変化セル並びにＳＢＥセル［起
抜屈折効果（５ｕｐｅｒ　　ｂｉｒｅｆｒｉｎｆｅｎｃ
ｅ　　ｅｆｆｅｃｔ）　］　である。
更に、キラルの傾斜した液晶に基づく電子−光学装置が
アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌ、　　
Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔｔ、）　３６．８９９　（１９８０
）及びコンデンスド・マター・フィジックス（Ｃｏｎｄ
ｅｎｓｅｄ　　Ｍａｔｔｅｒ　　Ｐ　ｈｙｓｉｃｓ）　
４．３０９（１９８１）におけるリースント・デベロツ
プメンツ（Ｒｅｃｅｎｔ　　Ｄ　ｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ
ｓ）に提案されている。この場合、これらの物質の強誘
電特性を利用する。傾斜したスメクティク相として、例
えばスメクティク、Ｃ，Ｆ、Ｇ、Ｈ，Ｉ及びに相が適当
である。殊に、高い応答速度を可能にする一般に好まし
いスメクティク相がある。キラルの傾斜しはキラリティ
を示す。
強誘電性液晶は科学的及び熱的作用に対して、そして電
場に対して良好な安定性を有するべきである。更に、こ
れらの液晶は広い温度範囲にわたって適当な中間層（＋
１ｅｓｏｐｈａｓｅ）、低粘度及び特に十分に高い自然
分極を有するべきである。
強誘電性液晶として、１種またはそれ以上の光学的活性
ドーピング物質、及び１種またはそれ以上の成分からな
ることができ且つ一般に傾斜したスメクティク相を有す
るべき液晶物質からなる混合物が主として適当である。
光学的活性ドーピング物質はそれ自体スメクティクであ
る必要はないが、しかし、液晶物質中で、これらのもの
はキラルの傾斜したスメクティク相をつくるべきであり
、そして高い自発分極を誘発すべきである。混合物にお
いて高い自発分極を達成するため及び／または光学的活
性ドーピング物質の量を比較的低く保持し得るために、
すでに少量で高い自発分極を誘発し得るドーピング物質
が望ましい。
本発明は一般式 式中、環Ａ１Ｂ及びＣは各々独立に、１個のＣＨ基また
は２個のＣＨ基が随時窒素にとって代わっていてもよい
未置換或いはハロゲン−、シアノ−、メチル−及び／ま
たはメトキシ−置換されたｌ　、　４−７　エニレンを
表わし、Ｒ１はヒドロキシ基の開裂後の光学的活性テル
ペンアルコールの基または基 −（ＣＨｚ）ｍ−Ｃ’ＨＸ　’−Ｒ３を表わし、Ｈｚは
ヒドロキシ基の開裂後の光学的活性テルペンアルコール
の基または基 −（ＣＨ、）ｎ−Ｃ＊ＨＸ　”−Ｒ’を表わし：ｍおよ
びｎは各々独立に、数０またはｌを表わし；Ｃ町よキラ
ル炭素原子を表わし；Ｘ′及びｘ２は各々独立に、フッ
素、塩素、シアノ、メチルまたはメトキシを表わし：Ｒ
３及びＲ４は各々独立に、基Ｒ１フェニルまたはＲで置
換されたフェニルを表わし、ただし　Ｒ３はｘｌとは異
なり、モしてＲ４はＸ！とは異なるものとじ；Ｒは随時
１個のメチレン基が酸素にとって代わっていてもよく及
び／または随時１Ｉｉｌの基ＣＨ−ＣＨが基Ｃ−Ｃにと
って代わっていてもよいアルキル基を表わし；ただし、
環へ％Ｂ及びＣが共にｐ−ターフェニルを表わす場合　
Ｒ１及びＨｚは同時に２−アルキルを表わさぬものとす
る、 の光学的活性化合物に関する。
本発明における化合物は傾斜したスメクテイク相におい
て驚くべき高い自発分極を誘導する。本化合物は安定で
あり、無色であり、通常の液晶物質に極めて良好な溶解
性を有する。本化合物のあるものは液晶特性を有する；
しかじ、また一般に式Ｉの非液晶化合物は混合物におい
て透明点降下を示さぬか、または小さな透明点降下のみ
を示す。
［１個のＣＨ基または２個のＣＨ基が随時窒素にとって
代わっていてもよい未置換或いは／１０ゲンー、シアノ
−、メチル−及び／またはメトキシ−置換された１、４
−）二二しン」なる用語には、本発明の範囲において、
基例えば１．４−フェニレン、フルオロ−１，４−７ｚ
ニレン、クロロ−１，４−フェニレン、シアノ−１，４
−フェニレン、２．３−ジシアノ−１，４−フェニレン
、メチル−１，４−フェニレン、メトキシ−１，４−フ
ェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２
゜５−ジイル、ピラジン−２，５−ジイル、ピリダジン
−３，６−ジイル等が含まれる。
「ハロゲン」なる用語にはフッ素、塩素、愁訴及びヨウ
素、好ましくはフッ素及び塩素が含まれる。
「ヒドロキシ基の開裂後の光学的活性テルペンアルコー
ルの基」なる用語は式ＴＯＨの光学的活性テルペンアル
コールの基Ｔを表わす。「テルペンアルコール」なる用
語は、例えばレングス・ヘミイーレキシコン（Ｒ５ｍｐ
ｐｓ　　Ｃｈｅｍｉｅ−Ｌｅｘｉｋｏｎ）　、第６巻（
１９７７）から、当該分野に精通せる者にとってはよく
知られており、モノテルペンから誘導されたアルコール
を表わす。「モノテルペン」なる用語にはテルペン炭化
水素Ｃ１゜１（＋ｓ並びにその水添分解及び脱水素化誘
導体が含まれる。好ましい光学的活性テルペンアルコー
ルの例は（ｌＲ，２ｓ、５Ｒ）−（−）−メントール、
（ｌｓ、２Ｒ，５Ｒ）−（＋）−イソメントール、（ｉ
ｓ、２Ｓ、３Ｓ、５Ｒ）−（÷）−イソピノカンフェロ
ール、（１５）−（−）−ボルネオール、（ＩＲ）−（
−）−ミルテノール、（Ｉｓ、２Ｓ。
５Ｒ）−（＋）−ネオメントール、（−）−カルベオー
ル、（÷）−ジヒドロ−カルベオール、（＋）−テルピ
ネン−４−オール、（＋）−σ−テルピネオール等であ
る。
「随時１１１１のメチレン基が酸素にとって代わってい
てもよい及び／または随時１個の基ＣＨ−ＣＨが基Ｃ−
Ｃにとって代わっていてもよいアルキル基」なる用語に
はアルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケ
ニル、アルケニルオキシ、アルケニルオキシアルキル及
びアルコキシアルケニル、例えばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、
ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、メトキシ、エ
トキシ、プロピルオキシ、ブチルオキシ、ペンチルオキ
シ、ヘキシルオキシ、メトキシメチル、エトキシメチル
、２−メトキシエチル、ビニル、１−プロペニル、ｌ−
ブテニル、■−ペンテニル、アリル、２−ブテニル、２
−ペンテニル、３−ブテニル、３−ペンテニル、４−ペ
ンテニル、５−へキセニル、６−へブテニル、アリルオ
キシ、３−ブテニルオキシ、４−ペンテニルオキシ、ア
リルオキシメチル、３−メトキシ−１−プロペニル等が
含まれる。好ましい基Ｒはアルキル、アルコキシ、アル
ケニル及びアルケニルオキシである。更に、直鎖状アル
キル及びインアルキル並びに酸素原子及び／またはＣ−
Ｃ二重結合を有する該アルキルから誘導された基が好ま
しい。殊に基Ｒは炭素原子１−１５個、特に１〜９個を
有する。
「Ｒで置換されたフェニル」なる用語は、従って、上記
の基の１個またはそれ以上で置換されるフェニル残基、
好ましくはＲで〇−位置に及び／またはメチルもしくは
メトキシで０−またはｍ−位置に置換されるフェニル残
基、例えばｏ−トリル、ｍ−トリル、ｐ−トリル、２−
メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−メチル
−４−メトキシフェニル、４−エチルフェニル、４−エ
トキシフェニル、４−アリルオキシフェニル等を表わす
。Ｒで置換されたフェニル残基は好ましくは炭素原子合
計７〜１５個、特に７〜９個を有する。
Ｒ３及びＲ１における基Ｒは同一もしくは相異なる意味
を有することができる。
上記式ｌには特に次の一般式の光学的活性化合物が含ま
れる： ← α 氏 国 α 二 国 田 匡 匡 国 α 式中、Ｒ１％Ｒ１、Ｘｌ、ｙ、２、ｍ、ｎ、Ｃ本並びに
環Ａ、Ｂ及びＣは上記の意味を有し：Ｔ１及びＴ８は各
々独立に、ヒドロキシ基の開裂後の光学的活性テルペン
アルコールの基を表わし、Ｒ１及びＲ６は各々独立に、
随時１個のメチレン基が酸素にとって代わっていてもよ
い及び／まｔ；はｔｌｌｉの基ＣＨ−ＣＨが基Ｃ−Ｃに
とって代わっていてもよいアルキル基を表わし、条件と
して、Ｒ″はＸＩとは異なり、そしてＲ１はｘ２とは異
なり、そして更に条件として、式Ｉｂは４．４＃−ビス
（２−アルキルオキシカルボニル）−ｐ−ターフェニル
を表わさぬものとし；環り及びＥは各々独立に、１．４
−フェニレン、メチル−１，４−フェニレンまたはメト
キシ−１，４−フェニレンを表わし；Ｒ７及びＲ８は各
々独立に、水素或いは随時１個のメチレン基が酸素にと
って代わっていてもよい及び／又は１個の基ＣＨ−ＣＨ
が基Ｃ＝Ｃにとって代わっていてもよいアルキル基を表
わし： Ｙｌ及びＹ２は各々独立に、水素、ハロゲン、シアノ、
メチルまたはメトキシを表わし、ただし、式Ｉｄにおい
て、Ｒ′及びＲ２の双方が２−アルキルを表わす場合、
ｙ＋及び／またはＹ２は水素とは異なるものとする。
上記の式■、Ｉａ、Ｉｂ及びＩｃにおいて、好ましくは
環へ％Ｂ及びＣは１．４−フェニレンを表わすか、或い
はまた該環の１個または２個はフルオロ−１，４−フェ
ニレン、クロロ−１，４−フェニレン、シアノ−１，４
−フェニレン、２．３−ジシアノ−１，４−フェニレン
、メチル−１，４−７エニレン、メトキシ−１，４−フ
ェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２
，５−ジイル及び／またはピラジン−２，５−ジイルを
表わす。一般に、環Ａ、Ｂ及びＣが未置換或いはハロゲ
ン−、シアノ−、メチル及び／またはメトキシ−置換さ
れた１、４−フェニレンを表わす化合物、或いはまた環
Ａ％Ｂ及びＣの１個がピリジン−２，５−ジイルを表わ
す化合物が好ましい。好ましくは、フェニレン基は未置
換であるか、或いは最大１個の核層で置換される。
式１ｄ−ＩＱの化合物の中で、置換基Ｙ１及びＹ２の一
つが水素を表わすか、または置換基Ｙ１及びＹ！の双方
が水素を表わす化合物が一般に好ましい。一般に式Ｉｄ
、Ｉｈ、Ｉ　ｉ及びＩｊの化合物が好ましい。
上記式■及びＩｂ〜ＩＱの好ましい化合物は、ｍが数０
を表わし、モしてｘｌがシアノ、メチルまたはメトキシ
を表わすか、或いはｍが数１を表わし、モしてｘｌがフ
ッ素、塩素、シアノ、メチルまたはメトキシを表わす化
合物である。更に、上記式Ｉ及びＩｂ−ＩＱにおいて、
ｎは好ましくは数０を表わし、そしてＸ８はシアノ、メ
チルまたはメトキシを表わすか、或いはｎは好ましくは
数１を表わし、そしてｘ８はフッ素、塩素、シアノ、メ
チルまたはメトキシを表わす。
塩素、シアノ及びメチルがｘｌ及びｘ８の好ましい意味
である。
Ｒ５及びＲ・は好ましくは炭素原子１−１５個、特に２
〜９個を有する。アルキル及びアルケニルが好ましい残
基Ｒ５及びＲ６である。ＸＩがメチルを表わす場合、Ｒ
％は好ましくはアルコキシまたはアルケニルオキシを表
わすことができ、モしてＸ２がメチルを表わす場合、Ｒ
＠は好ましくはまたアルコキシまたはアルケニルオキシ
を表わすことができる。殊に好ましい残基Ｒ６及びＲ６
はｎ−アルキル及びインアルキルである。
Ｒ７及びＲ１は好ましくは炭素原子１〜９個、特に１〜
３個を有する。アルキル、アルコキシ及びアルケニルオ
キシ、特に、メチル、メトキシ及びアリルオキシが好ま
しい残基Ｒ１及びＲ８である。
環り及びＥは好ましくは１．４−フェニレンを表わす。
従って、上記式におけるそれぞれＲ３及びＲ′は、好ま
しくは各々の場合に炭素原子最大１５個、特に最大９個
を有するアルキル、アルケニル、フェニル、ｐ−アルキ
ルフェニル、ｐ−アルコキシフェニルまたはｐ−アルケ
ニルオキシフェニルヲ表わすことができる。それぞれ特
に好ましい残基Ｒ工及びＲ４の例はｎ−アルキル、イン
アルキル、７工二ル、ｐ−メチルフェニル、ｐ−メトキ
シフェニル等である。
また好ましい残基Ｒ１及びＲ８は上に詳細に示したこと
から明白であろう。特に好ましい残基Ｒ１及びＲ１はそ
れぞれ基−Ｃ＊Ｈ（ＣＨＩ）−Ｒ’及び−ＣＨ、−Ｃ＊
ＨＸ　’−Ｒ３並びに Ｃ＊Ｈ（ＣＨ３）−Ｒ’及び−ＣＨ，−ＣＨＸ”−Ｒ４
であり、ここで、Ｒ１及びＲ４は上に示した好ましい意
味を有し、そしてＸＩ及びＸ２は７ツ素、塩素、シアノ
、メチル又はメトキシ、好ましくは塩素またはシアノを
表わす。更に　Ｒ１及び／またはＲｍは好ましくはまた
ヒドロキシ基の開裂後の光学的活性テルペンアルコール
、例えばメントール、インメントール、イソビノカンフ
エオール、ボルネオール、ミルテノール ノール、ジヒドロカルベノール、テルピネン−４−オー
ルまたはσーテルピネオールの基（ＴＩまたはＴ２　）
を表わす。特に好ましい残基Ｒ１及びＲ２はメチル、２
−アルキル、２−メチルアルキル、２−クロロアルキル
、２−シアノアルキル、ｌ−フェニルエチル等でアル。
式Ｉの化合物におけるキラル中心での立体配置は、好ま
しくは２個のキラル基が液晶混合物において自発分極を
誘導するような配置である。らせん状ねじれにおける影
響は同一方向または反対であることができる。
上記式Ｉ及びＩ　ｄ　−　Ｉ　Ｑにおける残基Ｒ１及び
Ｒ２は異なるか、または好ましくは同一であることがで
きる。残基Ｒ１及びＲ１が同一の基及び結合、即ち、立
体配置は別として同一の意味を有する場合、これらの基
は好ましくは相互に鏡像であるべきでなく、しかし、好
ましくは同一立体配置を有するべきである。このことは
、環Ａ，Ｂ及びＣからなる環系が分子の縦軸に対称的な
垂直面を有する場合に特にあてはまる。
従って、式Ｉｂ及びＩｃにおける翼基は好ましくは同一
意味を有することができる、即ち、ｍはｎの意味を有す
ることができ、ＸｌはＸ２の意味を有することができ、
ＲｓはＲ１の意味を有することができ、環りは環Ｅの意
味を有することができ、Ｒ１はＲａの意味を有すること
ができ、そしてキラル炭素原子での立体配置はこの場合
に好ましくは同一である。
式Ｉの化合物及び出発物質の製造は標準処理に記載され
た方法に従って行うことができる［例えばホーベン−ウ
ニイル（　Ｈ　ｏｕｂｅｎ　−　Ｗｅｙｌ）　、メトー
デン・デア・オルガニツシエン・ヘミイ（Ｍｅｔｈｏｄ
ｅｎ　　ｄｅｒ　　Ｏ　ｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ　　Ｃ　
ｈｅｍｉｅ）　、ゲオルグ・チーメ・フエアラーク、シ
ュタットガルト（Ｇｅｏｒｇ　　Ｔｈｉｅａ＋ｅ　　Ｖ
ｅｒｌａｇ，　Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ）　］　ｏ好ましく
は、この製造は一般式 式中、環へ％Ｂ及びＣは上記の意味を有する、のジカル
ボン酸またはこれらのジカルボン酸の適当な誘導体（例
えば酸塩化物）をアルコールＲＩＯＨ　（Ｒ’及びＲ２
が同一の意味を有する場合）またはアルコールＲ’ＯＨ
及びＲ”ＯＨでエステル化することによって行われる。
Ｒ１及びＲ２が異なる意味を有する場合、エステル化を
段階的に行うことができる。必要に応じて、またエステ
ル化を一工程で行うこともでき、得られた式Ｉの化合物
の混合物をそのまま使用し得るか、或いは普通の方法（
例えばクロマトグラフ的分離、再結晶）に従って分離す
ることができる。
式■のジカルボン酸は公知の化合物であるか、或いは公
知の化合物に対する方法と同様にして製造することがで
きる。例えばこれらのものは、カルボキシ基の代わりに
、適当な官能基、例えばシアノ、アミド及び／またはエ
ステル基を有する対応する化合物から加水分解によって
得ることができる。適当な化合物は例えばデイ−・デム
ス（Ｄ。
Ｄｅ＋＋＋ｕｓ）　’Ｊ、７リイシゲ・クリスター・イ
ン・タベレン（Ｆｌｊｉｓｓｉｇｅ　　Ｋｒｉｓｔａｌ
ｌｅ　　ｉｎ　　Ｔａｂｅｌｌｅｎ）、ＶＥＢドイチェ
ル・フエアラーク・フユール・グルンドストツフインダ
ストリイ（ＶＥＢ　　Ｄｅｕｔｓｃｈｅｒ　　Ｖｅｒｌ
ａｇ　　ｆｔｉｒ　　Ｇｒｕｎｄｓｔｏｆｆｉｎｄｕｓ
Ｌｒｉｅ）、ライプツイヒ（　Ｌ　ｅｉｐｚｉｇ）及び
この中に述べられた文献から公知である。更に、これら
のものは液晶製造に対する公知の方法［例えばドイツ国
特許出願公開明細書第２６４１７２４号、ヅアイトシュ
リフト・ナツールフオルシュン’；ｆ　（Ｚ、　Ｎａｔ
ｕｒｆｏｒｓｃｈｕｎｇ）　３３ｂ、　　４３３　（１
９７８）　、ツアイトシュリフト・ヘンイ（Ｚ　、　Ｃ
ｈｅｍｉｅ）上ユ、６３（１９７７）、モレキュラ・ク
リスタルズ・アンド・リキッド・クリスタルズ（Ｍｏ１
．　Ｃｒｙｓｔ。
Ｌ　ｉｑ、　Ｃｒｙｓｔ、）±２，１２２５　（１９７
７）］と同様にして、通常用いるアルキルまたはアルコ
キシ翼基の代りに、例えばシアノ、アミドまたはメチル
カルボニル翼基を有する対応する化合物を用いて得るこ
とができる。
更に、また式■のジカルボン酸は一般式式中、環Ａ、Ｂ
及びＣは上記の意味を有する、の化合物から、三塩化ア
ルミニウムの存在下においてアセチルクロライドによる
フリーデル−クラ７ツ（Ｆ　ｒｉｅｄｅｌ　−Ｃｒａｆ
ｔｓ）反応、次に次亜臭素酸ナトリウムによるハロホル
ム減反によって、或いは三塩化アルミニウムの存在下に
おいてオキザリルクロライドによる７リ一デルークラ７
ツ反応、そして必要に応じて、得られたジカルボン酸ク
ロライドの加水分解によって得ることができる。
式Ｉの化合物を液晶混合物におけるキラルドーピング物
質として用いることができる。従って、また本発明は少
なくとも一成分が式Ｉの光学的活性化合物である少なく
とも二成分を有する液晶混合物に関する。有利には、混
合物はネマテイク、コレステリックまたはスメクテイク
相を有する液晶物質及び１種またはそれ以上の式■の光
学的化合物を含有する。
キラルの傾斜したスメクテイク相を有する混合物、特に
５１ｆ−相を有する混合物が好ましい。これらの混合物
は好ましくは傾斜したスメクテイク相（特にスメクテイ
クＣ相）を有する液晶物質及び１種又はそれ以上の式Ｉ
の光学的活性化合物を含む。
本発明における混合物中の式Ｉの化合物の量は広い範囲
に変えることができ、例えば約０．５〜４０重量％であ
ることができる。一般に、約１〜２０重量％の範囲が好
ましく、約３〜ｌＯ重量％の範囲が特に好ましい。
更に成分として、通常の液晶物質が考えられる。
本発明における混合物は好ましくは１種またはそれ以上
の式■の化合物に加えて、１種またはそれ以上の次の一
般式の化合物を含有する二式中、Ｒ１及びＲｌｏは炭素
原子１８個までを有するアルキル、アルコキシ、アルカ
ノイル、アルカノイルオキシ、アルコキシカルボニルま
たはアルコキシカルボニルオキシを表わし；ｒ及びＳは
各々独立に１または２を表わし；Ｒ１１及びＲ１２は炭
素原子１−１８個を有するアルキルまたはアルコキシを
表わし； ｘ３はＣＨを表わし、そしてＸ４はＮを表わすか、或い
はｘ３はＮを表わし、そしてＸ４はＣＨを表わし；Ｇは
単一共有結合、トランス−１，４−シクロヘキシレン、
シス−４−シアノ−トラン′スー１．４−シクロヘキシ
レンまたは１．４−フェニレンを表わし、核層はハロゲ
ンまたはメチルで随時置換されていてもよく；環Ｆはト
ランス−１，４−シクロヘキシレン、ｌ、４−フェニレ
ンを表ｂＬ、　該ｍはハロゲンまたはメチルで随時置換
されていてもよく、或いはＧが単一共有結合を表わす場
合、またはシス−４−シアノ−トランス−１，４−シク
ロヘキシレンを表わし；Ｒ′３及びＲ目は各々随時ハロ
ゲン−置換されていてもよいアルキルまたはアルケニル
基を表わし、核層は随時１個のＣＨ，基または２個の非
隣接ＣＨ，基は−ｏ−−ｃｏｏ−及び／又は００Ｃ−で
置換されていてもよく；ｐは数０またはｌを表わし、　
Ｅ　ｌは単一共有結合、ＣＨｔ　　ＣＨｚ　　　　０Ｃ
Ｈｚ　　　　Ｃｏ。
−または−ｏＯＣ−を表わし：環Ｂ１、ＣＩ及びＤＩは
１．４−フェニレンを表わし、核層は随時シアノ、ハロ
ゲンまたは低級アルキルで置換されていてもよ＜；Ｙ３
及びＹ′は水素を表わすか、置換基Ｙ３及びＹ４の一つ
はまたはシアノを表わし：Ｒ′′及びＲＩ４は各々独立
に、ハロゲン−置換されたＣ　ｌ””　ＣＩ８−アルキ
ルまたは随時ハロゲン−置換されていてもよいｃ　ｚ”
”　ｃ　＋ｓ−アルケニルを表わし、核層の１個のＣＨ
，基または２個の非隣接ＣＨ，は酸素にとって代わって
いてもよく；ｘ′は単一共有結合、−０００−または一
０ＯＣ−を表わし、そしてＸ６は単一共有結合、−ＣＯ
Ｏ−００ＣＣＨｚ　　ＣＨｔ　　　　ＯＣＨ！−または
−ＣＨ２０−を表わし：環Ａ４、Ａ１及びＡ６は各々独
立に、未置換或いはシアノ、ハロゲン−または低級アル
キル−置換された１、４−フェニレンを表わすか、或い
は該環の一つはまたピリミジン−２，５−ジイルまたは
ピラジン−２，５−ジイルを表わすか、モして／または
ｐが１を表わす場合、また該環の一つはトランス−１，
４−シクロヘキシレンまＩこトランス−ｍ−ジオキサン
−２゜５−ジイルを表わし；Ｒ１７は炭素原子１８個ま
でを有する随時ハロゲン−置換されていてもよいアルケ
ニルを表わし、核層の１個のＣＨ，基または２個の非隣
接ＣＨ，基は随時−ｏ−−ｃｏ−−ｃｏｏ−まｆニー　
１１−００　Ｇにとって代わっていてもよく、そして／
またはＣ−Ｃ単結合は随時Ｃ−Ｃ二重結合にとって代わ
っていてもよ（：Ｒ１＃は炭素原子１８個までを有する
随時ハロゲン−置換されていてもよいアルキル基を表わ
し、核層の１個のＣＨ，基または２個の非隣接ＣＨ，は
−０−ｃｏ−−ｃｏｏ−または−００Ｃ−にとって代わ
っていてもよく、モして／または随時Ｃ−Ｃ単結合はＣ
−Ｃ二重結合にとって代わっていてもよ＜；ｘ７は単一
共有結合、−０００−−００Ｃ−−ＣＨ，−ＣＨ，−−
０ＣＨ１−または−ＣＨ２Ｏ−を表わし一環へ７、Ａｓ
及びＡ１の一つはピリミジン−２，５−ジイルを表わし
、環Ａ７、ＡＩ及びＡ９の一つは未置換或いはシアノ−
、ハロゲン−または低級アルキル−置換された１、４−
フェニレンを表わし、そして環Ａ７、Ａ８及びＡｓの一
つはトランス−１，４−シクロヘキシレン或いは未置換
またはシアノ−、ハロゲン−もしくは低級アルキル置換
された１、４−フェニレンを表わし；Ｒ１９及びＲ２Ｏ
は各々独立に、炭素原子１８個までを有する随時ハロゲ
ン−置換されていもよいアルキル基を表わし、核層の１
個のＣＨ，基または２個の非隣接ＣＨ，基は−○−−ｃ
ｏ−−ｃｏｏ−及び／または−ｏＯＣ−にとって代わっ
ていてもよく：Ｘｓは単一共有結合、−ＣＯＯ−−００
Ｃ−ＣＨ，ＣＨ，−−ＯＣＨ，−または−ＣＨ，Ｏ−を
表ワシ；環Ａ１、Ａ２及びＡ”（７）一つはトランス−
ｍ−ジオキサン−２，５−ジイルを表わし、そして環Ａ
　Ｉ、　Ａ　２及びＡ３の他の二つは各々独立に、未置
換或いはシアノ−ハロゲン−または低級アルキル−置換
された１、４−７二二レンを表わし；Ｒ１１及びＲ１２
は各々独立に、炭素原子１８個までを何する随時ハロゲ
ン−置換されていてもよいアルキル基を表わし、核層の
１個のＣＨ，基または２個の非隣接ＣＨ，基は随時−〇
−−ＣＯＣＯＯ−及び／または一０ＯＣ−にとって代わ
っていてもよい。
液晶混合物及び電子−光学装置の製造はそれ自体公知の
方法において行うことができる。
本発明を以下の実施例によって更に詳細に説明する。光
学的対掌体は各々の場合に同一相転移温度を有し、完全
に同−自発分極値及びねじれ値を誘導するが、しかし、
反対の記号を有する。相転移の特徴に用いた略語は次の
意味を有する二Ｃは結晶性を表わし、 Ｓはスメクテイクを表わし、 ＳＡ、Ｓｌ等はスメクテイクＡ１Ｂ等を表わし、５本い
５本、はキラルスメクテイクＣ，Ｆ等を表わし、 ｃｈはコレステリックを表わし、 Ｎはネマテイクを表わし、 １はイントロピックを表わす。
実施例１ 感想ピリジン２００ａ＋１２中の４．４“−ｐ−ターフ
ェニルジカルボン酸ジクロライド（ピリジン中にて８０
℃で４．４“−ターフェニルジカルボン酸と塩化チオニ
ルとの反応によって製造し得る）２２の溶液をＬ−（−
）−メントール［ｌ　（Ｒ）　。
２　（Ｓ）　、　５　（Ｒ）−メントール１２．１Ｍで
処理し、２０℃で２４時間撹拌した。次に反応混合物を
水及び希塩酸の混合物中に注いだ。結晶性生成物を濾別
し、水で洗浄し、高真空下で乾燥した。りａマドグラフ
的精製及び再結晶により、融点１６８〜１６９℃を有す
る４、４“−ジー［１（Ｒ）、２　（Ｓ）、５　（Ｒ）
−メンチルオキシカルボニル］−ｐ−ターフェニルヲ得
た。
同様の方法において、次のものを製造することができた
： ４．４“−ジー［１（Ｓ）−フェニル−１−エトキシカ
ルボニル１−ｐ−ターフェニル、融点１６６．５−１６
７．５℃： ４．４“−ジーＮ　（Ｓ）−（ｐ−メチル７エ二ル）−
エトキシカルボニル〕−ｐ−ターフェニル； ４．４＃−ジー［１（Ｓ）−（ｐ−メトキシフェニル）
−１−エトキシカルボニル］　−ｐ−ターフェニル・ ４．４″−ジＥ２　ＣＳ）−メチル−１−ブチルオキシ
カルボニル］−ｐ−ターフェニル、融点（Ａ−ＳＡ）１
３２℃、（ＳＡ−Ｃｈ）１４３℃、透明点（Ｃｈ−１）
１４５°０； ４．４″−ジー［２（Ｓ）−メチル−１−ペンチルオキ
シカルボニル］−ｐ−ターフェニＪし；４．４″−ジー
［２（Ｓ）−メチル−１−ヘキシルオキシカルボニル］
　−ｐ−ターフェニル：４．４“−ジー［２（Ｓ）−フ
ルオロ−１−プロピルオキシカルボニル］−ｐ−ターフ
ェニル：４．４＃−ジー［２（Ｓ）−クロロ−プロピル
オキシカルボニル１−ｐ−ターフェニル、融点（ｃ−５
Ａ）１２３℃、（ｓＡ−ｃｈ）１３５℃、透明点（Ｃｈ
−１）１３８°Ｃ： ４．４＃−ジー［２（Ｒ）−シアノ−１−プロピルオキ
シカルボニル］−ｐ−ターフェニル、融点１７９．２°
Ｃ； ４．４″−ジー［２（Ｓ）−フルオロ−１−ブチルオキ
シカルボニル］　−ｐ−ターフェニル：４．４″−ジー
［２（Ｓ）−クロロ−１−ブチルオキシカルボニル ４、４＃−ジー［２　（Ｓ）−シアノ−ｌ−ブチルオキ
シカルボニル］−ｐ−ターフェニル；融点１７９、２℃
； ４、４１−ジー［２　（Ｓ）−フルオロ−３−メチル−
ｌ−ブチルオキシカルボニル］−ｐ−ターフェニル； ４、４−一ジー（２　ＣＳ）−クロロ−３−１ブチルオ
キシカルボニル］−ｐ−ターフェニル：４、４″−ジー
［２　（Ｒ）−シアノ−３−メチル−１−ブチルオキシ
カルボニル ェニル： ４、４“−ジー［２　（Ｓ）−フルオロ−１−ペンチル
オキシカルボニル］−ｐ−ターフェニル；４、４＃−ジ
ー［２　（Ｓ）−クロロ−ｌ−ペンチルオキシカルボニ
ル］　−ｐ−ターフェニル：融点　（ｃ−ｓ＊ｃ）１０
６　℃、　（ＳｌＣ−ＳＡ）　　ｌ　　１　　０．２°
Ｃ、（ＳＡ−Ｃｈ）１　４　０℃、透明点（Ｃｈ−１）
１４１’Ｃ。
４．４″−ジー［２（Ｒ）−シアノ−１−ペンチルオキ
シカルボニル１−ｐ−ターフェニル、融点１２９−１３
１”Ｃ； ４．４“−ジー［２（Ｒ）−フルオロ−４−メチル−■
−ペンチルオキシカルボニル］−ｐ−’）−フェニル； ４．４“−ジー［２（Ｒ）−クロロ−４−メチル−１−
ペンチルオキシカルボニル１−ｐ−ターフェニル、融点
１６９．４−１７０．０℃；４．４＃−ジー［２（Ｓ）
−シアノ−４−メチル−１−ペンチルオキシカルボニル
］−ｐ−ターフェニル、融点１２９−１３１　℃。
１１．４″−ジー［２（Ｒ）−フルオロ−１−ヘキンル
オキシ力ルポニル１−ｐ−ターフェニル；４．４″−ジ
ー［２（Ｓ）−クロロ−１−へキシルオキシカルボニル
１−ｐ−ターフェニル；４−　［２（Ｓ）−オクチルオ
キシカルボニル］−４“−ジー［１（Ｓ）−フェニル−
１−エトキシカルボニル］−ｐ−ターフェニル； ４−　［２（Ｒ）−オクチルオキシカルボニル］−４“
−ジー［１（Ｓ）−フェニル−１−エトキンカルボニル
］−ｐ−ターフェニル； ４−　［２（Ｓ）−オクチルオキシカルボニル］−４“
−ジー［２（Ｓ）−クロロ−１−ペンチルオキシカルボ
ニル］−ｐ−ターフェニル：４−［２（Ｒ）−オクチル
オキシカルボニル］４＃−ジー［２（Ｓ）−クロロ−１
−ペンチルオキシカルボニル］　−ｐ−ターフェニル：
４−［２（Ｓ）−オクチルオキシカルボニル］−４″−
ジー［２（Ｒ）−シアノ−１−ペンチルオキシカルボニ
ル］−ｐ−ターフェニル；４−　［２（Ｒ）−オクチル
オキシカルボニル１−４“−ジー［２（Ｒ）−シアノ−
１−ペンチルオキシカルボニル］−ｐ−ターフェニル；
４−　［２（Ｓ）−才クチルオキシカルボニル−４“−
ジー［２　（Ｒ）−クロロ−４−メチルｌ−ペンチルオ
キシカルボニル ニル； ４−　［２　（Ｒ）−オクチルオキシカルボニル］−４
“−ジー［２　（Ｒ）−クロロ−４−メチル−１−ペン
チルオキシカルボニル］　−ｐ−ターフェニル； ４−　［２　（Ｓ）−オクチルオキシカルボニル］−４
“−ジー［２　（Ｓ）−シアノ−４−メチル−１−ペン
チルオキシカルボニル ニル； ４−　［２　（Ｒ）−オクチルオキシカルボニル］−４
〜−ジー［２　（Ｓ）−シアノ−４−メチル−１−ペン
チルオキシカルボニル］−ｐ−ターフェニル； ２、５−ビス−［４−　［２　（Ｓ）−オクチルオキシ
カルボニル ２、５−ビス−［４−　［１　　（Ｒ）　、２　（Ｓ）
　、５（Ｒ）−メチルオキシカルボニル］フェニル１　
ビリ　　ミ　ジ　ン　； ２、５−ビス−［４−　［１　（Ｓ）−フェニル−ｌ−
エトキシカルボニル１フエニル］ピリミジン；２、５−
ビス−［４−　［２　（Ｓ）−メチル−１＝ブチルオキ
シカルボニル１フエニル１　ピリミジン； ２、５−ビス−［４−　［２　（Ｓ）−クロロ−１プロ
ピルオキシカルボニル１フエニル］　ピリミジン； ２、５−ビス−［４−　［２　（Ｒ）−シアノ−ｌ−７
’ロビルオキシ力ルポニル］　フェニル］ピリミジン： ２、５−ビス−［４−　［２　（Ｓ）−クロロ−１−ヘ
ンチルオキシカルボニル１フェニル１ピリミジン； ２、５−ビス−［４−　［２　（Ｒ）−シアノ−■ーペ
ンチルオキシカルボニル１フェニル］　ピリミジン； ２、５−ビス−［４−　［２　（Ｒ）−クロロ−４−メ
チル−ｌ−ペンチルオキシカルボニル］フェニル］　ピ
リミジン： ２、５−ビス−［４−　［２　（Ｓ）−シアノ−４＝メ
チル−１−ペンチルオキシカルボニル］フェニル］　ピ
リミジン； 及び上記化合物の光学的対掌体。
出発物質として用いたアルコールは公知の化合物である
か、公知の化合物の同族体であるか、或いは次の方法に
従って製造することができる：ｌ−フェニルエタノール
を無水フタル［：反応させ、ラセミ性モノエステルを生
成させる。ラセミ体の分割を（−）−１−フェニルエチ
ルアミンによる塩生成及び分別結晶によって行う。光学
的活性モノエステルの希釈水酸化カリウムによる加水分
解によってＳ−（＋）−１−フェニルエタノール及びＲ
−（−）−１−フェニルエタノールが得られる。同様の
方法で置換されたフェニル残基を有する誘導体を得るこ
とができる。
Ｌ−アラニンを６Ｎ塩酸中で亜硝酸ナトリウムでジアゾ
化し、次に塩化メチレンで抽出して、５−２−クロロプ
ロピオン酸に転化した。生じた酸を乾燥ジエチルエーテ
ル中にて水素化リチウムアルミニウムで還元し、σＤ−
＋１９．３’　を有するＳ−（＋）−２−クロロ−１−
プロパツールを得た。Ｌ−ノルバリンの同様な反応によ
り、σ。−−３２，５’を有するＳ−Ｃ−’）−２−ク
ロロ−１−ペンタノールが得られた。Ｄ−ロイシンの同
様な反応により、α。−＋４３．２’　を有するＲ−（
＋）−２−クロロ−４−メチル−１−ペンタノールが得
られた。
ジメチルホルムアミド中のＳ−（＋）−２−クロロ−１
−プロパツールの溶液をシアン化カリウムで処理し、撹
拌しながら７０〜７５℃時間加熱した。かくして、ｆｆ
Ｑ−−１，３”　を有するＲ−（−）−２−シアノ−１
−プロパツールが得られｆ：、Ｓ−（−）−２−クロロ
−１−ペンタノールの同様な反応により、αＤ−＋１０
．３”　を有するＲ−（＋）　−２−シアノ−１−ペン
タノールが得られた。Ｒ−（＋）−２−クロロ−４−メ
チル−１−ペンタノールの同様な反応により、α。＝１
１．５’　を有するＳ−Ｃ−’）−２−シアノ−４メチ
ル−１−ペンタノールが得られた。
実施例２ ａ）ｔ−ブチルメチルエーテル２５０ｍＱ中のメトキシ
メチル−トリフェニルホスホニウムクロライド３７．２
２の懸濁液を室温でアルゴン通気しながらカリウムｔ−
ブチレート１３．１で処理し、１時間撹拌した。次に反
応混合物を約２０°Ｃにて４−シアノベンズアルデヒド
９．４９．？及び（−ブチルメチルエーテルｌｏＯ＋＋
＋Ｑの混合物で処理し、更に１時間撹拌した。その後、
反応混合物をジエチルエーテル／水に分配した。水相を
ジエチルエーテルで数回抽出した。有機相を水で洗浄し
、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、そして蒸発さ
せｔ；。生じた粗製の生成物をシリカゲル上で、石油エ
ーテル及びトルエン／ヘキサン（３：１容量比）を用い
てクロマトグラフ的に精製し、４−（２−メトキシビニ
ル）−ベンゾニトリルを得　Ｉこ　。
ｂ）オルトギ酸トリメチル１５ｎ＋（ｌを０℃でアルゴ
ン通気しなから三フッ化ホウ素ジエチルエーテレート１
８７μαで処理し、次に約９０℃で１０分間以内に、オ
ルトギ酸トリメチル３０ｍＱの４−（２−メトキシビニ
ル）−ベンゾニトリル２．７２の溶液で処理した。反応
溶液を室温で約６０時間撹拌し、次にトリエチルアミン
１００μαで処理し、そして蒸発させた。得られた粗製
の生成物をジエチルエーテル及び炭酸水素ナトリウム水
溶液に分配しｔ；。水相をジエチルエーテルで数回抽出
した。有機相を炭酸水素ナトリウム水溶液及び水で洗浄
し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過し、そして蒸発
させた。残渣をシリカゲル上で、酢酸エチル／石油エー
テルを用いてクロマトグラフ的に精製し、２−　（４−
シアノフェニル）マロンジアルデヒドテトラメチルアセ
タールを　？与　ｔこ　。
Ｃ）アセトニトリル５０ｍＱ中の２−（４−シアノフェ
ニル）マロンジアルデヒドテトラメチルアセタール３　
、９，？の溶液をアルゴン通気しなからｐ−トルエンス
ルホン酸＊和物８　１　、５　ｍ’ｉ　及び水２４１ｐ
Ｑで処理し、還流下で２時間加熱した。次に反応混合物
をジエチルエーテル及び炭酸水素ナトリウム水溶液に分
配した。水相をジエチルエーテルで数回抽出した。有機
相を炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシ
ウム上で乾燥し、濾過し、そして蒸発させた。得られｔ
；粗製の生成物をシリカゲル上で酢酸エチル／石油工−
チルで用いてクロマトグラフ的に精製し、２−（４−シ
アノフェニル）３−メトキシアクロレインを得た。
ｄ）ナトリウム２４７ｍ１を室温にてメタノールｌｏｍ
２で処理した。１５分後、得られた溶液全室温にて４−
アミノジベンズアミド塩酸塩１゜５８２で処理した。白
色懸濁液を生じ、これを室温で１０分間以内に、メタノ
ール５０ｍ（＋中の２−（４−シアノフェニル）３−メ
トキシアクロレイン１．４２７の溶液で滴下処理した。
反応混合物を室温で更に２時間撹拌し、次に吸引濾過し
た。
残渣を水、テトラヒドロ７ラン及びジエチルエーテルで
洗浄し、高真空下で乾燥した。４−　［５（４−シアノ
フェニル）−２−ピリミジニル１ベンズアミドが得られ
た。
ｅ）４−　［５（４−シアノフェニル）−２−ピリミジ
ニル１ベンズアミド１．８２を氷酢酸３０ｍＱ及び５０
％硫酸４０ｒａＱに懸濁させ、この混合物を３時間加熱
した（浴温１６０℃）。その後、冷却した反応混合物を
水２００＋＋＋Ｑに注ぎ、そして吸引濾過した。残渣を
水で洗浄し、高真空下で乾燥した。かくして、ピリミジ
ン−２，５−イレンビス（４−安息香酸）が得られた。
ｆ）ピリミジン−２，５−イレンビス（４−安息香酸）
８０ｍ、？及びピリジンｌＯｎ＋Ｉ２の混合物を塩化チ
オニル８０μＱで処理し、８０°Ｃに２０時間加熱した
。次に冷却した反応混合物をＲ−（−）−２−オクタツ
ール０．５ｍ（２で処理し、撹拌しながら２０時間以内
に１００℃に徐々に加熱した。
その後、反応混合物を冷却し、ジエチルエーテル及び水
に分配した。水相を分離し、ジエチルエーテル逆抽出し
た。有機相を２Ｎ塩酸及び水で洗浄し、硫酸マグネシウ
ム上で乾燥し、濾過し、そして蒸発させた。残渣をシリ
カゲル上で、酢酸エチル／石油エーテルを用いてクロマ
トグラフ的に精製し、２，５−ビス［４−（２（Ｒ）−
オクチルオキシカルボニル）フェニル１　ピリミジンを
得た。
同様の方法において、次のものを製造することができた
： ２．５−ビス−［４−［１（Ｒ）　、２　（Ｓ）　、５
（Ｒ）−メンチルオキシカルボニル ピリミジン； ２、５−ビス−［４−　（１　（Ｓ）−フェニルｌ−エ
トキシカフレボニル）フェニル１ピリミジン；２、５−
ビス−［４−　（２　（Ｓ）−メチル−１−ブチルオキ
シカルボニル）フェニル］ピリミジ２、５−ビス−［４
−　（２　（Ｓ）−クロロ−１−プロピルオキシカルボ
ニル）フェニル］ビリミンン； ２、５−ビス−［４−　（２　（Ｒ）−シアノ−１プロ
ピルオキシカルボニル）フェニル］　ピリミジン； ２、５−ビス−［４−　（２　（Ｓ）−マー１−ぺ〕／
チブチルオキシカルボニルェニル１ピリミジン：２、５
−ビス−［４−　（２　（Ｒ）−シアノ−ｌーペンチル
オキシ力ルポニル）フェニル１ピリミジン； ２、５−ビス−［４　−　（２　（Ｒ）−クロロ−４メ
チル−１−ペンチルオキシカルボニル）フェニル］　ピ
リミジン； ２、５−ビス−［４−　（２　（Ｓ）−シアノ−４−メ
チル−１−ヘンチルオキシカルボニル）７エ二ル］　ピ
リミジン； 及び上記化合物の光学的対字体。
実施例３ 傾斜したスメクテイク相において式Ｉの化合物によって
誘導される自然分極を４−オクチルオキシ安，ｆｌ香ａ
４−へキシルオキシフェニルエステルとの混合物に基づ
いて調べた。各々の場合に、４−才クチルオキシ安息香
酸４−へキシルオキシフェニルエステル（９５重量％）
を式■の化合物５重量％でドーピングした。混合物の自
発分極Ｐｓ±１℃で測定し、これから特定の化合物に対
する自発分極の外挿値Ｐｓを計算した。下記に示したＰ
ｓ及びＰｓの値は各々の場合に絶対値である。
４、４“−ジー［１　（Ｒ）　、２　（Ｓ）　、５　（
Ｒ）メンチルオキシカルボニル］−ｐ−ターフェニル、
Ｐｓ＝ｌｌｎＣ／ｃｍ”、Ｐｓ−２２０ｎＣ／　ｃ　ｍ
　’　； ４．４“−ジー［１（Ｓ）−フェニル−１−エトキ７カ
ルポニル］−ｐ−ターフェニル、Ｐｓ−１４ｎＣ／ｃｍ
２、Ｐ　ｓ−２８０ｎＣ／ａｍ”；４．４“−ジー［２
（Ｓ）−メチル−１−ブトキシカルボニル１−ｐ−ター
フェニル、Ｐｓ−０，８５ｎＣ／ｃｍ”、Ｐ　ｓ　−１
７ｎ　Ｃ／　ｃ　ｍ　”　；４．４″−ジー［２（Ｓ）
−クロロ−１−プロピルオキシカルボニル］−ｐ−ター
フェニル、Ｐｓ＝０．５１ｎＣ／ｃｍ”、Ｐｓ＝ＩＯ，
２ｎＣＰ　ｓ　＝　２０　ｎ　Ｃ／　ｃ　ｍ　”、Ｐｓ
＝４００ｎＣ／ｃｍ”； ４．４“−ジー［２（Ｒ）−クロロ−４−メチル−１−
ペンチルオキシカルボニル］−ｐ−ターフェニル、Ｐｓ
−９ｎＣ／ｃｍ”、ＰＳ−１８０ｎＣ／ｃｍ”； ４．４“−ジー［２（Ｓ）−シアノ−４−メチル−１−
ペンチルオキシカルボニル］　−ｐ−ターフェニル、Ｐ
ｓ＝　２０　ｎ　Ｃ７ｃｍ”、Ｐｓ−４００／　ｃ　ｍ
　”　； ４．４“−ジー［２（Ｒ）−シアノ−１−プロピルオキ
シカルボニル］　−ｐ−ターフェニル、Ｐ　ｓ　＝　５
　、５３　ｎ　Ｃ／　ｃ　ｍ　”、Ｐｓ−１１１ｎｃ／
ｎＣ／ｃｍ’。
Ｃｍ　　： ４．４“−ジー［２（Ｓ）−クロロ−１−ペンチルオキ
シカルボニル１−ｐ−ターフェニル、Ｐｓ＝６．８ｎＣ
／ａｍ”、ＰＳ＝１３６ｎＣ／ｃｍ″； ４．４“−ジー［２（Ｓ）−シアノ−１−ペンチルオキ
シカルボニル］−ｐ−ターフェニル、＠出 ニオピク・モスコー・ リサーチ・アンド・プ ロダクション・アソシ エイション ソビエト社会主義共和国連邦１０３７８７モスコー・ビ
ーサドバヤ１／４

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ I 式中、環Ａ、Ｂ及びＣは各々独立に、１個のＣＨ基また
    は２個のＣＨ基が随時窒素にとって代わっていてもよい
    未置換或いはハロゲ ン−、シアノ−、メチル−及び／またはメトキシ−置換
    された１，４−フェニレンを表わし；Ｒ＾１はヒドロキ
    シ基の開裂後の光学的活性テルペンアルコールの基また
    は基 −（ＣＨ＿２）ｍ−Ｃ＾＊ＨＸ＾１−Ｒ＾３を表わし；
    Ｒ＾３はヒドロキシ基の開裂後の光学的活性テルペンア
    ルコールの基または基 −（ＣＨ＿２）ｎ−Ｃ＾＊ＨＸ＾２−Ｒ＾４を表わし；
    ｍおよびｎは各々独立に、数０または１を表わ し；Ｃ＾＊はキラル炭素原子を表わし；Ｘ＾１及びＸ＾
    ２は各々独立に、フッ素、塩素、シアノ、メチルまたは
    メトキシを表わし；Ｒ＾３及びＲ＾４は各々独立に、基
    Ｒ、フェニルまたはＲで置換されたフェニルを表わし、
    ただし、Ｒ＾３はＸ＾１とは異なり、そしてＲ＾４はＸ
    ＾２とは異なるものとし；Ｒは随時１個のメチレン基が
    酸素にとつて代わつていてもよく及び／または随時１個
    の基ＣＨ−ＣＨが基Ｃ＝Ｃにとって代わっていてもよい
    アルキル基を表わし；ただし、環Ａ、Ｂ及びＣが共にｐ
    −ターフェニルを表わす場合、Ｒ＾１及びＲ＾２は同時
    に２−アルキルを表わさぬものとする、 の光学的活性化合物。 ２、環Ａ、Ｂ及びＣが各々独立に、未置換又はハロゲン
    −、シアノ−、メチル−及び／またはメトキシ−置換さ
    れた１，４−フェニレンを表わすか、或いはまた環Ａ、
    Ｂ及びＣの一つがピリミジン−２，５−ジイルを表わす
    特許請求の範囲第１項記載の光学活性化合物。 ３、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ I ｄ 式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は特許請求の範囲第１項に示し
    た意味を有し；そしてＹ＾１及びＹ＾２は各々独立に、
    水素、ハロゲン、シアノ、メチルまたはメトキシを表わ
    し；ただし、Ｒ＾１及びＲ＾２の双方が２−アルキルを
    表わす場合、Ｙ＾１及び／またはＹ＾２は水素とは異な
    るものとする、を有する特許請求の範囲第１項または第
    ２項記載の光学的活性化合物。 ４、Ｒ＾１が基−（ＣＨ＿２）ｍ−Ｃ＾＊ＨＸ＾１−Ｒ
    ＾３を表わし、ここで、ｍは数０を表わし、そしてＸ＾
    １はシアノ、メチルまたはメトキシを表わすか、或いは
    ｍは数１を表わし、そしてＸ＾１はフッ素、塩素、シア
    ノ、メチルまたはメトキシを表わす特許請求の範囲第１
    〜３項のいずれれかに記載の光学的活性化合物。 ５、Ｒ＾２が基−（ＣＨ＿２）ｎ−Ｃ＾＊ＨＸ＾２−Ｒ
    ＾４を表わし、ここで、ｎは数０を表わし、そしてＸ＾
    ２はシアノ、メチルまたはメトキシを表わすか、或いは
    ｎは数１を表わし、そしてＸ＾２はフッ素、塩素、シア
    ノ、メチルまたはメトキシを表わす特許請求の範囲第１
    〜４項のいずれかに記載の光学的活性化合物。 ６、Ｒ＾３及びＲ＾４が、各々の場合に最大１５個の炭
    素原子を有するアルキル、アルケニル、フェニル、ｐ−
    アルキルフェニル、ｐ−アルコキシフェニルまたはｐ−
    アルケニルオキシフェニルを表わす特許請求の範囲第１
    〜５項のいずれかに記載の光学的活性化合物。 ７、Ｒ＾１及び／またはＲ＾２がメチルを表わす特許請
    求の範囲第１〜３項のいずれかに記載の光学的活性化合
    物。 ８、Ｒ＾１及びＲ＾２が同一の意味を有する特許請求の
    範囲第１〜７項のいずれかに記載の光学的活性化合物。 ９、少くとも一成分が特許請求の範囲第１項に定義した
    式 I の光学的活性化合物である、少くとも二成分を有
    する液晶混合物。 １０、電子−光学装置のための特許請求の範囲第１項に
    定義した式 I の光学的活性化合物の使用。
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