JPH02111103A - 誘導体フィルタの製造方法 - Google Patents
誘導体フィルタの製造方法Info
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- JPH02111103A JPH02111103A JP26349088A JP26349088A JPH02111103A JP H02111103 A JPH02111103 A JP H02111103A JP 26349088 A JP26349088 A JP 26349088A JP 26349088 A JP26349088 A JP 26349088A JP H02111103 A JPH02111103 A JP H02111103A
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- metal oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、三個以上の同軸ＴＥＭ共振の共振子ユニット
を具えたブロック形の誘電体フィルタに係るもので、特
に中間の共振子ユニットの共振周波数を調整するための
構造および方法に関するものである。
を具えたブロック形の誘電体フィルタに係るもので、特
に中間の共振子ユニットの共振周波数を調整するための
構造および方法に関するものである。
複数の共振子ユニットを一個の誘電体ブロック内に一体
に形成する、ブロック形誘電体フィルタがマイクロ波領
域において各方面で利用されている。共振子ユニットの
数は二個のものと三個以上具えたものがある。・ 共振子ユニットが三個以上の誘電体フィルタでは、中間
の各段の共振周波数が同じでなくなる。
に形成する、ブロック形誘電体フィルタがマイクロ波領
域において各方面で利用されている。共振子ユニットの
数は二個のものと三個以上具えたものがある。・ 共振子ユニットが三個以上の誘電体フィルタでは、中間
の各段の共振周波数が同じでなくなる。
これを調整するために、第２図に示したように、共振子
ユニットの貫通孔の開口のある開放端面から短絡端面ま
での寸法１を変える方法がある。中間の共振子ユニット
のこの長さ１′を長（し、この長さによって決まる共振
周波数を低くしようとするものである。
ユニットの貫通孔の開口のある開放端面から短絡端面ま
での寸法１を変える方法がある。中間の共振子ユニット
のこの長さ１′を長（し、この長さによって決まる共振
周波数を低くしようとするものである。
しかし、この方法では開放端面を段違いに研磨する必要
があり、加工に多くの工数を必要とするといった問題が
ある。
があり、加工に多くの工数を必要とするといった問題が
ある。
また、第３図に示したように、中間の共振子ユニットの
貫通孔内に形成された内導体と導通する導体パターン３
７を開放端面に形成し、この導体パターン３７と外導体
３５を近接させ、対向させる方法がある。これによって
、導体パターン３７とアース電位の外導体３５との間に
容量が形成される。
貫通孔内に形成された内導体と導通する導体パターン３
７を開放端面に形成し、この導体パターン３７と外導体
３５を近接させ、対向させる方法がある。これによって
、導体パターン３７とアース電位の外導体３５との間に
容量が形成される。
しかし、導体パターン３７の形成及び調整を微細に行も
必要があり、細心の注意が必要となる。
必要があり、細心の注意が必要となる。
本発明は、上記のような問題を解決して、加工および調
整を不要とし、共振子ユニットを所望の周波数に設定し
ようとするものである。
整を不要とし、共振子ユニットを所望の周波数に設定し
ようとするものである。
本発明は、中間の共振子ユニットの誘電体材料の誘電率
を高くして、同じ寸法で低い共振周波数を得ることによ
って、上記の課題を解決するものである。
を高くして、同じ寸法で低い共振周波数を得ることによ
って、上記の課題を解決するものである。
すなわち、三個以上の共振子ユニットを一体に誘電体ブ
ロック内に形成して成る誘電体フィルタの製造方法にお
いて、該誘電体ブロックの中央の共振子ユニットの内導
体が形成される貫通孔に金属酸化物を塗布し、該誘電体
ブロックを熱処理して当該金属酸化物を該誘電体ブロッ
ク内に拡散させ、該誘電体ブロックの中央の共振子ユニ
ットの形成される部分の誘電体の誘電率を、両端の共振
子ユニットが形成される分の誘電体の誘電率よりも高く
することに特徴を有するものである。
ロック内に形成して成る誘電体フィルタの製造方法にお
いて、該誘電体ブロックの中央の共振子ユニットの内導
体が形成される貫通孔に金属酸化物を塗布し、該誘電体
ブロックを熱処理して当該金属酸化物を該誘電体ブロッ
ク内に拡散させ、該誘電体ブロックの中央の共振子ユニ
ットの形成される部分の誘電体の誘電率を、両端の共振
子ユニットが形成される分の誘電体の誘電率よりも高く
することに特徴を有するものである。
また、外導体が形成される外周面に併せて金属酸化物を
塗布し、より効率的に拡散を行うものである。
塗布し、より効率的に拡散を行うものである。
Ａ波長同軸ＴＥＭ誘電体共振器の共振周波数はその寸法
（長さ）によって決まる。同じ材料で一体型の誘電体ブ
ロックを形成した場合には、中間段の共振子ユニットの
共振周波数の調整のための手段が必要となる。
（長さ）によって決まる。同じ材料で一体型の誘電体ブ
ロックを形成した場合には、中間段の共振子ユニットの
共振周波数の調整のための手段が必要となる。
また、Ａ波長同軸ＴＥＭ共振器の長さしについては、
Ｌ＝Ｃ／ （４・Ｆコ ・ｆｏ）
（Ｃは光速、ｆｏは共振周波数）
なる関係があり、同一のＬを有する共振器であればε、
の高いものの方がｆｏが低くなる。
の高いものの方がｆｏが低くなる。
本発明は、この誘電率の差により共振周波数に差が生じ
ることを利用したものである。
ることを利用したものである。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は、本発明により製造する誘電体フィルタとなる
誘電体ブロックの斜視図である。誘電体ブロック１０に
は間隔を置いて対向する表面間を貫く貫通孔１１〜１３
が形成されている。この貫通孔１１〜１３には、後に４
体膜が形成され、共振子ユニットの内導体となる。また
、四つの側面にも導体膜が形成され、外導体となる。貫
通孔１１〜１３の開口のある上下の表面の一方にも導体
膜が形成され、短絡端面となる。もう一方の表面には導
体膜が形成さ・れす、開放端面となる。これによって、
貫通孔１１〜１３の内導体、外周の外導体、上下の一方
の表面の短絡端面とによって、三個の共振子ユニットが
形成されることになる。
誘電体ブロックの斜視図である。誘電体ブロック１０に
は間隔を置いて対向する表面間を貫く貫通孔１１〜１３
が形成されている。この貫通孔１１〜１３には、後に４
体膜が形成され、共振子ユニットの内導体となる。また
、四つの側面にも導体膜が形成され、外導体となる。貫
通孔１１〜１３の開口のある上下の表面の一方にも導体
膜が形成され、短絡端面となる。もう一方の表面には導
体膜が形成さ・れす、開放端面となる。これによって、
貫通孔１１〜１３の内導体、外周の外導体、上下の一方
の表面の短絡端面とによって、三個の共振子ユニットが
形成されることになる。
上記のような誘電体ブロックは、ＢａＯ、Ｔｉ０ｚ、Ｎ
ｄ２Ｏ２から成るセラミック誘電体材料を成型し、焼成
して得られる。導体膜の形成は銀等のペーストを塗布し
、焼付処理によって行う。
ｄ２Ｏ２から成るセラミック誘電体材料を成型し、焼成
して得られる。導体膜の形成は銀等のペーストを塗布し
、焼付処理によって行う。
本発明においては、焼成後、金属酸化物の拡散の処理を
行う。：個の貫通孔１１〜１３のうち、中央の共振子ユ
ニットの内導体が形成される貫通孔１２内にＢ１ｚ０３
、ＰｂＯ、ＣｕＯ等の金属酸化物のペースト１４を塗
布する。乾・燥の後、熱処理を行うと、これらの金属酸
化物は誘電体ブロックの誘電体内に拡散される。これら
の金属酸化物が拡散されると誘電体の誘電率は上弄する
。
行う。：個の貫通孔１１〜１３のうち、中央の共振子ユ
ニットの内導体が形成される貫通孔１２内にＢ１ｚ０３
、ＰｂＯ、ＣｕＯ等の金属酸化物のペースト１４を塗
布する。乾・燥の後、熱処理を行うと、これらの金属酸
化物は誘電体ブロックの誘電体内に拡散される。これら
の金属酸化物が拡散されると誘電体の誘電率は上弄する
。
また、外導体が形成される外周面にも金属酸化物ペース
目４′を同時に塗布し、熱処理を行うと拡散の効率をよ
り高めることができる。外周面に塗布する導体ペースト
１４′ は、中央の共振子ユニットの誘電体の部分のみ
としなければｔ（らない。
目４′を同時に塗布し、熱処理を行うと拡散の効率をよ
り高めることができる。外周面に塗布する導体ペースト
１４′ は、中央の共振子ユニットの誘電体の部分のみ
としなければｔ（らない。
なお、熱処理の条件は金属酸化物の種類によって異なる
が、ＢｉｚＯｘの例では９００＝１１００ ′Ｃの温度
で、約２時間処理すれば十分に拡散されろことが確認さ
れた。
が、ＢｉｚＯｘの例では９００＝１１００ ′Ｃの温度
で、約２時間処理すれば十分に拡散されろことが確認さ
れた。
なお、ブロック型の誘電体フィルタに才？いては通常結
合調整用の孔を形成して共振子ユ゛−ット間の容量を調
整しているが、この結合調整用の孔内に金属酸化物を塗
布し、拡散させて誘電率を変えて結合容量を調整するこ
とも可能である。
合調整用の孔を形成して共振子ユ゛−ット間の容量を調
整しているが、この結合調整用の孔内に金属酸化物を塗
布し、拡散させて誘電率を変えて結合容量を調整するこ
とも可能である。
なお４個以上の共振子ユニットにおいては、両端の共振
子ユニットを除いて拡散処理を行えばよい。各共振子ユ
ニットで拡散の料を変えて誘電率に変化を付けることも
できる。
子ユニットを除いて拡散処理を行えばよい。各共振子ユ
ニットで拡散の料を変えて誘電率に変化を付けることも
できる。
本発明によれば、共振周波数の調整のなされた誘電体ブ
ロックが得られ、機械的な調整が不要となる。したがっ
て、研削や、導体パターンの付加の作業が不要となる。
ロックが得られ、機械的な調整が不要となる。したがっ
て、研削や、導体パターンの付加の作業が不要となる。
また、拡散の量を調整することなどにより、特性の異な
る多品種の誘電体フィルタに対応できる利点もある。
る多品種の誘電体フィルタに対応できる利点もある。
第１図本発明の実施例を示す斜視図、第２図と第３図は
従来の誘電体フィルタの斜視図である。 １１〜１３・・・・貫通孔
従来の誘電体フィルタの斜視図である。 １１〜１３・・・・貫通孔
Claims (5)
- （１）三個以上の共振子ユニットを一体に誘電体ブロッ
ク内に形成して成る誘電体フィルタの製造方法において
、該誘電体ブロックの中央の共振子ユニットの内導体が
形成される貫通孔に金属酸化物を塗布し、該誘電体ブロ
ックを熱処理して当該金属酸化物を該誘電体ブロック内
に拡散させ、該誘電体ブロックの中央の共振子ユニット
の形成される部分の誘電体の誘電率を、両端の共振子ユ
ニットが形成される分の誘電体の誘電率よりも高くする
ことを特徴とする誘電体フィルタの製造方法。 - （２）三個以上の共振子ユニットを一体に誘電体ブロッ
ク内に形成して成る誘電体フィルタの製造方法において
、該誘電体ブロックの中央の共振子ユニットの内導体が
形成される貫通孔と外導体が形成される外周面に金属酸
化物を塗布し、該誘電体ブロックを熱処理して当該金属
酸化物を該誘電体ブロック内に拡散させ、該誘電体ブロ
ックの中央の共振子ユニットの形成される部分の誘電体
の誘電率を、両端の共振子ユニットが形成される分の誘
電体の誘電率よりも高くすることを特徴とする誘電体フ
ィルタの製造方法。 - （３）該金属酸化物がＢｉ＿２Ｏ＿３である請求項第１
項または第２項記載の誘電体フィルタの製造方法。 - （４）該金属酸化物がＰｂＯである請求項第１項または
第２項記載の誘電体フィルタの製造方法。 - （５）該金属酸化物がＣｕＯである請求項第１項または
第２項記載の誘電体フィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26349088A JPH02111103A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 誘導体フィルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26349088A JPH02111103A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 誘導体フィルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02111103A true JPH02111103A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17390242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26349088A Pending JPH02111103A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 誘導体フィルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02111103A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527829A (en) * | 1978-08-15 | 1980-02-28 | Taiyo Yuden Kk | Manufacture of ceramic dielectric body |
| JPS56162820A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Kiyoshi Okazaki | Vapor bank layered laminated ceramic capacitor and method of manufacturing same |
| JPS5943604A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-10 | Murata Mfg Co Ltd | 分布定数形フイルタ |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP26349088A patent/JPH02111103A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527829A (en) * | 1978-08-15 | 1980-02-28 | Taiyo Yuden Kk | Manufacture of ceramic dielectric body |
| JPS56162820A (en) * | 1980-05-20 | 1981-12-15 | Kiyoshi Okazaki | Vapor bank layered laminated ceramic capacitor and method of manufacturing same |
| JPS5943604A (ja) * | 1982-09-03 | 1984-03-10 | Murata Mfg Co Ltd | 分布定数形フイルタ |
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