JPH02109214A - 化合物系超電導線の製造方法 - Google Patents
化合物系超電導線の製造方法Info
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- JPH02109214A JPH02109214A JP63262003A JP26200388A JPH02109214A JP H02109214 A JPH02109214 A JP H02109214A JP 63262003 A JP63262003 A JP 63262003A JP 26200388 A JP26200388 A JP 26200388A JP H02109214 A JPH02109214 A JP H02109214A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業l二の1:1]用分野 1
本発明(」、核融合炉用)・ロイダルマグネット、粒子
加速機用マグネット、超電導発電機用マグネット等に利
用される化合物系超電導線の製造方法に関する。
加速機用マグネット、超電導発電機用マグネット等に利
用される化合物系超電導線の製造方法に関する。
「従来の技術J
従来、Cu合金からなる金属基地の内部?こ無数の極細
のN l) 3 S n超電導フィラメント・を配列し
た構造の超電導線か知られている。このN1.+3Sn
系の超電導線を製造するには、第5図に示すようなNb
ロッドからなる芯材1にCuあるいはCu−Sn合金か
らなろ管体2を被せて形成した複合体を複数本集合し、
次いでCu−Sn合金の管体3に挿入して縮径し、第6
図に示す1次素線4を作成−ケる。
のN l) 3 S n超電導フィラメント・を配列し
た構造の超電導線か知られている。このN1.+3Sn
系の超電導線を製造するには、第5図に示すようなNb
ロッドからなる芯材1にCuあるいはCu−Sn合金か
らなろ管体2を被せて形成した複合体を複数本集合し、
次いでCu−Sn合金の管体3に挿入して縮径し、第6
図に示す1次素線4を作成−ケる。
次にこの1次索線4を複数本集合して第7図に示ずCu
−Sn合金の管体5に挿入17て縮径し、四に外周にS
nメブキ層6を第8図に示すように形成してメッキ素線
7を作成し、このメッキ素線7に拡散熱処理を施し、S
nを拡散さUてN t、+のフィラメントと反応させ、
N b3S n超電導フィラメントを生成さセることに
より第8図に示す超電導線8を製造、t−ることができ
る。
−Sn合金の管体5に挿入17て縮径し、四に外周にS
nメブキ層6を第8図に示すように形成してメッキ素線
7を作成し、このメッキ素線7に拡散熱処理を施し、S
nを拡散さUてN t、+のフィラメントと反応させ、
N b3S n超電導フィラメントを生成さセることに
より第8図に示す超電導線8を製造、t−ることができ
る。
1 究明が解決しようと4″る課題−1Ari記υ゛法
で製造された超電導線8において、特に交流用どして製
造されたものは、超電導フィラメノl−の直径かIlt
m以下の小さいものとなり、超11^導−゛イーシメノ
ト間・1−)間隔ら小さくなるので、交流通電時に極細
t7−)超電導フィラメント間に結合電流か生じ易い傾
向がある。即ち、超電導電子の市J′−ベアか金属屑地
側にり、、 、7.、出し、隣接する超電導−?イリメ
ントの間て結合オろノーめに交流通電時の結合損失が増
大する問題があった。
で製造された超電導線8において、特に交流用どして製
造されたものは、超電導フィラメノl−の直径かIlt
m以下の小さいものとなり、超11^導−゛イーシメノ
ト間・1−)間隔ら小さくなるので、交流通電時に極細
t7−)超電導フィラメント間に結合電流か生じ易い傾
向がある。即ち、超電導電子の市J′−ベアか金属屑地
側にり、、 、7.、出し、隣接する超電導−?イリメ
ントの間て結合オろノーめに交流通電時の結合損失が増
大する問題があった。
本発明は11「j記課題を解決するためになされたしコ
・)−ご、超電導特性の安定化の面で優れ、交流通電時
の結、1損失が少なく、交流用として優れた化合物系超
電導線を製造する方法を提供することを目的卜4゛ろ。
・)−ご、超電導特性の安定化の面で優れ、交流通電時
の結、1損失が少なく、交流用として優れた化合物系超
電導線を製造する方法を提供することを目的卜4゛ろ。
課題を解決するための手段 1
本発明は前記課題を解決2゛るために、超電導金属間化
合物を構成4′ろ複数の元素のうち、少なくどb I
−> 6D、 、IL素を告白゛した+、4料からなり
、溝部あるいは透孔などの収納部を長さ方向に形成した
長尺の母材を川音(7、この母材の収納部にFe、Ni
Cr、Mnなどの磁性元素の中から選択さイする1挿具
1−の元素を含有オる芯材を挿入(7て複合体を作成し
、この複合体を複数本集合した後に縮径加1を施す−L
程を必要回数行−・て索線を作成し、次いでこの素線に
前記金属間化合物を構成4′ろ元素のうち、残りの元素
からなるメ・ツギ層を形成し、更に拡散熱処理を施して
超電導金属間化合物を生成させるものである。
合物を構成4′ろ複数の元素のうち、少なくどb I
−> 6D、 、IL素を告白゛した+、4料からなり
、溝部あるいは透孔などの収納部を長さ方向に形成した
長尺の母材を川音(7、この母材の収納部にFe、Ni
Cr、Mnなどの磁性元素の中から選択さイする1挿具
1−の元素を含有オる芯材を挿入(7て複合体を作成し
、この複合体を複数本集合した後に縮径加1を施す−L
程を必要回数行−・て索線を作成し、次いでこの素線に
前記金属間化合物を構成4′ろ元素のうち、残りの元素
からなるメ・ツギ層を形成し、更に拡散熱処理を施して
超電導金属間化合物を生成させるものである。
I−作用 j
超電導フィラメントが分散配列さねへ金IAJA地に磁
性元素が含有されているので、クーパー電子ベアが超電
導フィラメントから常電導金属基地側にしみ出した場合
に、磁性元素の6つ磁性モーメントによってペアがこわ
され、交流通電時に超電導フィラメントの間の金属基地
に流れようと一ケろ結合電流か抑制され、交流損失が減
少4−る。1り祠に形成゛4゛ろ収納部の数と大きさを
調節十ろことで磁性元素の含有量を自由に調節すること
かできろ9゜ニー実施例 1 第1図(A)ないし第1図(J)は、本発明方法をN1
1JSII系の超電導線の製造方法に適用[、ノコ−実
施例を説明4−るためのらのて、超電導線を製造するに
は、第1図に示4“Nbからなろロッド状の母(410
を用(\し、この母材10の外周にI;す祠1゜のL≧
さU向に沿−・°ζ1つ以−1−の溝部(収納部)+1
を7:l5O−ル加りあるいは切削加工などの方法によ
り第1図(I()に示すように形成する。ここで形成・
1゛ろ溝部11の数と大きさは必要に応じて適宜設定・
4゛ることかできる。
性元素が含有されているので、クーパー電子ベアが超電
導フィラメントから常電導金属基地側にしみ出した場合
に、磁性元素の6つ磁性モーメントによってペアがこわ
され、交流通電時に超電導フィラメントの間の金属基地
に流れようと一ケろ結合電流か抑制され、交流損失が減
少4−る。1り祠に形成゛4゛ろ収納部の数と大きさを
調節十ろことで磁性元素の含有量を自由に調節すること
かできろ9゜ニー実施例 1 第1図(A)ないし第1図(J)は、本発明方法をN1
1JSII系の超電導線の製造方法に適用[、ノコ−実
施例を説明4−るためのらのて、超電導線を製造するに
は、第1図に示4“Nbからなろロッド状の母(410
を用(\し、この母材10の外周にI;す祠1゜のL≧
さU向に沿−・°ζ1つ以−1−の溝部(収納部)+1
を7:l5O−ル加りあるいは切削加工などの方法によ
り第1図(I()に示すように形成する。ここで形成・
1゛ろ溝部11の数と大きさは必要に応じて適宜設定・
4゛ることかできる。
綺いて1〜尚部11に磁性元素あるいは磁性元素V)合
金か↓−なる芯材12を第1図(c)に示すように挿入
(5て複合体13を作成4−る。なお、芯材12を構成
・(゛る材料は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、PeC
c)、N i、Sr、Y 、Cb、Zr、Rh、Pd、
Ce、Pr NdS m、I u、G (1,Tb、I
) y、I(o、E r、T mなどの磁性元素の中か
ら選択されろ1種、あるいは、2種以上か用いらイ1ろ
5、L′お、芯材12を合金から構成ずろ場i(’ +
J、Fc−Ni合金、Fe−Ni Cr合金、FeM
n合金、P c−N i−Cr Mnなとを用いること
かできろ。
金か↓−なる芯材12を第1図(c)に示すように挿入
(5て複合体13を作成4−る。なお、芯材12を構成
・(゛る材料は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、PeC
c)、N i、Sr、Y 、Cb、Zr、Rh、Pd、
Ce、Pr NdS m、I u、G (1,Tb、I
) y、I(o、E r、T mなどの磁性元素の中か
ら選択されろ1種、あるいは、2種以上か用いらイ1ろ
5、L′お、芯材12を合金から構成ずろ場i(’ +
J、Fc−Ni合金、Fe−Ni Cr合金、FeM
n合金、P c−N i−Cr Mnなとを用いること
かできろ。
次に前記複合体13にN1)からなる管体14を第1図
(I〕)に示すように被せ、更にその外側に、純Cuあ
るいはCu−3O合金なとからなる管体I5を被U、更
に縮径加I4を施して第1図(1=:)に示4゛複合体
16を作成する。
(I〕)に示すように被せ、更にその外側に、純Cuあ
るいはCu−3O合金なとからなる管体I5を被U、更
に縮径加I4を施して第1図(1=:)に示4゛複合体
16を作成する。
次にこの複合体I6を第1図(F)に示4−ように複数
本集合しfコ後に縮径して第1図(G)に示4−1次素
線18を作成し、次いてこの1次索線I8を第1図C1
−1)に示すように複数本集合して純CuあるいはCu
−8O合金からなる管体19に挿入し、更に縮径して第
1図(、■)に示す2次素線20を作成する。この2次
索線20 i;I: CuあるいはCu5n合金の基地
の内部に無数のN bフィラメントが配列された構造と
なっている。続いてこの2次素線20の外周にSnのメ
ッキ層20aを形成して第1図(1)に示4メノギ素線
21を形成する。
本集合しfコ後に縮径して第1図(G)に示4−1次素
線18を作成し、次いてこの1次索線I8を第1図C1
−1)に示すように複数本集合して純CuあるいはCu
−8O合金からなる管体19に挿入し、更に縮径して第
1図(、■)に示す2次素線20を作成する。この2次
索線20 i;I: CuあるいはCu5n合金の基地
の内部に無数のN bフィラメントが配列された構造と
なっている。続いてこの2次素線20の外周にSnのメ
ッキ層20aを形成して第1図(1)に示4メノギ素線
21を形成する。
続いてこのメソギ索線21を100℃以1−の温度でS
nの融点より6低い温度、よりに’f t 1〜< 1
.1180 r:〜2;20°Cて数十時間〜数百時間
加熱ずろ第1熱処理を行;)とともに、300〜450
℃て散)0口間加熱4゛る第2熱処理を行い、その後
に500− (’+ 50°(:で数1−時時間数数百
間加熱する最終1+、)、成熱処理を行−)。
nの融点より6低い温度、よりに’f t 1〜< 1
.1180 r:〜2;20°Cて数十時間〜数百時間
加熱ずろ第1熱処理を行;)とともに、300〜450
℃て散)0口間加熱4゛る第2熱処理を行い、その後
に500− (’+ 50°(:で数1−時時間数数百
間加熱する最終1+、)、成熱処理を行−)。
以1の8段階の熱処理の場合、第1熱処理におし1てS
(+の融【J、(よζ〕低い温度で加熱することによ
り、ノ Iキ層20aの溶(l落t5を[:ノノ止し戸
がらメ:lキ層:20 aのSnを2次素線20の内部
側に拡散さ1」ζメッキ層20aを消失さ且ろことがで
きろ。
(+の融【J、(よζ〕低い温度で加熱することによ
り、ノ Iキ層20aの溶(l落t5を[:ノノ止し戸
がらメ:lキ層:20 aのSnを2次素線20の内部
側に拡散さ1」ζメッキ層20aを消失さ且ろことがで
きろ。
1)1、第2熱処理において引き続き300〜450″
Cで1」[1熱4′るごとによりCu−Sn化合物の生
成をトII +L、 LらからSnを2次素線20の内
部側に十分に)υ、散きUろことかできる。そして最終
拡散熱処理を(i;)ごとにより2次素線20の内部の
Nbの極細−1イラメントとSl′lを反応さUてNb
3Sn超電導フrラノ〉・トを生成させ、第1図(J)
に示す構造のNbaSn超電導線Aを得ることかできる
。
Cで1」[1熱4′るごとによりCu−Sn化合物の生
成をトII +L、 LらからSnを2次素線20の内
部側に十分に)υ、散きUろことかできる。そして最終
拡散熱処理を(i;)ごとにより2次素線20の内部の
Nbの極細−1イラメントとSl′lを反応さUてNb
3Sn超電導フrラノ〉・トを生成させ、第1図(J)
に示す構造のNbaSn超電導線Aを得ることかできる
。
この超電導線Δにあ−)では、熱処理によって芯+4’
+ 2υ)磁性元素か周囲の金属基地に拡散している
ので磁性元素を含有するCu−Sn合金からなる基地の
内部に極細のNbzSn超電導フィラメフィが配列され
た構造になっている3、なお、熱処理により磁性元素は
拡散防止層を通過して拡散しNb。
+ 2υ)磁性元素か周囲の金属基地に拡散している
ので磁性元素を含有するCu−Sn合金からなる基地の
内部に極細のNbzSn超電導フィラメフィが配列され
た構造になっている3、なお、熱処理により磁性元素は
拡散防止層を通過して拡散しNb。
Sn超電導フィラメントを覆う5ノ、うにな−・ている
。
。
また、拡散し雉いような元素であ−、てら、芯+412
かNb3Sn−、’イラメントの周囲を囲むので後述゛
4゛る結合損失の減少効果を発揮4−る。
かNb3Sn−、’イラメントの周囲を囲むので後述゛
4゛る結合損失の減少効果を発揮4−る。
前記超電導線Aは液体l\リウムなとの冷媒によ−、て
極低温に冷却して使用6−ろ。そして、交流通電を行っ
た場合、金属基地に磁性元素が含(fさ21ているので
、超電導フィラメント間に生しる結合損失を低減させる
ことができる。ここで超電導線において交流通電時に超
電導電フィラメントの間に結合損失が生じるのは、交流
用の超電導線にあっては、超電導フィラメントか直径1
μm以lJ程度まで極細化さA1ており、このような極
細i子の超電導フィラメントからは、その周囲のCu−
Sn合金基地側に超電導電−rのクーパー電r−ベアが
しみ出し、隣接する超電導フィラメントの間で電子ベア
の結合がなされる)こめである。従って超電導フィラメ
ントの周囲のC+r−Sn合金基地内に磁性を有4゛ろ
丸木か自白′されていると前記クーパー電子のベアかそ
の磁性モーメントによりこわさイ1て結合か生じにくく
なり、交流損失が減少する。また、芯材12?こ形成す
る溝部11の数と大きさを調節−4゛るな1′)ば、金
属基地側に拡散さUる磁性元素のj、1kを所望の値に
調整できるので、交流通電時の結合損失を、J、’a整
一4゛ろことかでさる1、第2図はこの発明の製造方法
を安定化材付きの超電導線の製造方法に適用した例を説
明するためのらので、この例を実施して超電導線を製造
するには、無酸素銅などの純銅からなる安定化材22の
外周に、’l’a、Nl)などの金属材料からなる拡散
防止層23を彩成し、更にその外周にCu−Sn合金か
らなる被覆層24を形成して安定化導体25を作成する
。、 こごで前記拡散防止層23は、後工程で行う拡散熱処理
時に、安定化付22側に元素が拡散することを防止1−
1て安定化材22の汚染を防止するために設(jるもの
であり、その構成材料としては融点か800℃以」−の
金属材料であって、銅に対する反応性の低いT aやN
bなどが好適に用いられろ。。
極低温に冷却して使用6−ろ。そして、交流通電を行っ
た場合、金属基地に磁性元素が含(fさ21ているので
、超電導フィラメント間に生しる結合損失を低減させる
ことができる。ここで超電導線において交流通電時に超
電導電フィラメントの間に結合損失が生じるのは、交流
用の超電導線にあっては、超電導フィラメントか直径1
μm以lJ程度まで極細化さA1ており、このような極
細i子の超電導フィラメントからは、その周囲のCu−
Sn合金基地側に超電導電−rのクーパー電r−ベアが
しみ出し、隣接する超電導フィラメントの間で電子ベア
の結合がなされる)こめである。従って超電導フィラメ
ントの周囲のC+r−Sn合金基地内に磁性を有4゛ろ
丸木か自白′されていると前記クーパー電子のベアかそ
の磁性モーメントによりこわさイ1て結合か生じにくく
なり、交流損失が減少する。また、芯材12?こ形成す
る溝部11の数と大きさを調節−4゛るな1′)ば、金
属基地側に拡散さUる磁性元素のj、1kを所望の値に
調整できるので、交流通電時の結合損失を、J、’a整
一4゛ろことかでさる1、第2図はこの発明の製造方法
を安定化材付きの超電導線の製造方法に適用した例を説
明するためのらので、この例を実施して超電導線を製造
するには、無酸素銅などの純銅からなる安定化材22の
外周に、’l’a、Nl)などの金属材料からなる拡散
防止層23を彩成し、更にその外周にCu−Sn合金か
らなる被覆層24を形成して安定化導体25を作成する
。、 こごで前記拡散防止層23は、後工程で行う拡散熱処理
時に、安定化付22側に元素が拡散することを防止1−
1て安定化材22の汚染を防止するために設(jるもの
であり、その構成材料としては融点か800℃以」−の
金属材料であって、銅に対する反応性の低いT aやN
bなどが好適に用いられろ。。
次にこの安定化導体25を複数本集合し、その外方に前
記の例で用いた1次素線15あるいは2次素線17を更
に複数本集合して束ね、そA1らをCu−Sn合金の管
体27に挿入し、これを縮径して素線を得、この素線に
Snメッキ層を形成して熱処理を@]−と安定化材付き
のl’1basn超電導線を製造することができる。
記の例で用いた1次素線15あるいは2次素線17を更
に複数本集合して束ね、そA1らをCu−Sn合金の管
体27に挿入し、これを縮径して素線を得、この素線に
Snメッキ層を形成して熱処理を@]−と安定化材付き
のl’1basn超電導線を製造することができる。
この超電導線においては中心部に設jJた安定化材22
に対4−るSnの汚染が防止されているので、安定化材
22の極低温における電気抵抗は1−分に低い値になり
、超電導線の安定性が十分に高いものとなる。更に、超
電導線の中心部に安定化(A22を複合した構造になっ
ているので超電導線の外方に新たに安定化材を添設ずろ
場合に比較してコンバクI−な構造にすることができる
。
に対4−るSnの汚染が防止されているので、安定化材
22の極低温における電気抵抗は1−分に低い値になり
、超電導線の安定性が十分に高いものとなる。更に、超
電導線の中心部に安定化(A22を複合した構造になっ
ているので超電導線の外方に新たに安定化材を添設ずろ
場合に比較してコンバクI−な構造にすることができる
。
第3図はこの発明の製造方法を安定化材付きの超電導線
の製造方法に適用した第2の例を説明するj−めのもの
で、この例を実施して超電導線を製造するには、前記の
例で用いた安定化導体25と同等の安定化導体25を用
意する。
の製造方法に適用した第2の例を説明するj−めのもの
で、この例を実施して超電導線を製造するには、前記の
例で用いた安定化導体25と同等の安定化導体25を用
意する。
次にこの安定化導体25を複数本集合して第3図に示4
−よ−)に逆)゛字−Lに配列1−1安定化導体21j
・の間に、前記の例で用いた1次素線15あるい(12
次素線17を更に複数本集合し、それらをC,uS1合
金の管体28に挿入し、全体を縮径して素線を作成した
後にSnメッキ層を形成して熱処理を施・4−と安定化
材付きの超電導線を製造する、二とがてさろ、、 第4図はこの発明の製造方法を安定化材付きの超電導線
の製造方法に適用した第3の例を説明するた於のt、の
で、無酸素銅などの純銅からなる安定化(イ30の外周
に、Ta、Nbなとの金属材料からなろW:数量止層3
1を形成して安定化導体を作成する。。
−よ−)に逆)゛字−Lに配列1−1安定化導体21j
・の間に、前記の例で用いた1次素線15あるい(12
次素線17を更に複数本集合し、それらをC,uS1合
金の管体28に挿入し、全体を縮径して素線を作成した
後にSnメッキ層を形成して熱処理を施・4−と安定化
材付きの超電導線を製造する、二とがてさろ、、 第4図はこの発明の製造方法を安定化材付きの超電導線
の製造方法に適用した第3の例を説明するた於のt、の
で、無酸素銅などの純銅からなる安定化(イ30の外周
に、Ta、Nbなとの金属材料からなろW:数量止層3
1を形成して安定化導体を作成する。。
前記拡数量[l、層31を形成したならば、その全周に
かノコリ、前述の1次素線15あるいは2次素線17を
配列して添設上る1、素線を添設したならば、その外方
にCuあるいはCu−3n合金からなる管体33を第4
図に示すように被せ、この後に縮径加圧を施して得るべ
き超電導線と同等の線iM J−で縮径して素線を得る
3、 次にこの素線の外周にSnのメッキ層を形成して熱処理
を前述と同等の条件で施4゛ならば、超電導線を得るこ
とができる。
かノコリ、前述の1次素線15あるいは2次素線17を
配列して添設上る1、素線を添設したならば、その外方
にCuあるいはCu−3n合金からなる管体33を第4
図に示すように被せ、この後に縮径加圧を施して得るべ
き超電導線と同等の線iM J−で縮径して素線を得る
3、 次にこの素線の外周にSnのメッキ層を形成して熱処理
を前述と同等の条件で施4゛ならば、超電導線を得るこ
とができる。
なお、前記の各側において(」、Nb3Sn系に本発明
方法を適用した例について説明したが、本発明方法を〜
’3Ga系などの他の化合物系超電導線の製造方法に適
用してもよいの(」勿論であろ4、なおまた、素線を集
合して縮径する工程(」必要回数繰り返し行−・でも差
し支えない。
方法を適用した例について説明したが、本発明方法を〜
’3Ga系などの他の化合物系超電導線の製造方法に適
用してもよいの(」勿論であろ4、なおまた、素線を集
合して縮径する工程(」必要回数繰り返し行−・でも差
し支えない。
「実施例」
直径7mm(7)Nbロッドの周まわりに90°おきに
4つの溝部(幅1mm、深ざl mm)を溝ロール加工
により形成し、その溝にFe−5wt%Mn合金からな
る直径0.8mmの芯材を埋め込み、更に全体を外径1
0mm、内径8vnのi’J b管に挿入し、更に、C
u−8w1%Sn合金からなる外径15mm、内径11
mmの管体に挿入し、続いて線引加工を施し直径1.0
mmまで縮径して1次素線を得た。
4つの溝部(幅1mm、深ざl mm)を溝ロール加工
により形成し、その溝にFe−5wt%Mn合金からな
る直径0.8mmの芯材を埋め込み、更に全体を外径1
0mm、内径8vnのi’J b管に挿入し、更に、C
u−8w1%Sn合金からなる外径15mm、内径11
mmの管体に挿入し、続いて線引加工を施し直径1.0
mmまで縮径して1次素線を得た。
次に二の1次索線を91本束ねcu−8w1%Sn合金
からなる外径12 5mm、内径11.5mmの管体に
挿入し、その後線引加圧を行って直径1.0mmの2次
素線を得た1、以1−の集合線引工程を2回繰り返した
後に直径0.2mmまで線引加工を行って2次素線を得
た。この2次素線においては、757j本余り(91本
)(91本×91本ニア5万本)θ)Nb−フィラメン
トが複合されている。
からなる外径12 5mm、内径11.5mmの管体に
挿入し、その後線引加圧を行って直径1.0mmの2次
素線を得た1、以1−の集合線引工程を2回繰り返した
後に直径0.2mmまで線引加工を行って2次素線を得
た。この2次素線においては、757j本余り(91本
)(91本×91本ニア5万本)θ)Nb−フィラメン
トが複合されている。
次に前記2次素線に厚さ約5μmのSnメッキ層を形成
してメ・rギ素線とし、このメッキ素線を180℃に4
14間加熱してSnメッキ層を消失させ、更に4()0
℃で21−1間加熱して素線内部にSnの拡散を進行さ
U、次いで600°Cに7[」間加熱する熱処理を施し
て内部のN l)の極細フィラメントとSnを反応させ
てNb5S n超電導フィラメントを牛成さ1)、超電
導線を製造した。
してメ・rギ素線とし、このメッキ素線を180℃に4
14間加熱してSnメッキ層を消失させ、更に4()0
℃で21−1間加熱して素線内部にSnの拡散を進行さ
U、次いで600°Cに7[」間加熱する熱処理を施し
て内部のN l)の極細フィラメントとSnを反応させ
てNb5S n超電導フィラメントを牛成さ1)、超電
導線を製造した。
以り説明し5たように製造されたNb、Sn超電導線の
臨界lA!1度(′I″C)を測定したところ、Tc(
ミツトポイン1−)−= 16.5 Kを示し、臨界電
流密度(Jc)をIOTの磁場中において測定したとこ
ろ、 4IC・・IxlO5Δ/cm’の優秀な値を示した。
臨界lA!1度(′I″C)を測定したところ、Tc(
ミツトポイン1−)−= 16.5 Kを示し、臨界電
流密度(Jc)をIOTの磁場中において測定したとこ
ろ、 4IC・・IxlO5Δ/cm’の優秀な値を示した。
「発明の効果」
以旧説明したように本発明によれば、超電導フィラメン
トの周囲に磁性元素を自存さ且ろので、交流通電時に超
電導フィラメントの周囲の金属基地に超電導電子のペア
のしみ出しが生じた場合であ−)でも、磁性元素の磁性
によ−〕で電子のペアがくずれ、交流通電時の結合電流
を抑制4−ろことかできる。従って交流通電時の損失が
少ない化合物系超電導線を得ることができる。また、芯
材の外周に形成する収納部の大きさと数を調節し、その
内部に挿入する芯材の大きさと数を調節することににり
磁性元素の添加量を自由に調節できるので、所望htの
磁性元素を添加して特性の優)また超電導線を製造でき
る効果がある。
トの周囲に磁性元素を自存さ且ろので、交流通電時に超
電導フィラメントの周囲の金属基地に超電導電子のペア
のしみ出しが生じた場合であ−)でも、磁性元素の磁性
によ−〕で電子のペアがくずれ、交流通電時の結合電流
を抑制4−ろことかできる。従って交流通電時の損失が
少ない化合物系超電導線を得ることができる。また、芯
材の外周に形成する収納部の大きさと数を調節し、その
内部に挿入する芯材の大きさと数を調節することににり
磁性元素の添加量を自由に調節できるので、所望htの
磁性元素を添加して特性の優)また超電導線を製造でき
る効果がある。
第1図(A)ないし第1図(、、I)は本発明の製造方
法の一例を説明するためのらので、第1図(A)は母l
4J)断面図、第1図(I3)は母Hに収納部を形成シ
ノニ状態を示す断mfi’1lffl、第1図(C)は
芯材と母材の複合状態を示電断面図、第1図(1〕)は
f+j材を管体に挿入した状態を示4−断面図、第1図
(E)は複11体の断面図、第1図(F)は複合体の集
合状態を71之セ断面図、第1図(G)は1次素線の断
面図、第1図(l()は1次素線の集合状態を示す断面
図、第1図(1)はメッキ素線の断面図、第1図(、I
)は超電導線の断面図、第2図ないし第4図はこの発明
を安定化+4付きの超電導線の製造方法に応用した例を
示゛4−もので、第2図は第1の例を説明するための断
面図、第3図は第2の例を説明するための断面図、第4
図は第3の例を説明するための断面図、第5図ないし第
9図は従来の超電導線の製造す法の一例を示すもので、
第5図は複合体の集合状態を4jセす断面図、第6図は
1次素線の断面図、第7図;」1次素線の集合状態を示
す断面図、第8図はメッキ素線の断面図、第9図は超電
導線の断面図である。 10 ・母材、11・溝部(収納部)、I2 芯材、1
3 ・複合体、16 複合体、18・ 1次素線、20
a メッキ石、20・ 2次索線、22・安定化材、
25 安定化導体。
法の一例を説明するためのらので、第1図(A)は母l
4J)断面図、第1図(I3)は母Hに収納部を形成シ
ノニ状態を示す断mfi’1lffl、第1図(C)は
芯材と母材の複合状態を示電断面図、第1図(1〕)は
f+j材を管体に挿入した状態を示4−断面図、第1図
(E)は複11体の断面図、第1図(F)は複合体の集
合状態を71之セ断面図、第1図(G)は1次素線の断
面図、第1図(l()は1次素線の集合状態を示す断面
図、第1図(1)はメッキ素線の断面図、第1図(、I
)は超電導線の断面図、第2図ないし第4図はこの発明
を安定化+4付きの超電導線の製造方法に応用した例を
示゛4−もので、第2図は第1の例を説明するための断
面図、第3図は第2の例を説明するための断面図、第4
図は第3の例を説明するための断面図、第5図ないし第
9図は従来の超電導線の製造す法の一例を示すもので、
第5図は複合体の集合状態を4jセす断面図、第6図は
1次素線の断面図、第7図;」1次素線の集合状態を示
す断面図、第8図はメッキ素線の断面図、第9図は超電
導線の断面図である。 10 ・母材、11・溝部(収納部)、I2 芯材、1
3 ・複合体、16 複合体、18・ 1次素線、20
a メッキ石、20・ 2次索線、22・安定化材、
25 安定化導体。
Claims (1)
- 超電導金属間化合物を構成する複数の元素のうち、少な
くとも1つの元素を含有した材料からなり、溝部あるい
は透孔などの収納部を長さ方向に形成した長尺の母材を
用意し、この母材の収納部に、Fe、Ni、Cr、Mn
などの磁性元素の中から選択される1種以上の元素を含
有する芯材を挿入して複合体を作成し、この複合体を複
数本集合した後に縮径加工を施す工程を必要回数行って
素線を作成し、次いでこの素線に前記金属間化合物を構
成する元素のうち、残りの元素からなるメッキ層を形成
し、更に拡散熱処理を施して超電導金属間化合物を生成
させることを特徴とする化合物系超電導線の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63262003A JPH02109214A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 化合物系超電導線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63262003A JPH02109214A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 化合物系超電導線の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02109214A true JPH02109214A (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=17369661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63262003A Pending JPH02109214A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 化合物系超電導線の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02109214A (ja) |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP63262003A patent/JPH02109214A/ja active Pending
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