JPH02105622A - Logic gate circuit - Google Patents
Logic gate circuitInfo
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- JPH02105622A JPH02105622A JP63258713A JP25871388A JPH02105622A JP H02105622 A JPH02105622 A JP H02105622A JP 63258713 A JP63258713 A JP 63258713A JP 25871388 A JP25871388 A JP 25871388A JP H02105622 A JPH02105622 A JP H02105622A
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 21
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は論理ゲート回路に係り、特に相補型MOSトラ
ンジスタとバイポーラトランジスタとを有する論理ゲー
ト回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a logic gate circuit, and particularly to a logic gate circuit having complementary MOS transistors and bipolar transistors.
従来、論理ゲート回路においては、遅延時間の短縮を目
的として造られた複合論理ゲート回路である。次にこの
複合論理ゲート回路の代表的な従来例を示し、その構成
動作について、第3図を参照して説明する。Conventionally, logic gate circuits are composite logic gate circuits created for the purpose of reducing delay time. Next, a typical conventional example of this composite logic gate circuit will be shown, and its construction and operation will be explained with reference to FIG.
第3図は0MO8で構成された3人力複合論理ゲート回
路の回路図である。第3図において、本実施例の3人力
複合論理ゲート回路は、入力端子39.40を有し、さ
らにPチャネル型MOSトランジスタ33.35と、N
チャネル型MOSトランジスタ34.36とを有する2
人力NORゲートと、入力端子41.Pチャネル型MO
8)ランラスタ3フ、Nチヤネル型MOSトランジスタ
38を有するNORゲートとからなるゲート回路31と
、0MOSトランジスタ42 、43 、出力喘子44
を有するインバータ32とを有する。FIG. 3 is a circuit diagram of a three-man power composite logic gate circuit composed of 0MO8. In FIG. 3, the three-manpower composite logic gate circuit of this embodiment has input terminals 39, 40, and further includes P-channel type MOS transistors 33, 35, and N
2 having channel type MOS transistors 34 and 36
Manual NOR gate and input terminal 41. P channel type MO
8) A gate circuit 31 consisting of a run raster 3 and a NOR gate having an N channel type MOS transistor 38, 0MOS transistors 42, 43, and an output pin 44.
The inverter 32 has an inverter 32.
即ち、2人力のNANDゲートとNORゲートとを複合
することで、2段のゲートで構成される回路を一段で実
現し、遅延時間の単線をねらいとした論理ゲート回路で
ある。一般に、論理ゲート回路は出力端子に付く負荷容
量が大きい場合、−段取上の駆動用インバータを出力端
子に付けるのが普通である。第3図に示したゲート回路
は、NANDとNORとの複合論理ゲート回路31を、
段のインバータ32で駆動する例である。That is, by combining two NAND gates and a NOR gate, a circuit consisting of two stages of gates can be realized in one stage, and it is a logic gate circuit aiming at a single line delay time. Generally, when a logic gate circuit has a large load capacitance attached to its output terminal, it is common to attach a driving inverter above the setup to the output terminal. The gate circuit shown in FIG. 3 includes a composite logic gate circuit 31 of NAND and NOR.
This is an example of driving with a stage inverter 32.
このような複合論理ゲート回路において、遅延時間は駆
動用インバータの段数と、出力端子の負荷容量に比例し
て増加する。0MO8で構成された複合論理ゲート回路
の場合、遅延時間の出力負荷依存性が大きいため、出力
負荷が大きくなると、遅延時間の増加が大きい。また、
大きな出力負荷を駆動するためζこ、駆動用インバータ
の段数を増やすことは、遅延時間の増加につながるとい
う欠点がある。In such a composite logic gate circuit, the delay time increases in proportion to the number of driving inverter stages and the load capacitance of the output terminal. In the case of a composite logic gate circuit configured with 0MO8, the delay time has a large dependence on the output load, so as the output load increases, the delay time increases significantly. Also,
In order to drive a large output load, increasing the number of stages of driving inverters has the drawback of increasing delay time.
前述した従来の複合論理ゲート回路は、特に出力端子(
こ付く負荷容量が大きい場合、遅延時間大@な増加が避
けられないという欠点がある。The conventional composite logic gate circuit described above has an output terminal (
If the stuck load capacity is large, there is a drawback that a large increase in delay time is unavoidable.
本発明の目的は、前記欠点を解決し、遅延時間を減小さ
せ、高速で論理動作するようにした論理ゲート回路を提
供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a logic gate circuit that solves the above-mentioned drawbacks, reduces delay time, and performs high-speed logic operation.
〔課題を解決する念めの手段〕
本発明の構成は、相補型MOSトランジスタで構成され
た複合論理ゲートを含む論理ゲート回路において、前記
複合論理ゲートの出力と、負荷を駆動する出力端子との
間に、バイポーラ・トランジスタを設けたことを特徴と
する。[Measures to Solve the Problem] The configuration of the present invention is such that, in a logic gate circuit including a composite logic gate composed of complementary MOS transistors, the output of the composite logic gate is connected to an output terminal for driving a load. The feature is that a bipolar transistor is provided between them.
次に不発明について図面を参照して説明する。 Next, non-invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の第1の実施例の論理ゲート回路を示す
厄略図である。第1図において、本実施例の論理ゲート
回路は、0MO8で構成された複合論理ゲート回路11
の出力を第1のNPN型バイポーラトランジスタ130
ベースに接続し、前記複合論理ゲート回路11のうちN
チャネル型トランジスタで構成された部分回路と同一の
回路接続を有する回路12を、第2のNPN型バイポー
ラトランジスタ14のコレクタとペースとの間に接続し
、前記第1及び第2のNPN型バイボーフ・トランジス
タを縦来接続した。FIG. 1 is a schematic diagram showing a logic gate circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the logic gate circuit of this embodiment is a composite logic gate circuit 11 composed of 0MO8.
The output of the first NPN bipolar transistor 130
N of the composite logic gate circuit 11 is connected to the base.
A circuit 12 having the same circuit connection as a partial circuit constituted by a channel type transistor is connected between the collector and the pace of the second NPN type bipolar transistor 14, and the circuit 12 has the same circuit connection as the partial circuit made up of the channel type transistor. The transistors were connected vertically.
回路11の部分は、第3図の回路31とII’−j様な
2人力のNANDゲートとNORゲートとを複合した複
合論理ゲート回路であり、回路12のトランジスタ34
’、 36’、 38’は回路11の中でNチャネル型
MOSトランジスタ34.36.38で構成された部分
の回路と同一の回路構成からなる。本実施例は、この他
にNチャネル型MO8)クンラスタ16バイボーラトラ
ンジスタ13.14.出力端子15を含む。The circuit 11 is a composite logic gate circuit that combines a two-man power NAND gate and a NOR gate like the circuit 31 and II'-j in FIG.
', 36', and 38' have the same circuit configuration as the portion of the circuit 11 consisting of N-channel MOS transistors 34, 36, and 38. In this embodiment, in addition to the above, N-channel type MO8) Kunraster 16 bibolar transistors 13, 14 . It includes an output terminal 15.
本実施例は、回路11の出力を、NPN型バイポーラト
ランジスタ130ベースに接続し、回路12をNPN型
バイポーラトランジスタ14のコレクタとベースとの間
に接続し、NPN型バイポーラトランジスタ13、及び
14を縦続接続した論理ゲート回路である。In this embodiment, the output of the circuit 11 is connected to the base of an NPN bipolar transistor 130, the circuit 12 is connected between the collector and base of the NPN bipolar transistor 14, and the NPN bipolar transistors 13 and 14 are connected in cascade. It is a connected logic gate circuit.
従来の0MO8で構成された複合論理ゲート回路におい
て、この様に、NPN型バイポーラトランジスタ13.
14を接続することで、遅延時間の負荷依存性を小さく
することができ、遅延時間の増加を伴わずに、より大き
な負荷を駆動することが可能となる。In the conventional composite logic gate circuit configured with 0MO8, NPN bipolar transistors 13.
By connecting 14, the dependence of the delay time on the load can be reduced, and it is possible to drive a larger load without increasing the delay time.
第2図は本発明の第2の実施例の論理ゲート回路を示す
回路図である。第2図tこおいて、本実施例は、前述の
第1の実施例(第1図)fごおける回路11の2人力N
ORゲートとNORゲートとの複合論理ゲート回路を、
回路21に示す2人力NORゲートとNANDゲートと
の複合論理ゲート回路に置き換え、これに従って、第1
図の回路12をNチャネル型MOSトランジスタS /
、 9/。FIG. 2 is a circuit diagram showing a logic gate circuit according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 2, the present embodiment has two human power N of the circuit 11 in the first embodiment (FIG.
A composite logic gate circuit with an OR gate and a NOR gate,
Replaced with a composite logic gate circuit of a two-man power NOR gate and a NAND gate shown in circuit 21, and following this, the first
The circuit 12 in the figure is an N-channel MOS transistor S/
, 9/.
lO′からなる回路22に置き換えた論理ゲート回路で
ある。回路21は、入力端子1.2.Pチャネル型NO
8)ランラスタ5.6.Nチヤネル型MOSトランジス
タ8,9.10を有する2人力NORゲートと、入力端
子3.Pチャネル型MOSト?ンジスタ7.Nチャネル
型MOSトランジスタ10を有するNANDゲートとか
らなる。This is a logic gate circuit replaced with the circuit 22 consisting of lO'. The circuit 21 has input terminals 1.2. P channel type NO
8) Run raster 5.6. A two-man NOR gate having N-channel type MOS transistors 8, 9, and 10, and an input terminal 3. P channel type MOS? 7. It consists of a NAND gate having an N-channel type MOS transistor 10.
本実施例においても、前記第1の実施例と同様lこ、遅
延時間の増加を伴わすIこ、より大きな出力負荷を駆動
することが可能である。In this embodiment as well, as in the first embodiment, it is possible to drive a larger output load, although this involves an increase in delay time.
以上説明したように、本発明は、0MO8で構成された
複合論理ゲート回路の出力端子の負荷を駆動するための
バイポーラトランジスタを出力側に接続することにより
、遅延時間の増加を伴わずに、より大きな負荷を駆動す
ることを可能とする効釆がある。As explained above, the present invention has the advantage that by connecting a bipolar transistor to the output side for driving the load of the output terminal of a composite logic gate circuit configured with 0MO8, the delay time can be further improved without increasing the delay time. It has the ability to drive large loads.
第1図は不発明の第1の実施例の論理ゲート回路を示す
回路図、第2図は本発明の第2の実施例の論理ゲート回
路を示す回路図、第3図は従来例の論理ゲート回路を示
す回路図である。
1.2,3.39,40.41・・・・・・入力端子、
4.15.44・・・・・・出力端子、5,6,7,3
3゜35.37.42・・・・・・Pチャネル型MOS
トランジスタ、8.9,10.8’、9’、10’、I
6゜23 、34.36 、38.43.34’、36
’、38’・・・・・・Nチャネル型MO3)ランジス
タ、11.31・・・・・・NAND−NOR複合論理
ゲート回路、12P22.32・・・・・・回路、13
.14・・・・・・NPN型トランジスタ、21・・・
・・・N0R−NAND複合論理ゲート回路。
代理人 弁理士 内 原 吾
第
図
芦
第FIG. 1 is a circuit diagram showing a logic gate circuit according to a first embodiment of the invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a logic gate circuit according to a second embodiment of the invention, and FIG. 3 is a circuit diagram showing a logic gate circuit according to a second embodiment of the invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing a gate circuit. 1.2, 3.39, 40.41... Input terminal,
4.15.44... Output terminal, 5, 6, 7, 3
3゜35.37.42...P channel type MOS
Transistor, 8.9, 10.8', 9', 10', I
6゜23, 34.36, 38.43.34', 36
', 38'...N-channel type MO3) transistor, 11.31...NAND-NOR composite logic gate circuit, 12P22.32...Circuit, 13
.. 14...NPN type transistor, 21...
...N0R-NAND composite logic gate circuit. Agent: Patent Attorney Go Uchihara
Claims (1)
を含む論理ゲート回路において、前記複合論理ゲートの
出力と、負荷を駆動する出力端子との間に、バイポーラ
・トランジスタを設けたことを特徴とする論理ゲート回
路。A logic gate circuit including a composite logic gate composed of complementary MOS transistors, characterized in that a bipolar transistor is provided between the output of the composite logic gate and an output terminal for driving a load. circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258713A JPH02105622A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Logic gate circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258713A JPH02105622A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Logic gate circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02105622A true JPH02105622A (en) | 1990-04-18 |
Family
ID=17324061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63258713A Pending JPH02105622A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Logic gate circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02105622A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6231217A (en) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Hitachi Ltd | Composite type logic circuit |
JPH01226215A (en) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63258713A patent/JPH02105622A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6231217A (en) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Hitachi Ltd | Composite type logic circuit |
JPH01226215A (en) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
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