JPH022206A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
Semiconductor integrated circuitInfo
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- JPH022206A JPH022206A JP63147261A JP14726188A JPH022206A JP H022206 A JPH022206 A JP H022206A JP 63147261 A JP63147261 A JP 63147261A JP 14726188 A JP14726188 A JP 14726188A JP H022206 A JPH022206 A JP H022206A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の回路構成に関するものであり
、特に3ステート出力を有する回路に関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a circuit configuration of a semiconductor integrated circuit, and particularly to a circuit having a three-state output.
従来の0MO8の3ステ一ト出力回路の一般的な構成を
第2図に示す。電源端子4と接地との間にPチャンネル
MOSトランジスタP1とNチャンネルMOSトランジ
スタN2とを直列接続し、その2つのMOS)ランジス
タの接続点が出力端子5となる。FIG. 2 shows the general configuration of a conventional 0MO8 three-state output circuit. A P-channel MOS transistor P1 and an N-channel MOS transistor N2 are connected in series between the power supply terminal 4 and the ground, and the connection point of the two MOS transistors becomes the output terminal 5.
入力端子7と制御端子6が入力するNANDゲート2の
出力をPチャンネルMOSトランジスタP1のゲートに
入力し、入力端子7と制御端子6がインバータ1を介し
て入力するNORゲート3の出力をNチャンネルMOS
トランジスタN2のゲートに入力する。The output of the NAND gate 2 to which the input terminal 7 and the control terminal 6 are input is input to the gate of the P-channel MOS transistor P1, and the output of the NOR gate 3 to which the input terminal 7 and the control terminal 6 are input via the inverter 1 is input to the N-channel MOS transistor P1. M.O.S.
Input to the gate of transistor N2.
次に回路の動作を説明する。Next, the operation of the circuit will be explained.
制御端子6の入力がロウレベルのときNANDゲート2
及びNORゲート3の出力は、入力端子7の入力レベル
に関係なくそれぞれハイレベル及びロウレベルとなり、
PチャンネルMOSトランジスタP1及びNチャンネル
MOSトランジスタN2はオフ状態となる。従って出力
端子5はハイインピーダンス状態となる。When the input of control terminal 6 is low level, NAND gate 2
The outputs of the NOR gate 3 and NOR gate 3 become high level and low level, respectively, regardless of the input level of the input terminal 7.
P-channel MOS transistor P1 and N-channel MOS transistor N2 are turned off. Therefore, the output terminal 5 is in a high impedance state.
また制御端子6の入力がハイレベルのときに、入力端子
7の入力に対してNANDゲート2及びNORゲート3
はそれぞれインバータとして動作するため、出力端子5
は入力端子7と同一のレベルを出力する。Further, when the input of the control terminal 6 is at a high level, the NAND gate 2 and the NOR gate 3 are connected to the input of the input terminal 7.
each operates as an inverter, so the output terminal 5
outputs the same level as input terminal 7.
第2図からも明らかなように、従来の回路においては6
個のPチャンネルMOSトランジスタと6個のNチャン
ネルMOS)ランジスタを必要とし、今日高密度化の要
求が著しい半導体集積回路において、その構成に多くの
MOS)ランジスタを必要とすることは、高密度化の障
害となる。As is clear from Figure 2, in the conventional circuit, 6
In today's semiconductor integrated circuits, which require a large number of P-channel MOS transistors and six N-channel MOS transistors, and where there is a significant demand for higher density, the need for a large number of MOS) transistors in the configuration means that higher density becomes an obstacle.
従って本発明の目的は、このような問題点を解決するこ
とにあり、その構成に必要とするMOSトランジスタ数
を減少させた3ステ一ト出力回路を提供することにある
。Therefore, it is an object of the present invention to solve these problems and to provide a three-state output circuit in which the number of MOS transistors required for its configuration is reduced.
本発明によれば、第1のPチャンネルMOSトランジス
タと第1及び第2のNチャンネルMOSトランジスタを
電源端子と接地間に直列接続してなる出力回路と、前記
第1のPチャンネルMOSトランジスタのゲートにドレ
インが接続され、ソースが電源端子に接続された第2の
PチャンネルMOSトランジスタと、同じく第1のPチ
ャンネルMOSトランジスタのゲートと入力端子の間に
接続され制御信号によってオン、オフするスイッチング
回路を有し、前記第1のNチャンネルMOS)ランジス
タのゲートに入力端子を接続し、前記第2のPチャンネ
ルMOSトランジスタ及び第2のNチャンネルMOS)
ランジスタのそれぞれのゲートに前記スイッチング回路
の制御信号を接続することを特徴とする半導体集積回路
を得る。According to the present invention, there is provided an output circuit including a first P-channel MOS transistor and first and second N-channel MOS transistors connected in series between a power supply terminal and ground, and a gate of the first P-channel MOS transistor. a second P-channel MOS transistor whose drain is connected to the terminal and whose source is connected to the power supply terminal, and a switching circuit which is also connected between the gate of the first P-channel MOS transistor and the input terminal and is turned on and off by a control signal. having an input terminal connected to the gate of the first N-channel MOS transistor, and connecting the input terminal to the gate of the first N-channel MOS transistor and the second N-channel MOS transistor.
A semiconductor integrated circuit is obtained, characterized in that a control signal of the switching circuit is connected to each gate of the transistor.
次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図である。すな
わち、電源端子4と入力端子7との間にPチャンネルM
OSトランジスタP2.P3が直列に接続されている。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention. That is, the P channel M is connected between the power supply terminal 4 and the input terminal 7.
OS transistor P2. P3 are connected in series.
このPチャンネルMOSトランジスタP2のゲートには
制御端子6が、またPチャンネルMOSトランジスタP
3のゲートには制御端子6がインバータ1を介して入力
されている。次に電源端子4と接地との間にはPチャン
ネルMOSトランジスタP1とNチャンネルMOSトラ
ンジスタNl、N2とが直列に接続されている。このP
チャンネルMOSトランジスタPiのゲートには、Pチ
ャンネルMOSトランジスタP2.P3の接続点が入力
され、NチャンネルMOS)ランジスタNl、N2のゲ
ートには、それぞれ制御端子6と入力端子7が接続され
ている。A control terminal 6 is connected to the gate of this P-channel MOS transistor P2, and a control terminal 6 is connected to the gate of this P-channel MOS transistor P2.
A control terminal 6 is input to the gate of 3 via an inverter 1. Next, a P-channel MOS transistor P1 and N-channel MOS transistors Nl and N2 are connected in series between the power supply terminal 4 and the ground. This P
A P-channel MOS transistor P2. is connected to the gate of the channel MOS transistor Pi. A control terminal 6 and an input terminal 7 are connected to the gates of N-channel MOS transistors Nl and N2, respectively.
またPチャンネルMOSトランジスタP1とNチャンネ
ルMOS)ランジスタN1との接続点が出力端子5とな
る。Further, the connection point between the P-channel MOS transistor P1 and the N-channel MOS transistor N1 becomes the output terminal 5.
次に回路の動作を説明する。Next, the operation of the circuit will be explained.
制御端子6の入力がロウレベルのとき、PチャンネルM
OSトランジスタP2はオンし、PチャンネルMOSト
ランジスタP3はインバータ1を介してハイレベルが入
力するためオフする。従ってPチャンネルMOSトラン
ジスタP1のゲートは入力端子7の入力レベルと無関係
にハイレベルとなりオフする。またNチャンネルMOS
)ランジスタNlはオフとなるため、入力端子7からの
入力レベルによるNチャンネルMOS)ランジスタN2
のオン、オフに無関係に出力端子5はハイインピーダン
ス状態となる。When the input of control terminal 6 is low level, P channel M
The OS transistor P2 is turned on, and the P-channel MOS transistor P3 is turned off because a high level is input through the inverter 1. Therefore, the gate of the P-channel MOS transistor P1 becomes high level regardless of the input level of the input terminal 7, and is turned off. Also N channel MOS
) Since the transistor Nl is turned off, the N-channel MOS) transistor N2 depends on the input level from the input terminal 7.
The output terminal 5 is in a high impedance state regardless of whether it is on or off.
次に制御端子6の入力がハイレベルのときは、Pチャン
ネルMOSトランジスタP2はオフし、PチャンネルM
OSトランジスタP3とNチャンネルMOS)ランジス
タN1は常にオン状態となる。従って入力端子7の入力
がハイレベルのときPチャンネルMOSトランジスタP
1の入力はハイレベルとなるのでオフ、NチャンネルM
OS)ランジスタN2はオンとなるので出力端子5は四
ウレベルを出力する。次に入力端子7からの入力がロウ
レベルのとき、PチャンネルMOSトランジスタP3は
常にオンしているが、その出力はv7.+AVTP分だ
けロウレベルより浮いた状態となる。しかし、Pチャン
ネルMOSトランジスタP1のスレッシュホールドレベ
ルを十分越えていることからPチャンネルMOSトラン
ジスタP1はオンとなり、NチャンネルMOSトランジ
スタN2はオフとなるため出力端子5はハイレベルとな
る。Next, when the input to the control terminal 6 is at a high level, the P-channel MOS transistor P2 is turned off, and the P-channel MOS transistor P2 is turned off.
The OS transistor P3 and the N-channel MOS transistor N1 are always on. Therefore, when the input of input terminal 7 is at high level, the P-channel MOS transistor P
1 input is high level, so it is off, N channel M
OS) Since the transistor N2 is turned on, the output terminal 5 outputs a four-level signal. Next, when the input from input terminal 7 is at low level, P-channel MOS transistor P3 is always on, but its output is v7. It is in a state where it is above the low level by +AVTP. However, since the threshold level of the P-channel MOS transistor P1 is sufficiently exceeded, the P-channel MOS transistor P1 is turned on, and the N-channel MOS transistor N2 is turned off, so that the output terminal 5 becomes high level.
以上の説明から明らかなように、本発明による回路は4
個のPチャンネルMOSトランジスタと3個のNチャン
ネルMOSトランジスタで構成されるため、従来回路と
比較して少ないトランジスタ数で3ステ一ト出力回路を
構成することができる。As is clear from the above description, the circuit according to the present invention has four
Since the circuit is composed of three P-channel MOS transistors and three N-channel MOS transistors, a three-state output circuit can be constructed with a smaller number of transistors than conventional circuits.
図は従来のCMO83ステート出力回路の一例を示す回
路図である。The figure is a circuit diagram showing an example of a conventional CMO83 state output circuit.
図において、
PL、P2.P3・・・・・・PチャンネルMOSトラ
ンジスタ、Nl、N2・・・・・・NチャンネルMOS
トランジスタ、1・・・・・・インバータ、2・・・・
・・NANDゲート、3・・・・・・NORゲート、4
・・・・・・電源端子、5・・・・・・出力端子、6・
・・・・・制御端子、7・・・・・・入力端子。In the figure, PL, P2. P3...P channel MOS transistor, Nl, N2...N channel MOS
Transistor, 1... Inverter, 2...
...NAND gate, 3...NOR gate, 4
...Power terminal, 5...Output terminal, 6.
...Control terminal, 7...Input terminal.
代理人 弁理士 内 原 晋Agent: Patent Attorney Susumu Uchihara
Claims (1)
のNチャンネルMOSトランジスタを電源端子と接地間
に直列接続してなる出力回路と、前記第1のPチャンネ
ルMOSトランジスタのゲートにドレインが接続され、
ソースが電源端子に接続された第2のPチャンネルMO
Sトランジスタと、同じく第1のPチャンネルMOSト
ランジスタのゲートと入力端子の間に接続され制御信号
によってオン、オフするスイッチング回路を有し、前記
第1のNチャンネルMOSトランジスタのゲートに入力
端子を接続し、前記第2のPチャンネルMOSトランジ
スタ及び第2のNチャンネルMOSトランジスタのそれ
ぞれのゲートに前記スイッチング回路の制御信号を接続
することを特徴とする半導体集積回路。A first P-channel MOS transistor and a first and a second P-channel MOS transistor.
an output circuit formed by connecting N-channel MOS transistors in series between a power supply terminal and ground, and a drain connected to the gate of the first P-channel MOS transistor,
A second P-channel MO whose source is connected to the power supply terminal
A switching circuit is connected between the S transistor and the gate of the first P-channel MOS transistor and the input terminal and is turned on and off by a control signal, and the input terminal is connected to the gate of the first N-channel MOS transistor. A semiconductor integrated circuit characterized in that a control signal of the switching circuit is connected to each gate of the second P-channel MOS transistor and the second N-channel MOS transistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63147261A JPH022206A (en) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63147261A JPH022206A (en) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH022206A true JPH022206A (en) | 1990-01-08 |
Family
ID=15426231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63147261A Pending JPH022206A (en) | 1988-06-14 | 1988-06-14 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH022206A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6942322B2 (en) | 1990-02-23 | 2005-09-13 | Seiko Epson Corporation | Drop-on-demand ink-jet printing head |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55141825A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Fujitsu Ltd | Cmos output circuit |
JPS6382126A (en) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Sharp Corp | Bus level holding circuit |
-
1988
- 1988-06-14 JP JP63147261A patent/JPH022206A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55141825A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-06 | Fujitsu Ltd | Cmos output circuit |
JPS6382126A (en) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Sharp Corp | Bus level holding circuit |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6942322B2 (en) | 1990-02-23 | 2005-09-13 | Seiko Epson Corporation | Drop-on-demand ink-jet printing head |
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