JPH0258925A - Output circuit - Google Patents

Output circuit

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JPH0258925A
JPH0258925A JP63211249A JP21124988A JPH0258925A JP H0258925 A JPH0258925 A JP H0258925A JP 63211249 A JP63211249 A JP 63211249A JP 21124988 A JP21124988 A JP 21124988A JP H0258925 A JPH0258925 A JP H0258925A
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JP
Japan
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input terminal
circuit
output
channel transistor
transistor
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Application number
JP63211249A
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Japanese (ja)
Inventor
Hirokazu Danbayashi
段林 浩和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018585Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only programmable
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/0013Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00361Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits

Abstract

PURPOSE:To prevent an error action and simultaneously, to reduce an energy consumption by increasing/decreasing a driving ability according to the load of an external part to be connected. CONSTITUTION:When a signal to an input terminal 2 is at a low level, to the driving ability and energy consumption, only a first C-MOS circuit composed of a P-channel transistor 11 and an N-channel transistor 12 is related. When the signal to the input terminal 2 is at a high level, to the driving ability and energy consumption, two C-MOS circuits of the first C-MOS circuit and a second C-MOS circuit composed of a P-channel additional transistor 13 and an N- channel additional transistor 14 are related. In such a manner, the C-MOS circuit to be driven can be increased/decreased according to the load of the external part to be connected, the driving ability can be increased/decreased, thereby, the error action can be prevented, and simultaneously, the energy consumption can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、出力回路に関し、特に半導体集積回路の出力
バッファ回路等として使用する出力回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an output circuit, and particularly to an output circuit used as an output buffer circuit or the like of a semiconductor integrated circuit.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、半導体集積回路の出力バッファ回路は、半導体集
積回路の内部の論理信号を外部の負荷に伝え、外部の負
荷を制御するために使用されてきた。出力バッファが外
部の負荷を制御することのできる能力を駆動能力といい
、この駆動能力が大きいほど大きな外部の負荷を制御す
ることができることになる。
Conventionally, an output buffer circuit of a semiconductor integrated circuit has been used to transmit a logic signal inside the semiconductor integrated circuit to an external load and to control the external load. The ability of an output buffer to control an external load is called drive capacity, and the greater the drive capacity, the greater the ability to control an external load.

第3図は従来の出力回路の一例を示す回路図、第4図は
第3図の回路のタイミングチャートである。第3図に示
すように、従来の出力回路は、それぞれのゲートがイン
バータ32を介して入力端子31に接続されているPチ
ャネルトランジスタ34とNチャネルトランジスタ35
のそれぞれのドレインに出力端子36が接続することに
よりC−MO9回路を構成し、Pチャネルトランジスタ
34のソースが第1電源、Nチャネルトランジスタ35
のソースが第2電源に接続されているという横進となっ
ていた。
FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional output circuit, and FIG. 4 is a timing chart of the circuit shown in FIG. As shown in FIG. 3, the conventional output circuit includes a P-channel transistor 34 and an N-channel transistor 35 whose gates are connected to an input terminal 31 via an inverter 32.
A C-MO9 circuit is configured by connecting the output terminal 36 to each drain of
The power source was connected to the second power supply, which caused the power supply to go sideways.

次に、回路の動作を説明する。第3図に示すように、入
力端子31にロウレベルの信号が入力されると、インバ
ータ32の出力33はハイレベルとなるため、Pチャネ
ルトランジスタ34の動作はオフ、Nチャネルトランジ
スタ35の動作はオンとなり、出力端子36の出力信号
はロウレベルとなる。駆動能力は、Nチャネルトランジ
スタ35の駆動能力となり、外部の負荷を駆動すること
になる。次に、入力端子31にハイレベルの信号か入力
される・と、インバータ32の出力33はロウレベルと
なるため、Pチャネルトランジスタ34の動作はオン、
Nチャネルトランジスタ35の動作はオフとなり、出力
端子36の出力信号はハイレベルとなる。駆動能力は、
Pチャネルトランジスタ34の駆動能力となり、外部の
負荷を駆動することになる。
Next, the operation of the circuit will be explained. As shown in FIG. 3, when a low level signal is input to the input terminal 31, the output 33 of the inverter 32 becomes high level, so the operation of the P channel transistor 34 is OFF and the operation of the N channel transistor 35 is ON. Therefore, the output signal of the output terminal 36 becomes low level. The driving capability is that of the N-channel transistor 35, which drives an external load. Next, when a high level signal is input to the input terminal 31, the output 33 of the inverter 32 becomes low level, so the operation of the P channel transistor 34 is turned on.
The operation of N-channel transistor 35 is turned off, and the output signal of output terminal 36 becomes high level. The driving capacity is
This becomes the driving capability of the P-channel transistor 34 and drives an external load.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来の出力回路では、駆動能力がC−MOS回
路のトランジスタ1個分に限定されているため、それ以
上に大きい外部の負荷が接続されると、誤動作を起こす
問題がある。その対策として、C−MOS回路を構成す
るPチャネルトランジスタ及びNチャネルトランジスタ
を大型のものにしたり、C−MOS回路を2個以上並列
接続することが考えられている。しかしこの場合、外部
の負荷が出力回路の最大駆動能力に等しい場合は、回路
の消費電力は少ないが、外部の負荷が軽くなるにしたが
って消費電力が増大してしまう欠点があった。
In the conventional output circuit described above, the driving capability is limited to one transistor of the C-MOS circuit, so if a larger external load is connected, there is a problem that malfunction may occur. As a countermeasure, it is considered to increase the size of the P-channel transistor and N-channel transistor that constitute the C-MOS circuit, or to connect two or more C-MOS circuits in parallel. However, in this case, when the external load is equal to the maximum driving capacity of the output circuit, the power consumption of the circuit is small, but there is a drawback that the power consumption increases as the external load becomes lighter.

本発明の目的は、接続された外部の負荷に応じて駆動能
力を増減し、誤差動作を防止するとともに、消費電力を
少なくすることができる出力回路を提供することにある
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an output circuit that can increase/decrease drive capability according to a connected external load, prevent erroneous operation, and reduce power consumption.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の出力回路は、直列に接続された第1のPチャネ
ルトランジスタと第1のNチャネルトランジスタを有し
その各々のゲートか入力端子に接続されかつその各々の
ドレインが出力端子に接続された第1のC−MOS回路
と、前記入力端子からの入力信号と制御信号入力端子か
らの制御信号との論理積信号を出力する論理回路と、直
列に接続された第2のPチャネルトランジスタと第2の
Nチャネルトランジスタを有しその各々のゲートが前記
論理回路出力に接続されかつ各々のドレインが出力端子
に接続された少なくとら1つの第2のC−MOS回路と
を含んで構成される。
The output circuit of the present invention has a first P-channel transistor and a first N-channel transistor connected in series, each gate connected to an input terminal, and each drain connected to an output terminal. a first C-MOS circuit; a logic circuit that outputs an AND signal of an input signal from the input terminal and a control signal from the control signal input terminal; a second P-channel transistor connected in series; and at least one second C-MOS circuit having two N-channel transistors, each gate of which is connected to the logic circuit output, and each drain of which is connected to the output terminal.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図の回路のタイミングチャートである。
Fig. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
3 is a timing chart of the circuit shown in the figure.

第1図に示すように、直列に接続されたPチャネルトラ
ンジスタ11とNチャネルトランジスタ12のゲートが
それぞれインバータ5を介して入力端子1に、それぞれ
のドレインが出力端子15に接続されて第1のC−MO
S回路が構成され、Pチャネルトランジスタ11のソー
スが第1電源、Nチャネルトランジスタ12のソースが
第2電源にそれぞれ接続されている。一方、直列に接続
されたPチャネル付加1〜ランジスタ13のゲートはN
AND7を介して入力端子1と制御信号が入力される入
力端子2に接続され、Nチャネルゴ寸加トランジスタ1
4のゲートはN0R9を介して入力端子1と更にインバ
ータ3を介して入力端子2に接続され、それぞれのドレ
インが出力端子15に接続して第2のC−MOS回路を
構成し、Pチャネル付加トランジスタ13のソースか第
1電源、Nチャネル付加トランジスタ14のソースが第
2電源に接続されている。
As shown in FIG. 1, the gates of the P-channel transistor 11 and N-channel transistor 12 connected in series are connected to the input terminal 1 via the inverter 5, and the drains of each are connected to the output terminal 15. C-MO
An S circuit is configured, and the source of P-channel transistor 11 is connected to a first power source, and the source of N-channel transistor 12 is connected to a second power source. On the other hand, the gates of P channel addition 1 to transistor 13 connected in series are N
It is connected to the input terminal 1 and the input terminal 2 to which the control signal is input via AND7, and is connected to the N-channel sized transistor 1.
The gate of 4 is connected to the input terminal 1 via N0R9 and the input terminal 2 via the inverter 3, and the drain of each is connected to the output terminal 15 to form a second C-MOS circuit. The source of the transistor 13 is connected to the first power supply, and the source of the N-channel additional transistor 14 is connected to the second power supply.

次に、この回路の動作を説明する。第2図に示すように
、入力端子1にハイレベル、入力端子2にロウレベルを
入力すると、インバータ3の出力4がハイレベル、イン
バータ5の出力6がロウレベル、NAND7の出力8が
ハイレベル、N0R9の出力10がロウレベルとなる、
従って、Pチャネル1〜ランジスタ11の動作はオン、
池のトランジスタの動作はオフとなるため、出力端子1
5の出力レベルはハイレベルとなり、駆動能力及び消費
電力はPチャネルトランジスタ11のみ関係することに
なる。次に、入力端子2への信号をロウレベルからハイ
レベルに変化させると、インバータ3の出力4がハイレ
ベルからロウレベル、NAND7の出力8がハイレベル
からロウレベルにそれぞれ変化するため、Pチャネル付
加トランジスタ13がオンする。これにより出力レベル
15は、同様にハイレベルであるが、駆動能力及び消費
電力はPチャネルトランジスタ11とPチャネル付加1
−ランジスタ13の両方に関係することになる。又、入
力端子1にロウレベル、入力端子2にロウレベルを入力
すると、Nチャネルトランジスタ12の動作はオン、他
のトランジスタの動作はオフとなる。従って、出力レベ
ル15はロウレベルとなり、駆動能力及び消費電力はN
チャネルトランジスタ12のみが関係することになる。
Next, the operation of this circuit will be explained. As shown in FIG. 2, when a high level is input to input terminal 1 and a low level is input to input terminal 2, output 4 of inverter 3 is high level, output 6 of inverter 5 is low level, output 8 of NAND 7 is high level, N0R9 output 10 becomes low level,
Therefore, the operation of P channel 1 to transistor 11 is on.
Since the operation of the transistor in the pond is off, the output terminal 1
The output level of transistor 5 is high level, and the driving ability and power consumption are related only to the P-channel transistor 11. Next, when the signal to the input terminal 2 is changed from low level to high level, the output 4 of the inverter 3 changes from high level to low level, and the output 8 of NAND 7 changes from high level to low level. turns on. As a result, the output level 15 is similarly high, but the driving ability and power consumption are lower than that of the P-channel transistor 11 and the P-channel addition 1.
- will be related to both transistors 13. Further, when a low level is input to the input terminal 1 and a low level to the input terminal 2, the operation of the N-channel transistor 12 is turned on and the operation of the other transistors is turned off. Therefore, the output level 15 becomes a low level, and the driving ability and power consumption are N
Only channel transistor 12 will be involved.

次に、入力端子2への信号をロウレベルからハイレベル
に変1ヒさせると、Nチャネル付加トランジスタ14が
オンするため、出力レベル15は同様にロウレベルであ
るが、駆動能力及び消費電力はNチャネルトランジスタ
12とNチャネル付加トランジスタ14の両方に関係す
ることになる。
Next, when the signal to the input terminal 2 is changed from low level to high level, the N-channel additional transistor 14 is turned on, so the output level 15 is also low level, but the driving ability and power consumption are Both transistor 12 and N-channel additional transistor 14 will be involved.

つまり、入力端子2への信号がロウレベルの時、駆動能
力及び消費電力はPチャネルトランジスタ11とNチャ
ネルトランジスタ12で構成される第1のC−MOS回
路のみが関係し、入力端子2への信号がハイレベルの時
、駆動能力及び消費電力はPチャネルトランジスタ11
とNチャネルトランジスタ12で構成される第1のC−
MOS回路と、Pチャネル付加トランジスタ13とNチ
ャネル付加トランジスタ14で構成される第2のC−M
OS回路の2つのC−MOS回路に関係することになる
5 なお、本実施例では第2のC−MOS回路を構成するP
チャネル付加トランジスタ13とNチャネル付加トラン
ジスタ14のそれぞれのゲートにNAND7.N0R9
及びインバータ3を介して入力端子2と接続したが、入
力端子2への信号がハイレベルの時、第2のC−MOS
回路が駆動するような論理回路であれば同様な効果を有
することかできる6更に、本実施例では、C−MOS回
路を2つ使用したものであるが、3つ以上の0M03回
路でも可能である。
In other words, when the signal to input terminal 2 is at low level, only the first C-MOS circuit composed of P-channel transistor 11 and N-channel transistor 12 is concerned with the driving ability and power consumption, and the signal to input terminal 2 When is at a high level, the driving ability and power consumption of the P-channel transistor 11
A first C-
A second CM composed of a MOS circuit, a P-channel additional transistor 13, and an N-channel additional transistor 14
It is related to the two C-MOS circuits of the OS circuit. In this embodiment, the P
NAND7. N0R9
and is connected to input terminal 2 via inverter 3, but when the signal to input terminal 2 is high level, the second C-MOS
A similar effect can be achieved if the circuit is a driving logic circuit.6Furthermore, although this example uses two C-MOS circuits, it is also possible to use three or more 0M03 circuits. be.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明は、並列に接続した複数の
C−MOS回路のうち少なくとも1つのC−MOS回路
のゲートに、制御信号の入力端子を接続することにより
、接続された外部の負荷に応じて駆動するC−MOS回
路を増減させ、駆動能力を増減できるため、誤差動作を
防止することができるとともに、消費電力を減少させる
ことが可能となる効果かある。
As explained above, the present invention is capable of controlling a connected external load by connecting a control signal input terminal to the gate of at least one C-MOS circuit among a plurality of C-MOS circuits connected in parallel. Since the driving capacity can be increased or decreased by increasing or decreasing the number of C-MOS circuits to be driven depending on the current, it is possible to prevent erroneous operation and reduce power consumption.

1・・・・・・入力端子、2・・・・・・入力端子、3
.5・・・・・・インバータ、7・・・・・・NAND
、9・・・・・・N0R211・・・・・・Pチャネル
トランジスタ、12・・・・・・Nチャネルトランジス
タ、13・・・・・・Pチャネル付加トランジスタ、1
4・・・・・・Nチャネル付加トランジスタ、15・・
・・・・出力端子、31・・・・・・入力端子、32・
・・・・インバータ、34・・・・・・Pチャネルトラ
ンジスタ、35・・・・・・Nチャネルトランジスタ、
36・・・・・・出力端子、。
1...Input terminal, 2...Input terminal, 3
.. 5...Inverter, 7...NAND
, 9...N0R211...P channel transistor, 12...N channel transistor, 13...P channel additional transistor, 1
4...N-channel additional transistor, 15...
...Output terminal, 31...Input terminal, 32.
...Inverter, 34...P channel transistor, 35...N channel transistor,
36... Output terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 直列に接続された第1のPチャネルトランジスタと第1
のNチャネルトランジスタを有しその各々のゲートが入
力端子に接続されかつその各々のドレインが出力端子に
接続された第1のC−MOS回路と、前記入力端子から
の入力信号と制御信号入力端子からの制御信号との論理
積信号を出力する論理回路と、直列に接続された第2の
Pチャネルトランジスタと第2のNチャネルトランジス
タを有しその各々のゲートが前記論理回路出力に接続さ
れかつ各々のドレインが出力端子に接続された少なくと
も1つの第2のC−MOS回路とを含むことを特徴とす
る出力回路。
a first P-channel transistor connected in series;
a first C-MOS circuit having N-channel transistors each having a gate connected to an input terminal and each drain connected to an output terminal; an input signal from the input terminal and a control signal input terminal; a logic circuit that outputs an AND signal with a control signal from the logic circuit; a second P-channel transistor and a second N-channel transistor connected in series, each gate of which is connected to the output of the logic circuit; at least one second C-MOS circuit, each drain of which is connected to an output terminal.
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