JPH02101194A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
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- JPH02101194A JPH02101194A JP25304788A JP25304788A JPH02101194A JP H02101194 A JPH02101194 A JP H02101194A JP 25304788 A JP25304788 A JP 25304788A JP 25304788 A JP25304788 A JP 25304788A JP H02101194 A JPH02101194 A JP H02101194A
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Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電気化学的手法により薄膜形成するミセル電解
法に関するもので各種エレクトロニクスデバイスに利用
可能であり、詳しくは成膜後、加熱処理により密着性を
向上させるものであり、デバイス化の用途拡大に貢献す
るものである。
法に関するもので各種エレクトロニクスデバイスに利用
可能であり、詳しくは成膜後、加熱処理により密着性を
向上させるものであり、デバイス化の用途拡大に貢献す
るものである。
［従来の技術］
ミセル電解法は一部有機材料について東京工業大学の佐
治等により原理確認された技術であるが、成膜の特性上
極めて低エネルギーの成膜法であるため膜の基板に対す
る密着性が弱いという欠点を有していた。
治等により原理確認された技術であるが、成膜の特性上
極めて低エネルギーの成膜法であるため膜の基板に対す
る密着性が弱いという欠点を有していた。
［発明が解決しようとする課題］
前述のようにミセル電解法による成膜法は密着性が弱い
という欠点を有しており、デバイスに応用する上で大き
な問題点となっていた。
という欠点を有しており、デバイスに応用する上で大き
な問題点となっていた。
本発明はこのような問題点を解決するためのものであり
、その目的とするところは、成膜後、加熱焼成を行なう
ことによりかかる欠点を解決するものであり、デバイス
応用への課題を解決するためのものである。
、その目的とするところは、成膜後、加熱焼成を行なう
ことによりかかる欠点を解決するものであり、デバイス
応用への課題を解決するためのものである。
［課題を解決するだめの手段］
本発明の薄膜の形成方法は、
）溶媒に不溶性あるいは難溶性の有様材料、無機材料あ
るいはこれらの混合材料 １１）電解でチャージする界面活性剤 １１１）支持電解質 を基本組成とするコロイド溶液中から電気化学的手法に
より、′電極上に上記１）の材料を析出、成膜するミセ
ル電解法において、成膜後、加熱処理を行うことを特徴
とする。
るいはこれらの混合材料 １１）電解でチャージする界面活性剤 １１１）支持電解質 を基本組成とするコロイド溶液中から電気化学的手法に
より、′電極上に上記１）の材料を析出、成膜するミセ
ル電解法において、成膜後、加熱処理を行うことを特徴
とする。
すなわち、本発明は以下のように行なうものである。
ミセル電解法は、溶媒に不溶性あるいは難溶性の有機材
料、無機材料あるいはこれらの混合材料を電＋１１’ｇ
でチャージする界面活性剤および支持電解質を溶媒中に
分散２溶解させたコロイド溶液において電解を行うこと
により、界面活性剤に包まれコロイド分散化していた上
記有機あるいは無機あるいはこれらの混合材料を、界面
活性剤が作っていたミセルの破壊により電極上に成膜す
る方法であるが、本成膜法は、コロイド粒子のブラウン
運動による衝突エネルギーのみがその主な成膜エネルギ
ーとなっているためか極めて、密着性の悪い膜である。
料、無機材料あるいはこれらの混合材料を電＋１１’ｇ
でチャージする界面活性剤および支持電解質を溶媒中に
分散２溶解させたコロイド溶液において電解を行うこと
により、界面活性剤に包まれコロイド分散化していた上
記有機あるいは無機あるいはこれらの混合材料を、界面
活性剤が作っていたミセルの破壊により電極上に成膜す
る方法であるが、本成膜法は、コロイド粒子のブラウン
運動による衝突エネルギーのみがその主な成膜エネルギ
ーとなっているためか極めて、密着性の悪い膜である。
そこで、本発明はかかる欠点を解決するために成膜後、
その基板を加熱焼成することにより、密着性を向上させ
るものである。
その基板を加熱焼成することにより、密着性を向上させ
るものである。
加熱温度は材料および成膜基板が、その要求特性を満足
する範囲内で行なうが、好ましくは６０〜７０゛Ｃ以上
の加熱温度とする。
する範囲内で行なうが、好ましくは６０〜７０゛Ｃ以上
の加熱温度とする。
加熱時間は加熱温度との相対的関係から適当な時間を設
定すればよい。
定すればよい。
［実施例］
（実施例１）
界面活性剤として、電＋１４ 酸化でプラスにチャージ
する性質をもつ同位化学製フェロセニルＰＥＧを用いた
。
する性質をもつ同位化学製フェロセニルＰＥＧを用いた
。
この界面活性剤の２ ｍ、 Ｍ水溶液１００＋＋＋ｌを
調整し、さらに支持電解質として０．０５ＭＬｉＢｒ
を加え、さらに成膜材料として、α型銅フタロシアニン
（大日精化製）を０．５１加え、超音波ホモジナイザー
により、６０分間超音波処理を行ない、α型鋼フタロシ
アニン倣粒子が界面活性剤に取り囲まれたフロイド溶液
を調整した。
調整し、さらに支持電解質として０．０５ＭＬｉＢｒ
を加え、さらに成膜材料として、α型銅フタロシアニン
（大日精化製）を０．５１加え、超音波ホモジナイザー
により、６０分間超音波処理を行ない、α型鋼フタロシ
アニン倣粒子が界面活性剤に取り囲まれたフロイド溶液
を調整した。
このコロイド溶液中にアノード電極として酸化インジウ
ム付ガラス基板を用い、カソード電極としてプラチナ板
を浸漬し、さらに参照極として飽和カロメル電極（ＳＣ
Ｅ）を浸漬し、＋ ０．４ Ｖ （対５ＯＥ）の電解電
位により、３０分間電解を行な つ ブこ。
ム付ガラス基板を用い、カソード電極としてプラチナ板
を浸漬し、さらに参照極として飽和カロメル電極（ＳＣ
Ｅ）を浸漬し、＋ ０．４ Ｖ （対５ＯＥ）の電解電
位により、３０分間電解を行な つ ブこ。
以上の操作により、酸化インジウム付ガラス基板上にα
型フタロシアニンの微粒子膜を成膜したたたし、得られ
た膜は、スコッチテープによる引きはがし試験で簡単に
はがれてしまった。
型フタロシアニンの微粒子膜を成膜したたたし、得られ
た膜は、スコッチテープによる引きはがし試験で簡単に
はがれてしまった。
そこで、２００°Ｃ２６０分間の加熱焼成を行なった。
すると、スフノチテーブ試験でも全（はがれない強固な
銅フタロシアニン膜となり、本発明の効果が確認できた
。
銅フタロシアニン膜となり、本発明の効果が確認できた
。
（実施例２）
成膜材料としてカーボンブラックを用い実施例１と同様
に数調整、電解を行ない、カーボン微粒子からなる薄膜
を得た。やはり、ａｓ ａｅｐｏｓｉｔｉｏｎ状態では
密着性が悪く、１５０ ’０ 、６０分加熱焼成したと
ころ密着性が著しく向上し、本発明の効果が確認できた
。
に数調整、電解を行ない、カーボン微粒子からなる薄膜
を得た。やはり、ａｓ ａｅｐｏｓｉｔｉｏｎ状態では
密着性が悪く、１５０ ’０ 、６０分加熱焼成したと
ころ密着性が著しく向上し、本発明の効果が確認できた
。
［発明の効果］
以上のように、低エネルギー成膜であり、密着性の悪い
ミセル電解法により得られた皮膜を基板とともに加熱焼
成することにより、著しく密着性を向上させることが可
能になった。
ミセル電解法により得られた皮膜を基板とともに加熱焼
成することにより、著しく密着性を向上させることが可
能になった。
この発明により、ミセル電解法により得られた膜のデバ
イス応用に顕著な効果をもたらすことができた。
イス応用に顕著な効果をもたらすことができた。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ｉ）溶媒に不溶性あるいは難溶性の有機材料、無機材
料あるいはこれらの混合材料 （ｉｉ）電解でチャージする界面活性剤 （ｉｉｉ）支持電解質 を基本組成とするコロイド溶液中から電気化学的手法に
より、電極上に上記（ｉ）の材料を析出、成膜するミセ
ル電解法において、成膜後、加熱処理を行うことを特徴
とする薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25304788A JPH02101194A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25304788A JPH02101194A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101194A true JPH02101194A (ja) | 1990-04-12 |
Family
ID=17245743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25304788A Pending JPH02101194A (ja) | 1988-10-07 | 1988-10-07 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101194A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173296A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-10-07 JP JP25304788A patent/JPH02101194A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02173296A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
| JPH0541717B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1993-06-24 | Idemitsu Kosan Co |
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