JPH0199272A - ガス精製装置 - Google Patents
ガス精製装置Info
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- JPH0199272A JPH0199272A JP25750687A JP25750687A JPH0199272A JP H0199272 A JPH0199272 A JP H0199272A JP 25750687 A JP25750687 A JP 25750687A JP 25750687 A JP25750687 A JP 25750687A JP H0199272 A JPH0199272 A JP H0199272A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、希ガスハライドエキシマレーザなどのレーザ
ガス等を精製するガス精製装置に関する。
ガス等を精製するガス精製装置に関する。
一般に、レーザを運転させたりすると、レーザ管内のレ
ーザガスと不純物との反応などによってレーザ出力が低
下するという事態が生じる。特に希カスハライドエキシ
マレーザは、レーザガスとしてF2.HCJなどの極め
て反応性の高いハロゲンカスを使用しているため、これ
らのハロゲンガスがレーザの管壁の不純物、レーザガス
中に初めから含まれていた不純物、あるいは電極のスパ
ッタ生成物と反応してハロゲンの濃度が減少するととも
に、これらの不純物、あるいはこれらとハロゲンとのハ
ロゲン化合物(以下、不純物と総称する)のなめレーザ
出力が著しく低下する。
ーザガスと不純物との反応などによってレーザ出力が低
下するという事態が生じる。特に希カスハライドエキシ
マレーザは、レーザガスとしてF2.HCJなどの極め
て反応性の高いハロゲンカスを使用しているため、これ
らのハロゲンガスがレーザの管壁の不純物、レーザガス
中に初めから含まれていた不純物、あるいは電極のスパ
ッタ生成物と反応してハロゲンの濃度が減少するととも
に、これらの不純物、あるいはこれらとハロゲンとのハ
ロゲン化合物(以下、不純物と総称する)のなめレーザ
出力が著しく低下する。
このために、レーザガス中に含まれる不純物を除去しレ
ーザガスを精製する装置が提案された。
ーザガスを精製する装置が提案された。
すなわち、ガス精製装置として希カスハライドエキシマ
レーザの場合には、レーザカスをレーザ管から回収し、
そこでレーザガスを低温にして所定の沸点をもつ不純物
をトラップして除去したり、あるいは金属カルシウムと
反応させて不純物を除去したり、あるいは活性炭やゲッ
タ材(T、−Zr合金)に不純物を吸着させて除去した
り、あるいはゼオライト、固体アルカリ金属および/ま
たはアルカリ土類金属化合物に不純物を吸着させて除去
し、不純物の除去されたレーザガスを再びレーザ管内に
戻すような精製装置が提案された。
レーザの場合には、レーザカスをレーザ管から回収し、
そこでレーザガスを低温にして所定の沸点をもつ不純物
をトラップして除去したり、あるいは金属カルシウムと
反応させて不純物を除去したり、あるいは活性炭やゲッ
タ材(T、−Zr合金)に不純物を吸着させて除去した
り、あるいはゼオライト、固体アルカリ金属および/ま
たはアルカリ土類金属化合物に不純物を吸着させて除去
し、不純物の除去されたレーザガスを再びレーザ管内に
戻すような精製装置が提案された。
しかしながら、レーザガス中の不純物を低温トラップし
て除去する形式の装置では、ハロゲンとしてF2を使用
するA、F、KrFレーザにおいて不純物として特に重
要な低沸点のCF4不純物を除去することができないと
ともに低温環境を作るための液体窒素を多量に用いなけ
ればならないという問題がある。また不純物を金属カル
シウムと反応させたり、活性炭やゲッタ材に不純物を吸
着させたり、ゼオライト、固体アルカリ金属および/ま
たはアルカリ土類金属化合物に不純物を吸着させて不純
物を除去する形式の装置では、不純物とともに活性の強
いハロゲンF2.C,il等をも同時に吸着してしまう
ために、さらに新たなハロゲンF2.cj等をレーザ管
内に別途外部から供給しなければならず、特に高繰返し
発振動作させるときには大量に供給し続けなければなら
ないので、高価なハロゲンF2の場合には高コストとな
り産業用に向かないという問題があった。また金属カル
シウムと反応させたり活性炭、ゲッタ材に吸着させる仕
方は、特定の不純物(化学物質)にのみ有効であり、他
の不純物を取除くことができないという問題があった。
て除去する形式の装置では、ハロゲンとしてF2を使用
するA、F、KrFレーザにおいて不純物として特に重
要な低沸点のCF4不純物を除去することができないと
ともに低温環境を作るための液体窒素を多量に用いなけ
ればならないという問題がある。また不純物を金属カル
シウムと反応させたり、活性炭やゲッタ材に不純物を吸
着させたり、ゼオライト、固体アルカリ金属および/ま
たはアルカリ土類金属化合物に不純物を吸着させて不純
物を除去する形式の装置では、不純物とともに活性の強
いハロゲンF2.C,il等をも同時に吸着してしまう
ために、さらに新たなハロゲンF2.cj等をレーザ管
内に別途外部から供給しなければならず、特に高繰返し
発振動作させるときには大量に供給し続けなければなら
ないので、高価なハロゲンF2の場合には高コストとな
り産業用に向かないという問題があった。また金属カル
シウムと反応させたり活性炭、ゲッタ材に吸着させる仕
方は、特定の不純物(化学物質)にのみ有効であり、他
の不純物を取除くことができないという問題があった。
本発明は、ガス中の不純物だけを効率的に除去し精製し
たガスの成分を再利用することの可能なガス精製装置を
提供することを目的としている。
たガスの成分を再利用することの可能なガス精製装置を
提供することを目的としている。
本発明は、精製されるべきガスを媒質成分吸着部と不純
物吸着部とに通して循環させ、ガス中の所定の媒質成分
を媒質成分吸着部に吸着させる一方、不純物を不純物吸
着部に吸着させる循環手段と、媒質成分吸着部に吸着さ
れた所定の媒質成分を分離しガス源に回収する再利用手
段とを備えていることを特徴とするガス精製装置によっ
て、上記従来技術の問題点を改善するものである。
物吸着部とに通して循環させ、ガス中の所定の媒質成分
を媒質成分吸着部に吸着させる一方、不純物を不純物吸
着部に吸着させる循環手段と、媒質成分吸着部に吸着さ
れた所定の媒質成分を分離しガス源に回収する再利用手
段とを備えていることを特徴とするガス精製装置によっ
て、上記従来技術の問題点を改善するものである。
本発明では、循環手段により精製されるべきガスを媒質
成分吸着部と不純物吸着部とに通して循環させる。これ
により媒質成分吸着部にはガス中の所定の媒質成分が吸
着され、次いで不純物吸着部には不純物が吸着される。
成分吸着部と不純物吸着部とに通して循環させる。これ
により媒質成分吸着部にはガス中の所定の媒質成分が吸
着され、次いで不純物吸着部には不純物が吸着される。
このときに媒質成分吸着部にも不純物吸着部にも吸着さ
れない媒質成分、例えば希ガスはガス源に戻される。し
かる後に、再利用手段によって媒質成分吸着部に吸着さ
れた所定の媒質成分を分離してガス源に回収する。
れない媒質成分、例えば希ガスはガス源に戻される。し
かる後に、再利用手段によって媒質成分吸着部に吸着さ
れた所定の媒質成分を分離してガス源に回収する。
これによりガス中に含まれていた不純物だけが主に除去
され、ガス中の有用な媒質成分のほとんどをガス源に再
び回収することができる。
され、ガス中の有用な媒質成分のほとんどをガス源に再
び回収することができる。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明に係るガス精製装置の実施例の構成図で
ある。
ある。
本実施例のガス精製装置は、ガス源としてのし−ザ1内
のレーザガスがバルブ2を介して送入されレーザガス中
の所定の媒質成分を吸着する媒質成分吸着部3と、媒質
成分吸着部3を通過したレーザガスがバルブ4を介して
送入され不純物を吸着し、残りのレーザガスをレーザ1
内に循環させる不純物吸着部5と、レーザ1内のレーザ
ガスを媒質成分吸着部3.不純鈍物着部5に通して十分
循環させた後に媒質成分吸着部3から分離した媒質成分
がバルブ6を介して送られこれを室温に冷却し所定の圧
力にして再びレーザ1内に供給する圧縮室7とを備えて
いる。
のレーザガスがバルブ2を介して送入されレーザガス中
の所定の媒質成分を吸着する媒質成分吸着部3と、媒質
成分吸着部3を通過したレーザガスがバルブ4を介して
送入され不純物を吸着し、残りのレーザガスをレーザ1
内に循環させる不純物吸着部5と、レーザ1内のレーザ
ガスを媒質成分吸着部3.不純鈍物着部5に通して十分
循環させた後に媒質成分吸着部3から分離した媒質成分
がバルブ6を介して送られこれを室温に冷却し所定の圧
力にして再びレーザ1内に供給する圧縮室7とを備えて
いる。
レーザ1が希ガスハライドエキシマレーザの場合につい
て以下に説明する。
て以下に説明する。
希ガスハライドエキシマレーザにおいては、レーザガス
として腐蝕性を有するガスHCj 。
として腐蝕性を有するガスHCj 。
F2等と、希ガスA、、に、、Xo (1%〜数%)と
、バッファガスH8,No等とをレーザ1内に数気圧に
充たしている。一方、レーザ1の運転中に発生する不純
物は、レーザガスにより異なるが、レーザガス中に初め
から含まれていたもの、レーザーの管壁に吸着されてい
たものがレーザガス中に放出されたもの、これらとハロ
ゲンF、(Jとの化合物等を含めて、CF4゜S、F
HF、NF3.SF6.CCj 4 。
、バッファガスH8,No等とをレーザ1内に数気圧に
充たしている。一方、レーザ1の運転中に発生する不純
物は、レーザガスにより異なるが、レーザガス中に初め
から含まれていたもの、レーザーの管壁に吸着されてい
たものがレーザガス中に放出されたもの、これらとハロ
ゲンF、(Jとの化合物等を含めて、CF4゜S、F
HF、NF3.SF6.CCj 4 。
+ 4’
CO2,F20,02.N2.CO等である。
媒質成分吸着部3には、固体銀が充填されており、レー
ザガス中の媒質成分であるハロゲンF2゜CJを固体銀
と反応させて吸着させるようになっている。
ザガス中の媒質成分であるハロゲンF2゜CJを固体銀
と反応させて吸着させるようになっている。
第2図は媒質成分吸着部3の構成図である。
第2図において媒質成分吸着部3内には、固体銀N8と
、固体銀層8を加熱するためのし−タコイル9と、固体
銀層8の両側に位置決めされた電気分解用の一対の電極
10.11と、固体銀層8を電気分解したときにハロゲ
ンガスとともに放出されるハロゲン化銀蒸気を吸着する
ためのバッフル12.トラップ13とが設けられている
。レーザーからのレーザガスは入口14に送入され、出
口15から送出される。
、固体銀層8を加熱するためのし−タコイル9と、固体
銀層8の両側に位置決めされた電気分解用の一対の電極
10.11と、固体銀層8を電気分解したときにハロゲ
ンガスとともに放出されるハロゲン化銀蒸気を吸着する
ためのバッフル12.トラップ13とが設けられている
。レーザーからのレーザガスは入口14に送入され、出
口15から送出される。
不純物吸着部5には、ゲッタ材が充填されており、媒質
成分吸着部3によってハロゲンガスの取除かれたレーザ
ガス中の不純物を吸着するようになっている。ゲッタ材
としては、Z、、T、。
成分吸着部3によってハロゲンガスの取除かれたレーザ
ガス中の不純物を吸着するようになっている。ゲッタ材
としては、Z、、T、。
Th、T、、Zr/T、合金、Z、/Aj合金。
Th/C8/AfJ/アル力リ土類金属合金、Ba。
Th/AJ合金を単体でまたは複合して使用する。ゲッ
タ材としてZr、あるいはZr/A1合金を用いると不
純物02 、、F2 、 CO、C02が吸着され、T
h合金を用いると不純′!IJco。
タ材としてZr、あるいはZr/A1合金を用いると不
純物02 、、F2 、 CO、C02が吸着され、T
h合金を用いると不純′!IJco。
02、C02,F20が吸着され、B8を用いると不純
物02.Co、Co2.N2等が吸着される。またハロ
ゲン化合物としての不純物、例えばCCI 、CF4
.CCJ F2.C2F6゜NF3等も吸着される。一
方、希ガスAr“、Kr。
物02.Co、Co2.N2等が吸着される。またハロ
ゲン化合物としての不純物、例えばCCI 、CF4
.CCJ F2.C2F6゜NF3等も吸着される。一
方、希ガスAr“、Kr。
X 等はほとんどゲッタ材に吸収されないので再度レー
ザーに送入される。
ザーに送入される。
このような構成のレーザガス精製装置の操作を以下に説
明する。レーザガスの精製に際し、レーザの発振を停止
し、しかる後にバルブ6を閉、バルブ4を開にしてバル
ブ2を開にする。これによりレーザ1内のレーザガスを
媒質成分吸着部3゜不純物吸着部5に順次に通し循環さ
せる。このときに媒質成分吸着部3の固体銀層8の温度
をヒータコイル9により100℃乃至300℃に設定す
る。固体銀層8をこの温度範囲に設定することにより、
レーザガス中の活性物質である不純物CF 、CCJ
、02F6等の固体銀層8への吸着は少なくなり、
媒質成分吸着部3に流入したレーザガスのうち、ハロゲ
ンガスF 2 、 Cj等と、不純物Co、HO,O□
等の一部とが固体銀層8に吸着される。また希ガスA、
Xo等、不「 鈍物CF 、CCj) 、C2F6等はほとんど吸
着されず媒質成分吸着部3を通過して不純物吸着部5に
送られる。なおレーザガスの一成分にHC,llが含ま
れている場合ハロゲンejは固体銀と反応して固体銀層
8に吸着されるが、水素Hは分離され、不純物H2とな
って媒質成分吸着部5を通過する。不純物吸着部5では
、前述のように不純物CO2,F20.02.N2.F
2等、ハロゲン化合物CF 、C(1、C2F6等が
ゲツタ材に吸着されるが、希ガスはほとんど吸着されな
いので、主に希ガスがレーザ1内に戻される。
明する。レーザガスの精製に際し、レーザの発振を停止
し、しかる後にバルブ6を閉、バルブ4を開にしてバル
ブ2を開にする。これによりレーザ1内のレーザガスを
媒質成分吸着部3゜不純物吸着部5に順次に通し循環さ
せる。このときに媒質成分吸着部3の固体銀層8の温度
をヒータコイル9により100℃乃至300℃に設定す
る。固体銀層8をこの温度範囲に設定することにより、
レーザガス中の活性物質である不純物CF 、CCJ
、02F6等の固体銀層8への吸着は少なくなり、
媒質成分吸着部3に流入したレーザガスのうち、ハロゲ
ンガスF 2 、 Cj等と、不純物Co、HO,O□
等の一部とが固体銀層8に吸着される。また希ガスA、
Xo等、不「 鈍物CF 、CCj) 、C2F6等はほとんど吸
着されず媒質成分吸着部3を通過して不純物吸着部5に
送られる。なおレーザガスの一成分にHC,llが含ま
れている場合ハロゲンejは固体銀と反応して固体銀層
8に吸着されるが、水素Hは分離され、不純物H2とな
って媒質成分吸着部5を通過する。不純物吸着部5では
、前述のように不純物CO2,F20.02.N2.F
2等、ハロゲン化合物CF 、C(1、C2F6等が
ゲツタ材に吸着されるが、希ガスはほとんど吸着されな
いので、主に希ガスがレーザ1内に戻される。
このようにして固体銀層8を100℃乃至300℃で加
熱した状態でレーザ1内のレーザガスを十分循環させた
後、固体銀層8の温度を500℃乃至600°Cに昇温
する。昇温により、固体銀と反応していた不純物CO2
、H20。
熱した状態でレーザ1内のレーザガスを十分循環させた
後、固体銀層8の温度を500℃乃至600°Cに昇温
する。昇温により、固体銀と反応していた不純物CO2
、H20。
0゜等を先づ分離する。例えばAg2O,Ag2O□。
Ag2CO3はそれぞれ温度300℃、100℃。
218℃までの間に分離され放出される。またA gF
−x H20中の水H20も温度435℃以下で放出さ
れる。これらの放出された不純物は不純物吸着部5に送
られゲッタ材に吸着される。
−x H20中の水H20も温度435℃以下で放出さ
れる。これらの放出された不純物は不純物吸着部5に送
られゲッタ材に吸着される。
このようにしてハロゲンガスを固#C銀に吸着させ不純
物をゲッタ材に吸着させる循環サイクルを行なった後、
バルブ4を閉にする一方、バルブ6を開にして、固体銀
に吸着されたハロゲンガスF 2 、 Cj等を放出さ
せてレーザ1内に戻す再利用サーイクルを開始する。
物をゲッタ材に吸着させる循環サイクルを行なった後、
バルブ4を閉にする一方、バルブ6を開にして、固体銀
に吸着されたハロゲンガスF 2 、 Cj等を放出さ
せてレーザ1内に戻す再利用サーイクルを開始する。
この再利用サイクルでは、固体銀層8をヒータコイル9
によってさらに昇温して溶融し、電極10.11間に電
流を流して溶融した固体銀層8を電気分解する。溶融温
度は、例えばAgCJIで455℃、A、Fで435℃
である。これにより、固体銀とこれに吸着されていたハ
ロゲンF2゜Cj等とは分解し、固体銀層8からハロゲ
ンガスF CJ等が放出される。なおこのときに昇
温した銀蒸気やハロゲン化銀蒸気ら発生するが(温度的
450℃で蒸気狂的10””Torr ) 、これらの
銀蒸気、ハロゲン化銀蒸気はバッフル12とトラップ1
3とに吸着され出口15からは放出されない。
によってさらに昇温して溶融し、電極10.11間に電
流を流して溶融した固体銀層8を電気分解する。溶融温
度は、例えばAgCJIで455℃、A、Fで435℃
である。これにより、固体銀とこれに吸着されていたハ
ロゲンF2゜Cj等とは分解し、固体銀層8からハロゲ
ンガスF CJ等が放出される。なおこのときに昇
温した銀蒸気やハロゲン化銀蒸気ら発生するが(温度的
450℃で蒸気狂的10””Torr ) 、これらの
銀蒸気、ハロゲン化銀蒸気はバッフル12とトラップ1
3とに吸着され出口15からは放出されない。
このようにして、出口15からはハロゲンガスF 2
、 Cj等が放出され、バルブ6を通って圧縮室7に流
入し、そこで室温に冷却され、ピストン(図示せず)等
で圧縮される。このときに再利用されるハロゲンガスF
2.Cj等の量は圧縮室7内の圧力により知ることがで
きる。圧縮室7内で圧縮され適当な圧力に達すると、ハ
ロゲンガスF2.CJIは圧縮室7からレーザ1内に戻
される。
、 Cj等が放出され、バルブ6を通って圧縮室7に流
入し、そこで室温に冷却され、ピストン(図示せず)等
で圧縮される。このときに再利用されるハロゲンガスF
2.Cj等の量は圧縮室7内の圧力により知ることがで
きる。圧縮室7内で圧縮され適当な圧力に達すると、ハ
ロゲンガスF2.CJIは圧縮室7からレーザ1内に戻
される。
これにより、レーザの発振を再び行なわせることができ
る。なお、レーザガスにHCJIを用いている場合、ハ
ロゲンガスCjは回収されるものの水素トIは不純物吸
着部5のゲッタ材に吸着され、レーザ1内には戻されな
いので、外部ガスボンベ16を設け、この外部ガスボン
ベ16から新たに供給するようにするのが良い。また外
部ガスボンベ16からは循環サイクルにより失なわれた
微量の希ガスをも供給するようにしても良い。
る。なお、レーザガスにHCJIを用いている場合、ハ
ロゲンガスCjは回収されるものの水素トIは不純物吸
着部5のゲッタ材に吸着され、レーザ1内には戻されな
いので、外部ガスボンベ16を設け、この外部ガスボン
ベ16から新たに供給するようにするのが良い。また外
部ガスボンベ16からは循環サイクルにより失なわれた
微量の希ガスをも供給するようにしても良い。
上記再利用サイクルにおいて、圧縮室7内のハロゲンガ
スF 2 、 Cj等をレーザ1内に直接戻すとして説
明したが、圧縮室7とレーザ1との間にバルブ17.ボ
ンベ18を設け、圧縮室7からのハロゲンガスF2.C
J等をバルブ17を介しボンベ18内に回収し充填して
、再利用するようにしても良い、バルブ17.ボンベ1
8を設ける場合には、媒質成分吸着部3内にバッフル1
2を設けなくても良い。
スF 2 、 Cj等をレーザ1内に直接戻すとして説
明したが、圧縮室7とレーザ1との間にバルブ17.ボ
ンベ18を設け、圧縮室7からのハロゲンガスF2.C
J等をバルブ17を介しボンベ18内に回収し充填して
、再利用するようにしても良い、バルブ17.ボンベ1
8を設ける場合には、媒質成分吸着部3内にバッフル1
2を設けなくても良い。
このようにして本実施例では、レーザガス中の不純物だ
けを不純物吸着部5のゲッタ材に吸着させて除去し、レ
ーザガス中の高価な希ガスAr。
けを不純物吸着部5のゲッタ材に吸着させて除去し、レ
ーザガス中の高価な希ガスAr。
K、X8等を循環サイクルでレーザー内に戻し、また他
の高価なハロゲンガスF2.Cj等を再利用サイクルで
レーザー内に回収するようにしているので、前述した従
来の精製装置のように高価なハロゲンガスF2 、cj
等を外部から新たに供給せずとも良く、ハロゲンガスF
2 、 C,11等の新たな供給量すなわち使用量を
著しく低減させ、レーザガスの使用寿命を著しく増加さ
せることが可能となる。また本実施例による精製では、
液体窒素等を用いて低温にする必要がないので、精製を
低置にかつ容易に行なうことができる。
の高価なハロゲンガスF2.Cj等を再利用サイクルで
レーザー内に回収するようにしているので、前述した従
来の精製装置のように高価なハロゲンガスF2 、cj
等を外部から新たに供給せずとも良く、ハロゲンガスF
2 、 C,11等の新たな供給量すなわち使用量を
著しく低減させ、レーザガスの使用寿命を著しく増加さ
せることが可能となる。また本実施例による精製では、
液体窒素等を用いて低温にする必要がないので、精製を
低置にかつ容易に行なうことができる。
上述の実施例では、希ガスハライドエキシマレーザのレ
ーザガスの精製について述べたが、他の種類のレーザの
レーザガスを精製する場合にも、あるいは、レーザガス
に限らず一般的な混合ガスを精製する場合にも、本発明
のガス精製装置を用いることができる。
ーザガスの精製について述べたが、他の種類のレーザの
レーザガスを精製する場合にも、あるいは、レーザガス
に限らず一般的な混合ガスを精製する場合にも、本発明
のガス精製装置を用いることができる。
〔発明の効果〕
以上に説明したように、本発明によれば、精製されるべ
きガスのうち不純物だけを主に取除き、ガス中の有用な
媒質成分はほぼガス源に戻されるので、高価な媒質成分
の新たな供給量を著しく低減させ、ガスの使用寿命を著
しく高めることができる。
きガスのうち不純物だけを主に取除き、ガス中の有用な
媒質成分はほぼガス源に戻されるので、高価な媒質成分
の新たな供給量を著しく低減させ、ガスの使用寿命を著
しく高めることができる。
第1図は本発明に係るガス精製装置の実施例の構成図、
第2図は媒質成分吸着部の構成図である。 1・・・レーザ、2,4.6・・・バルブ、3・・・媒
質成分吸着部、5・・・不純物吸着部、7・・・圧縮室
、8・・・固体銀層、9・・・ヒータコイル、10.1
1・・・電極、12・・・バッフル、13・・・トラッ
プ
第2図は媒質成分吸着部の構成図である。 1・・・レーザ、2,4.6・・・バルブ、3・・・媒
質成分吸着部、5・・・不純物吸着部、7・・・圧縮室
、8・・・固体銀層、9・・・ヒータコイル、10.1
1・・・電極、12・・・バッフル、13・・・トラッ
プ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)精製されるべきガスを媒質成分吸着部と不純物吸着
部とに通して循環させ、ガス中の所定の媒質成分を媒質
成分吸着部に吸着させる一方、不純物を不純物吸着部に
吸着させる循環手段と、媒質成分吸着部に吸着された所
定の媒質成分を分離しガス源に回収する再利用手段とを
備えていることを特徴とするガス精製装置。 2)前記循環手段は、前記媒質成分吸着部に媒質成分と
ともに吸着された不純物の一部を分離し前記不純物吸着
部に吸着させる不純物分離吸着手段を備えていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のガス精製装置
。 3)前記再利用手段は、媒質成分を前記ガス源に回収す
るに際し、冷却し圧縮する冷却圧縮手段を備えているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のガス精製
装置。 4)前記媒質成分吸着部は、媒質成分を吸着するための
吸着層と、吸着層を加熱する加熱装置と、吸着層から電
気分解により媒質成分を分離させるための電極と、前記
吸着層を形成する材料と媒質成分との化合物蒸気をトラ
ップするトラップ手段とを備えていることを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載のガス精製装置。 5)前記吸着層は、固体銀で形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第4項に記載のガス精製装置。 6)前記不純物吸着部にはゲッタ材が充填されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のガス精製
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25750687A JPH0199272A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | ガス精製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25750687A JPH0199272A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | ガス精製装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0199272A true JPH0199272A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17307242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25750687A Pending JPH0199272A (ja) | 1987-10-13 | 1987-10-13 | ガス精製装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0199272A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02201984A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Central Glass Co Ltd | エキシマーレーザーガスの精製法並びにその装置 |
-
1987
- 1987-10-13 JP JP25750687A patent/JPH0199272A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02201984A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-10 | Central Glass Co Ltd | エキシマーレーザーガスの精製法並びにその装置 |
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