JPH01960A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、電荷発生物質を分散した層を有する電子写真
用感光体の改良に関する。

〔従来技術〕

従来より、電荷発生物質と共に各種の樹脂を配合させた
電荷発生層を設けた電子写真用感光体は知られている。

このような例としては、ポリビニルブチラール（特開昭
５８−１０５１５４号）、脂肪酸セルロースエステル（
特開昭５８−１６６３５３号）、Ｔｇが７０℃以下で酸
価数１０〜４０のアクリル樹脂（特開昭５８−１９２０
４０号）、Ｔｇが７０℃以下の樹脂と、Ｔｇが７５℃以
上の樹脂を混合したもの（特開昭５８−１９３５４９号
）、電荷発生物質−樹脂−溶剤の系に相溶性のより低い
樹脂−溶剤系を加えて再分散したもの（特開昭５６−１
２６４６号）、ポリビニルピロリドン（特開昭５６−１
１３１４０号）、ポリビニルホルマール樹脂（特開昭６
１−２３５８４４号）等の樹脂を用いたものが挙げられ
る。

しかしながら、従来公知の感光体にあっては、電荷発生
物質とバインダー樹脂の混合比によって感度と前露光疲
労に対する帯電性が異なるという問題があった。

即ち、従来の感光体は電荷発生物質に対するバインダー
樹脂の使用量を少くすると感度を増大することができる
が、前露光疲労に対する帯電性の低下が著しくなり、逆
に電荷発生物質に対するバインダー樹脂の使用量を多く
すると前露光疲労に対する帯電性の低下を抑制できるが
、感度が著しく低下し、残留電位が上昇するという問題
点を包含する。

また、従来の感光体は帯電と露光の繰り返しにおいて残
留電位の上昇が著しいという欠点も有している。

〔目　　的〕

本発明は、高感度であるとともに前露光疲労による帯電
性の低下が著しく小さく、しかも帯電と露光の繰り返し
においても残留電位が上昇しない電子写真用感光体を提
供することを目的とする。

〔構　　成〕

本発明によれば、導電性支持体上に電荷発生物質を分散
した層を少なくとも有する電子写真用感光体において、
電荷発生物質を分散した層が電荷発生物質とニトロ化ベ
ンゼンからなることを特徴とする電子写真用感光体が提
供される。

本発明の電子写真用感光体は、電荷発生物質を分散した
層を電荷発生物質とニトロ化ベンゼンから構成したこと
から、高感度であるとともに前露光疲労による帯電性の
低下が著しく小さく、シかも帯電と露光の繰り返しにお
いても残留電位が上昇しないという顕著な作用効果を奏
する。

従来有機材料から成る電子写真感光体は高電界（表面電
位が高い場合）では良好な光減衰感度を示すが、低電界
（表面電位が低い場合）では光減衰塵が小さく、これは
光減衰塵のすそひき現像となりまた残留電位となる。ま
たこの残留電位は帯電と露光とのくり返しによって微量
づつではあるが蓄積し、コピー上では地汚れとなる為大
きな問題であった。

本発明者らは、この点を改良すべく鋭意検討した結果、
電荷発生物質を分散した層にニトロ化ベンゼンを含有さ
せると上記欠点が解消されることを見い出し１本発明を
完成するに到った。

本発明がこのような顕著な作用効果を有する理由は現地
点では必ずしも明らかでないが、電荷発生物質から電荷
移動物質への光キャリアの注入がニトロ化ベンゼンの存
在によって促進されかつ帯電と露光とのくり返しによっ
ても光キャリアが蓄積することなく注入することに帰因
するものと思われる。電荷の再結合中心となるため、前
露光疲労で発生した電荷が速やかに再結合し、その電荷
を消失することによって感光体の帯電電位の低下が抑制
されることに帰因するものと思われる。

更に、前記のような前露光疲労に対する効果は、帯電と
露光を繰り返す実際の使用時においても同様に発現する
ため、本発明に係る電子写真用感光体は、従来のものと
比較して、帯電と露光との繰り返しにおいても、？電電
位の低下が著しく小さいものである。

以下、添付図面に沿って本発明をさらに詳細に説明する
。

第１図〜第３図は本発明の電子写真用感光体の代表的な
層構成を説明する図面である。

第１図は、導電性支持体３上に、電荷発生層１および電
荷移動層２が順次積層されたものであり、第２図は第１
図の電荷発生層１と電荷移動層２の積層順位を逆にした
ものであり、電荷発生層１の形成は、電荷移動層２を乱
さない様な塗工方法例えばスプレー塗工法等が採用され
る。

第３図は、第１図において、導電性支持体３と電荷発生
層１との間に下引層４を設けたものである。

下引層はレーザープリンター用感光体における光干渉防
止を目的とする場合は、光散乱性下引層又は光吸収性下
引層が用いられ、接着性・可撓性を目的とする場合は接
着性の良好なポリアミド、ポリエステル、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体。

ポリビニルブチラール等の樹脂下引層が用いられる。

つぎに、本発明で用いられる各構成材料について説明す
る。

導電性支持体とは、帯電電荷と逆極性の電荷を基体側に
供給することを目的とするものであって、電気抵抗が１
０１Ωｃｍ以下で、かつ電荷発生層、電荷移動物質には
下引層の成膜条件に耐えられるものを使用することがで
きる。これらの例としては、ＡＭ、Ｎｉ％Ｃｒ％Ｚｎ、
ステンレス等の電気伝導性の金属および合金並びにガラ
ス、セラミックス等の無機絶縁物質およびポリエステル
、ポリイミド、フェノール樹脂、ナイロン樹脂、紙等の
有機絶縁性物質の表面を、真空蒸着、スパッタリング、
吹付塗装等の方法によって、ＡＱ　、　Ｎｉ、　Ｃｒ、
　Ｚｎ、ステンレス、炭素、ＳｎＯ，、Ｉｎ、　０．等
の電気導電性物質を被服して導電処理を行なったもの等
があげられる。

電荷発生物質を分散した層は、第１図、第２図及び第３
図のように積層型感光層における電荷発生層として構成
され、電荷発生物質とニトロ化ベンゼンから形成される
。

本発明において、用いられるニトロ化ベンゼンとしては
、下記−投銭（１）で示される化合物が好ましく用いら
れる。

（式中、。は１〜４の整数） 一般式（１）で示される化合物の具体例としては。

モノニトロベンゼン、０−ジニトロベンゼン、鶏−ジニ
トロベンゼン、ｐ−ジニトロベンゼン、　１，２．４−
トリニトロベンゼン、１，３．５−トリニトロベンゼン
、１．２，４．６−チトラニトロベンゼン等が挙げられ
る。

ニトロ化ベンゼンの使用量は、後記する電荷発生物質１
００重量部に対して０．０１重量部、好ましく゛は１重
量部含有させることが必要である。

電荷発生物質としては、例えば、シーアイピグメントブ
ルー２５〔カラーインデックス（ＣＩ）　２１１８０）
、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ　２１２００）
、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ　４５１００）、
シーアイベーシックレッド３（ＣＩ　４５２１０）、さ
らに、ポリフィリン骨格を有するフタロシアニン系顔料
、アズレニウム塩顔料、スクアリック塩顔料、カルバゾ
ール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号
公報に記載）、スチルスチルベン骨格を有するアゾ顔料
（特開昭５３−１３８２２９号公報に記載）、トリフェ
ニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２
５４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有す
るア°ゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）
、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４
−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有す
るアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、
ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１
７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール
骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に
記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料
（特開昭５４−１７７３４号公報に記載）、カルバゾー
ル骨格を有するトリアゾ顔料（特開昭５７−１９５７６
７号公報、同５７−１９５７６８号公報に記載）等、さ
らに、シーアイピグメントブルー１６（ＣＩ　７４１０
０）等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウ
ン５（ＣＩ　７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ
　７３０３０）等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレッ
トＢ（バイオレット社製）、インダスレンスカーレット
Ｒ（バイエル社製）等のペリレン系顔料等の有機顔料を
使用することができる。

これら電荷発生物質の中でも特にアゾ顔料が好適であり
、更にアゾ顔料の中でも以下に示すジスアゾ顔料あるい
はトリスアゾ顔料が最も好ましい。

アゾ顔料の具体例を以下に示す。

帛り判」頼　　　　　　　　　　−へ−Ｉ５ｒ 八り２ ＣＱ 産ＩＬｔＬＭ　　　　　　　　　　　−一一八一一一電
荷発生層ｌの膜厚は、０．０５〜２μｍ程度が適当であ
り、好ましくは０．１−１μ票である。

電荷発生Ｊｆ４ｔは、適当な溶剤にポリオキシエチレン
ソルビタンの脂肪酸エステルおよび電荷発生物質を溶解
ないし分散し、これを塗布、乾燥することによって形成
できる。溶剤として、ベンゼン、トルエン、キシレン、
塩化メチレン、ジクロルエタン、モノクロルベンゼン、
ジクロルベンゼン、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエ
チルケトン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロ
ヘキサノン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなど
を単独または混合して用いることができる。

電荷移動層２は、電荷移動物質および樹脂バインダーを
適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層１上
に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要に
より可塑剤やレベリング剤等を添加することもできる。

電荷移動物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
およびその誘導体、ポリ−ツーカルバゾリルエチルグル
タメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド
縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン
誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラ
セン、ｌ、１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル
）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリ
ン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘
導体等の電子供与性物質が挙げられる。

樹脂バインダーとしては、ポリスチレン、スチレン−ア
クリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合
体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル
、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、
ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリレー
ト樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セル
ロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラ
ール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコン
樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フ
ェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬
化性樹脂が・挙げられる。

このときの溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、トルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン
、塩化メチレン等が使用できる。

電荷移動層２の厚さは、５〜ｌＯＯμｍ程度が適当であ
る。

更に５本発明においては、前記したように導電性支持体
と感光層の間に必要により下引層を設けることかできる
。

光散乱性下引層及び光吸収性下引層は前述の様にプリン
ター用感光体における光干渉防止を目的とする層である
。光散乱性下引層は、例えば酸化スズ、酸化アンチモン
等の導電性粉体と酸化亜鉛、硫化罹鉛、酸化チタン等の
白色顔料とを下記の様な熱硬化性樹脂中に分散して構成
され、また光吸収性下引層は、例えば炭素、各種金属等
の導電性光吸収性顔料及び／又は光吸収性有機顔料を同
様な熱硬化性樹脂中に分散して構成される。ここで使用
される熱硬化性樹脂は例えば、活性水素（−０１１基、
−Ｎ１１□基、−ＮＨ基等の水素）を複数個含有する化
合物とイソシアネート基を複数個含有する化合物及び／
又はエポキシ基を複数個含有する化合物とを熱重合させ
たものである。活性水素を複数個含有する化合物として
は、例えばポリビニルブチラール、フェノキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリアミド、ポリエステル、ポリエチレ
ングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリブチレ
ンゲリコール、ヒドロキシエチルメタアクリレート基等
の活性水素を含有するアクリル系樹脂等があげられる。

イソシアネート基を複数個含有する化合物としては、た
とえば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジ
イソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート等
とこれらのプレポリマー等があげられ、エポキシ基を複
数有する化合物としては、ビスフェノール＾型エポキシ
樹脂等があげられる。

いずれにしても光散乱性又は光吸収性下引層は以上の様
な成分を溶解又は分散した液を基体上に塗布し、５０〜
２００℃で熱重合させて形成される。なおこの下引層の
厚さは１〜１０μ譜が適当である。また導電性粉末と白
色顔料と前記熱硬化性樹脂とのｉｈｔ比は２〜６／１〜
５７２〜６が適当であり、また光吸収性顔料と前記熱硬
化性樹脂との重量比は４−９／１〜６が適当である。

〔効　　果〕

本発明の電子写真用感光体は、電荷発生物質を分散した
層が電荷発生物質とニトロ化ベンゼンから構成されてい
るので、高感度であるとともに前露光疲労による帯電性
の低下が著しく小さく、シかも帯電と露光の繰り返しに
おいても残留電位が上昇しないという顕著な作用効果を
奏する。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明の詳細な説明する。

実施例１ 〔電荷発生層用塗工液〕 表−１に示すアゾ顔料（顔料Ｍａｌ）５重量部とメタジ
ニトロベンゼンの０．７８重量％シクロヘキサノン溶液
１６０重量部とを７２時間ボールミルで混合して顔料分
散液を得、ついでこの顔料分散液１００重量部に、撹拌
しながら、メチルエチルケトン９０重量部を追加混合し
て電荷発生層塗工液とした。

〔電荷移動層用塗工液〕

テトラヒドロフラン　　　　　　　８００重量部つぎに
、ＡＱを真空蒸着した７５μｍのポリエステルフィルム
基板上に上記の電荷発生層用塗工液をブレード塗工し、
１２０℃で１０分間加熱乾燥して約０．２μｍの電荷発
生層を形成した。ついで、電荷発生層の上に上記組成の
電荷移動層用塗工液をブレード塗工し、１２０℃で２０
分間加熱乾燥して約２０μｌの電荷移動層を形成し感光
体を作成した。

実施例２ ＡＱを真空蒸着した７５μｍのポリエステルフィルム基
板上に実施例１で用いた電荷移動層用塗工液を実施例１
と同様にしてブレード塗工し、ついで乾燥して約２０μ
Ｉの電荷移動層を形成した。ついで、この電荷移動層の
上に実施例１で用いた電荷発生層用塗工液をスプレー塗
工し、１２０℃で３０分間加熱乾燥して約０．２μ園の
電荷発生層を形成し感光体を作成した。

実施例３ 電荷移動層用塗工液のα−フェニルスチルベン化合物を
下記構造の化合物に変更した以外は実施例１と同様にし
て感光体を作成した。

実施例４ 電荷発生層用塗工液の作成に使用したメタジニトロベン
ゼンの０．７８重歌％シクロヘキサノン溶液を１．２，
４．６テトラニトロベンゼンの０．１５６重量％シクロ
ヘキサノン溶液とした以外は実施例１と同様にして感光
体を作成した。

実施例５ 電荷発生層用塗工液の作成に使用したメタジニトロベン
ゼンの０．７８重量％シクロヘキサノン溶液をモノニト
ロベンゼンの０．１５６重量％シクロヘキサノン溶液と
した以外は実施例１と同様にして感光体を作成した。

実施例６ 電荷発生層用塗工液の作成に使用したメタジニトロベン
ゼンの０．７８重ｔ％シクロヘキサノン溶液とした以外
は実施例１と同様にして感光体を作成した。

実施例７ 電荷発生層用塗工液の作成に使用したメタジニトロベン
ゼンの０．７８重量％シクロヘキサノン溶液を１．２．
４−　トリニトロベンゼンの０．７８重量％シクロヘキ
サノン溶液とした以外は実施例１と同様にして感光体を
作成した。

実施例８ 酸化アンチモン１０重量％を含有する酸化スズの微粉８
重量部と酸化チタン白色顔料粉末５重量部とポリビニル
ブチラール（商品名：　ＢＬ−１、積木化学社製）の１
２重’ｙｉ％メチルエチルケトン溶液６８重量部とを７
２時間ボールミルで処理し、次にメチルエチルケトン４
７重量部を追加して４８時間再びボールミルで処理した
。次にこの顔料分散液８０重量部を撹拌しながらａｆｆ
ｉ量部のトリレンジイソシアネートの２０重量％メチル
エチルケトン溶液を追加混合して光散乱用下引層塗工液
とした。

つぎに、ＡＱを真空蒸着した７５μｍのポリエステルフ
ィルム基板」；に上記光散乱用下引層塗工液をブレード
塗工し、１２０℃で３０分間加熱硬化して約２．５μｍ
の光散乱用下引層を形成した。

次に、この光散乱用下引層の上に実施例２と同様にして
電荷発生層及び電荷移動層を形成した感光体を作成した
。

比較例１〜２ 電荷発生層用塗工液のメタジニトロベンゼンをポリビニ
ルブチラール（商品名：ＸＹＩＩＬ、ユニオンカーバイ
ドプラスチック社製）にした以外は各々実施例１〜２と
同様にして感光体を作成した。

比較例３ 電荷発生層用塗工液のメタジニトロベンゼンをポリビニ
ルブチラール（商品名：ＸＹＨＬ、ユニオンカーバイド
プラスチック社製）にした以外は実施例８と同様にして
感光体を作成した。

比較例４ 電荷発生層用塗工液のメタジニトロベンゼンをポリエス
テル（商品名：バイロン２００、東洋結社Ｉｔ）にした
以外は実施例１と同様にして感光体を作成した。

比較例５ 電荷発生層用塗工液作成時のメタジニトロベンゼンの０
．７８重量２シクロヘキサノン溶液をポリビニルブチラ
ール（商品名：ＸＹＨＬ、ユニオンカーバイドプラスチ
ック社製）の０．１５６重量％シクロヘキサノン溶液に
した以外は実施例１と同様にして感光体を作成した。

以上の様にして作成した電子写真用感光体を、静電複写
紙試験装置（川口電機製作所■、ＳＰ　４２８型）を使
用して、次の様に電子写真特性を評価した。まず、各感
光体に一６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行なって、その
間にコロナ放電開始２０秒後の帯電電位Ｖ、　（ｖｏｌ
ｔ）を測定し、その後、暗所で放電して表面電位が一８
００ｖになった時点でタングステン光を照射して、表面
電位が一４００Ｖに光減衰するのに必要な露光量５（ｌ
ｕｘ　５ｅｃ）を求め、その後タングステン光照射時間
３０秒後の表面電位ＶＲ（Ｖｏｌｔ）を求めた。その後
、色温度２８５６＠にのタングステン光で３０１ｕｘの
照射と一７Ｋｖでの帯電とで３時間くり返し疲労後、再
び前記と同様に光疲労後の表面電位Ｖｓ’、ＶＲ’　（
ｖｏｌｔ）及び露光量Ｓ’　（ｌｕｘ　５ｅｃ）を求め
た。以上の結果を表−１に示す。

なお、第２図のタイプ感光体は＋７Ｋｖのコロナ放電を
２０秒間行なって、コロナ放電開始２０秒後の帯電４位
Ｖｓを測定し、その後、暗所に放置して表面電位が＋８
００Ｖになって時点でタングステン光を照射して表面電
位が＋４００ｖに光減衰するのに必要な露光にＳを求め
た。その後前記と同様にＶ、を求め同様に３０１ｕｘの
照射と＋８にＶでのくり返し疲労後のＶｓ’、ｖＲ′及
び露光ｔＳ′を求めた。

表−１ ｎ：　１，２，４．６−チトラニトロベンゼン■：モノ
ニトロベンゼン ■：ｐ−ニル−ジニトロベ ンゼンＬ２，４−トリニトロベンゼン Ｐｖ＾：ポリビニルブチラール

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明に係る種々の電子写真用感光体
の模式断面図である。 １；電荷発生層 ２；電荷移動層 ３；導電性支持体 ４；下引層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体上に電荷発生物質を分散した層を少
   なくとも有する電子写真用感光体において、電荷発生物
   質を分散した層が電荷発生物質とニトロ化ベンゼンから
   なることを特徴とする電子写真用感光体。