JPH0193116A - レーザアニール装置 - Google Patents
レーザアニール装置Info
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- JPH0193116A JPH0193116A JP25099187A JP25099187A JPH0193116A JP H0193116 A JPH0193116 A JP H0193116A JP 25099187 A JP25099187 A JP 25099187A JP 25099187 A JP25099187 A JP 25099187A JP H0193116 A JPH0193116 A JP H0193116A
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- lens
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Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
試料表面の微細観察機能付レーザアニール装置に関する
。
。
試料表面のアニール状態を微細に観察することができる
ようにして、再結晶化の安定性を増すことを目的とし。
ようにして、再結晶化の安定性を増すことを目的とし。
レーザ光源と、レーザの光路上で位置調節の可能な集光
レンズと、該集光レンズを透過したレーザ光を反射して
試料面に集光するダイクロイックミラーと、該ダイクロ
イックミラーを透過する試料面よりの光を受ける観察用
光学系とを有するように構成する。あるいはレーザ光源
と、レーザの光路上で位置調節の可能な集光レンズと、
該集光レンズを透過したレーザ光を透過して試料面に集
光するダイクロイックフィルタと、該ダイクロイックフ
ィルタで反射する試料面よりの光を受ける観察用光学系
とを有するように構成する。
レンズと、該集光レンズを透過したレーザ光を反射して
試料面に集光するダイクロイックミラーと、該ダイクロ
イックミラーを透過する試料面よりの光を受ける観察用
光学系とを有するように構成する。あるいはレーザ光源
と、レーザの光路上で位置調節の可能な集光レンズと、
該集光レンズを透過したレーザ光を透過して試料面に集
光するダイクロイックフィルタと、該ダイクロイックフ
ィルタで反射する試料面よりの光を受ける観察用光学系
とを有するように構成する。
本発明は試料表面の微細観察機能付レーザアニール装置
に関する。
に関する。
レーザアニール装置は５ｏｌ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ
Ｉｎ５ｕｌａ−ｔｏｒ）構造作製の一方法として、 Ｓ
ｉ基板上に被着されたＳｉＯ□層上のポリＳｉ層の再結
晶化等に利用されている。
Ｉｎ５ｕｌａ−ｔｏｒ）構造作製の一方法として、 Ｓ
ｉ基板上に被着されたＳｉＯ□層上のポリＳｉ層の再結
晶化等に利用されている。
第３図は従来のレーザアニール装置の構成図である。
図において、レーザ光源１を出たレーザ光はグイクロイ
ックミラー３で反射されて集光レンズ２を経て試料４０
表面に集光されて、試料４を加熱する。
ックミラー３で反射されて集光レンズ２を経て試料４０
表面に集光されて、試料４を加熱する。
一方９図示しない光源から可視光を試料４に照射すると
、試料４から反射する可視光は集光レンズ２を対物レン
ズとし、集光レンズ２．グイクロイックミラー３を順次
透過し、全反射鏡５で反射し、接眼レンズ６を透過して
眼に到達し、試料４の表面状態が観察される。
、試料４から反射する可視光は集光レンズ２を対物レン
ズとし、集光レンズ２．グイクロイックミラー３を順次
透過し、全反射鏡５で反射し、接眼レンズ６を透過して
眼に到達し、試料４の表面状態が観察される。
、このような構成では、レーザの集光位置と試料表面の
観察位置が同一位置に限定される。
観察位置が同一位置に限定される。
従来のレーザアニール装置では、上記のようにレーザの
集光レンズと観察用の対物レンズを同一レンズで共用し
ていた。ところが集光レンズを移動してレーザ光を効率
的に試料が溶融できる位置に集光すると１通常溶融面の
表面はこの位置とずれているため、？ｌｆＸ細な表面観
察ができないという欠点があった。
集光レンズと観察用の対物レンズを同一レンズで共用し
ていた。ところが集光レンズを移動してレーザ光を効率
的に試料が溶融できる位置に集光すると１通常溶融面の
表面はこの位置とずれているため、？ｌｆＸ細な表面観
察ができないという欠点があった。
上記問題点の解決は、レーザ光源と、レーザの光路上で
位置調節の可能な集光レンズと、該集光レンズを透過し
たレーザ光を反射して試料面に集光するグイクロイック
ミラーと、該ダイクロインクミラーを透過する試料面よ
りの光を受ける観察用光学系とを有するレーザアニール
装置、あるいはレーザ光源と、レーザの光路上で位置調
節の可能な集光レンズと、該集光レンズを透過したレー
ザ光を透過して試料面に集光するダイクロイックフィル
タと、該ダイクロイックフィルタで反射する試料面より
の光を受ける観察用光学系とを有するレーザアニール装
置により達成される。
位置調節の可能な集光レンズと、該集光レンズを透過し
たレーザ光を反射して試料面に集光するグイクロイック
ミラーと、該ダイクロインクミラーを透過する試料面よ
りの光を受ける観察用光学系とを有するレーザアニール
装置、あるいはレーザ光源と、レーザの光路上で位置調
節の可能な集光レンズと、該集光レンズを透過したレー
ザ光を透過して試料面に集光するダイクロイックフィル
タと、該ダイクロイックフィルタで反射する試料面より
の光を受ける観察用光学系とを有するレーザアニール装
置により達成される。
本発明は、レーザの集光レンズと観察用の対物レンズを
それぞれ独立に設け、レーザ光の集光と観察用光学系の
ピントが独立に調整できる構成とすることにより９表面
状態の微細観察を可能にしたものである。
それぞれ独立に設け、レーザ光の集光と観察用光学系の
ピントが独立に調整できる構成とすることにより９表面
状態の微細観察を可能にしたものである。
第１図は本発明の一実施例によるレーザアニール装置の
構成図である。
構成図である。
図において、レーザ光源１を出たレーザ光は集光レンズ
２を経てダイクロインクミラー３で反射されて試料４の
表面に集光されて、試料４を加熱する。
２を経てダイクロインクミラー３で反射されて試料４の
表面に集光されて、試料４を加熱する。
一方１図示しない光源から可視光を試料４に照射すると
、試料４から反射した可視光は、グイクロイックミラー
３−１対物レンズ７を順次透過し。
、試料４から反射した可視光は、グイクロイックミラー
３−１対物レンズ７を順次透過し。
全反射鏡５で反射し、接眼レンズ６を透過して眼に到達
し、試料４の表面状態が観察される。
し、試料４の表面状態が観察される。
この場合、レーザ光の集光は集光レンズ２の位置調節に
より行うことができ、これと独立に観察用光学系、対物
レンズ７、全反射鏡５．接眼レンズ６を自由に調節でき
る。
より行うことができ、これと独立に観察用光学系、対物
レンズ７、全反射鏡５．接眼レンズ６を自由に調節でき
る。
ここで、レーザ光源１はＡｒレーザで、波長５１４５人
、または４８８０人、出力１０阿のものを使用した。
、または４８８０人、出力１０阿のものを使用した。
また、グイクロイックミラー３は上記波長のレーザ光を
反射し、この波長の近傍以外の可視光を透過するものを
使用する。
反射し、この波長の近傍以外の可視光を透過するものを
使用する。
この装置を用いて９例えばＳｉ基板上に被着された厚さ
１μｍのＳｉＯ□層上の厚さ４０００人のポリＳｉ層を
溶融して再結晶化するときは、基板温度を４５０℃にし
、レーザを照射して１４２０”Ｃ以上に加熱する。
１μｍのＳｉＯ□層上の厚さ４０００人のポリＳｉ層を
溶融して再結晶化するときは、基板温度を４５０℃にし
、レーザを照射して１４２０”Ｃ以上に加熱する。
第２図は本発明の他の実施例によるレーザアニール装置
の構成図である。
の構成図である。
図において、レーザ光源１を出たレーザ光は集光レンズ
２を経てグイクロイックフィルタ３Ａを透過して試料４
の表面に集光されて、試料４を加熱する。
２を経てグイクロイックフィルタ３Ａを透過して試料４
の表面に集光されて、試料４を加熱する。
一方９図示しない光源から可視光を試料４に照射すると
、試料４から反射した可視光は、グイクロイックフィル
タ３Ａで反射され、対物レンズ７を透過し、全反射鏡５
で反射され、接眼レンズ６を透過して眼に到達し、試料
４の表面状態が観察される。
、試料４から反射した可視光は、グイクロイックフィル
タ３Ａで反射され、対物レンズ７を透過し、全反射鏡５
で反射され、接眼レンズ６を透過して眼に到達し、試料
４の表面状態が観察される。
この場合も、レーザ光の集光は集光レンズ２の位置調節
により行うことができ、これと独立に観察用光学系、対
物レンズ７、全反射鏡５．接眼レンズ６を自由に８周節
できる。
により行うことができ、これと独立に観察用光学系、対
物レンズ７、全反射鏡５．接眼レンズ６を自由に８周節
できる。
ここで、グイクロイックフィルタ３Ａは上記波長のレー
ザ光を透過し、この波長の近傍以外の可視光を反射する
ものを使用する。
ザ光を透過し、この波長の近傍以外の可視光を反射する
ものを使用する。
実施例ではＡｒレーザを用いたが、そのたのレーザを用
いる場合は、その波長に適合したダイクロイックミラー
、またはグイクロイックフィルタを選択すればよい。
いる場合は、その波長に適合したダイクロイックミラー
、またはグイクロイックフィルタを選択すればよい。
以上説明したように本発明によれば、レーザ光の集光用
光学系と観察用光学系とを独立に調節できるために、試
料表面のアニール状態を微細に観察することができる。
光学系と観察用光学系とを独立に調節できるために、試
料表面のアニール状態を微細に観察することができる。
従って、この装置の使用により再結晶化の安定性を増す
ことができる。
ことができる。
第１図は本発明の一実施例によるレーザアニール装置の
構成図。 第２図は本発明の他の実施例によるレーザアニール装置
の構成図。 第３図は従来のレーザアニール装置の構成図である。 図において。 １はレーザ光源。 ２は集光レンズ。 ３はダイクロイックミラー。 ３Ａはグイクロイックフィルタ。 ４は試料。 ５は全反射鏡。 ６は接眼レンズ。 ７は対物レンズ 従来０構成図 第３図
構成図。 第２図は本発明の他の実施例によるレーザアニール装置
の構成図。 第３図は従来のレーザアニール装置の構成図である。 図において。 １はレーザ光源。 ２は集光レンズ。 ３はダイクロイックミラー。 ３Ａはグイクロイックフィルタ。 ４は試料。 ５は全反射鏡。 ６は接眼レンズ。 ７は対物レンズ 従来０構成図 第３図
Claims (2)
- （１）レーザ光源と、レーザの光路上で位置調節の可能
な集光レンズと、該集光レンズを透過したレーザ光を反
射して試料面に集光するダイクロイックミラーと、該ダ
イクロイックミラーを透過する試料面よりの光を受ける
観察用光学系とを有することを特徴とするレーザアニー
ル装置。 - （２）レーザ光源と、レーザの光路上で位置調節の可能
な集光レンズと、該集光レンズを透過したレーザ光を透
過して試料面に集光するダイクロイックフィルタと、該
ダイクロイックフィルタで反射する試料面よりの光を受
ける観察用光学系とを有することを特徴とするレーザア
ニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25099187A JPH0193116A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | レーザアニール装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25099187A JPH0193116A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | レーザアニール装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193116A true JPH0193116A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17216037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25099187A Pending JPH0193116A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | レーザアニール装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193116A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0391925A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-17 | Fujitsu Ltd | レーザアニール装置 |
| US5318395A (en) * | 1992-08-27 | 1994-06-07 | Insituform Technologies, Inc. | Method and apparatus for porting lateral connections in lined pipelines |
| US5368423A (en) * | 1994-02-03 | 1994-11-29 | Inliner U.S.A., Inc. | Robotic cutter |
| JP2002326516A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-12 | Kyoichi Murata | 自動車用ドアバイザー |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP25099187A patent/JPH0193116A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0391925A (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-17 | Fujitsu Ltd | レーザアニール装置 |
| US5318395A (en) * | 1992-08-27 | 1994-06-07 | Insituform Technologies, Inc. | Method and apparatus for porting lateral connections in lined pipelines |
| US5368423A (en) * | 1994-02-03 | 1994-11-29 | Inliner U.S.A., Inc. | Robotic cutter |
| JP2002326516A (ja) * | 2001-05-07 | 2002-11-12 | Kyoichi Murata | 自動車用ドアバイザー |
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