JPH0192916A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明はＰＣＭ（Ｐｕｌｓｅ　Ｃｏｄｅ　Ｍｏｄｕｌａ
ｔｉｏｎ）記録再生装置や電子スチルカメラ等に用いら
れる薄膜磁気ヘッドに関し、特に上部磁極パターンエツ
チングの改良に関する。

〔従来技術とその問題点〕

従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第１°図に示すよ
うに磁性あるいは非磁性基板（３０）上にＣｏＮｂＺｒ
合金（アモルファス）、ＦａＡＩＳｉ合金（センダスト
）、　ＦｅＮｉ合金（バーマロ・イ）等の軟磁性材料（
３１）をスパッタリング等の真空薄膜形成技術を用いて
形成する。その後ＳｉＯ□等から成る第一絶縁層（３２
）を形成した後、ＣｕあるいはＡ１等の金属材料から成
る第一のコイル導体（３３）を形成し、さらにその上に
第二絶縁層（３４）を被着した後、第一のコイル導体（
３３）と同じ材料から成る第二コイル導体を形成し、さ
らに第三絶縁層（３６）を前記第二コイル導体（３５）
上に形成する。その後フロントギャップ部（ａ）及びリ
アギャップ部（ｂ）にある絶縁層（３２）　、　（３４
）。

（３６）をテーパーエツチングによりエツチング除去す
る。その後、ギャップ長の厚さ分だけＳｉＯ□等から成
るギャップ層（３７）をスパッタリングなどにより形成
する。その後アモルファス、センダスト、パーマロイ等
からなる上部磁性体（３８）をパターンエツチングして
形成する。

ところが、上記上部磁性体（３８）をパターンエツチン
グする時、以下に示すような問題があった。

すなわち、第２図において、上部磁性体（３８）上にフ
ォトレジスト（図示せず）を塗布した後に露光・現像を
施し、所望形状のフォトレジストパターンを得る。その
後イオンミリングなどのエツチング手段を用いて上部磁
性体（３８）をエツチングするわけであるが（第２図（
Ａ）　、　（Ａ’））、この際にエツチングが途中の段
階で、マスクとなるフォトレジストパターンが泡を発生
したり、まるで加熱した時の様にパターンのエッチが丸
くなってしまったり（以下、これをフローと呼ぶ）して
エツチングが完了した時点で、フォトレジストに泡が発
生した個所の上部磁性体がエツチングされて消失したり
（第２図（Ｃ）、（Ｃ’））、フォトレジストのフロー
が生じたものは、上部磁性体（３８）の形が崩れてしま
ったりした（第２図（Ｂ）、（Ｂ’））。

そのために、薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗が大きくなり、
記録再生効率が悪くなり、また歩留が非常に悪いという
問題があった。

そこで、本発明は、上述の問題点に鑑み、上部磁性体の
エツチングに際して、フォトレジストパターンの変形を
防止し、製品歩留を向上させた薄膜磁気ヘッドの提供を
目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、基板上に下部磁性体、複数のコイル導体及び
上部磁性体が絶縁層を介して積層形成されて成る薄膜磁
気ヘッドにおいて、前記絶縁層を酸化珪素とし、かつ前
記絶縁層の上部磁性体と下部磁性体でかこまれた厚みが
１２μｍ未満である事を特徴とする薄膜磁気ヘッドによ
り、上述の問題点を解決せんとするものである。

〔作　用〕

本発明の薄膜磁気ヘッドは、上部磁性体と下部磁性体で
かこまれた絶縁層の厚みを１２μｍ未満とする事により
、上部磁性体のパターンエツチングの際に、マスクとな
るフォトレジストパターンの変形を防止して、エツチン
グ後の磁気抵抗の低下を防ぎ、かつ歩留が大巾に向上す
るという作用を奏する。

〔実施例〕

本発明によζ一実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。

第３図において、まず、基板（１）としては、Ｎｉ−Ｚ
ｎ系フェライトやＭｎ−Ｚｎ系フェライト等の強磁性酸
化物基板、またはＺｎ系フェライト、あるいは単結晶Ａ
ｌ２Ｏ，の非磁性基板上にＣｏＮｂＺｒ合金（アモルフ
ァス）、ＦｅＡ　ＩＳｉ合金（センダスト）、ＦｅＮｉ
合金（パーマロイ）等の強磁性金属材料から成る下部磁
性体（２）を形成する。その後、Ｓｉｎ、、あるいはＳ
ｉＯの第一絶縁層（３）を形成した後、Ｃｕ及びＡＩ等
の金属材料より成る第一コイル導体（４）を形成する。

さらに前記第一コイル導体（４）を全て覆うような形で
Ｓｉｎ、　、あるいはＳｉＯから成る第二絶縁層（５）
を形成する。その後第一コイル導体（４）と第二コイル
導体（６）を接続するためのコンタクト窓（図示せず）
をエツチングにより開口した後、第一コイル導体（４）
と同じ金属材料から成る第二コイル導体（６）を形成す
る。その次に前記第一、第二絶縁層（３）　、　（５）
と同じ材料から成る第三絶縁層（７）を形成した後。

フロントギャップ部（イ）及びリアギャップ部（ロ）に
存在する上記絶縁層（３）　、　（５）　、　（７）を
テーパーエツチングによりエツチング除去する。次にギ
ャップ長の厚み分だけ例えば０．２μｍ程度、ＳｉＯ□
等の絶縁層から成るギャップ層（８）をフロントギャッ
プ部（イ）に被着形成する。その後、センダスト、アモ
ルファス、パーマロイ等から成る上部磁性体（９）をス
パッタリングなどで例えば１０μｍ程度全面に被着形成
する。そしてフォトレジストを全面に塗布した後、露光
・現像を行ない所望のフォトレジストパターン（図示せ
ず）を得る。そうした後、イオンミリングで例えばイオ
ンビーム入射角（フォトレジス１−上面の法線方向の傾
き）３０°で、フォトレジストパターンをマスクしてエ
ツチングを行なう。このエツチングする際に、従来技術
ではどうしてもフォトレジストの変形（泡またはフロー
）が生じてしまうため、これを防止するために、本発明
者等は以下に示す様な種々の実験を行なった。

まず、基板として比較的熱伝導率の悪い、Ｍｎ−Ｚｎ系
、Ｎｉ−Ｚｎ系の強磁性酸化物基板、あるいはＺｎ系フ
ェライトの非磁性基板を用い、これらの熱伝導率はいず
れも０．０１ｃａｌｌｃＩｌ−９ｅｃ・℃であった。

また比較的熱伝導性の良好な単結晶基板Ａｌ２Ｏ，（熱
伝導率０．１ｃａｌ／ｃｍ−ｓａｃ・”ｃ）を用い、上
部磁性体（９）と下部磁性体（２）でかこまれたＳｉＯ
あるいはＳｉＯ□から成る絶縁層（３）　、　（５）　
、　（７）の総厚（４）を１２　ｐ　ｍ。

１０．０μｒｎ、　８．５μｍと変えて、エツチング後
におけるフォトレジストパターンの変形の様子をみた。

その結果、第午１！ｌに示す結果を得た−　ｓｅａから
れかるように１２μｍの時にフォトレジストの泡及びフ
ローが生じたのみであった。そして、実験に用いた基板
の熱伝導率の差によるフォトレジストの変形の差は見ら
れなかった。

以上の結果かられかるように絶縁層に酸化珪素系を用い
、かつ前記絶縁層の総厚を１２μｍ未満とする事により
上部磁極パターンエツチングに際してフォトレジストパ
ターンの変形がなく、これにより、磁気抵抗の悪化を防
ぎ、製品歩留りが向上する。

〔発明の効果〕

本発明の薄膜磁気ヘッドは、絶縁層として酸化珪素を用
い、かつ上部磁性体と下部磁性体でかこまれた絶縁層の
総厚が１２μｍ未満とする事により、上部磁極のパター
ンエツチングに際し、マスクとなるフォトレジストの熱
変形を防止出来、その結果磁気抵抗の悪化を防ぎ、製品
の歩留りが著るしく向上するという顕著な効果を奏する
。

なお、上記実施例では二層スパイラルコイルの薄膜磁気
ヘッドについて述べたが、コイル導体層が３層以上の多
層になっても同等の効果が得られる事は勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の薄膜ヘッドの製造工程を示す断面図。 第２図（Ａ）は最終的に得ようとする薄膜ヘッドを説明
する平面図、第２図（Ａ′）は第２図（Ａ）のＡ−Ａ断
面図、 第２図（Ｂ）は、従来技術で製造される薄膜ヘッドのフ
ォトレジストフローによるエツチング後の上部磁性体の
様子を示す平面図、第２図（Ｂ′）は第２図（Ｂ）のＡ
−Ａ断面図、 第２図（Ｃ）は：同じ〈従来技術で製造される薄膜ヘッ
ドのフォトレジスト泡発生によるエツチング後の上部磁
性体の様子を示す平面図、第２図（Ｃ′）は第２図（Ｃ
）のＡ−Ａ断面図、第３図は本発明にょる一実施例を示
す薄膜ヘッド断面図、第４図は本発明を得るために行っ
た実験結果を示す図である。 Ｉ・・・基板 ２・・・下部磁性体 ３．５．７・・・絶縁層 ４．６・・・コイル導体 ８・・・ギャンプ層 （ほか３名） 第　　１　　　図 （Ｂ） （Ｃ） （Ａ） ｊｊ （Ｂ） （Ｃ） ２図 （Ａ′） １Ｊ （８′） （Ｃ′） 第　　３　　図 手続主甫正書（Σ式） ％式％ １、朝牛の耘 昭和６２年特許願第２４８１４３号 ２、発明の名称 薄膜磁気ヘッド ３、補正をする者 事件との間係：特許出願人 名称　　（５２０）富士写真フィルム株式会社４、代理
人 〒１００ （１）図面 １）明細書第１貞下より４行目の「第１図」の後Ｋ「〜
第３図」を加入する。 ２）同省第２頁１８行目のＩ、Ｒ２図において」を「第
４図〜第９図において」と補正する。 ３）同書第３頁３行目の「（第２図（Ａ）　、　（Ａ’
））Ｊを「（第４図、第５図）」と補正する。 ４）同省部３頁１０行目の「（第２図（Ｃ）、（Ｃ））
Ｊを「（第８図、第９図）」と補正する。 ５）同書第３頁１２行目の「（第２図（Ｂ）、（Ｂ））
Ｊを「（第６図、第７図）」と補正する。 ６）同書第４頁１９行目の「第６図」を「第１０図」と
補正する。 ７）同書第７頁４行目の「第４図妬示す」及び「第４図
から」を各々「第１１図に示す」及び「第１１図から」
と補正する。 ８）同省第８頁８行目の「第１図」の後に「〜第６図」
を加入する。 ９）同書第８頁１０行目の「第２図（Ａ）」を「第４図
」と補正する。 １０）同省第８頁１１行目の「第２図（Ａ′）は第２図
（Ａ）の」を「第５図は第４図の」と補正する。 １１）明細書第８頁１３行目の「第２図（Ｂ）」を「第
６図」と補正する。 １２）同書第８頁１５〜１６行目の「第２図（Ｂつは第
２図（Ｂ）の」を「第７図は第６図の」と補正する。 １３）同省第８頁１７行目の「第２図（Ｃ）」を「第８
図」と補正する。 １４）同書第８頁１９〜２０行目の「第２図（Ｃ′）は
第２図（Ｃ）の」を「第９図は第８図の」と補正する。 １５）同書第９頁１行目の「第３図」を「第１０図」と
補正する。 １６）同書第９頁２行目の「第４図」を「第１１図」と
補正する。 ・讐　　　　１　　　　＝ 一Δ；　　　　λ　　　　ト！ 第　　２　　図 ン；３　　　　３　　　　　狂］ 第１０図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 下部磁性体上に複数層のコイル導体及び上部磁性体が絶
   縁層を介して積層形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおい
   て前記絶縁層に酸化珪素を用い、かつ前記絶縁層の総厚
   が１２μｍ未満である事を特徴とする薄膜磁気ヘッド。