JPH0160934B2 - - Google Patents
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- JPH0160934B2 JPH0160934B2 JP7046181A JP7046181A JPH0160934B2 JP H0160934 B2 JPH0160934 B2 JP H0160934B2 JP 7046181 A JP7046181 A JP 7046181A JP 7046181 A JP7046181 A JP 7046181A JP H0160934 B2 JPH0160934 B2 JP H0160934B2
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- Japan
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- thin film
- film
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- electroplating
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光用マスクの製造方法に関する
ものである。
ものである。
Ｘ線露光用マスクは、従来、第１図に示す工程
で製造されている。
で製造されている。
すなわち、
(1) マスク支持体１、例えばシリコン単結晶基板
の上にＸ線透過支持体層２を形成する。
の上にＸ線透過支持体層２を形成する。
(2) そのＸ線透過支持体層２の上に電気めつき用
ベース薄膜３を被着する。
ベース薄膜３を被着する。
(3) さらに、その上に電気めつき用スペーサ厚膜
４を被着し、そのスペーサ厚膜４にイオン照射
５を行なう。
４を被着し、そのスペーサ厚膜４にイオン照射
５を行なう。
(4) イオン照射されたスペーサ厚膜４はエツチン
グされ、開口６が形成される。
グされ、開口６が形成される。
(5) ベース薄膜３を電極として電気めつきを行な
うことによりＸ線吸収体パターン７を形成し、
しかる後スペーサ厚膜を除去する。
うことによりＸ線吸収体パターン７を形成し、
しかる後スペーサ厚膜を除去する。
以上の工程によりＸ線露光用マスクの吸収体パ
ターンが形成される。その後、吸収体パターンの
下以外のベース薄膜３を除去し、マスク支持体１
の一部を除去することによりＸ線露光用マスクが
完成する。
ターンが形成される。その後、吸収体パターンの
下以外のベース薄膜３を除去し、マスク支持体１
の一部を除去することによりＸ線露光用マスクが
完成する。
ところで、イオン照射によりスペーサ厚膜４に
開口６を形成するときに過度にエツチングを行う
と、ベース薄膜３までがスパツタされ、このスパ
ツタされた物質が第２図のごとくスペーサ厚膜４
の側壁に２１のように付着する。この付着された
層２１は電気めつきの際に電極となるので、電気
めつきにより形成される吸収体パターンは第３図
のごとく開口の周辺にもりあがり３１を発生する
という問題が生ずる。
開口６を形成するときに過度にエツチングを行う
と、ベース薄膜３までがスパツタされ、このスパ
ツタされた物質が第２図のごとくスペーサ厚膜４
の側壁に２１のように付着する。この付着された
層２１は電気めつきの際に電極となるので、電気
めつきにより形成される吸収体パターンは第３図
のごとく開口の周辺にもりあがり３１を発生する
という問題が生ずる。
本発明の目的は良好なＸ線露光用マスクを高歩
留りで製造する方法を提供することにある。
留りで製造する方法を提供することにある。
すなわち、本発明はＸ線透過支持体層上に電気
めつき用のベース薄膜を被着し、そのベース薄膜
の上に設けられたスペーサ厚膜の開口を通して電
気めつきにより前記ベース薄膜上にＸ線吸収体パ
ターンを形成する工程を有するＸ線露光用マスク
の製造方法において前記ベース薄膜と前記スペー
サ厚膜の間に絶縁体の薄膜を設け、この絶縁体薄
膜をストツパーとして前記スペーサ厚膜の開口を
設け、前記電気めつきの前に、その開口部の絶縁
体薄膜を除去する工程を含むＸ線露光用マスクの
製造方法である。
めつき用のベース薄膜を被着し、そのベース薄膜
の上に設けられたスペーサ厚膜の開口を通して電
気めつきにより前記ベース薄膜上にＸ線吸収体パ
ターンを形成する工程を有するＸ線露光用マスク
の製造方法において前記ベース薄膜と前記スペー
サ厚膜の間に絶縁体の薄膜を設け、この絶縁体薄
膜をストツパーとして前記スペーサ厚膜の開口を
設け、前記電気めつきの前に、その開口部の絶縁
体薄膜を除去する工程を含むＸ線露光用マスクの
製造方法である。
以下、本発明のＸ線露光用マスクの製造方法に
ついて実施例を用いて説明する。
ついて実施例を用いて説明する。
第４図は本発明の一実施例を工程順に示す断面
図である。
図である。
(1) マスク支持体１、例えばシリコン単結晶基板
の上にＸ線透過支持体２、例えばシリコン窒化
膜を形成する。
の上にＸ線透過支持体２、例えばシリコン窒化
膜を形成する。
(2) その上に電気めつき用のベース薄膜３として
金膜を、さらにその上に絶縁体薄膜４１として
SiO2膜を被着する。
金膜を、さらにその上に絶縁体薄膜４１として
SiO2膜を被着する。
(3) さらに、その上に電気めつき用スペーサ厚膜
４としてポリイミド樹脂膜を形成し、その上に
エツチングマスクを形成した後、試料全面に酸
素イオンビーム照射５を行なう。
４としてポリイミド樹脂膜を形成し、その上に
エツチングマスクを形成した後、試料全面に酸
素イオンビーム照射５を行なう。
(4) 加速された酸素イオンに照射された部分のス
ペーサ厚膜４はエツチングされ開口６が形成さ
れる。
ペーサ厚膜４はエツチングされ開口６が形成さ
れる。
(5) 開口６が形成されたスペーサ厚膜４をマスク
としてSiO2膜４１をバツフアードフツ酸で除
去し、ベース薄膜３の金を部分的に露出せしめ
る。
としてSiO2膜４１をバツフアードフツ酸で除
去し、ベース薄膜３の金を部分的に露出せしめ
る。
(6) ベース薄膜３を電極として電気めつきを行な
うことによりＸ線吸収体パターン７を形成し、
しかる後、スペーサ厚膜４を除去する。
うことによりＸ線吸収体パターン７を形成し、
しかる後、スペーサ厚膜４を除去する。
その後、絶縁体薄膜４１を除去すれば、通常の
製造工程で得られるものと同じＸ線露光用マスク
が得られる。ベース薄膜とスペーサ厚膜の間に絶
縁体薄膜をはさみ、この絶縁体薄膜を前記イオン
照射エツチングのストツパーとすることにより、
ベース薄膜物質がスパツターされることを防止し
ている。また、スペーサ厚膜の側壁に付着する物
質は絶縁物であるので、電気めつき時の電極とな
らない。したがつて、従来のような開口の周辺の
もりあがりが発生せず、良好な吸収体パターンを
形成できる。
製造工程で得られるものと同じＸ線露光用マスク
が得られる。ベース薄膜とスペーサ厚膜の間に絶
縁体薄膜をはさみ、この絶縁体薄膜を前記イオン
照射エツチングのストツパーとすることにより、
ベース薄膜物質がスパツターされることを防止し
ている。また、スペーサ厚膜の側壁に付着する物
質は絶縁物であるので、電気めつき時の電極とな
らない。したがつて、従来のような開口の周辺の
もりあがりが発生せず、良好な吸収体パターンを
形成できる。
以上、説明したように本発明によれば、良好な
Ｘ線吸収体パターンを有するＸ線露光用マスクを
歩留りよく製造することができる。
Ｘ線吸収体パターンを有するＸ線露光用マスクを
歩留りよく製造することができる。
第１図は従来のＸ線露光用マスクの製造工程を
示す断面図で、１はマスク支持体上にＸ線透過支
持体層を形成した状態、２はその上に電気めつき
用ベース薄膜を形成した状態、３はその上にスペ
ーサ薄膜を被着した後、加速されたイオンを照射
した状態、４はイオン照射されたスペーサ厚膜に
開口が形成された状態、５はＸ線吸収体パターン
を形成した後、スペーサ厚膜を除去した状態を表
わす。第２図はイオン照射を過度に行つたとき
に、スパツタされたベース薄膜物質がスペーサ厚
膜の側壁に付着した状態を表わす。第３図はスペ
ーサ厚膜の側壁に付着したベース薄膜物質が電気
めつき時の電極となり、吸収体がスペーサ厚膜の
開口の周辺にもりあがつた状態を表わす。第４図
は本発明の実施例を説明するための断面図で、１
はマスク支持体上にＸ線透過支持体層を形成した
状態、２はその上に電気めつき用ベース薄膜と、
さらにその上に絶縁体の薄膜を形成した状態、３
はさらにその上にスペーサ厚膜を被着した後、加
速されたイオンを照射した状態、４はイオン照射
されたスペーサ厚膜に開口が形成された状態、５
は開口が形成されたスペーサ厚膜をマスクとして
前記絶縁体薄膜をエツチングした状態、６はＸ線
吸収体パターンを形成した後、スペーサ厚膜を除
去した状態を表わす。 図において、１はマスク支持体、２はＸ線透過
支持体層、３はベース薄膜、４はスペーサ厚膜、
５はイオン照射、６は開口、７はＸ線吸収体パタ
ーン、２１はスペーサ厚膜の側壁に付着したベー
ス薄膜物質、３１は吸収体のもりあがり、４１は
絶縁体薄膜を表わす。
示す断面図で、１はマスク支持体上にＸ線透過支
持体層を形成した状態、２はその上に電気めつき
用ベース薄膜を形成した状態、３はその上にスペ
ーサ薄膜を被着した後、加速されたイオンを照射
した状態、４はイオン照射されたスペーサ厚膜に
開口が形成された状態、５はＸ線吸収体パターン
を形成した後、スペーサ厚膜を除去した状態を表
わす。第２図はイオン照射を過度に行つたとき
に、スパツタされたベース薄膜物質がスペーサ厚
膜の側壁に付着した状態を表わす。第３図はスペ
ーサ厚膜の側壁に付着したベース薄膜物質が電気
めつき時の電極となり、吸収体がスペーサ厚膜の
開口の周辺にもりあがつた状態を表わす。第４図
は本発明の実施例を説明するための断面図で、１
はマスク支持体上にＸ線透過支持体層を形成した
状態、２はその上に電気めつき用ベース薄膜と、
さらにその上に絶縁体の薄膜を形成した状態、３
はさらにその上にスペーサ厚膜を被着した後、加
速されたイオンを照射した状態、４はイオン照射
されたスペーサ厚膜に開口が形成された状態、５
は開口が形成されたスペーサ厚膜をマスクとして
前記絶縁体薄膜をエツチングした状態、６はＸ線
吸収体パターンを形成した後、スペーサ厚膜を除
去した状態を表わす。 図において、１はマスク支持体、２はＸ線透過
支持体層、３はベース薄膜、４はスペーサ厚膜、
５はイオン照射、６は開口、７はＸ線吸収体パタ
ーン、２１はスペーサ厚膜の側壁に付着したベー
ス薄膜物質、３１は吸収体のもりあがり、４１は
絶縁体薄膜を表わす。
Claims (1)
- １ Ｘ線透過支持体層上に電気めつき用のベース
薄膜を被着し、そのベース薄膜の上に設けられた
スペーサ厚膜の開口を通して電気めつきにより前
記ベース薄膜上にＸ線吸収体パターンを形成する
工程を有するＸ線露光用マスクの製造方法におい
て前記ベース薄膜と前記スペーサ厚膜の間に絶縁
体の薄膜を設け、この絶縁体薄膜をストツパーと
して前記スペーサ厚膜の開口を設け、前記電気め
つきの前にその開口部の絶縁体薄膜を除去する工
程を含むことを特徴とするＸ線露光用マスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7046181A JPS57185437A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Production of x-ray exposure mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7046181A JPS57185437A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Production of x-ray exposure mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57185437A JPS57185437A (en) | 1982-11-15 |
| JPH0160934B2 true JPH0160934B2 (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=13432174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7046181A Granted JPS57185437A (en) | 1981-05-11 | 1981-05-11 | Production of x-ray exposure mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57185437A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59213131A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-03 | Toshiba Corp | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
-
1981
- 1981-05-11 JP JP7046181A patent/JPS57185437A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57185437A (en) | 1982-11-15 |
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