JPH042939B2 - - Google Patents
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- JPH042939B2 JPH042939B2 JP7633886A JP7633886A JPH042939B2 JP H042939 B2 JPH042939 B2 JP H042939B2 JP 7633886 A JP7633886 A JP 7633886A JP 7633886 A JP7633886 A JP 7633886A JP H042939 B2 JPH042939 B2 JP H042939B2
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- Japan
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- photomask
- pattern
- resist film
- thin film
- resist
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Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
<技術分野>
本発明は光露光方式におけるフオトマスクの製
造方法に関する。
造方法に関する。
<従来技術>
従来、光デイスクにパターンを光露光方式にて
形成するためにフオトマスクを用いていた。この
フオトマスクの製造工程は第2図に示す工程を有
している。即ち、マスク基板1にCrなどの光を
通過させない薄膜2を蒸着、スパツタリング等で
付着し(第2図a)、上記薄膜2上にレジスト膜
3を塗布する(第2図b)。次に上記レジスト膜
3を露光・現像してレジストパターン4を形成す
る(第2図c)。次に上記薄膜2をエツチングし
(第2図d)、最後にレジスト膜3を除去して、マ
スクパターン5を有するフオトマスクを形成する
(第2図e)。
形成するためにフオトマスクを用いていた。この
フオトマスクの製造工程は第2図に示す工程を有
している。即ち、マスク基板1にCrなどの光を
通過させない薄膜2を蒸着、スパツタリング等で
付着し(第2図a)、上記薄膜2上にレジスト膜
3を塗布する(第2図b)。次に上記レジスト膜
3を露光・現像してレジストパターン4を形成す
る(第2図c)。次に上記薄膜2をエツチングし
(第2図d)、最後にレジスト膜3を除去して、マ
スクパターン5を有するフオトマスクを形成する
(第2図e)。
しかし、以上の従来の方法により製造されたフ
オトマスクでは、洗浄工程などでマスクパターン
のはく離が生ずる為に欠陥が発生し易いという欠
点を有する。一方、近年高記録密度化よりマスク
パターンの微細化が要求されている為、上記従来
の欠点を解決する必要が生じた。
オトマスクでは、洗浄工程などでマスクパターン
のはく離が生ずる為に欠陥が発生し易いという欠
点を有する。一方、近年高記録密度化よりマスク
パターンの微細化が要求されている為、上記従来
の欠点を解決する必要が生じた。
<目的>
本発明は、マスクパターンのはく離などの欠陥
が発生し難い信頼性の高い長寿命なフオトマスク
を提供するにある。
が発生し難い信頼性の高い長寿命なフオトマスク
を提供するにある。
<実施例>
以下、本発明に係るフオトマスクの製造方法の
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第1図は本発明に係るフオトマスクの製造方法
を工程順に示す説明図である。
を工程順に示す説明図である。
工程()…石英またはガラスなどからなる透光性
のマスク基板1の上にレジスト膜3を塗布する
(第1図a)。
のマスク基板1の上にレジスト膜3を塗布する
(第1図a)。
工程()…上記レジスト膜3に電子線またはレー
ザー光などを用いて露光を行ない、現像工程を
通してレジストパターン4を形成する(第1図
b)。
ザー光などを用いて露光を行ない、現像工程を
通してレジストパターン4を形成する(第1図
b)。
工程()…上記レジストパターン4の被覆状態に
おいてドライエツチングでレジストが被覆され
ていない部分のマスク基板1の異方性エツチン
グを行なう(第1図c)。
おいてドライエツチングでレジストが被覆され
ていない部分のマスク基板1の異方性エツチン
グを行なう(第1図c)。
工程()…上記ドライエツチング終了後、ウエツ
トエツチングを行ない、マスク基板1の等方性
エツチングを行なう(第1図d)。
トエツチングを行ない、マスク基板1の等方性
エツチングを行なう(第1図d)。
工程()…上記、ドライエツチング及びウエツト
エツチングが終了し、レジストパターン4の被
覆状態で、その上に紫外線などの光を通過させ
ないCr、Ta等の遮光性薄膜2を蒸着またはス
パツタリングなどにより付着する(第1図e)。
エツチングが終了し、レジストパターン4の被
覆状態で、その上に紫外線などの光を通過させ
ないCr、Ta等の遮光性薄膜2を蒸着またはス
パツタリングなどにより付着する(第1図e)。
工程()…最後にレジストパターン4上に付着し
た遮光性薄膜2をレジストパターン4とともに
はく離して、マスクパターン5を有するフオト
マスクを形成する(第1図f)。
た遮光性薄膜2をレジストパターン4とともに
はく離して、マスクパターン5を有するフオト
マスクを形成する(第1図f)。
次に第3図に各種エツチング方法でフオトマス
ク基板に溝を形成した後、Cr、Ta等の遮光性薄
膜2を付着した状態での一部断面図を示す。
ク基板に溝を形成した後、Cr、Ta等の遮光性薄
膜2を付着した状態での一部断面図を示す。
同図aのフオトマスクはドライエツチングのみ
で溝を形成した場合の状態を示す。ドライエツチ
ングは異方性エツチングであるため、マスクパタ
ーン5の寸法は精度良く形成される。しかし、溝
側壁が略垂直となる為遮光性薄膜2がパターン側
壁部6を覆つてしまい、レジスト部分3に付着し
た遮光性薄膜2をはく離することが困難となる。
で溝を形成した場合の状態を示す。ドライエツチ
ングは異方性エツチングであるため、マスクパタ
ーン5の寸法は精度良く形成される。しかし、溝
側壁が略垂直となる為遮光性薄膜2がパターン側
壁部6を覆つてしまい、レジスト部分3に付着し
た遮光性薄膜2をはく離することが困難となる。
同図bのフオトマスクはウエツトエツチングの
みで溝を形成した場合の状態を示す。ウエツトエ
ツチングは等方性エツチングであるため、サイド
エツチング部分7が形成される。この場合、サイ
ドエツチング部分7で薄膜2が不連続となり、レ
ジスト部分に付着した薄膜2は簡単にはく離でき
る。しかし、サイドエツチングにより、マスクパ
ターン5の寸法の精度が悪くなるという問題があ
る。
みで溝を形成した場合の状態を示す。ウエツトエ
ツチングは等方性エツチングであるため、サイド
エツチング部分7が形成される。この場合、サイ
ドエツチング部分7で薄膜2が不連続となり、レ
ジスト部分に付着した薄膜2は簡単にはく離でき
る。しかし、サイドエツチングにより、マスクパ
ターン5の寸法の精度が悪くなるという問題があ
る。
同図cのフオトマスクは本発明に係るものであ
り、ドライエツチングを行ない、次にウエツトエ
ツチングを行なつて溝を形成した場合の状態で、
最初にドライエツチングを行なうことでマスクパ
ターン5の寸法精度が確保され、後にウエツトエ
ツチングを行なつて、多少のサイドエツチング部
分7を形成することにより、レジスト部分に付着
した遮光性薄膜2のはく離を簡単にすることがで
きるものである。
り、ドライエツチングを行ない、次にウエツトエ
ツチングを行なつて溝を形成した場合の状態で、
最初にドライエツチングを行なうことでマスクパ
ターン5の寸法精度が確保され、後にウエツトエ
ツチングを行なつて、多少のサイドエツチング部
分7を形成することにより、レジスト部分に付着
した遮光性薄膜2のはく離を簡単にすることがで
きるものである。
次に第4図に従来方式により製造されたフオト
マスクと本発明による方式で製造されたフオトマ
スクの一部断面面を示す。
マスクと本発明による方式で製造されたフオトマ
スクの一部断面面を示す。
同図aは、従来方式で製造されたフオトマスク
の一部断面図である。この場合、外部との接触面
8は、マスクパターン5の表面にある。その為洗
浄などによる外力は、直接マスクパターン5に影
響し一部でマスクパターン5がはく離してしまう
虞れがあつた。
の一部断面図である。この場合、外部との接触面
8は、マスクパターン5の表面にある。その為洗
浄などによる外力は、直接マスクパターン5に影
響し一部でマスクパターン5がはく離してしまう
虞れがあつた。
同図bは本発明による方式で製造されたフオト
マスクの一部断面図である。この場合、外部との
接触面8がマスク基板1の表面にあり、洗浄など
による外力は、マスク基板表面に吸収されて、マ
スクパターン5は非常にはく離し難くなる。
マスクの一部断面図である。この場合、外部との
接触面8がマスク基板1の表面にあり、洗浄など
による外力は、マスク基板表面に吸収されて、マ
スクパターン5は非常にはく離し難くなる。
<効果>
以上の本発明によれば、マスクパターンのはく
離が発生し難く、信頼性の高い長寿命なフオトマ
スクを提供することができる。
離が発生し難く、信頼性の高い長寿命なフオトマ
スクを提供することができる。
第1図は本発明に係るフオトマスクの製造方法
の一実施例の説明図、第2図は従来のフオトマス
クの製造工程を示す説明図、第3図は、フオトマ
スクの製造工程途中の溝形状を示す一部断面図、
第4図は、従来方式と本発明による方式で製造さ
れたフオトマスク形状を比較する一部断面図であ
る。 図中、1:マスク基板、2:光を通過させない
薄膜、3:レジスト膜、4:レジストパターン、
5:マスクパターン、6:パターン側壁部分、
7:サイドエツチング部分、8:外部との接触
面。
の一実施例の説明図、第2図は従来のフオトマス
クの製造工程を示す説明図、第3図は、フオトマ
スクの製造工程途中の溝形状を示す一部断面図、
第4図は、従来方式と本発明による方式で製造さ
れたフオトマスク形状を比較する一部断面図であ
る。 図中、1:マスク基板、2:光を通過させない
薄膜、3:レジスト膜、4:レジストパターン、
5:マスクパターン、6:パターン側壁部分、
7:サイドエツチング部分、8:外部との接触
面。
Claims (1)
- 1 石英、ガラスなどのマスク基板上にレジスト
膜を被覆し、該レジスト膜に微細パターンを露
光・現像によつて形成し、このレジスト膜パター
ンの被覆状態で、マスク基板を異方性エツチング
した後等方性エツチングし、レジスト膜パターン
の被覆されていない部分に溝を形成し、Cr、Ta
等の遮光性薄膜を蒸着、スパツタリング等により
付着し、次にレジスト膜パターン上の上記遮光性
薄膜をレジスト膜と共に除去する工程を有するこ
とを特徴とするフオトマスクの製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61076338A JPS62231960A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | フオトマスクの製造方法 |
CA000530396A CA1313792C (en) | 1986-02-28 | 1987-02-23 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
EP92120246A EP0533217B1 (en) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Photo-mask and method of production thereof |
DE3752197T DE3752197T2 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Photomaske und Herstellungsverfahren dafür |
EP87102561A EP0234547B1 (en) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby |
DE3789881T DE3789881T2 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Verfahren zur Herstellung von Photomasken und Photomaske. |
US07/019,704 US5087535A (en) | 1986-02-28 | 1987-02-27 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
US07/684,680 US5457006A (en) | 1986-02-28 | 1991-03-29 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61076338A JPS62231960A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62231960A JPS62231960A (ja) | 1987-10-12 |
JPH042939B2 true JPH042939B2 (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=13602574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61076338A Granted JPS62231960A (ja) | 1986-02-28 | 1986-04-01 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62231960A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5089362B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2012-12-05 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクおよび露光方法 |
-
1986
- 1986-04-01 JP JP61076338A patent/JPS62231960A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62231960A (ja) | 1987-10-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |