JPH042938B2 - - Google Patents
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- JPH042938B2 JPH042938B2 JP7633786A JP7633786A JPH042938B2 JP H042938 B2 JPH042938 B2 JP H042938B2 JP 7633786 A JP7633786 A JP 7633786A JP 7633786 A JP7633786 A JP 7633786A JP H042938 B2 JPH042938 B2 JP H042938B2
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- Japan
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- thin film
- photomask
- resist
- pattern
- light
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は光露光方式におけるフオトマスクの製
造方法に関する。
造方法に関する。
＜従来技術＞
従来、光デイスクにパターンを光露光方式にて
形成するためにフオトマスクを用いていた。この
フオトマスクの製造工程は第２図に示す工程を有
している。即ち、マスク基板１にCrなどの光を
通過させない薄膜２を蒸着、スパツタリング等で
付着し（第２図ａ）、上記薄膜２上にレジスト膜
３を塗布する（第２図ｂ）。次に上記レジスト膜
３を露光・現像してレジストパターン４を形成す
る（第２図ｃ）。次に上記薄膜２をエツチングし
（第２図ｄ）、最後にレジスト膜３を除去して、マ
スクパターン５を有するフオトマスクを形成する
（第２図ｅ）。
形成するためにフオトマスクを用いていた。この
フオトマスクの製造工程は第２図に示す工程を有
している。即ち、マスク基板１にCrなどの光を
通過させない薄膜２を蒸着、スパツタリング等で
付着し（第２図ａ）、上記薄膜２上にレジスト膜
３を塗布する（第２図ｂ）。次に上記レジスト膜
３を露光・現像してレジストパターン４を形成す
る（第２図ｃ）。次に上記薄膜２をエツチングし
（第２図ｄ）、最後にレジスト膜３を除去して、マ
スクパターン５を有するフオトマスクを形成する
（第２図ｅ）。
しかし、以上の従来の方法により製造されたフ
オトマスクでは、洗浄工程などでマスクパターン
のはく離が生ずる為に欠陥が発生し易いという欠
点を有する。一方、近年高記録密度化よりマスク
パターンの微細化が要求されている為、上記従来
の欠点を解決する必要が生じた。
オトマスクでは、洗浄工程などでマスクパターン
のはく離が生ずる為に欠陥が発生し易いという欠
点を有する。一方、近年高記録密度化よりマスク
パターンの微細化が要求されている為、上記従来
の欠点を解決する必要が生じた。
＜目的＞
本発明は、マスクパターンのはく離などの欠陥
が発生し難い信頼性の高い長寿命なフオトマスク
を提供するにある。
が発生し難い信頼性の高い長寿命なフオトマスク
を提供するにある。
＜実施例＞
以下、本発明に係るフオトマスクの製造方法の
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係るフオトマスクの製造方法
を工程順に示す説明図である。
を工程順に示す説明図である。
工程（）…石英またはガラスなどからなる透光
性のマスク基板１の上に、紫外線等の光を通し
かつドライエツチングで等方性エツチングが進
行する薄膜６（例えばSi3N4が適当である。）
を蒸着、スパツタリングなどにより付着する
（第１図ａ）。
性のマスク基板１の上に、紫外線等の光を通し
かつドライエツチングで等方性エツチングが進
行する薄膜６（例えばSi3N4が適当である。）
を蒸着、スパツタリングなどにより付着する
（第１図ａ）。
工程（）…上記薄膜６を付着後、その上にレジ
スト膜３を塗布する（第１図ｂ）。
スト膜３を塗布する（第１図ｂ）。
工程（）…上記レジスト膜３を電子線またはレ
ーザー光などを用いて露光し、現像工程を通し
てレジストパターン４を形成する（第１図ｃ）。
ーザー光などを用いて露光し、現像工程を通し
てレジストパターン４を形成する（第１図ｃ）。
工程（）…上記レジストパターン４の被覆状態
において薄膜６をドライエツチングして該薄膜
６に溝を形成する。ここで、薄膜６には等方性
エツチングが進行するので、サイドエツチング
が形成される（第１図ｄ）。
において薄膜６をドライエツチングして該薄膜
６に溝を形成する。ここで、薄膜６には等方性
エツチングが進行するので、サイドエツチング
が形成される（第１図ｄ）。
工程（）…上記ドライエツチングが終了し、レ
ジストパターン４の被覆状態で紫外線等の光を
通過させないCr、Ta等の薄膜２を蒸着または
スパツタリングなどにより付着する（第１図
ｅ）。
ジストパターン４の被覆状態で紫外線等の光を
通過させないCr、Ta等の薄膜２を蒸着または
スパツタリングなどにより付着する（第１図
ｅ）。
工程（）…最後にレジストパターン４の部分に
付着して薄膜２をレジストパターン４と共には
く離してマスクパターン５を有するフオトマス
クを形成する（第１図ｆ）。
付着して薄膜２をレジストパターン４と共には
く離してマスクパターン５を有するフオトマス
クを形成する（第１図ｆ）。
次に第３図に、フオトマスク基板１に薄膜６を
設けず溝を形成した場合、（同図ａ）と薄膜６を
設けて溝を形成した場合（同図ｂ）のフオトマス
クの一部断面図を示す。
設けず溝を形成した場合、（同図ａ）と薄膜６を
設けて溝を形成した場合（同図ｂ）のフオトマス
クの一部断面図を示す。
同図ａのフオトマスクは薄膜６がないので、石
英、ガラスなどのマスク基板１において異方性エ
ツチングが進行する。そのため薄膜２がパターン
側壁部７を覆つてしまい、レジスト３上部に付着
した薄膜２をはく離することが困難となる。
英、ガラスなどのマスク基板１において異方性エ
ツチングが進行する。そのため薄膜２がパターン
側壁部７を覆つてしまい、レジスト３上部に付着
した薄膜２をはく離することが困難となる。
一方、同図ｂのフオトマスクは薄膜６がある
為、薄膜６で等方性エツチングが進行し、よつて
サイドエツチング部分８が形成される。上記薄膜
２を付着した時、サイドエツチング部分８には不
連続な部分が発生するので、レジストパターン４
の部分に付着した薄膜２をレジスト膜３と共に簡
単にはく離することができる。
為、薄膜６で等方性エツチングが進行し、よつて
サイドエツチング部分８が形成される。上記薄膜
２を付着した時、サイドエツチング部分８には不
連続な部分が発生するので、レジストパターン４
の部分に付着した薄膜２をレジスト膜３と共に簡
単にはく離することができる。
次に第４図に従来方式により製造されたフオト
マスク（同図ａ）と本発明による方式で製造され
たフオトマスク（同図ｂ）の断面の比較図を示
す。
マスク（同図ａ）と本発明による方式で製造され
たフオトマスク（同図ｂ）の断面の比較図を示
す。
同図ａは従来方式で製造されたフオトマスクの
一部断面図である。この場合外部との接触面９
は、マスクパターン５の表面にある。その為洗浄
などによる外力は、直接マスクパターン５に影響
し一部でマスクパターン５がはく離してしまう虞
れがあつた。
一部断面図である。この場合外部との接触面９
は、マスクパターン５の表面にある。その為洗浄
などによる外力は、直接マスクパターン５に影響
し一部でマスクパターン５がはく離してしまう虞
れがあつた。
同図ｂは本発明による方式で製造されたフオト
マスクの一部断面図である。この場合外部との接
触面９がマスク基板１の表面にあり、洗浄などに
よる外力は、マスク基板表面に吸収されて、マス
クパターン５は非常にはく離し難くなる。
マスクの一部断面図である。この場合外部との接
触面９がマスク基板１の表面にあり、洗浄などに
よる外力は、マスク基板表面に吸収されて、マス
クパターン５は非常にはく離し難くなる。
＜効果＞
以上の本発明によれば、マスクパターンのはく
離が発生し難く、信頼性の高い長寿命なフオトマ
スクを提供することができる。
離が発生し難く、信頼性の高い長寿命なフオトマ
スクを提供することができる。
第１図は本発明に係るフオトマスクの製造方法
の一実施例の説明図、第２図は従来のフオトマス
クの製造工程を示す説明図、第３図はフオトマス
クの製造工程途中の溝形状を示す一部断面図、第
４図は従来方式と本発明による方式で製造された
フオトマスク形状を比較する一部断面図である。 図中、１：マスク基板、２：光を通過させない
薄膜、３：レジスト膜、４：レジストパターン、
５：マスクパターン、６：等方性エツチングが進
行する薄膜、７：パターン側壁部分、８：サイド
エツチング部分、９：外部との接触面。
の一実施例の説明図、第２図は従来のフオトマス
クの製造工程を示す説明図、第３図はフオトマス
クの製造工程途中の溝形状を示す一部断面図、第
４図は従来方式と本発明による方式で製造された
フオトマスク形状を比較する一部断面図である。 図中、１：マスク基板、２：光を通過させない
薄膜、３：レジスト膜、４：レジストパターン、
５：マスクパターン、６：等方性エツチングが進
行する薄膜、７：パターン側壁部分、８：サイド
エツチング部分、９：外部との接触面。
Claims (1)
- １ 石英、ガラスなどのマスク基板上に、Si3N4
等からなる透光性薄膜を蒸着、スパツタリングな
どにより付着し、その上にレジスト膜を被覆し、
該レジスト膜に微細パターンを露光・現像し、こ
のレジストパターンの被覆状態で上記透光性薄膜
を等方性エツチングしてレジストパターンの被覆
されていない部分に溝を形成し、その上にCr、
Taなどの遮光性薄膜を蒸着、スパツタリングな
どにより付着し、上記レジストパターン部分に付
着した遮光性薄膜を上記レジスト膜と共に除去す
る工程を有することを特徴とするフオトマスクの
製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61076337A JPS62231959A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | フオトマスクの製造方法 |
| CA000530396A CA1313792C (en) | 1986-02-28 | 1987-02-23 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| DE3752197T DE3752197T2 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Photomaske und Herstellungsverfahren dafür |
| EP87102561A EP0234547B1 (en) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby |
| EP92120246A EP0533217B1 (en) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Photo-mask and method of production thereof |
| DE3789881T DE3789881T2 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Verfahren zur Herstellung von Photomasken und Photomaske. |
| US07/019,704 US5087535A (en) | 1986-02-28 | 1987-02-27 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| US07/684,680 US5457006A (en) | 1986-02-28 | 1991-03-29 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61076337A JPS62231959A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62231959A JPS62231959A (ja) | 1987-10-12 |
| JPH042938B2 true JPH042938B2 (ja) | 1992-01-21 |
Family
ID=13602544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61076337A Granted JPS62231959A (ja) | 1986-02-28 | 1986-04-01 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62231959A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273543A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Sharp Corp | フオトマスクの製造方法 |
-
1986
- 1986-04-01 JP JP61076337A patent/JPS62231959A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62231959A (ja) | 1987-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |