JPH0158453B2 - - Google Patents
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- JPH0158453B2 JPH0158453B2 JP11587187A JP11587187A JPH0158453B2 JP H0158453 B2 JPH0158453 B2 JP H0158453B2 JP 11587187 A JP11587187 A JP 11587187A JP 11587187 A JP11587187 A JP 11587187A JP H0158453 B2 JPH0158453 B2 JP H0158453B2
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微小面積の反射率を測定するための反
射率測定方法に関する。
射率測定方法に関する。
光通信に用いられる光フアイバの端面には分波
用、フイルタ用などの薄膜がコーテイングされる
ことがある。これらの薄膜の透過特性を測定する
場合、透過率と反射率とが一定の関係にあること
を利用して反射率の測定により行なうことが可能
である。ところが従来の反射率測定装置は光源よ
りの照射光ビームの直径が５〜10mm程度であり、
光フアイバの直径は100μｍ程度、特に光の通る
コアの直径は10μｍ程度であるため従来の反射率
測定装置を利用して測定することはできない。そ
のため微小面積の反射率を測定できる測定方法の
開発が要求されている。本発明はこの要求に基づ
いて案出されたものである。
用、フイルタ用などの薄膜がコーテイングされる
ことがある。これらの薄膜の透過特性を測定する
場合、透過率と反射率とが一定の関係にあること
を利用して反射率の測定により行なうことが可能
である。ところが従来の反射率測定装置は光源よ
りの照射光ビームの直径が５〜10mm程度であり、
光フアイバの直径は100μｍ程度、特に光の通る
コアの直径は10μｍ程度であるため従来の反射率
測定装置を利用して測定することはできない。そ
のため微小面積の反射率を測定できる測定方法の
開発が要求されている。本発明はこの要求に基づ
いて案出されたものである。
このため本発明の反射率測定方法においては、
絞り装置を有し、試料台の試料に光を照射する
光源と、 該光源よりの光を試料に集光する対物レンズ
と、 該試料に照射した光の反射像を撮像する撮像部
と、 該反射光路内の内射光量を取り出し測定するパ
ワーメータとを備え、 該絞り装置の絞りを適当に絞つた状態で試料台
に光を照射し測定対象試料の反射をモニタにて観
測し、該試料の測定対象点が該絞り装置の光軸と
一致する点に該試料を移動させ、 該パワーメータにて測定対象点の反射光量
（P2）を測定し、 次に反射率の既知の試料を前記測定対象試料の
位置に設置し、反射光量（P1）を測定し、 次に試料を置くことなく該当位置の反射光量
（P0）を測定し、 前記各反射光量（P0、P1、P2）により前記測
定物の反射率を測定することを特徴とするもので
ある。
光源と、 該光源よりの光を試料に集光する対物レンズ
と、 該試料に照射した光の反射像を撮像する撮像部
と、 該反射光路内の内射光量を取り出し測定するパ
ワーメータとを備え、 該絞り装置の絞りを適当に絞つた状態で試料台
に光を照射し測定対象試料の反射をモニタにて観
測し、該試料の測定対象点が該絞り装置の光軸と
一致する点に該試料を移動させ、 該パワーメータにて測定対象点の反射光量
（P2）を測定し、 次に反射率の既知の試料を前記測定対象試料の
位置に設置し、反射光量（P1）を測定し、 次に試料を置くことなく該当位置の反射光量
（P0）を測定し、 前記各反射光量（P0、P1、P2）により前記測
定物の反射率を測定することを特徴とするもので
ある。
以下、添付図面に基づいて本発明の実施例につ
き詳細に説明する。
き詳細に説明する。
第１図に本発明方法を実施するための装置の構
成図を示す。図により本装置を説明すると、符号
１は光源、２はコンデンサレンズ、３は絞り、４
は対物レンズ、６は試料５を載せ回転及びXY軸
を調整できる試料台、７および８は半透明鏡、９
は撮像管、１０は撮像管９に接続されたブラウン
管、１１は光検知器、１２は光検知器１１に接続
された光パワーメータである。そして光源１には
半導体レーザ、発光ダイオード、モノクロメータ
等が用いられ、その光が試料５を照射するように
コンデンサレンズ２、絞り３、半透明鏡７が配置
されている。また撮像管９にはシリコン・ターゲ
ツト、ビジコン等が用いられ試料５の表面からの
反射した光を受けるように配置されている。また
光検知器１１は試料５より反射した光を半透明鏡
８を介して受光できるように配置されている。
成図を示す。図により本装置を説明すると、符号
１は光源、２はコンデンサレンズ、３は絞り、４
は対物レンズ、６は試料５を載せ回転及びXY軸
を調整できる試料台、７および８は半透明鏡、９
は撮像管、１０は撮像管９に接続されたブラウン
管、１１は光検知器、１２は光検知器１１に接続
された光パワーメータである。そして光源１には
半導体レーザ、発光ダイオード、モノクロメータ
等が用いられ、その光が試料５を照射するように
コンデンサレンズ２、絞り３、半透明鏡７が配置
されている。また撮像管９にはシリコン・ターゲ
ツト、ビジコン等が用いられ試料５の表面からの
反射した光を受けるように配置されている。また
光検知器１１は試料５より反射した光を半透明鏡
８を介して受光できるように配置されている。
次にこのように構成された装置を用いた本発明
方法について説明する。先ず光源１よりの光をコ
ンデンサレンズ２により平行光線となし、絞り３
により適当に絞り、半透明鏡７により反射させ、
対物レンズ４により試料５に集光せしめる。試料
５より反射した光は半透明鏡７を通過し半透明鏡
８にて一部は反射し一部は通過する。この反射し
た光は光検知器１１に入り電気出力に変換されて
パワーメータ１２に送られる。一方半透明鏡８を
通過した光は撮像管９のターゲツトに入る。撮像
管９はこのターゲツトを走査して電気信号に変え
ブラウン管１０の上に試料５の表面を映し出す。
操作者はこのブラウン管１０上の映像を見ながら
試料５の所要部（例えば光フアイバのコア部分）
に光点が位置するように試料台６を操作する。試
料５の所要の位置に光点が位置したところで、操
作者はこのときのパワーメータ１２の指示P2を
読み取る。次に試料台６より試料５を取り除き、
反射率（屈折率）R1の既知な物質を代りにセツ
トした後前記と同様な調整を行ない、パワーメー
タ１２の指示P1を読み取る。また試料台６に何
もない場合のパワーメータの指示P0を読む。こ
れらのパワーメータの読みP0、P1、P2から次式
を用いて試料の反射率R2が求められる。
方法について説明する。先ず光源１よりの光をコ
ンデンサレンズ２により平行光線となし、絞り３
により適当に絞り、半透明鏡７により反射させ、
対物レンズ４により試料５に集光せしめる。試料
５より反射した光は半透明鏡７を通過し半透明鏡
８にて一部は反射し一部は通過する。この反射し
た光は光検知器１１に入り電気出力に変換されて
パワーメータ１２に送られる。一方半透明鏡８を
通過した光は撮像管９のターゲツトに入る。撮像
管９はこのターゲツトを走査して電気信号に変え
ブラウン管１０の上に試料５の表面を映し出す。
操作者はこのブラウン管１０上の映像を見ながら
試料５の所要部（例えば光フアイバのコア部分）
に光点が位置するように試料台６を操作する。試
料５の所要の位置に光点が位置したところで、操
作者はこのときのパワーメータ１２の指示P2を
読み取る。次に試料台６より試料５を取り除き、
反射率（屈折率）R1の既知な物質を代りにセツ
トした後前記と同様な調整を行ない、パワーメー
タ１２の指示P1を読み取る。また試料台６に何
もない場合のパワーメータの指示P0を読む。こ
れらのパワーメータの読みP0、P1、P2から次式
を用いて試料の反射率R2が求められる。
logR2＝logR1＋log（P2−P0／P1−P0）
＝log（R1P2−P0／P1−P0）
∴R2＝R1P2−P0／P1−P0
また試料の反射損失はlogR2であるかな上式か
ら明らかなように logR2＝logR1＋log（P2−P0／P1−P0） となる。
ら明らかなように logR2＝logR1＋log（P2−P0／P1−P0） となる。
次に本発明の反射率測定方法の利点について述
べる。その第１は従来の反射率測定方法では第２
図で示す如く、光P0を角度θだけ傾けて試料面
１３に当て、その時の反射パワーP1を測定して
いたが、この方法では、反射パワーP1の受光器
との結合効率があまり大きくとれないので精度が
悪い。これに対し本発明では試料の反射率と反射
率既知の物質の反射率とを近づけることができる
ので精度の高い測定が可能である。
べる。その第１は従来の反射率測定方法では第２
図で示す如く、光P0を角度θだけ傾けて試料面
１３に当て、その時の反射パワーP1を測定して
いたが、この方法では、反射パワーP1の受光器
との結合効率があまり大きくとれないので精度が
悪い。これに対し本発明では試料の反射率と反射
率既知の物質の反射率とを近づけることができる
ので精度の高い測定が可能である。
第２は光源１からの光を試料５に当てる時、レ
ンズを用いているので100μｍ程度の微小部分の
反射率を求めることができる。また試料面からの
反射光をシリコン・ターゲツト・ビジコン等の撮
像管９によりモニタしているので測定したい部分
に正確に位置合わせすることができる。
ンズを用いているので100μｍ程度の微小部分の
反射率を求めることができる。また試料面からの
反射光をシリコン・ターゲツト・ビジコン等の撮
像管９によりモニタしているので測定したい部分
に正確に位置合わせすることができる。
以上説明した如く本発明の反射率測定方法は試
料の微小面積部分の反射率の測定を可能としたも
のであつて光フアイバの端面に形成した分波用あ
るいはフイルタ用の薄膜の反射率測定等に有効で
ある。
料の微小面積部分の反射率の測定を可能としたも
のであつて光フアイバの端面に形成した分波用あ
るいはフイルタ用の薄膜の反射率測定等に有効で
ある。
第１図は本発明を実施するための反射率測定装
置の構成図、第２図は従来の反射率測定装置の光
路説明図である。 １……光源、２……コンデンサレンズ、３……
絞り、４……対物レンズ、５……試料、６……試
料台、７，８……半透明鏡、９……撮像管、１０
……ブラウン管、１１……光検知器、１２……パ
ワーメータ。
置の構成図、第２図は従来の反射率測定装置の光
路説明図である。 １……光源、２……コンデンサレンズ、３……
絞り、４……対物レンズ、５……試料、６……試
料台、７，８……半透明鏡、９……撮像管、１０
……ブラウン管、１１……光検知器、１２……パ
ワーメータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絞り装置を有し、試料台の試料に光を照射す
る光源と、 該光源よりの光を試料に集光する対物レンズ
と、 該試料に照射した光の反射像を撮像する撮像部
と、 該反射光路内の反射光量を取り出し測定するパ
ワーメータとを備え、 該絞り装置の絞りを適当に絞つた状態で試料台
に光を照射し測定対象試料の反射をモニタにて観
測し、該試料の測定対象点が該絞り装置の光軸と
一致する点に該試料を移動させ、 該パワーメータにて測定対象点の反射光量
（P2）を測定し、 次に反射率の既知の試料を前記測定対象試料の
位置に設置し、反射光量（P1）を測定し、 次に試料を置くことなく該当位置の反射光量
（P0）を測定し、 前記各反射光量（P0、P1、P2）により前記測
定物の反射率を測定することを特徴とする反射率
測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62115871A JPS6366442A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 反射率測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62115871A JPS6366442A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 反射率測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366442A JPS6366442A (ja) | 1988-03-25 |
| JPH0158453B2 true JPH0158453B2 (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=14673221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62115871A Granted JPS6366442A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 反射率測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6366442A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51150944A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-24 | Iryo Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Zaidan | Microscope video data input system |
| JPS5314946A (en) * | 1976-07-27 | 1978-02-10 | Sakura Denki Kk | Method of opening and closing ventilation fan |
| JPS5442913U (ja) * | 1977-08-29 | 1979-03-23 | ||
| JPH0741151B2 (ja) * | 1991-04-08 | 1995-05-10 | 森山 正夫 | 連続捏和装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58156839U (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-19 | 株式会社大一鉄工製作所 | 強化プラスチツク製コンクリ−トパネル |
| JP2596912Y2 (ja) * | 1993-12-21 | 1999-06-28 | 新キャタピラー三菱株式会社 | 油圧ロジック回路 |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62115871A patent/JPS6366442A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51150944A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-24 | Iryo Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Zaidan | Microscope video data input system |
| JPS5314946A (en) * | 1976-07-27 | 1978-02-10 | Sakura Denki Kk | Method of opening and closing ventilation fan |
| JPS5442913U (ja) * | 1977-08-29 | 1979-03-23 | ||
| JPH0741151B2 (ja) * | 1991-04-08 | 1995-05-10 | 森山 正夫 | 連続捏和装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6366442A (ja) | 1988-03-25 |
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