JPS6366442A - 反射率測定方法 - Google Patents
反射率測定方法Info
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- JPS6366442A JPS6366442A JP62115871A JP11587187A JPS6366442A JP S6366442 A JPS6366442 A JP S6366442A JP 62115871 A JP62115871 A JP 62115871A JP 11587187 A JP11587187 A JP 11587187A JP S6366442 A JPS6366442 A JP S6366442A
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微小面積の反射率を測定するための反射率測定
方法に関する。
方法に関する。
光通信に用いられる光ファイバの端面には分波用、フィ
ルタ用などの薄膜がコーティングされることがある。こ
れらの薄膜の透過特性全測定する場合、透過率と反射率
とが一定の関係にあることを利用して反射率の測定によ
り行なうことが可能である。ところが従来の反射率測定
装置は光源よりの照射光ビームの直径が５〜Ｌｏｓｓ程
度であり、光ファイバの直径は１００μｍ程度、特に光
の通るコアの直径は１０μｍ程度であるため従来の反射
率測定装置を利用して測定することはできない。そのた
め微小面積の反射率を測定できる測定方法の量産が要求
されている。本発明はこの要求に基づ絞り装置を有し、
試料台の試料に光を照射する光源と、 該光源よりの光を試料に集光する対物レンズと、該試料
に照射し九九の反射像全撮像する撮像部と、 該反射光路内の反射光量を取ね出し測定するｉ４ワーメ
ータと全備え、 該絞り装置の絞りを開放した状態で試料台に光を照射し
測定対象試料の反射をモニタにて観測し、該試料の測定
対象点が該絞り装置の光軸と一致する点に該試料を移動
させ、 該絞り装置を絞り、測定対象点１点に光が肖る様に絞り
込み、 該パワーメータにて測定対象点１点の反射光量（Ｐ！
）を測定し、 次に反射率の既知の試料を前記測定対象試料の位置に設
置し１反射光量（ＰＲ）？測定し、次に試料上置くこと
なく該当位置の反射光量（Ｐａ）を測定し。
ルタ用などの薄膜がコーティングされることがある。こ
れらの薄膜の透過特性全測定する場合、透過率と反射率
とが一定の関係にあることを利用して反射率の測定によ
り行なうことが可能である。ところが従来の反射率測定
装置は光源よりの照射光ビームの直径が５〜Ｌｏｓｓ程
度であり、光ファイバの直径は１００μｍ程度、特に光
の通るコアの直径は１０μｍ程度であるため従来の反射
率測定装置を利用して測定することはできない。そのた
め微小面積の反射率を測定できる測定方法の量産が要求
されている。本発明はこの要求に基づ絞り装置を有し、
試料台の試料に光を照射する光源と、 該光源よりの光を試料に集光する対物レンズと、該試料
に照射し九九の反射像全撮像する撮像部と、 該反射光路内の反射光量を取ね出し測定するｉ４ワーメ
ータと全備え、 該絞り装置の絞りを開放した状態で試料台に光を照射し
測定対象試料の反射をモニタにて観測し、該試料の測定
対象点が該絞り装置の光軸と一致する点に該試料を移動
させ、 該絞り装置を絞り、測定対象点１点に光が肖る様に絞り
込み、 該パワーメータにて測定対象点１点の反射光量（Ｐ！
）を測定し、 次に反射率の既知の試料を前記測定対象試料の位置に設
置し１反射光量（ＰＲ）？測定し、次に試料上置くこと
なく該当位置の反射光量（Ｐａ）を測定し。
前記各反射光ｉｔ（Ｐｏ ＊ Ｐｔ ｒ Ｐａ ）
により前記測定物の反射率？測定することを特徴とする
ものである。
により前記測定物の反射率？測定することを特徴とする
ものである。
以下、添付図面に基づいて本発明の実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第１図に本発明方法を実施するための装置の構成図１示
す。図により水装置を説明すると、符号１は光源、２は
コンデンサレンズ、３は絞り、４は対物レンズ、６は試
料５を載せ回転及びＸＹ軸を調整できる試料台、７およ
び８け半透明鏡、９μ撮像管、１０は撮像管９に接続さ
れたプラクン管、１１は光検知器、１２は光検知器１１
に接続された光パワーメータである。そして光源ｌには
半導体レーザ、発光ダイオード、モノクロメータ等が用
いられ、その光が試料５を照射するようにコンデンサレ
ンズ２、絞り３．半☆明鏡７が配置されている。寸九撮
像管９にはシリコン・ターゲット・ビジコン等が用いら
れ試料５の表面からの反射した光を受けるように配置さ
れている。ま九九検知器１１は試料５より反射した光を
半透明鏡８を介して受光できるように配置されている。
す。図により水装置を説明すると、符号１は光源、２は
コンデンサレンズ、３は絞り、４は対物レンズ、６は試
料５を載せ回転及びＸＹ軸を調整できる試料台、７およ
び８け半透明鏡、９μ撮像管、１０は撮像管９に接続さ
れたプラクン管、１１は光検知器、１２は光検知器１１
に接続された光パワーメータである。そして光源ｌには
半導体レーザ、発光ダイオード、モノクロメータ等が用
いられ、その光が試料５を照射するようにコンデンサレ
ンズ２、絞り３．半☆明鏡７が配置されている。寸九撮
像管９にはシリコン・ターゲット・ビジコン等が用いら
れ試料５の表面からの反射した光を受けるように配置さ
れている。ま九九検知器１１は試料５より反射した光を
半透明鏡８を介して受光できるように配置されている。
次にこのように構成された装置を用いた本発明方法につ
いて説明する。先ず光源１よりの光をコンデンサレンズ
２により平行光線となし、絞り３により適当に絞り、半
透明鏡７により反射させ。
いて説明する。先ず光源１よりの光をコンデンサレンズ
２により平行光線となし、絞り３により適当に絞り、半
透明鏡７により反射させ。
対物レンズ４により試料５に集光せしめる。試料５より
反射した光は半透明鏡７を通過し半透明鏡８にて一部は
反射し一部は通過する。この反射した光は光検知器１１
に入り電気出力に変換されてパワーメータ１２に送られ
る。一方半透明鏡８全通過した光は撮像管９のターゲッ
トに入る。撮像管９はこのターグツ）ｆ走査して電気信
号に変えブラワン管１０の上に試料５の表面を映し出す
。
反射した光は半透明鏡７を通過し半透明鏡８にて一部は
反射し一部は通過する。この反射した光は光検知器１１
に入り電気出力に変換されてパワーメータ１２に送られ
る。一方半透明鏡８全通過した光は撮像管９のターゲッ
トに入る。撮像管９はこのターグツ）ｆ走査して電気信
号に変えブラワン管１０の上に試料５の表面を映し出す
。
操作者はとのプラワン管１０上の映像を見ながら試料５
の所要部（例えば光ファイバのコア部分）に光点が位置
するように試料台６を操作する。試料５の所要の位置に
光点が位置したところで、操作者はこのときのノ９ワー
メータ１２の指示Ｐ２を読み取る。次に試料台６より試
料５を取シ除き。
の所要部（例えば光ファイバのコア部分）に光点が位置
するように試料台６を操作する。試料５の所要の位置に
光点が位置したところで、操作者はこのときのノ９ワー
メータ１２の指示Ｐ２を読み取る。次に試料台６より試
料５を取シ除き。
反射率（屈折率）Ｒｓの既知な物質を代シにセットし素
抜前記と同様な調整を行ない、ノワーメータ１２の指示
Ｐｓ ｋ読み取る。また試料台６に何もない場合のパワ
ーメータの指示ＰＯｋ読む。これらのパワーメータの読
みｐ、ｌ ｐＩ ｌ ｐｇから次式を用いて試料の反射
率Ｒ１が求められる。
抜前記と同様な調整を行ない、ノワーメータ１２の指示
Ｐｓ ｋ読み取る。また試料台６に何もない場合のパワ
ーメータの指示ＰＯｋ読む。これらのパワーメータの読
みｐ、ｌ ｐＩ ｌ ｐｇから次式を用いて試料の反射
率Ｒ１が求められる。
また試料の反射損失はｌｏｇＲｌであるから上式から明
らかなよりに となる。
らかなよりに となる。
次に本発明の反射率測定方法の利点について述べる。そ
の第１は従来の反射率測定方法では第２図で示す如く、
光ＰＧを角度θだけ傾けて試料面１３に当て、その時の
反射／ＩＰワーＰ！全測定していたが、この方法では、
反射バク−ｐｔの受光器との結合効率があまり大きくと
れないので精度が悪い。これに対し本発明では試料の反
射率と反射率既知の物質の反射率とを近づけることがで
きるので精度の高い夕；１定が可能である。
の第１は従来の反射率測定方法では第２図で示す如く、
光ＰＧを角度θだけ傾けて試料面１３に当て、その時の
反射／ＩＰワーＰ！全測定していたが、この方法では、
反射バク−ｐｔの受光器との結合効率があまり大きくと
れないので精度が悪い。これに対し本発明では試料の反
射率と反射率既知の物質の反射率とを近づけることがで
きるので精度の高い夕；１定が可能である。
第２Ｕ光源１からの光を試料５に当てる時、レンズ全相
いているので１００ 、！１ｍ程度の微小部分の反射率
を求めることができる。また試料面からの反射光をシリ
コン・ターグット・ビジコン等の撮像管９によりモニタ
しているので測定したい部分に正確に位置合わせするこ
とができる。
いているので１００ 、！１ｍ程度の微小部分の反射率
を求めることができる。また試料面からの反射光をシリ
コン・ターグット・ビジコン等の撮像管９によりモニタ
しているので測定したい部分に正確に位置合わせするこ
とができる。
以上説明し几如く本発明の反射率測定方法は試料の微小
面積部分の反射率の測定を可能としたものであって光フ
ァイバの端面に形成した分波用あるいはフィルタ用の薄
膜の反射率測定等に有効である。
面積部分の反射率の測定を可能としたものであって光フ
ァイバの端面に形成した分波用あるいはフィルタ用の薄
膜の反射率測定等に有効である。
第１図は本発明全実施する九めの反射率測定装置の構成
図、第２図は従来の反射率測定装置の光路説明図である
。 １・・・光源、２・・・コンデンサレンズ、３・・・絞
す。 ４・・・対物レンズ、５・・・試料、６・・・試料台、
７，８・・・半透明鏡、９・・・撮像管、ｌＯ・・・プ
ラワン管、１１・・・光検知器、１２・・・光ノ９ワー
メータ。
図、第２図は従来の反射率測定装置の光路説明図である
。 １・・・光源、２・・・コンデンサレンズ、３・・・絞
す。 ４・・・対物レンズ、５・・・試料、６・・・試料台、
７，８・・・半透明鏡、９・・・撮像管、ｌＯ・・・プ
ラワン管、１１・・・光検知器、１２・・・光ノ９ワー
メータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絞り装置を有し、試料台の試料に光を照射する光源
と、 該光源よりの光を試料に集光する対物レンズと、該試料
に照射した光の反射像を撮像する撮像部と、 該反射光路内の反射光量を取り出し測定するパワーメー
タ備え、 該絞り装置の絞りを開放した状態で試料台に光を照射し
測定対象試料の反射をモニタにて観測し、該試料の測定
対象点が該絞り装置の光軸と一致する点に該試料を移動
させ、 該絞り装置を絞り、測定対象点１点に光が当る様に絞り
込み、 該パワーメータにて測定対象点１点の反射光量（Ｐ＿２
）を測定し、 、次に反射率の既知の試料を前記測定対象試料の位置に
設置し、反射光量（Ｐ＿１）を測定し、次に試料を置く
ことなく該当位置の反射光量（Ｐ＿０）を測定し、 前記各反射光量（Ｐ＿０、Ｐ＿１、Ｐ＿２）により前記
測定物の反射率を測定することを特徴とする反射率測定
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62115871A JPS6366442A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 反射率測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62115871A JPS6366442A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 反射率測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366442A true JPS6366442A (ja) | 1988-03-25 |
| JPH0158453B2 JPH0158453B2 (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=14673221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62115871A Granted JPS6366442A (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | 反射率測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6366442A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51150944A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-24 | Iryo Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Zaidan | Microscope video data input system |
| JPS5314946A (en) * | 1976-07-27 | 1978-02-10 | Sakura Denki Kk | Method of opening and closing ventilation fan |
| JPS5442913U (ja) * | 1977-08-29 | 1979-03-23 | ||
| JPS58156839U (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-19 | 株式会社大一鉄工製作所 | 強化プラスチツク製コンクリ−トパネル |
| JPH0741151U (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-21 | 新キャタピラー三菱株式会社 | 油圧ロジック回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0741151B2 (ja) * | 1991-04-08 | 1995-05-10 | 森山 正夫 | 連続捏和装置 |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62115871A patent/JPS6366442A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51150944A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-24 | Iryo Gijutsu Kenkyu Kaihatsu Zaidan | Microscope video data input system |
| JPS5314946A (en) * | 1976-07-27 | 1978-02-10 | Sakura Denki Kk | Method of opening and closing ventilation fan |
| JPS5442913U (ja) * | 1977-08-29 | 1979-03-23 | ||
| JPS58156839U (ja) * | 1982-04-12 | 1983-10-19 | 株式会社大一鉄工製作所 | 強化プラスチツク製コンクリ−トパネル |
| JPH0741151U (ja) * | 1993-12-21 | 1995-07-21 | 新キャタピラー三菱株式会社 | 油圧ロジック回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0158453B2 (ja) | 1989-12-12 |
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