JPH0145271Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145271Y2 JPH0145271Y2 JP1982086894U JP8689482U JPH0145271Y2 JP H0145271 Y2 JPH0145271 Y2 JP H0145271Y2 JP 1982086894 U JP1982086894 U JP 1982086894U JP 8689482 U JP8689482 U JP 8689482U JP H0145271 Y2 JPH0145271 Y2 JP H0145271Y2
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- JP
- Japan
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- phase
- circuit
- ramp wave
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- voltage
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- Expired
Links
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 8
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 7
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は相間電圧の不平衡によつて生じるリツ
プルを低減した三相整流回路に関する。
プルを低減した三相整流回路に関する。
従来、第１図に示すように２個のサイリスタ
CR1，CR2，CR3，CR4，CR5，CR6をそれぞれ直
列に接続して３組の直列回路を設け、この直列回
路の直列接続点に三相交流Ｕ，Ｖ，Ｗを与えるよ
うにしたものがある。そして上記直列回路の各端
を並列に接続して整流出力を得、これをチヨーク
Ｌおよび平滑コンデンサＣからなるチヨークイン
プツトの平滑回路で平滑して直流を得るようにし
ている。そして、この直流を、たとえば直列安定
化回路REGで安定化し、出力端子Ｐ，Ｎから出
力するようにしている。さらに各サイリスタCR1
〜CR6の導通角を制御して出力電圧を可変するた
めの三相交流Ｕ，Ｖ，Ｗをゲート制御回路GCを
介してトリガ回路Ｔへ与える。そして三相交流
Ｕ，Ｖ，Ｗのゼロクロス点毎に各相ランプ波発生
回路Ru，Rv，Rwをトリガして三相交流Ｕ，Ｖ，
Ｗにそれぞれ同期したランプ波を得、トリガ制御
回路GCへ与える。トリガ制御回路GCは、上記ラ
ンプ波を所望の直流電圧に逆比例する所定レベル
の基準電圧Ｅと比較しこの電圧Ｅよりもランプ波
の電圧レベルの大なる期間だけ、対応するサイリ
スタCR1〜CR6に対してゲート信号G1〜G6を与え
て点弧させる。
CR1，CR2，CR3，CR4，CR5，CR6をそれぞれ直
列に接続して３組の直列回路を設け、この直列回
路の直列接続点に三相交流Ｕ，Ｖ，Ｗを与えるよ
うにしたものがある。そして上記直列回路の各端
を並列に接続して整流出力を得、これをチヨーク
Ｌおよび平滑コンデンサＣからなるチヨークイン
プツトの平滑回路で平滑して直流を得るようにし
ている。そして、この直流を、たとえば直列安定
化回路REGで安定化し、出力端子Ｐ，Ｎから出
力するようにしている。さらに各サイリスタCR1
〜CR6の導通角を制御して出力電圧を可変するた
めの三相交流Ｕ，Ｖ，Ｗをゲート制御回路GCを
介してトリガ回路Ｔへ与える。そして三相交流
Ｕ，Ｖ，Ｗのゼロクロス点毎に各相ランプ波発生
回路Ru，Rv，Rwをトリガして三相交流Ｕ，Ｖ，
Ｗにそれぞれ同期したランプ波を得、トリガ制御
回路GCへ与える。トリガ制御回路GCは、上記ラ
ンプ波を所望の直流電圧に逆比例する所定レベル
の基準電圧Ｅと比較しこの電圧Ｅよりもランプ波
の電圧レベルの大なる期間だけ、対応するサイリ
スタCR1〜CR6に対してゲート信号G1〜G6を与え
て点弧させる。
第２図はこのような動作を説明する波形図で三
相交流Ｕ，Ｖ，Ｗ（図示ａ）に同期して、ランプ
波発生回路、Ru，Rv，Rwでランプ波（図示ｂ，
ｃ，ｄ）を得る。そしてこのランプ波のレベルを
基準電圧Ｅと比較し、ランプ波のレベルが基準電
圧Ｅのレベルよりも大なる期間だけ各サイリスタ
CR1〜CR6に対してゲート信号G1〜G6（図示ｅ〜
ｊ）を与えるようにしている。
相交流Ｕ，Ｖ，Ｗ（図示ａ）に同期して、ランプ
波発生回路、Ru，Rv，Rwでランプ波（図示ｂ，
ｃ，ｄ）を得る。そしてこのランプ波のレベルを
基準電圧Ｅと比較し、ランプ波のレベルが基準電
圧Ｅのレベルよりも大なる期間だけ各サイリスタ
CR1〜CR6に対してゲート信号G1〜G6（図示ｅ〜
ｊ）を与えるようにしている。
しかしながらこのようなものでは、三相交流の
相間電圧、Ｕ−Ｖ，Ｖ−Ｗ，Ｗ−Ｕ、にバラツキ
があると、それによつて直流出力のリツプルが著
るしく増大する問題があつた。そして、このよう
なリツプルを低減するためには、平滑コンデンサ
に大容量のものを必要とし、形状が大型化し、あ
るいはコストが高価になる問題があつた。
相間電圧、Ｕ−Ｖ，Ｖ−Ｗ，Ｗ−Ｕ、にバラツキ
があると、それによつて直流出力のリツプルが著
るしく増大する問題があつた。そして、このよう
なリツプルを低減するためには、平滑コンデンサ
に大容量のものを必要とし、形状が大型化し、あ
るいはコストが高価になる問題があつた。
本考案は上記の事情に鑑みてなされたもので小
容量の平滑コンデンサを用いてもリツプル成分の
極めて少ない直流出力を得ることができる三相整
流回路を提供することを目的とするものである。
以下本考案の一実施例を第３図に示すブロツク図
を参照して詳細に説明する。なお第１図と同一部
分には同一符号を付与してその説明を省略する。
第３図において、ゲート回路DSはゲート制御回
路から与えられる三相交流Ｕ，Ｖ，Ｗのゼロクロ
ス点に応じてランプ波発生器Ru，Rv，Rwをト
リガしてランプ波を発生させるとともに当該時点
で点弧されている相に応じて平滑コンデンサＣの
端子間電圧のリツプル分をサンプルホールド回路
Su，Sv，Swへ与えてホールドさせる。そしてこ
のサンプルホールド回路Su，Sv，Swのホールド
値に応じて各ランプ波発生器Ru，Rv，Rwで発
生するランプ波の勾配を制御するようにしてい
る。すなわち、リツプル分の大きな相は、この相
に対応するサンプルホールド回路のホールド値の
レベルが大きくなり、それによつてランプ波発生
器から出力するランプ波の勾配を緩勾配としてい
る。逆にリツプル成分の小さな相はこの相に対応
するサンプルホールド回路のホールド値のレベル
が小さくなり、それによつてランプ波発生器から
出力するランプ波の勾配を急勾配としている。一
方ゲート制御回路GCでは所望の直流電圧に逆比
例する基準電圧Ｅと上記ランプ波発生器から出力
するランプ波とを比較し、上記基準電圧Ｅよりも
ランプ波の電圧レベルの大なる期間だけ、対応す
るサイリスタCR1〜CR6に対してゲート信号G1〜
G6を与えて点弧させる。
容量の平滑コンデンサを用いてもリツプル成分の
極めて少ない直流出力を得ることができる三相整
流回路を提供することを目的とするものである。
以下本考案の一実施例を第３図に示すブロツク図
を参照して詳細に説明する。なお第１図と同一部
分には同一符号を付与してその説明を省略する。
第３図において、ゲート回路DSはゲート制御回
路から与えられる三相交流Ｕ，Ｖ，Ｗのゼロクロ
ス点に応じてランプ波発生器Ru，Rv，Rwをト
リガしてランプ波を発生させるとともに当該時点
で点弧されている相に応じて平滑コンデンサＣの
端子間電圧のリツプル分をサンプルホールド回路
Su，Sv，Swへ与えてホールドさせる。そしてこ
のサンプルホールド回路Su，Sv，Swのホールド
値に応じて各ランプ波発生器Ru，Rv，Rwで発
生するランプ波の勾配を制御するようにしてい
る。すなわち、リツプル分の大きな相は、この相
に対応するサンプルホールド回路のホールド値の
レベルが大きくなり、それによつてランプ波発生
器から出力するランプ波の勾配を緩勾配としてい
る。逆にリツプル成分の小さな相はこの相に対応
するサンプルホールド回路のホールド値のレベル
が小さくなり、それによつてランプ波発生器から
出力するランプ波の勾配を急勾配としている。一
方ゲート制御回路GCでは所望の直流電圧に逆比
例する基準電圧Ｅと上記ランプ波発生器から出力
するランプ波とを比較し、上記基準電圧Ｅよりも
ランプ波の電圧レベルの大なる期間だけ、対応す
るサイリスタCR1〜CR6に対してゲート信号G1〜
G6を与えて点弧させる。
したがつて、一定の基準電圧Ｅに対して、ラン
プ波の勾配が急勾配の場合はサイリスタの点弧期
間は長く、緩勾配の場合はサイリスタの点弧期間
は短くなる。すなわちリツプル成分の小なる相に
対しては、サイリスタの点弧期間を長く、リツプ
ル成分の大なる相に対しては、サイリスタの点弧
期間を短くすることによつて、出力電圧に対する
リツプル成分の大なる相の出力を抑制し、それに
よつて相間電圧のバラツキによつて生じるリツプ
ルを除去するようにしている。
プ波の勾配が急勾配の場合はサイリスタの点弧期
間は長く、緩勾配の場合はサイリスタの点弧期間
は短くなる。すなわちリツプル成分の小なる相に
対しては、サイリスタの点弧期間を長く、リツプ
ル成分の大なる相に対しては、サイリスタの点弧
期間を短くすることによつて、出力電圧に対する
リツプル成分の大なる相の出力を抑制し、それに
よつて相間電圧のバラツキによつて生じるリツプ
ルを除去するようにしている。
以上詳述したように本考案は、三相交流を直列
に接続した２個のサイリスタの直列接続点に接続
するとともに、この直列回路の両端をそれぞれ並
列に接続し、平滑回路を介して直流出力を得、か
つ上記サイリスタをゲート制御して上記直流出力
電圧を任意に可変するようにしたものにおいて、
上記直流出力のリツプル成分を上記三相交流に同
期するゲート回路を介して各相サンプルホールド
回路でサンプルホールドし、このサンプルホール
ド値に応じてランプ波発生回路で発生するランプ
波の勾配を制御し、このランプ波と基準電圧とを
比較してこの比較出力により各相サイリスタを点
弧するゲート信号を制御するようにしたものであ
る。したがつて、三相交流の相間電圧の不平衡に
よるリツプルを容易に除去することができ、しか
も構成も簡単な三相整流回路を提供することがで
きる。
に接続した２個のサイリスタの直列接続点に接続
するとともに、この直列回路の両端をそれぞれ並
列に接続し、平滑回路を介して直流出力を得、か
つ上記サイリスタをゲート制御して上記直流出力
電圧を任意に可変するようにしたものにおいて、
上記直流出力のリツプル成分を上記三相交流に同
期するゲート回路を介して各相サンプルホールド
回路でサンプルホールドし、このサンプルホール
ド値に応じてランプ波発生回路で発生するランプ
波の勾配を制御し、このランプ波と基準電圧とを
比較してこの比較出力により各相サイリスタを点
弧するゲート信号を制御するようにしたものであ
る。したがつて、三相交流の相間電圧の不平衡に
よるリツプルを容易に除去することができ、しか
も構成も簡単な三相整流回路を提供することがで
きる。
第１図は従来の三相整流回路の一例を示すブロ
ツク図、第２図は第１図に示す三相整流回路の波
形図、第３図は本考案の一実施例を示すブロツク
図である。 CR1〜CR6……サイリスタ、REG……直列安定
化回路、GC……ゲート制御回路、DS……ゲート
回路、Su，Sv，Sw……サンプルホールド回路、
Ru，Rv，Rw……ランプ波発生器。
ツク図、第２図は第１図に示す三相整流回路の波
形図、第３図は本考案の一実施例を示すブロツク
図である。 CR1〜CR6……サイリスタ、REG……直列安定
化回路、GC……ゲート制御回路、DS……ゲート
回路、Su，Sv，Sw……サンプルホールド回路、
Ru，Rv，Rw……ランプ波発生器。
Claims (1)
- ２個のサイリスタを直列に接続した直列回路を
３組設け、三相交流の各相を上記各直列回路の各
端をそれぞれ並列に接続して平滑回路を介して直
流出力を得、かつ上記サイリスタを位相制御して
上記直流出力電圧を制御するようにしたものにお
いて、上記直流出力のリツプル成分を上記各相サ
イリスタを点弧するゲート信号に同期して各相の
サンプルホールド回路を与えるゲート回路と、上
記三相交流に同期しかつ上記サンプルホールド回
路のサンプルホールド値に応じた勾配のランプ波
発生器と、このランプ波発生器から与えられるラ
ンプ波と所望の直流出力電圧に応じて設定される
基準電圧とを比較しこの比較出力により上記リツ
プル成分の大なる相の点弧期間は短く点弧させ上
記リツプル成分の小なる相の点弧期間は長く点弧
させる相間電圧の不平衡を補正する機能を持つた
ゲート制御回路とを具備する三相整流回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8689482U JPS58193782U (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 三相整流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8689482U JPS58193782U (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 三相整流回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58193782U JPS58193782U (ja) | 1983-12-23 |
| JPH0145271Y2 true JPH0145271Y2 (ja) | 1989-12-27 |
Family
ID=30095657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8689482U Granted JPS58193782U (ja) | 1982-06-11 | 1982-06-11 | 三相整流回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58193782U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58130778A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 電力変換装置の制御装置 |
-
1982
- 1982-06-11 JP JP8689482U patent/JPS58193782U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58130778A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 電力変換装置の制御装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58193782U (ja) | 1983-12-23 |
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