JPH0132749Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0132749Y2 JPH0132749Y2 JP17345182U JP17345182U JPH0132749Y2 JP H0132749 Y2 JPH0132749 Y2 JP H0132749Y2 JP 17345182 U JP17345182 U JP 17345182U JP 17345182 U JP17345182 U JP 17345182U JP H0132749 Y2 JPH0132749 Y2 JP H0132749Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- displacement
- elastic plate
- piezoelectric
- voltage
- laminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Description
本考案は、例えばレーザ装置又は光学器械等精
密機械における変位調整を電気的に行なう際に適
用して好適な座屈変位する圧電変位素子に関する
ものである。 従来、この種の圧電変位素子は種々のものが考
案されており、例えば変位量の増大を目的として
厚み方向に変位素子を積層した積層型変位素子・
２枚の圧電セラミツク素子を接合したバイモルフ
素子がある。 バイモルフ素子は、入力電圧に対する変位量が
大きく低電圧で大きな変位量が得られるが、その
構造が通常片持ちはりとなつているため、外部か
らの振動又は衝撃に反応してしまう欠点がある。
このような欠点は各種の応用機器に適用する場合
には重大な問題となつてしまう。 本考案はかかる点に鑑み、入力電圧に対する変
位量がバイモルフ素子と同様の効果が得られると
共に構造上振動・衝撃に強い構造とするためセラ
ミツク素子と弾性板とを両端で固着するように
し、上述の欠点を解消することを主たる目的とす
る。 以下本考案の一実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。 第１図及び第２図は本案の一例及び他の例を示
す斜視図である。第１図例は矩形圧電セラミツク
素子ａの一方の面に矩形弾性体板ｂを両端部で機
械的結合すなわち接着した変位素子を示し、第２
図例はセラミツク素子ａの一方及び他方の面に弾
性板ｂを両端部で接着した変位素子を示してい
る。セラミツク素子ａは厚み方向に分極され電極
が設けられたものである。単層と積層とを較べた
場合、同一電圧に対する横方向の歪率は同じであ
るが、次に述べるように発生する応力に差を生
じ、このことは積層数の増加につれて大となる。 この場合、第１図例の圧電変位素子に、第３図
に示す如く、各セラミツク素子ａに図示の如く電
圧を印加すると、図示の通りの分極方向を示す。
そこで、セラミツク素子ａに収縮が生ずる方向
（図中Ａ方向）に電圧Ｖを印加することにより、
素子ａと弾性板ｂとが両端結合されているため、
素子ａに引張り、弾性板ｂに圧縮の応力が夫々生
ずる。夫々の応力をσA，σBとすると、 σA＝EaEbtb／ntaEa＋Ebtb・d31V／ta …(1) σB＝−nEaEb・d31V／ntaEa＋Ebtb …(2) 但し、Ea，Ebは圧電セラミツク素子ａ及び弾
性板ｂの弾性定数 taは素子ａの積層素子１個の厚み ｎは積層数 tbは弾性板ｂの厚み d31は素子の圧電定数 を夫々示す。 材料力学によると、矩形の長軸方向に圧縮力が
作用した場合一定の圧力を越えると横方向に中央
部が大きくたわむ座屈現象を生ずる。弾性板ｂの
有効長を、幅をＷとすると、座屈荷重Pkは次
の式で与えられる。 Pk＝4π2Eb／2・Wtb3／12 …(3) (2)、(3)式により座屈を生じさせるに必要な電圧
Vkを求めと、 Vk＝π2tb2（ntaEa＋Ebtb）／3n2Ead31…(4) 座屈状態におけるたわみの形状は、第３図及び
第４図に示す如く、弾性板ｂの変形有効部左端を
基点とし長軸方向にＸ軸をとると、各点における
たわみξ（ｘ）は、座屈に関すオイラーの理論に
より次の式で与えられる。 ξ（ｘ）＝ξm／２（１−cos2π／′ｘ） …(5) 但し、ξmは弾性板ｂの中央部の最大たわみ ′は弾性板ｂの変形有効部両端間の直線距離 を示す。 次に入力電圧Ｖと最大たわみξmの関係を導く。
座屈の前後において弾性板ｂの軸に沿つた長さは
変化しないと考えられ、またこのとき両端間の直
線距離′は素子ａの長さに一致するはずである。
すなわち ′＝（１−d31Ｖ／ｔ） …(6) これから次の式が成立する。 (7)式を数値解析すと、Ｖとξmの関係が得られ
る。 次に上記各式を用いて具体的に入力電圧Ｗとた
わみ量ξmの関係をす。 素子ａ及び弾性板ｂの 有効長 ＝30mm 素子ａ及び弾性板ｂの 幅 Ｗ＝10.0mm 弾性板ｂの厚み tb＝0.1mm 弾性板のヤング率（銅） Eb＝2.1×106Kgcm2 素子ａの構成単位セラミツクスの厚み
ta＝0.1mm 素子ａの積層数 ｎ＝50 圧電セラミツクスのヤング率
Ea＝6.7×105Kg／cm2 圧電セラミツクスのｄ定数
d31＝287×10-12m／Ｖ と夫々設定した場合、式(4)によりVkを求めると、 Vk＝13.5V すなわち圧電変位素子の動作に必要な最小電圧
は13.5Vとなる。 式(7)について解折したＶとξmとの関係を第１
表に示す。
密機械における変位調整を電気的に行なう際に適
用して好適な座屈変位する圧電変位素子に関する
ものである。 従来、この種の圧電変位素子は種々のものが考
案されており、例えば変位量の増大を目的として
厚み方向に変位素子を積層した積層型変位素子・
２枚の圧電セラミツク素子を接合したバイモルフ
素子がある。 バイモルフ素子は、入力電圧に対する変位量が
大きく低電圧で大きな変位量が得られるが、その
構造が通常片持ちはりとなつているため、外部か
らの振動又は衝撃に反応してしまう欠点がある。
このような欠点は各種の応用機器に適用する場合
には重大な問題となつてしまう。 本考案はかかる点に鑑み、入力電圧に対する変
位量がバイモルフ素子と同様の効果が得られると
共に構造上振動・衝撃に強い構造とするためセラ
ミツク素子と弾性板とを両端で固着するように
し、上述の欠点を解消することを主たる目的とす
る。 以下本考案の一実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。 第１図及び第２図は本案の一例及び他の例を示
す斜視図である。第１図例は矩形圧電セラミツク
素子ａの一方の面に矩形弾性体板ｂを両端部で機
械的結合すなわち接着した変位素子を示し、第２
図例はセラミツク素子ａの一方及び他方の面に弾
性板ｂを両端部で接着した変位素子を示してい
る。セラミツク素子ａは厚み方向に分極され電極
が設けられたものである。単層と積層とを較べた
場合、同一電圧に対する横方向の歪率は同じであ
るが、次に述べるように発生する応力に差を生
じ、このことは積層数の増加につれて大となる。 この場合、第１図例の圧電変位素子に、第３図
に示す如く、各セラミツク素子ａに図示の如く電
圧を印加すると、図示の通りの分極方向を示す。
そこで、セラミツク素子ａに収縮が生ずる方向
（図中Ａ方向）に電圧Ｖを印加することにより、
素子ａと弾性板ｂとが両端結合されているため、
素子ａに引張り、弾性板ｂに圧縮の応力が夫々生
ずる。夫々の応力をσA，σBとすると、 σA＝EaEbtb／ntaEa＋Ebtb・d31V／ta …(1) σB＝−nEaEb・d31V／ntaEa＋Ebtb …(2) 但し、Ea，Ebは圧電セラミツク素子ａ及び弾
性板ｂの弾性定数 taは素子ａの積層素子１個の厚み ｎは積層数 tbは弾性板ｂの厚み d31は素子の圧電定数 を夫々示す。 材料力学によると、矩形の長軸方向に圧縮力が
作用した場合一定の圧力を越えると横方向に中央
部が大きくたわむ座屈現象を生ずる。弾性板ｂの
有効長を、幅をＷとすると、座屈荷重Pkは次
の式で与えられる。 Pk＝4π2Eb／2・Wtb3／12 …(3) (2)、(3)式により座屈を生じさせるに必要な電圧
Vkを求めと、 Vk＝π2tb2（ntaEa＋Ebtb）／3n2Ead31…(4) 座屈状態におけるたわみの形状は、第３図及び
第４図に示す如く、弾性板ｂの変形有効部左端を
基点とし長軸方向にＸ軸をとると、各点における
たわみξ（ｘ）は、座屈に関すオイラーの理論に
より次の式で与えられる。 ξ（ｘ）＝ξm／２（１−cos2π／′ｘ） …(5) 但し、ξmは弾性板ｂの中央部の最大たわみ ′は弾性板ｂの変形有効部両端間の直線距離 を示す。 次に入力電圧Ｖと最大たわみξmの関係を導く。
座屈の前後において弾性板ｂの軸に沿つた長さは
変化しないと考えられ、またこのとき両端間の直
線距離′は素子ａの長さに一致するはずである。
すなわち ′＝（１−d31Ｖ／ｔ） …(6) これから次の式が成立する。 (7)式を数値解析すと、Ｖとξmの関係が得られ
る。 次に上記各式を用いて具体的に入力電圧Ｗとた
わみ量ξmの関係をす。 素子ａ及び弾性板ｂの 有効長 ＝30mm 素子ａ及び弾性板ｂの 幅 Ｗ＝10.0mm 弾性板ｂの厚み tb＝0.1mm 弾性板のヤング率（銅） Eb＝2.1×106Kgcm2 素子ａの構成単位セラミツクスの厚み
ta＝0.1mm 素子ａの積層数 ｎ＝50 圧電セラミツクスのヤング率
Ea＝6.7×105Kg／cm2 圧電セラミツクスのｄ定数
d31＝287×10-12m／Ｖ と夫々設定した場合、式(4)によりVkを求めると、 Vk＝13.5V すなわち圧電変位素子の動作に必要な最小電圧
は13.5Vとなる。 式(7)について解折したＶとξmとの関係を第１
表に示す。
【表】
第５図は第１表の数値を線図にして表わしたも
のである。このように構成すると、バイモルフ素
子に較べて機械的に安定であり、また変位量と入
力電圧の比率においてもバイモルフ素子と同様の
性能を有することがわかる。 以上述べた如く本考案によれば、単層又は積層
した矩形圧電セラミツク素子と矩形弾性体板とを
長軸方向の両端にて機械的に結合するように構成
したので、上記圧電素子が収縮する方向に電圧を
印加することにより、上記弾性体板と素子との間
で発生する応力により上記弾性体板に座屈変形を
生じさせることができる。よつてこの座屈変形の
最大位置を作用点として各種の変位制御手段に応
用することができる。この変位量は従来のバイモ
ルフ素子とほぼ同等の変位量とすることができ、
しかもバイモルフ素子の欠点とされていた耐振動
耐衝撃性を向上させることができる。 更にバイモルフ素子に比較して有利な点は、圧
電素子に印加する電圧が分極方向に対して正の方
向のみで充分であり、バイモルフ素子のように片
側の素子に逆方向電圧を印加する必要がないの
で、逆方向電圧を加えた場合に生ずる分極劣化を
防止することができる効果を有する。 従つて、本考案素子は機械的に安定であり、か
つ低電圧で数百ミクロンの変位の制御が可能であ
るため、光学器械・レーザ応用装置の分野に適用
して好適である。
のである。このように構成すると、バイモルフ素
子に較べて機械的に安定であり、また変位量と入
力電圧の比率においてもバイモルフ素子と同様の
性能を有することがわかる。 以上述べた如く本考案によれば、単層又は積層
した矩形圧電セラミツク素子と矩形弾性体板とを
長軸方向の両端にて機械的に結合するように構成
したので、上記圧電素子が収縮する方向に電圧を
印加することにより、上記弾性体板と素子との間
で発生する応力により上記弾性体板に座屈変形を
生じさせることができる。よつてこの座屈変形の
最大位置を作用点として各種の変位制御手段に応
用することができる。この変位量は従来のバイモ
ルフ素子とほぼ同等の変位量とすることができ、
しかもバイモルフ素子の欠点とされていた耐振動
耐衝撃性を向上させることができる。 更にバイモルフ素子に比較して有利な点は、圧
電素子に印加する電圧が分極方向に対して正の方
向のみで充分であり、バイモルフ素子のように片
側の素子に逆方向電圧を印加する必要がないの
で、逆方向電圧を加えた場合に生ずる分極劣化を
防止することができる効果を有する。 従つて、本考案素子は機械的に安定であり、か
つ低電圧で数百ミクロンの変位の制御が可能であ
るため、光学器械・レーザ応用装置の分野に適用
して好適である。
第１図及び第２図は本考案の一例及び他の例を
示す斜視図、第３図は動作の説明に供する図、第
４図は本案素子の長軸方向と変位量との関係を示
す線図、第５図は印加電圧と変位量及び応力との
関係を示す線図である。 ａ……単層又は積層圧電セラミツク素子、ｂ…
…弾性体板。
示す斜視図、第３図は動作の説明に供する図、第
４図は本案素子の長軸方向と変位量との関係を示
す線図、第５図は印加電圧と変位量及び応力との
関係を示す線図である。 ａ……単層又は積層圧電セラミツク素子、ｂ…
…弾性体板。
Claims (1)
- 単層又は積層した矩形圧電セラミツク素子と矩
形弾性体板とを長軸方向の両端にて機械的に結合
したことを特徴とする圧電変位素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17345182U JPS5977251U (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 圧電変位素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17345182U JPS5977251U (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 圧電変位素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5977251U JPS5977251U (ja) | 1984-05-25 |
| JPH0132749Y2 true JPH0132749Y2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=30377853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17345182U Granted JPS5977251U (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 圧電変位素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5977251U (ja) |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP17345182U patent/JPS5977251U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5977251U (ja) | 1984-05-25 |
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