JPH0132184B2 - - Google Patents

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JPH0132184B2
JPH0132184B2 JP16301783A JP16301783A JPH0132184B2 JP H0132184 B2 JPH0132184 B2 JP H0132184B2 JP 16301783 A JP16301783 A JP 16301783A JP 16301783 A JP16301783 A JP 16301783A JP H0132184 B2 JPH0132184 B2 JP H0132184B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
parts
weight
chipping
magnetic head
sample
Prior art date
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Expired
Application number
JP16301783A
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English (en)
Other versions
JPS6054970A (ja
Inventor
Takehiko Yoneda
Hiromitsu Tagi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP16301783A priority Critical patent/JPS6054970A/ja
Publication of JPS6054970A publication Critical patent/JPS6054970A/ja
Publication of JPH0132184B2 publication Critical patent/JPH0132184B2/ja
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は熱膨張係数が+90×10-7/℃〜+100
×10-7/℃で、機械的強度、硬度及び耐熱特性さ
らには、機械加工時のチツピング性、ポア分布が
著しく良好な磁気ヘツド止め具用原料粉末組成物
に関する。 従来例の構成とその問題点 従来より磁気ヘツド止め具用磁器としてアルミ
ナ、フオルステライト、ステアタイト、チタン酸
バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロ
ンチウム、チタン酸マグネシウム磁器などが利用
されていた。この中でフオルステライト磁器は、
結晶粒界近傍に析出したSiO2リツチなガラス相
のため、ポア分布、チツピング性が悪いものであ
つた。特に前記ガラス相により焼結体の鏡面加工
時に結晶粒の剥離現象がおこるため磁気ヘツド止
め具用磁器としては不適当であつた。 発明の目的 本発明は従来の欠点を除去するため、焼結体中
のSiO2を主成分とするガラス相を著しく減少さ
せ、チツピング、ポア及び結晶粒剥離現象を減少
させた磁気ヘツド止め具用原料粉末組成物を得る
ことを目的とする。 発明の構成 本発明は前記の目的を達成するために2MgO・
SiO2100重量部にZrO2、Al2O3、CaCO3、BaCO3
の1種又は2種以上を8重量部以下、BaZrO3
3〜10重量部、クレイ分を1〜10重量部よりなる
ことを特徴とする。 前記磁器組成物は磁気ヘツドの組立支持体とし
て用いる。 本発明は前記の成分割合を変化させることによ
り、熱膨張係数値を+90×10-7/℃〜+100×
10-7/℃の範囲内で調整でき、これら磁器組成物
は加工時のチツピング発生率が少なく、機械的強
度が高く、またポア分布が良好であり、フエライ
ト素体―ガラス―止め具用磁器と組合せた場合、
亀裂が全く起らず安定で、且つ再現性の高いもの
となる。 実施例の説明 本発明を実施例にもとづいて説明する。 試料の調整工程としては工業用原料(純度99%
以上)である2MgO・SiO2、BaZrO3、ZrO2
CaCO3、BaCO3、Al2O3及び市販のクレイを用
い、混合時に不純物混入を防止するためにウレタ
ン内張ポツトミルを用いて湿式混合した。 試料作製の順序としては、下記第1表に示す組
成比になるよう原料を配合し、成型には機械プレ
スを用い、50mm×150mm×15mmの寸法の試料を成
型した。本焼成には電気炉を用い、1300〜1350℃
の間で行つた。 すなわち試料No.1〜13までは本発明の実施例範
囲の組成になるよう配合し、試料No.14〜19までは
前記以外の組成比になるよう原料を配合したもの
である。 また第1表の組成比により得られた素体の各諸
特性を第2表に示す。
【表】
【表】
【表】 なお前記第2表においてチツピング発生数の測
定方法は50mm×150mm×15mmの試料を長さ方向
(150mm)に向つて、ダイヤモンド高速回転切断機
を用いて切断し、その切断面のチツピング数をマ
イクロメータ付光学顕微鏡によりカウントした。
ダイヤモンド高速回転切断機の使用条件(ダイヤ
モンドカツター回転速度、試料送り速度)は一定
とする。またテスト個数は10個とし、チツピング
数は切断断面積10cm2当りの平均値として記した。 以上第2表から明らかなように、試料No.1〜試
料No.13までは、機械加工時のチツピング発生率が
著しく低く、またポア分布、ポロシテイー、成型
性など、諸特性において優秀な特性を示してい
る。また、試料No.14〜No.19まではチツピング発生
率、ポロシテイーなどに悪影響が現われてくる。 すなわち、組成物において、ZrO2、Al2O3
CaCO3、BaCO3の1種または2種以上の合計が
8重量部を越えるとチツピング発生率が増加す
る。これは前記の添加物が結晶粒界近傍に偏析
し、粒界破壊しやすい状態を作るからである。
BaZrO3が3重量部未満の場合は、フリーなSiO2
相が残りチツピング発生率の増加や鏡面研磨時の
結晶粒剥離現象によるポロシテイの低下が起こ
る。10重量部を越えるとBaZrO3が結晶粒界近傍
に偏析し、チツピング発生率が増加する。クレイ
分が1重量部未満では成型時にラミネーシヨンが
発生しやすくなる。10重量部を越えるとポア分布
の悪化、機械強度の低下が起こる。 磁気ヘツド止め具用磁器としてはフエライト素
子に接着用ガラスを媒体として磁器に埋め込むた
め、熱膨張係数、ポア分布、チツピングなどとの
関連性が非常に重要であり、これら条件を満足す
る材料として試料No.1〜試料No.13までに示される
組成物が適することがわかる。 発明の効果 本発明の組成物よりなる磁気ヘツド止め具は、
次のような効果を生ずる。 (1) ポア分布が改良される。 (2) 機械加工時のチツピング性が向上する。 (3) 成型性が改善され、品質の安定化が図れる。 以上のように本発明の磁気ヘツド止め具用原料
粉末組成物は非常に優れた性能を備えており、工
業的量産化においても著しく安定であり、産業上
利用できる効果を生ずる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 2MgO・SiO2を100重量部、ZrO2、Al2O3
    CaCO3、BaCO3の1種又は2種以上を8重量部
    以下、BaZrO3を3〜10重量部、クレイ分を1〜
    10重量部より成ることを特徴とする磁気ヘツド止
    め具用原料粉末組成物。
JP16301783A 1983-09-05 1983-09-05 磁気ヘッド止め具用原料粉末組成物 Granted JPS6054970A (ja)

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JPS6054970A JPS6054970A (ja) 1985-03-29
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JPS6414137U (ja) * 1987-07-09 1989-01-25
JP6912188B2 (ja) * 2016-11-25 2021-08-04 京セラ株式会社 セラミック磁器、配線基板および電子部品

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JPS6054970A (ja) 1985-03-29

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