JPH01319961A - 半導体素子検査装置 - Google Patents

半導体素子検査装置

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JPH01319961A
JPH01319961A JP15229688A JP15229688A JPH01319961A JP H01319961 A JPH01319961 A JP H01319961A JP 15229688 A JP15229688 A JP 15229688A JP 15229688 A JP15229688 A JP 15229688A JP H01319961 A JPH01319961 A JP H01319961A
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JP
Japan
Prior art keywords
probe
holes
substrates
probes
semiconductor element
Prior art date
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Pending
Application number
JP15229688A
Other languages
English (en)
Inventor
Susumu Kasukabe
進 春日部
Masafumi Okubo
雅史 大久保
Yutaka Akiba
豊 秋庭
Hironobu Okino
沖野 博信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子の特性を検査する半導体素子検査
装置に係り、特に被検査対象が高密度。
超多ピンであっても、高精度で高速電気特性を測定する
ために好適な半導体素子検査装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、半導体素子の検査には、第6図に示すごとく、半
導体素子2を形成したウェハ1の個人のチップ状の半導
体素子2の表面の縁に、蒸着、ン、バッタあるいはめっ
き等により形成したi!極3を使用し、第7図、第8図
に示すように、プローブカード4から斜めに出たタング
ステン針などのプローブ5を、該プローブ5のたわみを
利用した接触圧により、前記電極3をこすって接触をと
り、その電気特性を検査する技術が用いられている。
一方、半導体素子の高密度化が進み、第9図に示すよう
に、はんだ溶融接続に供するはんだボール6をその電極
上に有する半導体素子2を、はんだ溶融によって第10
図に示すように、セラミックス多層基板などの配線基板
7の表面の電極8と半導体素子2の電極上のはんだボー
ル6で接続する技術は、高密度実装9歩留まりの高い一
括接続に適することから、その応用が拡大している。
さらに、半導体素子の高密度化が進み、高速信号による
動作試験が必要になった場合のはんだ溶融接続に供する
はんだボールをその電極上に有する半導体素子の特性検
査を可能とする検査方法および検査装置として、従来、
特開昭59−73129号公報に記載の技術がある。こ
の従来技術は、第11図および第12図に示すように、
プローブカード11と、これの一方の面に設けられた多
数の突起電極12ト、プローブカード11の他方の面に
設けられた熱源13とを備えている。前記プローブカー
ド11は、信号用導体配線9と、電源導体層10とを有
する多層基板とされている。前記信号用導体配線9は、
電源導体層10をレファレンス層としたストリップ線路
またはマイクロスl−IJツブ線路となっており、一定
の特定インピーダンスとなっている。前記突起電極12
は、被検査対象である半導体素子2の電極に対応する位
置に設けられ、またプローブカード11の内部の信号用
導体配線9や電源導体層10に接続されている。前記熱
源13は、各突起電極12を加熱するようになっている
そして、この従来技術では、熱源13により各突起電極
12を加熱し、半導体素子2上のはんだボール6に突起
電極12を押し当て、はんだの溶融により導通をとり、
信号の授受を行い、半導体素子2の検査を行ったのち、
再度前記突起電極12を加熱し、はんだを溶かして突起
電極12を引き離し、半導体素子2の検査を終了するよ
うにしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
前記第7図、第8図に示す従来のプローブカードによる
検査技術では、プローブ5の形状から、そこでの集中イ
ンダクタンスが大きく、高速信号での検査に限界がある
。すなわち、プローブカード4上での信号線の特性イン
ピーダンスをR,プローブ5の集中インダクタンスをL
とすると、時定数はL/几となり、R=500、L=5
OnHの場合は1nSで、この程度の高速信号を扱うと
波形がなまり、正確に検査ができない。したがって、通
常は直流的な特性検査に限られている。また、この第7
図、第8図に示す従来技術では、プローブ5の空間的な
配置に限界があり、半導体素子の電極の高密度化、総数
の増大番こ対応できなくなっている。
一方、第11図、第12図に示す従来技術、つまりはん
だ溶融により半導体素子の電極と突起電極12間の導通
をとって、信号用導体配線9を一定の特性インピーダン
スをもつラインに形成した多層基板からなるプローブカ
ード11で検査する技術では、高速電気特性を検査する
ことは可能であるが、半導体素子2の電極上のはんだボ
ール6を溶融させる必要があるため、半導体素子2に熱
ストレスを与え、また作業性が悪く、検査時間が長くな
るという問題がある。
前記半導体素子の検査を行うためには、短時間で半導体
素子にストレスを与えることが少なく、高密度で超多ピ
ンであっても正確に接触でき、高速電気特性を測定可能
な検査装置が必要である。
本発明の目的は、被検査対象である半導体素子が高密度
で超多ピンであっても、その半導体素子を高精度で、効
率よく、しかも半導体素子にストレス等の悪影響を与え
ることなく検査可能で、簡素な構造の半導体素子検査装
置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的は、複数枚のプローブ固定用基板に、互いに重
なり合うスルーホールを複数個ずつ設け、前記プローブ
固定用基板を重ね合わせるとともにスルーホールを位置
合わせし、この位置合わせされたスルーホールの各組に
プローブを挿通し、複数本のプローブにおける被検査対
象に接触させる側の端部を同一平面上に揃えて固定し、
各プローブの他端部を、パターン拡大用基板を通じて検
査回路に、検査用信号の授受を行い得るように接続した
ことにより、達成される。
さらに、前記目的は複数枚のプローブ固定用基板に、互
いに重なり合うスルーホールを複数個ずつ設け、前記プ
ローブ固定用基板を重ね合わせるとともにスルーホール
を位置合わせし、この位置合わせされたスルーホールの
各組に、同軸ケーブルの芯線をプローブとして挿通し、
複数本のプローブにおける被検査対象に接触させる側の
端部を同一平面上に揃えて固定し、前記プローブとして
の同軸ケーブルの芯線を、検査回路に検査用信号の授受
を行い得るように接続したことによっても、達成される
〔作用〕
本発明では、複数枚のプローブ固定用基板のスルーホー
ルを位置合わせして重ね合わせ、位置合わせされたスル
ーホールの各組にプローブを挿通し、各プローブの先端
部を揃え、プローブ固定用基板にプローブを固定するこ
とができる。
その結果、プローブの先端部を全て揃えることができる
ので、平面上でのプローブの位置精度は、スルーホール
の位置精度によりて決まる。このスルーホールは、プロ
ーブ固定用基板にドリル加工。
エツチング加工、放電加工等により、高精度に簡単に加
工することが可能である。したがって、半導体素子が高
密度で超多ピンであっても、その半導体素子を高精度で
、効率よく検査することが可能となる。
また、本発明では被検査対象である半導体素子に、プロ
ーブを接触させて検査するだけで、半導体素子のはんだ
ボールを加熱、溶融する必要がなく、したがって半導体
素子にストレス等の悪影響を与えることなく検査するこ
とができる。
そして、本発明ではプローブとして同軸ケーブルの芯線
を用い、この同軸ケーブルを検査回路に接続しているの
で、装置の構造をより一層簡素化することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面tこより説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す縦断側面図、第2図は
第1図の要部の拡大縦断面図である。
これらの図に示す実施例では、2枚のプローブ固定用基
板14a、14bと、複数本のプローブ15と、パター
ン拡大用基板17と、配線基板21と、この配線基板2
1に固定された検査回路(図示せず)とを備えて構成さ
れている。
前記プローブ固定用基板14a、14bは、セラミック
スまたはガラスなどの絶縁材で形成されている。また、
プロニブ固定用基板14、、14bには半導体素子2の
電気特性測定用の電極上のはんだボール6に対応する位
置に、プローブ用のスルーホールが複数個設けられてい
る。
前記プローブ15は、タングステン、またはベリリウム
鋼に金もしくはロジュームめっきして形成されており、
先端部が適度に尖った形状に形成されている。このプロ
ーブ15は、プローブ固定用基板14a、14bに設け
られたスルーホールに挿通されている。さらに、各プロ
ーブ15における半導体素子2に接触させる側の先端部
、つまり尖った先端部は、平面度の良好な平板に当てら
れ、同一平面上に揃えられている。
そして、前記複数本のプローブ15を2枚のプローブ固
定用基板14a、L4bのスルーホールの各組に挿通後
、プローブ固定用基板14a、14bを重ね合わせたま
ま、第2図に矢印で示すように、適度にずらすことによ
り、プローブ固定用基板14a。
14 bに各プローブ15を仮止めし得るようになって
いる。
前記プローブ固定用基板14a、14bにプローブ15
を仮止め後、プローブ15の他端部はプローブ固定用基
板14a、14bに2液温合形のエポキシ樹脂または熱
硬化性樹脂16により固定されている。
前記パターン拡大用基板17は、セラミックス多層配線
板で形成されている。このパターン拡大用基板17にお
けるプローブ固定用基板14 b側の一方の面には、各
プローブ15番こ対応する位置に電極′J8が設けられ
ており、各電極18ははんだボール19により当該プロ
ーブ15の他端部に接続されている。
前記パターン拡大用基板17の他方の面には、電極20
が設けられており、この電極2oは前記電極18に内部
配線を通じて接続されていて、パターンを拡大するよう
になっている。
前記配線基板21は、ガラスエポキシ配線板で形成され
ている。この配線基板21には、前記パターン拡大用基
板17側に電極22が設けられている。この電極22は
、前記パターン拡大用基板17の他方の面に設けられた
電極20とインピーダンスを整合しマ1、はんだnによ
り接続されている。また、この配線基板21には検査回
路(図示せず)が固定されCおり、この検査回路は同軸
コネクタ24に接続されている。
前記2枚のプローブ固定用基板14a、14bに、if
f度のスルーホールを加工するには、素材としての絶縁
材基板を2枚重ね合わせて固定しておき、例えば−括し
てドリル加工する。これにより、ピ・・ノチ誤差のない
スルーホールを持ったプローブ固定用基板14a、14
bを形成することが可能となる。
この実施例の半導体素子検査装置では、半導体素子2の
電気特性測定用の電極に対する位置に、数ミツ0フ以内
の精度で穴あけ加工ができるので、プローブ固定用基板
14a、14bに高精度のスルーホールを設けることが
できる。
また、この実施例ではプローブ固定用基板14a。
14 bのスルーホールを位置合わせして重ね合わせ、
この位置合わせされたスルーホールの各組にプローブ1
5を挿通し、プローブ固定用基板14a、14bを重ね
合わせたまま、適度に平行にずらしてプローブ15を一
斉に仮止めしたうえで、2液温合のエポキシ樹脂または
熱硬化性樹脂16により固定するようにしているので、
プローブ15をプローブ固定用基板14a、14bに正
確に固定することができる。
したがって、半導体素子2が高精度で超多ピンであって
も、高精度で効率よく検査することが可能となる。
さらに、この実施例ではプローブ15の先端部は、平面
方向の位置精度が良好なだけでなく、垂直方向の位置精
度も良好なため、±10μm以下の精度が実現でき、プ
ローブ15の被接触対象であるはんだボール6に対する
相対位置を機械的に制御することにより、プローブ15
をはんだボール6に適度な深さに挿入すれば、0.5Ω
以下の良好な接触特性を容易ζζ得ることができる。
しかも、構造上、プローブ15の長さは3H以下にする
ことが可能で、クロストークおよび反射などの高速電気
信号の乱れを極力小さくすることができ、他の配線構成
部がすべてインピーダンスの整合がとれているため、半
導体素子2の高速電気特性を検査できる。
次に、第3図は本発明の他の実施例を示すもので、要部
の拡大縦断面図である。
この第3図に示す実施例では、3枚のプローブ固定用基
板14c 、 14d 、 14 eを重ね合わせて使
用している。
そして、3枚のプローブ固定用基板14 CT 14 
d14 eの重ね合わされたスルーホールの各組にプロ
ーブ15を挿通後、中間のプローブ固定用基板14 d
を矢印方向にずらして複数本のプローブ15を一斉に仮
止めして固定し得るようにしている外は、前記第1図お
よび第2図に示す実施例と同様である団ついで、第4図
は本発明の別の実施例を示すもので、要部の拡大縦断面
図である。
この第4図に示す実施例では、プローブとして同軸ケー
ブル25の芯線26が用いられている。
そして、前記同軸ケーブル25のシールド27を導電性
の樹脂またははんだなどの導電材28により共通のアー
スをとったうえで、前記同軸ケーブル25を同軸コネク
タ29に接続している。
前記同軸コネクタ29は、検査回路(図示せず)に直接
つながっている。
この第4図に示す実施例では、第1図、第2図に示す実
施例と同様の機能を有する外、装置全体の構造をより一
層簡素化することが可能となる。
さらに、第5図は本発明の異なる実施例を示すもので、
要部の拡大縦断面図である。
この第5図に示す実施例では、同軸ケーブル25のシー
ルド27を共通のアースをとるため、絶縁性のプローブ
固定用基板14 bに、しんちゅうまたは銅などの導電
性の材料で形成されかつスルーホールを設けた基板30
を重ね合わせ、同軸ケーブル25の芯線26を覆うポリ
テトラクルオルエチレンなどの絶縁材31を挿入して固
定している。
この第5図に示す実施例の他の構成は、前記第4図に示
す実施例と同様であり、その機能も同様である。
[:発明の効果〕 以上説明し7た本発明の請求項1に記載の発明lこよれ
ば、複数枚のプローブ固定用基板のスルーホールを位置
合わせして重ね合わせ、位置合わせされたスルーホール
の各組にプローブを挿通し、各デU−ブの先端部を揃え
、プローブ固定用基板にブし」−ブを固定することがで
きる結果、プローブの先端部を全て揃えることができる
ので、平面上ζ20つプローブの位置n1度は、スルー
ホールの位置槽、度によって決まり、そのスルーホール
は、プローブ固定用基板にドリル加工、エツチング加工
放電加工等により、高精度に簡単に加工することがbT
能である。したがって、半導体素子が高密度で、超多ピ
ンであっても、その半導体素子を高精度で、効率よく検
査し得る効果がある。
また、本発明の請求項1に記載の発明によれば、被検査
対象である半導体素子に、プローブを接触させて検査す
るだけで、半導体素子のはんだボールを加熱、溶融する
必要がなく、したがって半導体素子にストレス等の悪影
響を与えることなく検査し得る効果があり、装置全体を
簡素化し得る効果がある。
さらに、本発明の請求項2に記載の発明によれば、プロ
ーブとして同軸ケーブルの芯線を用い、この同軸ケーブ
ルを検査回路に接続しているので、装置全体の構造をよ
り一層簡素化し得る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す縦断側面図、第2図は
第1図の要部の拡大縦断面図、第3図。 第4図、第5図はそれぞれ本発明の他の色々な実施例を
示すもので、要部の拡大縦断面図である。 第6図は従来使用されていた半導体素子の電極配置を示
す斜視図、第7図は検査用プローブの従来技術を示す縦
断正面図、第8図は第7図の底面図、第9図は電極上に
はんだボールを有する半導体素子を示す斜視図、第10
図ははんだ溶融接続をした半導体素子の実装状態を示す
斜視図、第11図はプローブカードと突起電極と熱源と
を有する従来技術の正面図、第12図は第11図の一部
拡大断面図である。 2・・・被検査対象である半導体素子 6・・・半導体素子のはんだボール 14 a〜14 e・・・プローブ固定用基板15・・
・プローブ     17・・・パターン拡大用基板1
8 、20 、22・・・電極 21・・・検査回路を設けた配線基板 24・・同軸コネクタ   怒・・・同軸ケーブル26
・・芯線       27・・・シールド絽・・・導
電材      29・・・同軸コネクタ30・・・導
電材の基板   31・・・絶縁材代理人 :9fl埋
士  l卦 川 ;房 男&1v 122       名3図 1510−1           2+ 同l由っ子
り937 図 .6g  臣 ■ 9 図 Z )0回 名)2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数枚のプローブ固定用基板に、互いに重なり合う
    スルーホールを複数個ずつ設け、前記プローブ固定用基
    板を重ね合わせるとともにスルーホールを位置合わせし
    、この位置合わせされたスルーホールの各組にプローブ
    を挿通し、複数本のプローブにおける被検査対象に接触
    させる側の端部を同一平面上に揃えて固定し、各プロー
    ブの他端部を、パターン拡大用基板を通じて検査回路に
    、検査用信号の授受を行い得るように接続したことを特
    徴とする半導体素子検査装置。 2、複数枚のプローブ固定用基板に、互いに重なり合う
    スルーホールを複数個ずつ設け、前記プローブ固定用基
    板を重ね合わせるとともにスルーホールを位置合わせし
    、この位置合わせされたスルーホールの各組に、同軸ケ
    ーブルの芯線をプローブとして挿通し、複数本のプロー
    ブにおける被検査対象に接触させる側の端部を同一平面
    上に揃えて固定し、前記プローブとしての同軸ケーブル
    の芯線を、、検査回路に検査用信号の授受を行い得るよ
    うに接続したことを特徴とする半導体素子検査装置。
JP15229688A 1988-06-22 1988-06-22 半導体素子検査装置 Pending JPH01319961A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2005106504A1 (ja) * 2004-04-27 2008-03-21 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPWO2005106504A1 (ja) * 2004-04-27 2008-03-21 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置

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