JPH01319680A - ダイヤモンドコートペン - Google Patents
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- JPH01319680A JPH01319680A JP15155388A JP15155388A JPH01319680A JP H01319680 A JPH01319680 A JP H01319680A JP 15155388 A JP15155388 A JP 15155388A JP 15155388 A JP15155388 A JP 15155388A JP H01319680 A JPH01319680 A JP H01319680A
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 20
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 9
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- -1 Kuntal Chemical compound 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Pens And Brushes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野]
本発明は、セラミックス、ガラス等の硬質+A料の表面
に印、文字、記号、線等を記すのに用いるペンに関し、
詳しくは針状体または棒状体の先端部分にダイヤモンド
の微結晶を被着したに記目的のペンに関する。
に印、文字、記号、線等を記すのに用いるペンに関し、
詳しくは針状体または棒状体の先端部分にダイヤモンド
の微結晶を被着したに記目的のペンに関する。
[従来技術および発明が解決しようとする課題]従来よ
り、ガラス、セラミックスなどの表面に印、文字、記号
等を書き記す道具として、様々なものが使用されている
。
り、ガラス、セラミックスなどの表面に印、文字、記号
等を書き記す道具として、様々なものが使用されている
。
(1) 最も一般的に使用されているものは、ダイヤ
モンドの単結晶を先端部に取り付け、ペンのような形に
したものであるが、単結晶のダイヤモンドには結晶自体
の有する面の方向性により滑り易い方向ができ、所望す
る線とは異なった傷をつりることになったり、また円な
どを描く場合は非常に描きにくいという問題点がある。
モンドの単結晶を先端部に取り付け、ペンのような形に
したものであるが、単結晶のダイヤモンドには結晶自体
の有する面の方向性により滑り易い方向ができ、所望す
る線とは異なった傷をつりることになったり、また円な
どを描く場合は非常に描きにくいという問題点がある。
(2) そのため、一つの工夫としてダイヤモンド単
結晶を研摩加工して先端部を丸くして方向性をなくして
いるが、先端部が丸くなったため従来の単結晶をそのま
ま使ったものに比べると、やはり傷つけにくくなってし
まう。
結晶を研摩加工して先端部を丸くして方向性をなくして
いるが、先端部が丸くなったため従来の単結晶をそのま
ま使ったものに比べると、やはり傷つけにくくなってし
まう。
(3) また、タングステンカーハイI・等の超硬材
料を先端部につけたものもあるが、これらはガラス、石
英等には使用可能であるが、アルミナ、炭化珪素等の硬
質材料には使用できないという問題点がある。
料を先端部につけたものもあるが、これらはガラス、石
英等には使用可能であるが、アルミナ、炭化珪素等の硬
質材料には使用できないという問題点がある。
[問題を解決するだめの手段1
本発明は、上述のような現状において種り検耐を重ねた
結果、化学奈着法により鋭い頂角を有する複数個のダイ
ヤモンド徹結晶を先端部に被着することにより、セラミ
ックス等の表面に記述する際、どのような方向にも書き
易い記述具となることを見いだし、本発明に到達したも
のである。
結果、化学奈着法により鋭い頂角を有する複数個のダイ
ヤモンド徹結晶を先端部に被着することにより、セラミ
ックス等の表面に記述する際、どのような方向にも書き
易い記述具となることを見いだし、本発明に到達したも
のである。
ずなわぢ本発明は、少なくとも基材の先端部に、無配向
性のダイヤモンド多結晶体を、化学蒸着法により被着し
てなるペンである。
性のダイヤモンド多結晶体を、化学蒸着法により被着し
てなるペンである。
本発明で使用する基材として、種々の材料が考えられる
が、それらの中でタングステン、モリブデン、タンタル
等や、それらを含有する金属が析出するダイヤモンドと
の密着性もよいため、本発明の場合好ましい。
が、それらの中でタングステン、モリブデン、タンタル
等や、それらを含有する金属が析出するダイヤモンドと
の密着性もよいため、本発明の場合好ましい。
上述の材料は材料自身をそのまま用いてもよく、また他
の材料1例えば炭化珪素、アルミナタングステンカーハ
イIS等のセラミックスや鉄SUS等の金属材料の上に
CVD、PvD、スパッタリング等、種々の手段により
、十記タングステン等の+A料を被覆することによって
も目的を達成することができる。
の材料1例えば炭化珪素、アルミナタングステンカーハ
イIS等のセラミックスや鉄SUS等の金属材料の上に
CVD、PvD、スパッタリング等、種々の手段により
、十記タングステン等の+A料を被覆することによって
も目的を達成することができる。
また、これら基材先端の形状は、筆記に適したような形
状であればどのようなものでもかまわないが、先端を円
錐状に加工したものはその中でも書き易い形状の一つで
ある。
状であればどのようなものでもかまわないが、先端を円
錐状に加工したものはその中でも書き易い形状の一つで
ある。
本発明で暴利上に化学蒸着する場合、その方法としては
いわゆるプラズマジェ、l、法、E A CV +〕法
、熱フイラメント法、ブラスマ法等、種々のものが通用
できるが、熱フイラメント法とプラズマ法で行うのがよ
り好ましく、その条件は以下に述べるようなものである
。
いわゆるプラズマジェ、l、法、E A CV +〕法
、熱フイラメント法、ブラスマ法等、種々のものが通用
できるが、熱フイラメント法とプラズマ法で行うのがよ
り好ましく、その条件は以下に述べるようなものである
。
ます熱フイラメント法では、反応器内に、タングステン
、クンタル、モリブデン、レニウ1、等の高融点金属も
しくはこれらの金属を含有する金属よりなるフィラメン
トを設置し、これよりガス下流側05〜30mm離れた
場所に基材を置く。反応に供する原料のうち、炭素源と
してはメタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、
プロピレン、アセチレン等の飽和または不飽和炭化水素
、メタノール、エタノール、プ1コバノール、ブクノー
ル、アセトン、メチルエチルケトン等の含酸素有機化合
物を使用することができ、特にメタン、エタノール、ア
セトンが好ましい。
、クンタル、モリブデン、レニウ1、等の高融点金属も
しくはこれらの金属を含有する金属よりなるフィラメン
トを設置し、これよりガス下流側05〜30mm離れた
場所に基材を置く。反応に供する原料のうち、炭素源と
してはメタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、
プロピレン、アセチレン等の飽和または不飽和炭化水素
、メタノール、エタノール、プ1コバノール、ブクノー
ル、アセトン、メチルエチルケトン等の含酸素有機化合
物を使用することができ、特にメタン、エタノール、ア
セトンが好ましい。
一方稀釈ガスとしては水素を用いるが、その他、反応系
に水、酸素、−酸化炭素、−酸化窒素等の含酸素物質を
添加することもできる。
に水、酸素、−酸化炭素、−酸化窒素等の含酸素物質を
添加することもできる。
導入原料全体に占める炭素源化合物の比率は0、1−5
0volχであるが、好ましくは0.5〜]、0vol
Zである。炭素源の比率が低すぎる場合、成膜速度が非
常に遅くなり、−力比率が高すぎるとダイヤモンドが生
成しにくくなる。
0volχであるが、好ましくは0.5〜]、0vol
Zである。炭素源の比率が低すぎる場合、成膜速度が非
常に遅くなり、−力比率が高すぎるとダイヤモンドが生
成しにくくなる。
反応容器内の圧力は、10〜800Torrに保つ必要
があり、好ましくは300〜7601’orrである。
があり、好ましくは300〜7601’orrである。
圧力が1.OT o r rより低い場合、結晶の成長
速度が遅すぎて実用的でなく、一方圧力が800Tor
rより高い場合、ml圧強度が要求されるため、装置が
高価となり好ましくない。
速度が遅すぎて実用的でなく、一方圧力が800Tor
rより高い場合、ml圧強度が要求されるため、装置が
高価となり好ましくない。
フィラメンl−には、交流または直流電圧を印加して、
温度が1800°C以上、好ましくは2000’C以−
にになるように加熱し、同時に基材の温度を600〜1
100’C1好ましくは800〜900°Cに保つよう
に加熱を行う。
温度が1800°C以上、好ましくは2000’C以−
にになるように加熱し、同時に基材の温度を600〜1
100’C1好ましくは800〜900°Cに保つよう
に加熱を行う。
= 5−
フィラメントの温度が低ずぎると、原料ガスの分解が不
充分で目的とするダイヤモンドが析出しにくく、また基
材の温度が低ずぎるとダイヤモンドとは異なる炭素膜が
生成し、一方基材の温度が高すぎると、基材へのダイヤ
モンドの生成が妨げられる。
充分で目的とするダイヤモンドが析出しにくく、また基
材の温度が低ずぎるとダイヤモンドとは異なる炭素膜が
生成し、一方基材の温度が高すぎると、基材へのダイヤ
モンドの生成が妨げられる。
反応時間は10分〜5時間が必要で、反応終了時にはフ
ィラメントに近い部分に、最も大きいもので20〜30
μmの校長を有するダイヤモンド微結晶が凝集状態で析
出する。
ィラメントに近い部分に、最も大きいもので20〜30
μmの校長を有するダイヤモンド微結晶が凝集状態で析
出する。
次に、プラズマ法においてはマイクロ波を用いることに
より以下の方法で行う。
より以下の方法で行う。
反応管は直径4 (l m mの石英管を使用し、中央
部に基材を設置し、この部分るこプラズマが発生ずるよ
うに、導波管を通してマイクロ波を投入する。原料、稀
釈ガスは熱フイラメント法の場合と同様である。
部に基材を設置し、この部分るこプラズマが発生ずるよ
うに、導波管を通してマイクロ波を投入する。原料、稀
釈ガスは熱フイラメント法の場合と同様である。
反応時の圧力は、10〜100Torrの範囲、好まし
くは20〜50Torrがよく、マイクロ波電力を]、
、 OO〜1、000 Wの範囲で調節し、基材温度が
600〜1100°C1好ましくは800〜900°C
となるようにする。
くは20〜50Torrがよく、マイクロ波電力を]、
、 OO〜1、000 Wの範囲で調節し、基材温度が
600〜1100°C1好ましくは800〜900°C
となるようにする。
圧力が上記の範囲を外れた場合は、プラズマが安定した
状態を保ちに<<、基材温度については、熱フィラメン
ト法と同じく、上記範囲外ではダイヤモンドが生成しに
くい。
状態を保ちに<<、基材温度については、熱フィラメン
ト法と同じく、上記範囲外ではダイヤモンドが生成しに
くい。
この条件により、30分から10時間後、熱フイラメン
ト法と同様のダイA・モンド微結晶が析出する。
ト法と同様のダイA・モンド微結晶が析出する。
旧述のような方法によって金属表面に析出したダイヤモ
ンド多結晶体は、個々の結晶に配向性が無く、少なくと
も5μm以上の粒子を複数個含んでおり、鋭い稜を有し
ているため、記述時にどのような方向にも書き易く、ま
た基材と析出した結晶との結合力が強いため、長間間の
使用においても結晶の剥離、欠落等がなく、耐久性に優
れるものである。
ンド多結晶体は、個々の結晶に配向性が無く、少なくと
も5μm以上の粒子を複数個含んでおり、鋭い稜を有し
ているため、記述時にどのような方向にも書き易く、ま
た基材と析出した結晶との結合力が強いため、長間間の
使用においても結晶の剥離、欠落等がなく、耐久性に優
れるものである。
第1図にG4、熱フイラメント法により析出したダイヤ
士ント微結晶の結晶構造のSEM写真を承ず。
士ント微結晶の結晶構造のSEM写真を承ず。
[実施例」
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明は係る実施例に限定されるものではない。
明は係る実施例に限定されるものではない。
実施例1
ガラス反応管に、先端を60度の円錐状に加工した直径
1mmのタングステン棒を、タングステンフィラメント
から1mm離して設置した。
1mmのタングステン棒を、タングステンフィラメント
から1mm離して設置した。
常圧でエタノールlsc[’M、水素99SCCMを反
応管に導入し、フィラメン]・を杓2000’Cで1時
間保持した。この操作により、材料先端の円11(状部
分−面に、ダイヤモンドの微結晶が多数析出した。この
時の析出ダイヤモンドの結晶構造のSEX写真を第1し
1に示す。
応管に導入し、フィラメン]・を杓2000’Cで1時
間保持した。この操作により、材料先端の円11(状部
分−面に、ダイヤモンドの微結晶が多数析出した。この
時の析出ダイヤモンドの結晶構造のSEX写真を第1し
1に示す。
このタングステン棒で、ガラス、石英板、タングステン
カーハイI・、アルミナ、炭化珪素の表面に、文字、記
号、線等を描いたところ、明瞭にこれらの記号、文字等
をB’A h取ることができた。 また、上述の記述行
為を頁間以上繰り返し4jっだ後、il状物の先端を顕
微鏡で観察したところ、何の変化もなく、その後繰り返
して使用することが充分可能であった。
カーハイI・、アルミナ、炭化珪素の表面に、文字、記
号、線等を描いたところ、明瞭にこれらの記号、文字等
をB’A h取ることができた。 また、上述の記述行
為を頁間以上繰り返し4jっだ後、il状物の先端を顕
微鏡で観察したところ、何の変化もなく、その後繰り返
して使用することが充分可能であった。
実施例2
直径40 m mの石英管の中央に、先端を90度の円
錐状にした直径1mmのタングステン製の棒を尖端を原
料ガスの」1流に向iJて置く。
錐状にした直径1mmのタングステン製の棒を尖端を原
料ガスの」1流に向iJて置く。
原料ガスとして、メタンISCCM 水素99 S
CCMで導入し、反応管を30Torrに保ちながらマ
イクロ波電力300tJを投入した。この時の基材温度
は約800 ’Cであった。
CCMで導入し、反応管を30Torrに保ちながらマ
イクロ波電力300tJを投入した。この時の基材温度
は約800 ’Cであった。
2時間の反応後、取り出したタングステン棒の先端には
ダイヤモンドの耐集品が析出していた。 この棒によ
り、ガラス、石英板、タングステンカーハイI・、アル
ミナ、炭化珪素の表面に、文字、記号、線等を描いたと
ころ、明瞭にこれらの記号、文字等を読み取ることがで
きた。
ダイヤモンドの耐集品が析出していた。 この棒によ
り、ガラス、石英板、タングステンカーハイI・、アル
ミナ、炭化珪素の表面に、文字、記号、線等を描いたと
ころ、明瞭にこれらの記号、文字等を読み取ることがで
きた。
また、に述の記述行為を頁間以上繰り返し行った後、釧
状物の先端を顕微鏡で観察したところ、何の変化もなく
、その後繰り返して使用することが充分可能であった。
状物の先端を顕微鏡で観察したところ、何の変化もなく
、その後繰り返して使用することが充分可能であった。
実施例3
9 一
実施例1と同様の形状のモリブデン製の棒を用い、使用
した化合物をアセI・ンI SCCMに変えた他は実施
例1と同様の操作を行った。
した化合物をアセI・ンI SCCMに変えた他は実施
例1と同様の操作を行った。
その結果、棒の先端乙こ実施例1と同様に、ダイヤモン
ドの微結晶が析出し、そのペンとしての機能および耐久
性は実施例1と同様に充分に満足すべきものであった。
ドの微結晶が析出し、そのペンとしての機能および耐久
性は実施例1と同様に充分に満足すべきものであった。
実施例4
実施例1と同様の形状のタンタル製の棒を用い、その他
は実施例1と同様の操作を行った。
は実施例1と同様の操作を行った。
その結果、棒の先端に実施例1と同様に、ダイヤモンド
の微結晶が析出し、そのペンとしての機能および耐久性
は実施例1と同様に充分に満足すべきものであった。
の微結晶が析出し、そのペンとしての機能および耐久性
は実施例1と同様に充分に満足すべきものであった。
[発明の効果1
本発明は、比較的簡単な装置と、メタン等の安価な材ネ
4を用いて、材料の一部の表面にのめダイヤモンIの微
結晶体を析出さセだペンであり、このペンはセラミック
スのような硬t 4J i4の表面に、どのような方向
にも記述できる届き ・読了のよい高硬度で安価な記述
貝で、その耐久性にも優れているため、極めて有用なも
のである。
4を用いて、材料の一部の表面にのめダイヤモンIの微
結晶体を析出さセだペンであり、このペンはセラミック
スのような硬t 4J i4の表面に、どのような方向
にも記述できる届き ・読了のよい高硬度で安価な記述
貝で、その耐久性にも優れているため、極めて有用なも
のである。
第1図は、実施例1によりタングステン捧の先端に析出
したダイヤモンド微結晶の結晶構造のSEM写真である
。 特許出願人 センI・ラル硝子株弐会社代理人
弁理士 坂 木 栄 −第 1 図
したダイヤモンド微結晶の結晶構造のSEM写真である
。 特許出願人 センI・ラル硝子株弐会社代理人
弁理士 坂 木 栄 −第 1 図
Claims (1)
- 少なくとも基材の先端部に、無配向性のダイヤモンド多
結晶体を、化学蒸着法により被着してなるペン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15155388A JPH01319680A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ダイヤモンドコートペン |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15155388A JPH01319680A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ダイヤモンドコートペン |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01319680A true JPH01319680A (ja) | 1989-12-25 |
Family
ID=15521038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15155388A Pending JPH01319680A (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | ダイヤモンドコートペン |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01319680A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0588887U (ja) * | 1992-05-14 | 1993-12-03 | マイクロエンジニアリング株式会社 | レンズ用マークペン |
CN104762607A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-08 | 浙江工业大学 | 一种单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15155388A patent/JPH01319680A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0588887U (ja) * | 1992-05-14 | 1993-12-03 | マイクロエンジニアリング株式会社 | レンズ用マークペン |
CN104762607A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-07-08 | 浙江工业大学 | 一种单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法 |
CN104762607B (zh) * | 2015-03-31 | 2017-04-12 | 浙江工业大学 | 一种单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法 |
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