JPH01319680A - ダイヤモンドコートペン - Google Patents

ダイヤモンドコートペン

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JPH01319680A
JPH01319680A JP15155388A JP15155388A JPH01319680A JP H01319680 A JPH01319680 A JP H01319680A JP 15155388 A JP15155388 A JP 15155388A JP 15155388 A JP15155388 A JP 15155388A JP H01319680 A JPH01319680 A JP H01319680A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base material
diamond
writing
pen
tip
Prior art date
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Pending
Application number
JP15155388A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Yanagii
楊井 清志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Central Glass Co Ltd
Original Assignee
Central Glass Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野] 本発明は、セラミックス、ガラス等の硬質+A料の表面
に印、文字、記号、線等を記すのに用いるペンに関し、
詳しくは針状体または棒状体の先端部分にダイヤモンド
の微結晶を被着したに記目的のペンに関する。
[従来技術および発明が解決しようとする課題]従来よ
り、ガラス、セラミックスなどの表面に印、文字、記号
等を書き記す道具として、様々なものが使用されている
(1)  最も一般的に使用されているものは、ダイヤ
モンドの単結晶を先端部に取り付け、ペンのような形に
したものであるが、単結晶のダイヤモンドには結晶自体
の有する面の方向性により滑り易い方向ができ、所望す
る線とは異なった傷をつりることになったり、また円な
どを描く場合は非常に描きにくいという問題点がある。
(2)  そのため、一つの工夫としてダイヤモンド単
結晶を研摩加工して先端部を丸くして方向性をなくして
いるが、先端部が丸くなったため従来の単結晶をそのま
ま使ったものに比べると、やはり傷つけにくくなってし
まう。
(3)  また、タングステンカーハイI・等の超硬材
料を先端部につけたものもあるが、これらはガラス、石
英等には使用可能であるが、アルミナ、炭化珪素等の硬
質材料には使用できないという問題点がある。
[問題を解決するだめの手段1 本発明は、上述のような現状において種り検耐を重ねた
結果、化学奈着法により鋭い頂角を有する複数個のダイ
ヤモンド徹結晶を先端部に被着することにより、セラミ
ックス等の表面に記述する際、どのような方向にも書き
易い記述具となることを見いだし、本発明に到達したも
のである。
ずなわぢ本発明は、少なくとも基材の先端部に、無配向
性のダイヤモンド多結晶体を、化学蒸着法により被着し
てなるペンである。
本発明で使用する基材として、種々の材料が考えられる
が、それらの中でタングステン、モリブデン、タンタル
等や、それらを含有する金属が析出するダイヤモンドと
の密着性もよいため、本発明の場合好ましい。
上述の材料は材料自身をそのまま用いてもよく、また他
の材料1例えば炭化珪素、アルミナタングステンカーハ
イIS等のセラミックスや鉄SUS等の金属材料の上に
CVD、PvD、スパッタリング等、種々の手段により
、十記タングステン等の+A料を被覆することによって
も目的を達成することができる。
また、これら基材先端の形状は、筆記に適したような形
状であればどのようなものでもかまわないが、先端を円
錐状に加工したものはその中でも書き易い形状の一つで
ある。
本発明で暴利上に化学蒸着する場合、その方法としては
いわゆるプラズマジェ、l、法、E A CV +〕法
、熱フイラメント法、ブラスマ法等、種々のものが通用
できるが、熱フイラメント法とプラズマ法で行うのがよ
り好ましく、その条件は以下に述べるようなものである
ます熱フイラメント法では、反応器内に、タングステン
、クンタル、モリブデン、レニウ1、等の高融点金属も
しくはこれらの金属を含有する金属よりなるフィラメン
トを設置し、これよりガス下流側05〜30mm離れた
場所に基材を置く。反応に供する原料のうち、炭素源と
してはメタン、エタン、プロパン、ブタン、エチレン、
プロピレン、アセチレン等の飽和または不飽和炭化水素
、メタノール、エタノール、プ1コバノール、ブクノー
ル、アセトン、メチルエチルケトン等の含酸素有機化合
物を使用することができ、特にメタン、エタノール、ア
セトンが好ましい。
一方稀釈ガスとしては水素を用いるが、その他、反応系
に水、酸素、−酸化炭素、−酸化窒素等の含酸素物質を
添加することもできる。
導入原料全体に占める炭素源化合物の比率は0、1−5
0volχであるが、好ましくは0.5〜]、0vol
Zである。炭素源の比率が低すぎる場合、成膜速度が非
常に遅くなり、−力比率が高すぎるとダイヤモンドが生
成しにくくなる。
反応容器内の圧力は、10〜800Torrに保つ必要
があり、好ましくは300〜7601’orrである。
圧力が1.OT o r rより低い場合、結晶の成長
速度が遅すぎて実用的でなく、一方圧力が800Tor
rより高い場合、ml圧強度が要求されるため、装置が
高価となり好ましくない。
フィラメンl−には、交流または直流電圧を印加して、
温度が1800°C以上、好ましくは2000’C以−
にになるように加熱し、同時に基材の温度を600〜1
100’C1好ましくは800〜900°Cに保つよう
に加熱を行う。
= 5− フィラメントの温度が低ずぎると、原料ガスの分解が不
充分で目的とするダイヤモンドが析出しにくく、また基
材の温度が低ずぎるとダイヤモンドとは異なる炭素膜が
生成し、一方基材の温度が高すぎると、基材へのダイヤ
モンドの生成が妨げられる。
反応時間は10分〜5時間が必要で、反応終了時にはフ
ィラメントに近い部分に、最も大きいもので20〜30
μmの校長を有するダイヤモンド微結晶が凝集状態で析
出する。
次に、プラズマ法においてはマイクロ波を用いることに
より以下の方法で行う。
反応管は直径4 (l m mの石英管を使用し、中央
部に基材を設置し、この部分るこプラズマが発生ずるよ
うに、導波管を通してマイクロ波を投入する。原料、稀
釈ガスは熱フイラメント法の場合と同様である。
反応時の圧力は、10〜100Torrの範囲、好まし
くは20〜50Torrがよく、マイクロ波電力を]、
、 OO〜1、000 Wの範囲で調節し、基材温度が
600〜1100°C1好ましくは800〜900°C
となるようにする。
圧力が上記の範囲を外れた場合は、プラズマが安定した
状態を保ちに<<、基材温度については、熱フィラメン
ト法と同じく、上記範囲外ではダイヤモンドが生成しに
くい。
この条件により、30分から10時間後、熱フイラメン
ト法と同様のダイA・モンド微結晶が析出する。
旧述のような方法によって金属表面に析出したダイヤモ
ンド多結晶体は、個々の結晶に配向性が無く、少なくと
も5μm以上の粒子を複数個含んでおり、鋭い稜を有し
ているため、記述時にどのような方向にも書き易く、ま
た基材と析出した結晶との結合力が強いため、長間間の
使用においても結晶の剥離、欠落等がなく、耐久性に優
れるものである。
第1図にG4、熱フイラメント法により析出したダイヤ
士ント微結晶の結晶構造のSEM写真を承ず。
[実施例」 以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明は係る実施例に限定されるものではない。
実施例1 ガラス反応管に、先端を60度の円錐状に加工した直径
1mmのタングステン棒を、タングステンフィラメント
から1mm離して設置した。
常圧でエタノールlsc[’M、水素99SCCMを反
応管に導入し、フィラメン]・を杓2000’Cで1時
間保持した。この操作により、材料先端の円11(状部
分−面に、ダイヤモンドの微結晶が多数析出した。この
時の析出ダイヤモンドの結晶構造のSEX写真を第1し
1に示す。
このタングステン棒で、ガラス、石英板、タングステン
カーハイI・、アルミナ、炭化珪素の表面に、文字、記
号、線等を描いたところ、明瞭にこれらの記号、文字等
をB’A h取ることができた。 また、上述の記述行
為を頁間以上繰り返し4jっだ後、il状物の先端を顕
微鏡で観察したところ、何の変化もなく、その後繰り返
して使用することが充分可能であった。
実施例2 直径40 m mの石英管の中央に、先端を90度の円
錐状にした直径1mmのタングステン製の棒を尖端を原
料ガスの」1流に向iJて置く。
原料ガスとして、メタンISCCM  水素99 S 
CCMで導入し、反応管を30Torrに保ちながらマ
イクロ波電力300tJを投入した。この時の基材温度
は約800 ’Cであった。
2時間の反応後、取り出したタングステン棒の先端には
ダイヤモンドの耐集品が析出していた。  この棒によ
り、ガラス、石英板、タングステンカーハイI・、アル
ミナ、炭化珪素の表面に、文字、記号、線等を描いたと
ころ、明瞭にこれらの記号、文字等を読み取ることがで
きた。
また、に述の記述行為を頁間以上繰り返し行った後、釧
状物の先端を顕微鏡で観察したところ、何の変化もなく
、その後繰り返して使用することが充分可能であった。
実施例3 9 一 実施例1と同様の形状のモリブデン製の棒を用い、使用
した化合物をアセI・ンI SCCMに変えた他は実施
例1と同様の操作を行った。
その結果、棒の先端乙こ実施例1と同様に、ダイヤモン
ドの微結晶が析出し、そのペンとしての機能および耐久
性は実施例1と同様に充分に満足すべきものであった。
実施例4 実施例1と同様の形状のタンタル製の棒を用い、その他
は実施例1と同様の操作を行った。
その結果、棒の先端に実施例1と同様に、ダイヤモンド
の微結晶が析出し、そのペンとしての機能および耐久性
は実施例1と同様に充分に満足すべきものであった。
[発明の効果1 本発明は、比較的簡単な装置と、メタン等の安価な材ネ
4を用いて、材料の一部の表面にのめダイヤモンIの微
結晶体を析出さセだペンであり、このペンはセラミック
スのような硬t 4J i4の表面に、どのような方向
にも記述できる届き ・読了のよい高硬度で安価な記述
貝で、その耐久性にも優れているため、極めて有用なも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、実施例1によりタングステン捧の先端に析出
したダイヤモンド微結晶の結晶構造のSEM写真である
。 特許出願人  センI・ラル硝子株弐会社代理人   
弁理士  坂 木 栄 −第  1  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 少なくとも基材の先端部に、無配向性のダイヤモンド多
    結晶体を、化学蒸着法により被着してなるペン。
JP15155388A 1988-06-20 1988-06-20 ダイヤモンドコートペン Pending JPH01319680A (ja)

Priority Applications (1)

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JP15155388A JPH01319680A (ja) 1988-06-20 1988-06-20 ダイヤモンドコートペン

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0588887U (ja) * 1992-05-14 1993-12-03 マイクロエンジニアリング株式会社 レンズ用マークペン
CN104762607A (zh) * 2015-03-31 2015-07-08 浙江工业大学 一种单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0588887U (ja) * 1992-05-14 1993-12-03 マイクロエンジニアリング株式会社 レンズ用マークペン
CN104762607A (zh) * 2015-03-31 2015-07-08 浙江工业大学 一种单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法
CN104762607B (zh) * 2015-03-31 2017-04-12 浙江工业大学 一种单颗粒层纳米金刚石薄膜及其制备方法

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