JPH01308944A - 蛍光性微粒子分析装置 - Google Patents
蛍光性微粒子分析装置Info
- Publication number
- JPH01308944A JPH01308944A JP63139767A JP13976788A JPH01308944A JP H01308944 A JPH01308944 A JP H01308944A JP 63139767 A JP63139767 A JP 63139767A JP 13976788 A JP13976788 A JP 13976788A JP H01308944 A JPH01308944 A JP H01308944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- fluorescent
- liquid
- light beam
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 45
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 38
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 12
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- -1 Argon ion Chemical class 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 6
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWXMGUDVXFXRIG-NAOJVREFSA-N (4s,4as,5as,12ar)-4-(dimethylamino)-1,6,10,11,12a-pentahydroxy-6-methyl-3,12-dioxo-4,4a,5,5a-tetrahydrotetracene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2C(O)(C)[C@H]3C[C@H]4[C@H](N(C)C)C(=O)C(C(N)=O)=C(O)[C@@]4(O)C(=O)C3=C(O)C2=C1O NWXMGUDVXFXRIG-NAOJVREFSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000860173 Myxococcus xanthus C-factor Proteins 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 210000000601 blood cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000003759 clinical diagnosis Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- ZMMJGEGLRURXTF-UHFFFAOYSA-N ethidium bromide Chemical compound [Br-].C12=CC(N)=CC=C2C2=CC=C(N)C=C2[N+](CC)=C1C1=CC=CC=C1 ZMMJGEGLRURXTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005542 ethidium bromide Drugs 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- CFCUWKMKBJTWLW-BKHRDMLASA-N mithramycin Chemical compound O([C@@H]1C[C@@H](O[C@H](C)[C@H]1O)OC=1C=C2C=C3C[C@H]([C@@H](C(=O)C3=C(O)C2=C(O)C=1C)O[C@@H]1O[C@H](C)[C@@H](O)[C@H](O[C@@H]2O[C@H](C)[C@H](O)[C@H](O[C@@H]3O[C@H](C)[C@@H](O)[C@@](C)(O)C3)C2)C1)[C@H](OC)C(=O)[C@@H](O)[C@@H](C)O)[C@H]1C[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](C)O1 CFCUWKMKBJTWLW-BKHRDMLASA-N 0.000 description 1
- ZDWVWKDAWBGPDN-UHFFFAOYSA-O propidium Chemical compound C12=CC(N)=CC=C2C2=CC=C(N)C=C2[N+](CCC[N+](C)(CC)CC)=C1C1=CC=CC=C1 ZDWVWKDAWBGPDN-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume, or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Electro-optical investigation, e.g. flow cytometers
- G01N15/1456—Electro-optical investigation, e.g. flow cytometers without spatial resolution of the texture or inner structure of the particle, e.g. processing of pulse signals
- G01N15/1459—Electro-optical investigation, e.g. flow cytometers without spatial resolution of the texture or inner structure of the particle, e.g. processing of pulse signals the analysis being performed on a sample stream
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume, or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Electro-optical investigation, e.g. flow cytometers
- G01N15/1434—Electro-optical investigation, e.g. flow cytometers using an analyser being characterised by its optical arrangement
- G01N2015/1438—Using two lasers in succession
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、免疫学、細胞工学、臨床診断等の分野に使用
される70−サイトメーダ(Flow cyto−me
ter)やセルソータ(Cell 5orter) ノ
ような、g!。
される70−サイトメーダ(Flow cyto−me
ter)やセルソータ(Cell 5orter) ノ
ような、g!。
体中の血球や細胞等の本来蛍光発光性を有するかまたは
蛍光発光性を有するように処理が施された微粒子(以後
この微粒子を蛍光性微粒子ということがある)の種類や
性状等を分析する装f、%に小形なため取り扱いが容易
でかつ保守作業の頻度が少ない蛍光性微粒子分析装置に
関する。
蛍光発光性を有するように処理が施された微粒子(以後
この微粒子を蛍光性微粒子ということがある)の種類や
性状等を分析する装f、%に小形なため取り扱いが容易
でかつ保守作業の頻度が少ない蛍光性微粒子分析装置に
関する。
第6図は従来の蛍光性微粒子分析装置の構成図である。
図において,1は蛍光性微粒子2を含んで流動する被測
定液3をレーザビーム1aで連続的に照射するようにし
た投光部、4はレーザビーム1aで被測定液3が照射さ
れることによつ″CC液液3中蛍光性微粒子2から出射
されるビーム1aの散乱光5を受光し℃この結果に応じ
た受光信号4aを出力する散乱光受光部で、6は被測定
液3がビーム1aで照射されることによって該被測定液
3中の微粒子2から出射されろ蛍光7を受光し℃この結
果に応じた受光信号6aな出力する蛍光受光部である。
定液3をレーザビーム1aで連続的に照射するようにし
た投光部、4はレーザビーム1aで被測定液3が照射さ
れることによつ″CC液液3中蛍光性微粒子2から出射
されるビーム1aの散乱光5を受光し℃この結果に応じ
た受光信号4aを出力する散乱光受光部で、6は被測定
液3がビーム1aで照射されることによって該被測定液
3中の微粒子2から出射されろ蛍光7を受光し℃この結
果に応じた受光信号6aな出力する蛍光受光部である。
勿論、この場合、散乱光5はビーム1aと同じ波長の光
であり蛍光7はビーム1aとは異なる波長の光であるの
で、受光!l(6には蛍光7を選択する光学フィルタが
設けられ1いろ。
であり蛍光7はビーム1aとは異なる波長の光であるの
で、受光!l(6には蛍光7を選択する光学フィルタが
設けられ1いろ。
8は信号4aと6aとが入力されこれらの両人力信号に
つい工所定の信号処理を行つ℃微粒子2に対する所望の
分析を行うようにした分析g11.9は被測定液3を除
(図示の各部からなる蛍光性微粒子分析装置である。
つい工所定の信号処理を行つ℃微粒子2に対する所望の
分析を行うようにした分析g11.9は被測定液3を除
(図示の各部からなる蛍光性微粒子分析装置である。
さ″C1分析装R9は上述のように構成され℃いるが、
一般に、このような蛍光性微粒子から出射される蛍光を
利用する装置では微粒子を照射する光が短波長である程
強い蛍光が得られて受光信号6aのSN比が向上するの
で、第5図の場合レーザビーム1aの波長を短くすると
各種の分析に好都合である。このため1分析装置9にお
い工は。
一般に、このような蛍光性微粒子から出射される蛍光を
利用する装置では微粒子を照射する光が短波長である程
強い蛍光が得られて受光信号6aのSN比が向上するの
で、第5図の場合レーザビーム1aの波長を短くすると
各種の分析に好都合である。このため1分析装置9にお
い工は。
投光部1とし′C,通常、488(nm)または515
(nm)のレーザ光を出射するアルゴンイオンレーf−
? 590 [nm)のレーザ光を出射するアルゴンイ
オンレーザ励起の色素レーザなどが用いられている。ま
た、上述した蛍光性微粒子2は、測定対象の顕微粒子が
本来蛍光発光性を持っていない場合、F T I C(
fluorescein 1sothiocyanat
e) 。
(nm)のレーザ光を出射するアルゴンイオンレーf−
? 590 [nm)のレーザ光を出射するアルゴンイ
オンレーザ励起の色素レーザなどが用いられている。ま
た、上述した蛍光性微粒子2は、測定対象の顕微粒子が
本来蛍光発光性を持っていない場合、F T I C(
fluorescein 1sothiocyanat
e) 。
E B (ethidium bromide) 、
P I (propidium 1odide) 、M
I (mithramycine) 、A O(ac
ridine orange)等の蛍光発光性物質で上
記の顕微粒子を染色したり、あるいは上記の蛍光発光性
物質と顕微粒子とを特異的に結合させたりL毛蛍光発光
性が形成さt1″Cおり、このような処理が施された蛍
光性微粒子は上述のレーザ光源で照射されろと波長40
0〜700Cnm)の間にピーク波長があり1士100
(:nm)程度の半値幅を有する蛍光を出射するのが
一般的となり1いる。
P I (propidium 1odide) 、M
I (mithramycine) 、A O(ac
ridine orange)等の蛍光発光性物質で上
記の顕微粒子を染色したり、あるいは上記の蛍光発光性
物質と顕微粒子とを特異的に結合させたりL毛蛍光発光
性が形成さt1″Cおり、このような処理が施された蛍
光性微粒子は上述のレーザ光源で照射されろと波長40
0〜700Cnm)の間にピーク波長があり1士100
(:nm)程度の半値幅を有する蛍光を出射するのが
一般的となり1いる。
上述したように、従来の蛍光性微粒子分析装置9におい
℃は投光部lに連続発振のアルゴンイオンレーザ装置や
アルゴンイオンレーザ励起の色素レーザ装置が用いられ
ている。ところが、この場合に採用され℃いるアルゴン
イオンレーザ装置では、SN比の高い蛍光や散乱光を得
るために非常に強い強度のレーザビームを連続的に出射
しなければならないので1通常1発振器が1〔m3以上
の長さを有し℃おりまた総重量も60〜100 Ckg
)に違し℃い℃、レーザ装置が非常に大形となっている
。したかつ−C,分析装置9には装置全体の形状が大形
になつ工取り扱いに不便であるという問題点がある。ま
た1分析装置9の場合、アルゴンイオンレーザ発損器の
プラズマチ^−ブの寿命が連続発振のため4000〜5
000時間と短くなつ℃い′c、このためプラズマチ^
−ブの交換頻度が高いので保守作業が煩雑であるという
問題点もある。
℃は投光部lに連続発振のアルゴンイオンレーザ装置や
アルゴンイオンレーザ励起の色素レーザ装置が用いられ
ている。ところが、この場合に採用され℃いるアルゴン
イオンレーザ装置では、SN比の高い蛍光や散乱光を得
るために非常に強い強度のレーザビームを連続的に出射
しなければならないので1通常1発振器が1〔m3以上
の長さを有し℃おりまた総重量も60〜100 Ckg
)に違し℃い℃、レーザ装置が非常に大形となっている
。したかつ−C,分析装置9には装置全体の形状が大形
になつ工取り扱いに不便であるという問題点がある。ま
た1分析装置9の場合、アルゴンイオンレーザ発損器の
プラズマチ^−ブの寿命が連続発振のため4000〜5
000時間と短くなつ℃い′c、このためプラズマチ^
−ブの交換頻度が高いので保守作業が煩雑であるという
問題点もある。
本発明の目的は、上述した投光部の光源を小形かつ長寿
命にすることができろようにし℃、取り扱いが容易でか
つ保守作業頻度の少ない蛍光性微粒子分析装置を得ろこ
とにある。
命にすることができろようにし℃、取り扱いが容易でか
つ保守作業頻度の少ない蛍光性微粒子分析装置を得ろこ
とにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的達成のため、本発明によれば、流動する被測定
液な第1照射点におい″C第1光ビームで連続し℃照射
する第1投光部と、前記被測定液が前記第1光ビームで
照射さ4ろことによつ″C該被測定液中の蛍光性微粒子
から出射さiる該第1光ビームの散乱光を受光し℃この
結果に応じた第1受光信号を出力する第1受光部と、前
記被測定液におけろ前記al照射点よりも下流の第2照
射点において前記被測定液を第2光ビームでパルス状に
照射する第2投光部と、前記被測定液が前記第2yt、
ビームで照射されることによつ″C該被測定液中の前記
蛍光性微粒子から出射さ11.b該第2光ビームの散乱
光を受光し℃この結果に応じた第2受光fS号を出力す
る第2受光部と、前記被測定液が前記第2光ビームで照
射されろことによつ″C前記被副側液中の前記蛍光性微
粒子から出射される蛍光を受光し℃この結果に応じた第
3受光信号を出力する第3受光部とを備え、前記第2及
び第3受光信号を用いてAtI紀蛍光性微粒子の分析を
行う蛍光性微粒子分析装置であつて、前記第2投光ff
lは前記第1受光偏号が出力された後所定の時間経過毒 後前記第2ビームを出射するように蛍光性微粒子分析装
置を構成するものとする。
液な第1照射点におい″C第1光ビームで連続し℃照射
する第1投光部と、前記被測定液が前記第1光ビームで
照射さ4ろことによつ″C該被測定液中の蛍光性微粒子
から出射さiる該第1光ビームの散乱光を受光し℃この
結果に応じた第1受光信号を出力する第1受光部と、前
記被測定液におけろ前記al照射点よりも下流の第2照
射点において前記被測定液を第2光ビームでパルス状に
照射する第2投光部と、前記被測定液が前記第2yt、
ビームで照射されることによつ″C該被測定液中の前記
蛍光性微粒子から出射さ11.b該第2光ビームの散乱
光を受光し℃この結果に応じた第2受光fS号を出力す
る第2受光部と、前記被測定液が前記第2光ビームで照
射されろことによつ″C前記被副側液中の前記蛍光性微
粒子から出射される蛍光を受光し℃この結果に応じた第
3受光信号を出力する第3受光部とを備え、前記第2及
び第3受光信号を用いてAtI紀蛍光性微粒子の分析を
行う蛍光性微粒子分析装置であつて、前記第2投光ff
lは前記第1受光偏号が出力された後所定の時間経過毒 後前記第2ビームを出射するように蛍光性微粒子分析装
置を構成するものとする。
上記のように構成すると、第1照射点に蛍光性微粒子が
到来したことを第1受光部で検出するとこの微粒子に第
2照射点で強い第2光ビームが照射されて、その結果、
第2及び第3受光信号を用いて従来の分析装置における
と同様な分析が行われることになり、この場合、第1光
ビームは連続的に出射されろものの蛍光性微粒子の存在
が検出できる程度であればそれ以上に強い強度である必
要はなく、また第2光ビームは強い瞬時強度を有しτい
ればパルス状でもよいので、結局、この場合、第1及び
第2投光部には小形でかつ寿命の長い半導体レーザやH
e−Neレーザが使用できることになる。したかつ1:
1上記のように構成すると、小形に構成できるため覗り
扱いが容易で、かつ保守作業頻度の少ない蛍光性微粒子
分析装置が得られろことになる。
到来したことを第1受光部で検出するとこの微粒子に第
2照射点で強い第2光ビームが照射されて、その結果、
第2及び第3受光信号を用いて従来の分析装置における
と同様な分析が行われることになり、この場合、第1光
ビームは連続的に出射されろものの蛍光性微粒子の存在
が検出できる程度であればそれ以上に強い強度である必
要はなく、また第2光ビームは強い瞬時強度を有しτい
ればパルス状でもよいので、結局、この場合、第1及び
第2投光部には小形でかつ寿命の長い半導体レーザやH
e−Neレーザが使用できることになる。したかつ1:
1上記のように構成すると、小形に構成できるため覗り
扱いが容易で、かつ保守作業頻度の少ない蛍光性微粒子
分析装置が得られろことになる。
第1図は本発明の一実施例の構成図である。図において
、10は蛍光性微粒子2を含んだ被測定液3が収容され
た密閉試料容器、 11はシース液と呼ばれる電解質
溶液12が収容された密閉シース液容器で、シース液1
2は微粒子を含まないように精製さh”cいろ。容器I
O及び11はそれぞれ圧力調整器13.14を介し℃窒
素ガス15が導入されろことによって被測定液3及びシ
ース液12をそれぞれ試料管16及びセル17に圧送す
るように構成され℃おり、この圧送は圧力調整器13.
14の各作用で定流量で行われるようになっている。1
8は試料管16とセル17とからなり、これらに導入さ
れた被測定液3とシース12とを1図示の構成によつc
、10〜40〔μm〕程度の直径を有する被測定液3か
らなる円柱状試料流19と、この試料流19を同軸状に
取り巻く外径50〜100〔μm18fのM状に形成さ
れたシース液12からなろシース流2oと、で構成さね
だ液流21とし″C流出させるようにした液流形成装置
で、この場合、液流21の流速は10(:m/3)程度
となりτいる。また、この場合、シース流2゜は試料流
19に層流状態を保たせるために設けられ℃いる。
、10は蛍光性微粒子2を含んだ被測定液3が収容され
た密閉試料容器、 11はシース液と呼ばれる電解質
溶液12が収容された密閉シース液容器で、シース液1
2は微粒子を含まないように精製さh”cいろ。容器I
O及び11はそれぞれ圧力調整器13.14を介し℃窒
素ガス15が導入されろことによって被測定液3及びシ
ース液12をそれぞれ試料管16及びセル17に圧送す
るように構成され℃おり、この圧送は圧力調整器13.
14の各作用で定流量で行われるようになっている。1
8は試料管16とセル17とからなり、これらに導入さ
れた被測定液3とシース12とを1図示の構成によつc
、10〜40〔μm〕程度の直径を有する被測定液3か
らなる円柱状試料流19と、この試料流19を同軸状に
取り巻く外径50〜100〔μm18fのM状に形成さ
れたシース液12からなろシース流2oと、で構成さね
だ液流21とし″C流出させるようにした液流形成装置
で、この場合、液流21の流速は10(:m/3)程度
となりτいる。また、この場合、シース流2゜は試料流
19に層流状態を保たせるために設けられ℃いる。
22は、連続見損ヲ行っ℃レーザ光23aを出射するレ
ーザ見損器23と、レーザ光23aを集束して第1光ビ
ームとし℃のレーザビーム25を出射するようにした集
束レンズ系24とからなり。
ーザ見損器23と、レーザ光23aを集束して第1光ビ
ームとし℃のレーザビーム25を出射するようにした集
束レンズ系24とからなり。
レーザビーム25で、試料流19の第1照射点26にお
い℃、該試料流19を該試料流19に垂直にかつ連続的
に照射するようにした第1投光部、27は試料流19が
レーザビーム25で照射されることによ2″にの試料流
19中の蛍光性微粒子2から出射されるビーム25の散
乱光28を受光し℃この受光結果に応じた第1受光信号
27aを出方する第1受光部で、この受光部27は、散
乱光28を集光する集光レンズ29と、レンズ29で集
光された散乱光?受光し1:電気伽号とし工の第1受光
信号27aを出力する光電変換器3oと、変換器30の
受光視野を制限し℃迷光の入射を防止するアパーチャ3
1と、液流21を透過したレーザビーム25の透過光を
吸収し℃受光1号27aに迷光の影響が出ないようにす
るビームストッパ32とで構成され℃いる。33は第1
投光!1122と第1受光部27とからなる第1光学系
である。
い℃、該試料流19を該試料流19に垂直にかつ連続的
に照射するようにした第1投光部、27は試料流19が
レーザビーム25で照射されることによ2″にの試料流
19中の蛍光性微粒子2から出射されるビーム25の散
乱光28を受光し℃この受光結果に応じた第1受光信号
27aを出方する第1受光部で、この受光部27は、散
乱光28を集光する集光レンズ29と、レンズ29で集
光された散乱光?受光し1:電気伽号とし工の第1受光
信号27aを出力する光電変換器3oと、変換器30の
受光視野を制限し℃迷光の入射を防止するアパーチャ3
1と、液流21を透過したレーザビーム25の透過光を
吸収し℃受光1号27aに迷光の影響が出ないようにす
るビームストッパ32とで構成され℃いる。33は第1
投光!1122と第1受光部27とからなる第1光学系
である。
第1図におい工は第1光学系33が上述のように構成さ
れ工いろが、光学系33には、受光部27の光軸がレー
ザビーム250光軸に一致し℃いる前方散乱光受光方式
と、受光部27の光軸がビーム25の光軸と交差し℃い
ろ側方散乱光受光方式とがあり1通常、側方散乱光受光
方式の場合、光学系33ではビーム25の光軸と受光部
270光軸と液流21の軸線とが互いに直交するように
構成され疋いろ。そうし″C1第1図においてを工、前
方散乱光受光方式の場合、散乱光28の強度が強いので
、1光電変換器30にはホトダイオードな採用しており
、また、レーザ発振器23には、780(nm)または
750〔nm〕の波長を有するレーザ光23aを出射す
る出力15〜20Cmw)程度の連続発振半導体レーザ
な採用するか、または633(:nm)の波長のレーザ
光23aを出射する出力5Cm w )程度の連続見損
He−Neレーザを採用し℃いる。したかつC,この場
合、レーザ発振器23が小形に形成されかつ長寿命とな
ることが明らかである。第1図において、光学系33を
側方散乱光受光方式とした場合、散乱光28の強度が弱
くなるので、レーザ発振器23に上述のHe−Neレー
ザを用い工光電変換器30には光電子増倍管な用いるが
、この場合も矢張りレーザ発振器23が小形かつ長寿命
になることは前方散乱光受光方式の場合と同様である。
れ工いろが、光学系33には、受光部27の光軸がレー
ザビーム250光軸に一致し℃いる前方散乱光受光方式
と、受光部27の光軸がビーム25の光軸と交差し℃い
ろ側方散乱光受光方式とがあり1通常、側方散乱光受光
方式の場合、光学系33ではビーム25の光軸と受光部
270光軸と液流21の軸線とが互いに直交するように
構成され疋いろ。そうし″C1第1図においてを工、前
方散乱光受光方式の場合、散乱光28の強度が強いので
、1光電変換器30にはホトダイオードな採用しており
、また、レーザ発振器23には、780(nm)または
750〔nm〕の波長を有するレーザ光23aを出射す
る出力15〜20Cmw)程度の連続発振半導体レーザ
な採用するか、または633(:nm)の波長のレーザ
光23aを出射する出力5Cm w )程度の連続見損
He−Neレーザを採用し℃いる。したかつC,この場
合、レーザ発振器23が小形に形成されかつ長寿命とな
ることが明らかである。第1図において、光学系33を
側方散乱光受光方式とした場合、散乱光28の強度が弱
くなるので、レーザ発振器23に上述のHe−Neレー
ザを用い工光電変換器30には光電子増倍管な用いるが
、この場合も矢張りレーザ発振器23が小形かつ長寿命
になることは前方散乱光受光方式の場合と同様である。
He−Neレーザの場合、半導体レーザに比べ1出力が
小さくなるのは1発振波長が短いため散乱光強度が強(
なるからである。
小さくなるのは1発振波長が短いため散乱光強度が強(
なるからである。
第1図におい℃、34は、試料流19における前述の第
1照射点26よりも下流の第2照射点35において:、
該試料流19を第2光ビーム36で試料流19に垂直に
所定時間幅τのパルス状に照射するようにした第2投光
部、37は試料流19が第2光ビーム36で照射される
ことによつ″C#試料流19中の蛍光性微粒子2から出
射されろ該光ビーム36の側方散乱光38を受光してこ
の結果に応じた第2受光信号37aを出力するようにし
た第2受光部で% 39は試料流19が光ビーム36で
照射されろことによつ″C該試料流19中の蛍光性微粒
子2から出射されろ蛍光40を受光してこの結果に応じ
た第3受光偏号39aを出力するようにした第3受光部
である。第3受光部39は。
1照射点26よりも下流の第2照射点35において:、
該試料流19を第2光ビーム36で試料流19に垂直に
所定時間幅τのパルス状に照射するようにした第2投光
部、37は試料流19が第2光ビーム36で照射される
ことによつ″C#試料流19中の蛍光性微粒子2から出
射されろ該光ビーム36の側方散乱光38を受光してこ
の結果に応じた第2受光信号37aを出力するようにし
た第2受光部で% 39は試料流19が光ビーム36で
照射されろことによつ″C該試料流19中の蛍光性微粒
子2から出射されろ蛍光40を受光してこの結果に応じ
た第3受光偏号39aを出力するようにした第3受光部
である。第3受光部39は。
蛍光40を含む光ビーム36の散乱光を集光する集光レ
ンズ41と、レンズ41で集光された散乱光のうち蛍光
40のみを透過させろ光学フィルタ42と、フィルタ4
2を透過した蛍光40を受光し″C電気信号とじ℃の第
3受光信号39aに変換する光電子増倍管43と、増倍
管43の受光視野を限定して迷光の入射を防止するアパ
ーチャ44と、液流21を透過した光ビーム36の透過
光を吸収するビームストッパ45とで構成され℃いC1
この場合、第2受光部37と第3受光部39とは各光軸
h1一致するように対向配置され、かつ両受光VA37
.39の光軸が光ビーム36の光軸及び液流21の軸線
の双方に直交するように構成され工いろ。なお1図示し
工いないが、第2受光部37には、散乱光38に含まれ
る上述の蛍光40を除去し1:、光ビーム36と同一の
波長の散乱光による第2受光偏号37aが得られるよう
にする光学フィルタが設けもれ工いる。46は受光信号
27aと37aと39aとが入力され、信号37aと3
98とを用い℃所定の信号処理を行つ℃蛍光性微粒子2
に対する所望の分析を行うと共に、第1受光信号27a
を構成する電気パルスが入力されるごとに所定の信@態
様の発光指命信号46aを出力するようにした信号処理
部で%第2投光部34は指令信号46aが入力されると
後述する所定時間経過後前述した時間幅τのパルスA、
−ム36を出射するようになっている。
ンズ41と、レンズ41で集光された散乱光のうち蛍光
40のみを透過させろ光学フィルタ42と、フィルタ4
2を透過した蛍光40を受光し″C電気信号とじ℃の第
3受光信号39aに変換する光電子増倍管43と、増倍
管43の受光視野を限定して迷光の入射を防止するアパ
ーチャ44と、液流21を透過した光ビーム36の透過
光を吸収するビームストッパ45とで構成され℃いC1
この場合、第2受光部37と第3受光部39とは各光軸
h1一致するように対向配置され、かつ両受光VA37
.39の光軸が光ビーム36の光軸及び液流21の軸線
の双方に直交するように構成され工いろ。なお1図示し
工いないが、第2受光部37には、散乱光38に含まれ
る上述の蛍光40を除去し1:、光ビーム36と同一の
波長の散乱光による第2受光偏号37aが得られるよう
にする光学フィルタが設けもれ工いる。46は受光信号
27aと37aと39aとが入力され、信号37aと3
98とを用い℃所定の信号処理を行つ℃蛍光性微粒子2
に対する所望の分析を行うと共に、第1受光信号27a
を構成する電気パルスが入力されるごとに所定の信@態
様の発光指命信号46aを出力するようにした信号処理
部で%第2投光部34は指令信号46aが入力されると
後述する所定時間経過後前述した時間幅τのパルスA、
−ム36を出射するようになっている。
次に、第1図における差部の動作を第2図を参照して説
明する。すなわち、第1図においCは。
明する。すなわち、第1図においCは。
各部が上述のように構成され毛いるので、試料管16に
注入された蛍光性微粒子2が試料流19と共に流下し″
c第1光ビーム25を横切ると散乱光28がパルス状に
出射されt、その留果元電変換器30が出力する第1受
光信@27 a I:は第2図に示したような電気パル
ス47が現れろ。そうし11元ビーム25を横切った微
粒子2がさらに流下した時、既に、この微粒子2により
″C横切られるように第2光ビーム36が出射さt1工
いたとすると、この場合も矢張り、微粒子2が光ビーム
36を横切ろことによつ℃散乱光38及び蛍光40がパ
ルス状に出射されるので、光電子増倍管43が出力する
第3受光信号39aには第2図に示したような電気パル
ス48が現れる。また、第2受光部37が出力する第2
受光信号37aにも電気パルス48と同じ時間幅を有す
る電気パルスが現れろ。そうし″C1信号処理部46は
このような信号27a及び39aに現れろ電気パルスを
用い℃上述の分析動作を行うように構成され1いるので
、信号処理部46のこの分析動作によつ℃微粒子2の種
類や性状等が判明することになる。
注入された蛍光性微粒子2が試料流19と共に流下し″
c第1光ビーム25を横切ると散乱光28がパルス状に
出射されt、その留果元電変換器30が出力する第1受
光信@27 a I:は第2図に示したような電気パル
ス47が現れろ。そうし11元ビーム25を横切った微
粒子2がさらに流下した時、既に、この微粒子2により
″C横切られるように第2光ビーム36が出射さt1工
いたとすると、この場合も矢張り、微粒子2が光ビーム
36を横切ろことによつ℃散乱光38及び蛍光40がパ
ルス状に出射されるので、光電子増倍管43が出力する
第3受光信号39aには第2図に示したような電気パル
ス48が現れる。また、第2受光部37が出力する第2
受光信号37aにも電気パルス48と同じ時間幅を有す
る電気パルスが現れろ。そうし″C1信号処理部46は
このような信号27a及び39aに現れろ電気パルスを
用い℃上述の分析動作を行うように構成され1いるので
、信号処理部46のこの分析動作によつ℃微粒子2の種
類や性状等が判明することになる。
第1図においCは信号処理部46が上述のように動作す
るので、第1照射点26と8g2照射点35との間の距
離なり、第2照射点35における光ビーム36の幅をW
2.微粒子2の速度をその変動も考えτV±ΔVとした
場合、微粒子2が照射点26に到達した時刻tQから(
1)式で表さ名る時間TIを経過した時刻t1で第2投
光部34から光ビーム36を出射させ′C1時刻toか
ら(2)式で表される時間T、を経過した時刻t2で光
ビーム36を消滅させるようにし工も微粒子2の分析を
行うことができることは明らかである。
るので、第1照射点26と8g2照射点35との間の距
離なり、第2照射点35における光ビーム36の幅をW
2.微粒子2の速度をその変動も考えτV±ΔVとした
場合、微粒子2が照射点26に到達した時刻tQから(
1)式で表さ名る時間TIを経過した時刻t1で第2投
光部34から光ビーム36を出射させ′C1時刻toか
ら(2)式で表される時間T、を経過した時刻t2で光
ビーム36を消滅させるようにし工も微粒子2の分析を
行うことができることは明らかである。
Tt −(L−Wt/2)/(V+Δv) 、、、、
、、(11T! =(L+Wt/z)/(V−ΔV )
−・・−・(Zこのため、第1図においCは、第1
受光部27の出刃信号27aに電気パルス47が現れる
と信号処理部46から起動信号46aが出力されて。
、、(11T! =(L+Wt/z)/(V−ΔV )
−・・−・(Zこのため、第1図においCは、第1
受光部27の出刃信号27aに電気パルス47が現れる
と信号処理部46から起動信号46aが出力されて。
この結果、第2投光部34が時刻tt=(to+’r。
−ΔT)で元ビーム36を出射し工時側t2==(tQ
十T、+ΔT)で光ビーム36を消滅させるように構成
されている。つまり、この場合、前述した光ビーム36
のパルス幅τは13式で表される時間幅となつ℃いろ。
十T、+ΔT)で光ビーム36を消滅させるように構成
されている。つまり、この場合、前述した光ビーム36
のパルス幅τは13式で表される時間幅となつ℃いろ。
ここに、ΔTは余裕時間である。
τ=t 2−t 1=T、−T、+2ΔT ・・・・
・・C3すなわち、第1図においCは、第2投光部34
が第5図における投光S tのように常時光ビーム36
を出射するのではなく′C1微粒子2が第1受光部27
で検出されるごとに上述のタイミングで時間幅でのパル
ス状光ビーム36を出射するように構成されていればよ
いので、この場合第2投光部34を小形に形成しうろこ
とが明らかである。
・・C3すなわち、第1図においCは、第2投光部34
が第5図における投光S tのように常時光ビーム36
を出射するのではなく′C1微粒子2が第1受光部27
で検出されるごとに上述のタイミングで時間幅でのパル
ス状光ビーム36を出射するように構成されていればよ
いので、この場合第2投光部34を小形に形成しうろこ
とが明らかである。
因に、今、仮に、 L = l flaw)、Wl =
10 Cμm) 。
10 Cμm) 。
V=10Cm/s)、AV/V=0.5C%) とする
と、T。
と、T。
=99〔μg)、T、=101Cμs〕となるので、τ
=2〔μS〕+2ΔTとなる。
=2〔μS〕+2ΔTとなる。
第3図は第1図に示した第2投光部34の第1構成例5
6の構成図である。図におい工、49は波長890〔n
m〕のレーザ光49aを出力10 [W)で出カイろこ
とのできる半導体レーザ、50はレーザ光49aを集光
しcL I N b Osを用いた導波路型の非線形光
学素子51に導入するようにしたレンズで、光学素子5
1は1図示したように、レンズ50により1入射される
レーザ光50aの進光方向に対し1角度θの方向に89
0/2=445Cμm〕の波長のレーザビーム52を出
射するように構成されている。ここに、θは15〜20
度程度の角度である。53はレーザビーム52の開口角
の整合用レンズ、54はレンズ53を透過したレーザビ
ームを集束し℃前述の第2光ビーム36として出射する
ようにした集束レンズで、55蚤工発光指令信号46a
が入力されると半導体レーザ49かも上述した時刻tl
に時間幅τのレーザ光49aを500CmW)程度のパ
ワーで出射させろようにしたレーザ駆動部である。この
場合、半導体レーザ49から上記のパワーを有するレー
ザ光49aが出射されるとレーザビーム52のパワーが
30[mW’3程度に程度ように要部が構成されτいC
1かつレーザビーム52は上述したように、445Cn
m)の波長を有しているので、第2光ビーム36は微粒
子2の分析を行うのに充分な光強度を有し℃いることに
なる。ところで、第1図におい℃は、被測定液3中の微
粒子2の濃度を適宜加減することによつ″C1第2投光
部34として第3図に示した第2投光部56?採用した
場合に、レーザ光49aがデエーテイ比0.01以下で
出射されればよいようになつ1いろ。したがう工、第3
図の投光部56を第1図の投光部34に採用すると、t
OcW)出力の半導体レーザ49を500[mW)の出
力でかつデ島−テイ比0.01以下で使用することにな
るので、第2投光部34の寿命を非常に長くすることが
できかつ投光部34を小形に形成1ろことができること
になる。
6の構成図である。図におい工、49は波長890〔n
m〕のレーザ光49aを出力10 [W)で出カイろこ
とのできる半導体レーザ、50はレーザ光49aを集光
しcL I N b Osを用いた導波路型の非線形光
学素子51に導入するようにしたレンズで、光学素子5
1は1図示したように、レンズ50により1入射される
レーザ光50aの進光方向に対し1角度θの方向に89
0/2=445Cμm〕の波長のレーザビーム52を出
射するように構成されている。ここに、θは15〜20
度程度の角度である。53はレーザビーム52の開口角
の整合用レンズ、54はレンズ53を透過したレーザビ
ームを集束し℃前述の第2光ビーム36として出射する
ようにした集束レンズで、55蚤工発光指令信号46a
が入力されると半導体レーザ49かも上述した時刻tl
に時間幅τのレーザ光49aを500CmW)程度のパ
ワーで出射させろようにしたレーザ駆動部である。この
場合、半導体レーザ49から上記のパワーを有するレー
ザ光49aが出射されるとレーザビーム52のパワーが
30[mW’3程度に程度ように要部が構成されτいC
1かつレーザビーム52は上述したように、445Cn
m)の波長を有しているので、第2光ビーム36は微粒
子2の分析を行うのに充分な光強度を有し℃いることに
なる。ところで、第1図におい℃は、被測定液3中の微
粒子2の濃度を適宜加減することによつ″C1第2投光
部34として第3図に示した第2投光部56?採用した
場合に、レーザ光49aがデエーテイ比0.01以下で
出射されればよいようになつ1いろ。したがう工、第3
図の投光部56を第1図の投光部34に採用すると、t
OcW)出力の半導体レーザ49を500[mW)の出
力でかつデ島−テイ比0.01以下で使用することにな
るので、第2投光部34の寿命を非常に長くすることが
できかつ投光部34を小形に形成1ろことができること
になる。
第4図は第1図に示した第2投光部34の第2構成例5
9の構成図で1本図の第3図と大きく異なる所は、β−
BaB、04を用いた。導波路形ではないバルク形の非
線形光学素子57が採用され℃いることである。そうし
て、第4図においては、レンズ50から出射されたレー
ザ光50aが光学素子57に入射されて短波長化さtl
、このようにしτ光学素子57で短波長化さjたレーザ
光57aが集束レンズ58で集束され1第2元ビーム3
6として出射されるようになつ工いろ。第4図においC
は、各部が上述のように構成され℃いるので。
9の構成図で1本図の第3図と大きく異なる所は、β−
BaB、04を用いた。導波路形ではないバルク形の非
線形光学素子57が採用され℃いることである。そうし
て、第4図においては、レンズ50から出射されたレー
ザ光50aが光学素子57に入射されて短波長化さtl
、このようにしτ光学素子57で短波長化さjたレーザ
光57aが集束レンズ58で集束され1第2元ビーム3
6として出射されるようになつ工いろ。第4図においC
は、各部が上述のように構成され℃いるので。
このような構成の第2投光部59を第1図の投光部34
とし−用い工も微粒子2の分析を行いうろことは明らか
で、さらに、この場合、投光部59が投光部56よりも
簡単な構成になるので該投光部59を一層小形にできる
利点がある。しかしながら、この場合、第2光ビーム3
60強度がバルク形非線形光学累子57のために投光部
56におけるよりも弱くなるので、微粒子2の分析精度
が低下する恐れがある。
とし−用い工も微粒子2の分析を行いうろことは明らか
で、さらに、この場合、投光部59が投光部56よりも
簡単な構成になるので該投光部59を一層小形にできる
利点がある。しかしながら、この場合、第2光ビーム3
60強度がバルク形非線形光学累子57のために投光部
56におけるよりも弱くなるので、微粒子2の分析精度
が低下する恐れがある。
第5図は第1図に示した第2投光部34の第3構戊例6
0の構成図である。第5図におい工、61+S+セノン
ランプ、62はランプ61の出射光を集束し工この集束
した光62aを光学フィルタ63を介してピンホール6
4に入射させるようにしたコンデンサレンズで、ピンホ
ール64はランプ6Iのような大面積の光源から出射さ
れた光62aを点光源から出射される光64aに変換す
るために設けられており、また、フィルタ63は光64
aが第1図に示した蛍光40の波長と同じ波長の成分を
含まないようにするために設けられ℃いる。
0の構成図である。第5図におい工、61+S+セノン
ランプ、62はランプ61の出射光を集束し工この集束
した光62aを光学フィルタ63を介してピンホール6
4に入射させるようにしたコンデンサレンズで、ピンホ
ール64はランプ6Iのような大面積の光源から出射さ
れた光62aを点光源から出射される光64aに変換す
るために設けられており、また、フィルタ63は光64
aが第1図に示した蛍光40の波長と同じ波長の成分を
含まないようにするために設けられ℃いる。
65は光64aを集束して第2光ビーム36として出射
するようにした集束レンズ、66は1発光指令信号46
aが入力されることによって、キセノンランプ61に、
上述した半導体レーザ49と同様な発光動作を行わせる
ようにしたキセノンランプ駆動製雪である。第1図の第
2投光部34を第5図のように構成することによっても
小形かつ長寿命の第2投光部34が得られることは説明
するまでもなく明らかである。
するようにした集束レンズ、66は1発光指令信号46
aが入力されることによって、キセノンランプ61に、
上述した半導体レーザ49と同様な発光動作を行わせる
ようにしたキセノンランプ駆動製雪である。第1図の第
2投光部34を第5図のように構成することによっても
小形かつ長寿命の第2投光部34が得られることは説明
するまでもなく明らかである。
上述した所から明らかなように、第1図におい−Cは第
1及び第2投光部22.34を共に小形かつ長寿命に形
成することができる。したがって。
1及び第2投光部22.34を共に小形かつ長寿命に形
成することができる。したがって。
蛍光性微粒子分析装置を第1図のように構成することに
よつ工、取り扱いが容易でかつ保守作業頻度の少ない分
析装置が得られることになる。
よつ工、取り扱いが容易でかつ保守作業頻度の少ない分
析装置が得られることになる。
第1図の実施例では第3受光部3−4が蛍光40を検出
すると一個の受光信号39aを出力するものとしたが1
本発明で(工、蛍光40を2分割するハーフミラ−と、
これらの2分割された蛍光の各々から波長の異なった光
を取り出す都合2個の光学フィルタと、これらの光学フ
ィルタの各出射光な光電変換する都合2個の光電変換器
とを設け。
すると一個の受光信号39aを出力するものとしたが1
本発明で(工、蛍光40を2分割するハーフミラ−と、
これらの2分割された蛍光の各々から波長の異なった光
を取り出す都合2個の光学フィルタと、これらの光学フ
ィルタの各出射光な光電変換する都合2個の光電変換器
とを設け。
これらの光電変換器の各出力信号を一括し1:前述の第
3受光信号39aとし″C信号処理部46に入力するこ
とによつ1.該処理s46に第1図の場合とは異なった
分析動作を行わせるようにし工も差し支えないものであ
る。また、第1図におい工は信号46Bが入力されろと
投光部34が上述の発光動作を伴うものとしたが1本発
明においては。
3受光信号39aとし″C信号処理部46に入力するこ
とによつ1.該処理s46に第1図の場合とは異なった
分析動作を行わせるようにし工も差し支えないものであ
る。また、第1図におい工は信号46Bが入力されろと
投光部34が上述の発光動作を伴うものとしたが1本発
明においては。
投光部34が受光信号27aを構成する電気パルス47
の入力によつ℃上述の発光動作を行うようにL℃も差し
支えない。
の入力によつ℃上述の発光動作を行うようにL℃も差し
支えない。
上述したように1本発明においては、流動する被測定液
を第1照射点において第1光ビームで連続し工照射する
第1投光部と、被測定液がM1光ビームで照射されるこ
とによつ1被測定液中の蛍光性微粒子から出射される第
1光ビームの散乱光を受光し℃この結果に応じた第1受
光信号を出力する第1受光部と、被測定液における第1
照射点よりも下流の第2照射点において被測定液を第2
光ビームでパルス状に照射する第2投光部と、被測定液
が第2光ビームで照射されることによつ℃被測定液中の
蛍光性微粒子から出射される第2光ビームの散乱光な受
光してこの結果に応じた第2受光信号を出力する第2受
光部と、被測定液が第2光ビームで照射されることによ
って被測定液中の蛍光性微粒子から出射される蛍光を受
光し工この結果に応じた第3受光信号を出力する第3受
光部とを備え、第2及び第3受光信号を用いて蛍光性微
粒子の分析を行う蛍光性微粒子分析装置であつて、第2
投光部は第1受光信号が出力された後所定の時間経過後
第2光ビームを出射するように蛍光性微粒子分析装置を
構成した。
を第1照射点において第1光ビームで連続し工照射する
第1投光部と、被測定液がM1光ビームで照射されるこ
とによつ1被測定液中の蛍光性微粒子から出射される第
1光ビームの散乱光を受光し℃この結果に応じた第1受
光信号を出力する第1受光部と、被測定液における第1
照射点よりも下流の第2照射点において被測定液を第2
光ビームでパルス状に照射する第2投光部と、被測定液
が第2光ビームで照射されることによつ℃被測定液中の
蛍光性微粒子から出射される第2光ビームの散乱光な受
光してこの結果に応じた第2受光信号を出力する第2受
光部と、被測定液が第2光ビームで照射されることによ
って被測定液中の蛍光性微粒子から出射される蛍光を受
光し工この結果に応じた第3受光信号を出力する第3受
光部とを備え、第2及び第3受光信号を用いて蛍光性微
粒子の分析を行う蛍光性微粒子分析装置であつて、第2
投光部は第1受光信号が出力された後所定の時間経過後
第2光ビームを出射するように蛍光性微粒子分析装置を
構成した。
このため、上記のように構成すると、第1照射点に蛍光
性微粒子が到来したことを第1受光部で検出するとこの
微粒子に第2照射点で強い第2光ビームが照射され℃、
その結果、第2及び第3受光偏号を用い℃従来の分析装
置におげろと同様な分析が行われることになり、この場
合、第1光ビームは連続的に出射されるものの蛍光性微
粒子の存在が検出できる程度であればそれ以上に強い強
度である必要になく、また第2光ビームは強い瞬時強度
を有し工いればパルス状でもよいので、結局、この場合
、第1及び第2投光部には小形でかつ寿命の長い半導体
レーザや)(e−pJeレーザが使用できることになる
。したがって、上記のように構成すると1本発明には、
小形に構成できるため取り扱いが容易で、かつ保守作業
頻度の少ない蛍光性微粒子分析装置が得られる効果b1
ある。
性微粒子が到来したことを第1受光部で検出するとこの
微粒子に第2照射点で強い第2光ビームが照射され℃、
その結果、第2及び第3受光偏号を用い℃従来の分析装
置におげろと同様な分析が行われることになり、この場
合、第1光ビームは連続的に出射されるものの蛍光性微
粒子の存在が検出できる程度であればそれ以上に強い強
度である必要になく、また第2光ビームは強い瞬時強度
を有し工いればパルス状でもよいので、結局、この場合
、第1及び第2投光部には小形でかつ寿命の長い半導体
レーザや)(e−pJeレーザが使用できることになる
。したがって、上記のように構成すると1本発明には、
小形に構成できるため取り扱いが容易で、かつ保守作業
頻度の少ない蛍光性微粒子分析装置が得られる効果b1
ある。
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は第1図に
おける要部の動作説明図、第3図、第4図、第5図はそ
れぞれ第1図に示した第2投光部の異なる詳細構成例の
説明図%第6図は従来の蛍光性微粒子分析装置の構成図
である。 2・・・・・・蛍光性微粒子、3・・・・・・被測定液
、5.28゜38・・・・・・散乱光、7.40・・・
・・・蛍光、 19・・・・・・試料流。 22・・・・・・第1投光部、25・・・・・・第1光
ビーム、26・・・第1照射点、27・・・・・・第1
受光部、27a・・・・・・第1受 ・光偏号、34・
・・・・・第2投光部、35・・・・・・第2照射点2
36・・・・・・第2光ビーム、37・・・・・・第2
受光部、37a・・・・・・第2受光信号、39・・・
・・・第3受光部、39a・・・・・・l7 嘱 2 凹 箋 4 z ′v15[i8
おける要部の動作説明図、第3図、第4図、第5図はそ
れぞれ第1図に示した第2投光部の異なる詳細構成例の
説明図%第6図は従来の蛍光性微粒子分析装置の構成図
である。 2・・・・・・蛍光性微粒子、3・・・・・・被測定液
、5.28゜38・・・・・・散乱光、7.40・・・
・・・蛍光、 19・・・・・・試料流。 22・・・・・・第1投光部、25・・・・・・第1光
ビーム、26・・・第1照射点、27・・・・・・第1
受光部、27a・・・・・・第1受 ・光偏号、34・
・・・・・第2投光部、35・・・・・・第2照射点2
36・・・・・・第2光ビーム、37・・・・・・第2
受光部、37a・・・・・・第2受光信号、39・・・
・・・第3受光部、39a・・・・・・l7 嘱 2 凹 箋 4 z ′v15[i8
Claims (1)
- 1)流動する被測定液を第1照射点において第1光ビー
ムで連続して照射する第1投光部と、前記被測定液が前
記第1光ビームで照射されることによつて該被測定液中
の蛍光性微粒子から出射される該第1光ビームの散乱光
を受光してこの結果に応じた第1受光信号を出力する第
1受光部と、前記被測定液における前記第1照射点より
も下流の第2照射点において前記被測定液を第2光ビー
ムでパルス状に照射する第2投光部と、前記被測定液が
前記第2光ビームで照射されることによつて該被測定液
中の前記蛍光性微粒子から出射される該第2光ビームの
散乱光を受光してこの結果に応じた第2受光信号を出力
する第2受光部と、前記被測定液が前記第2光ビームで
照射されることによって前記被測定液中の前記蛍光性微
粒子から出射される蛍光を受光してこの結果に応じた第
3受光信号を出力する第3受光部とを備え、前記第2及
び第3受光信号を用いて前記蛍光性微粒子の分析を行う
蛍光性微粒子分析装置であつて、前記第2投光部は前記
第1受光信号が出力された後所定時間経過後前記第2光
ビームを出射することを特徴とする蛍光性微粒子分析装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63139767A JPH01308944A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 蛍光性微粒子分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63139767A JPH01308944A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 蛍光性微粒子分析装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01308944A true JPH01308944A (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15252923
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63139767A Pending JPH01308944A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | 蛍光性微粒子分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01308944A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007532874A (ja) * | 2004-04-07 | 2007-11-15 | ベックマン コールター,インコーポレイティド | フローサイトメーターの多分取監視制御サブシステム |
JP2008012782A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Ricoh Elemex Corp | 液吐出不良検出装置、インクジェット記録装置、および液吐出不良検出方法 |
WO2016076037A1 (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | ソニー株式会社 | 粒子分析装置、粒子分析方法 |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP63139767A patent/JPH01308944A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007532874A (ja) * | 2004-04-07 | 2007-11-15 | ベックマン コールター,インコーポレイティド | フローサイトメーターの多分取監視制御サブシステム |
JP2008012782A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Ricoh Elemex Corp | 液吐出不良検出装置、インクジェット記録装置、および液吐出不良検出方法 |
WO2016076037A1 (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-19 | ソニー株式会社 | 粒子分析装置、粒子分析方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11698334B2 (en) | Flow cytometer with optical equalization | |
US5123731A (en) | Particle measuring device | |
US5760900A (en) | Method and apparatus for optically measuring specimen | |
JP4602975B2 (ja) | 粒子分類システム用光検出器 | |
EP0442025B1 (en) | Optical particle analyzing apparatus having two types of light sources | |
US4573796A (en) | Apparatus for eliminating background interference in fluorescence measurements | |
US3556659A (en) | Laser-excited raman spectrometer | |
CA1302510C (en) | Tissue metabolism measuring apparatus | |
AU2018224006A1 (en) | Light detection systems and methods for using thereof | |
US20230417648A1 (en) | Clustered Wavelength Division Light Detection Systems And Methods of Using The Same | |
KR101782784B1 (ko) | 레이저 유도 방전 스펙트로스코피 장치 및 고감도 핸드피스 | |
JPH01308944A (ja) | 蛍光性微粒子分析装置 | |
JPH01132932A (ja) | 流れ式粒子分析装置の信号光検出光学系 | |
JPS6151569A (ja) | 細胞識別装置 | |
JPH01196536A (ja) | 粒子解析装置 | |
JP2003004625A (ja) | フローサイトメータ | |
JP2756298B2 (ja) | 検体検査装置 | |
WO2021096658A1 (en) | Methods for determining particle size and light detection systems for same | |
JP2749928B2 (ja) | 検体測定方法及び検体測定装置 | |
JP3311406B2 (ja) | 分光測定装置 | |
JPH0296638A (ja) | 光学装置及び該光学装置を用いた粒子測定装置 | |
JPH0552895B2 (ja) | ||
JPS58174832A (ja) | 分析装置 | |
JP2991260B2 (ja) | 時間分解発光測定装置 | |
JP2576842Y2 (ja) | ラマン分析装置 |