JPH01308939A - 金属材中のガス分析装置 - Google Patents

金属材中のガス分析装置

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JPH01308939A
JPH01308939A JP1077677A JP7767789A JPH01308939A JP H01308939 A JPH01308939 A JP H01308939A JP 1077677 A JP1077677 A JP 1077677A JP 7767789 A JP7767789 A JP 7767789A JP H01308939 A JPH01308939 A JP H01308939A
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JP
Japan
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gas
vacuum chamber
aluminum
metal material
vacuum
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JP1077677A
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English (en)
Inventor
Yutaka Kato
豊 加藤
Shinya Abe
安部 慎哉
Teruo Kitamura
照夫 北村
Eizo Isoyama
磯山 永三
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Altemira Co Ltd
Original Assignee
Showa Aluminum Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、アルミニウム、銅、鉄、マグネシウム等か
らなる金属材中の極微量のガスを分析する装置に関する
この明細書において、「アルミニウム」、「銅」、「鉄
」、「マグネシウム」という語は、それぞれ純金属の他
に各合金を含むものとする。
従来技術とその問題点 たとえばアルミニウム材は、内部ガスおよび表面に吸着
したガスを含んでいるとともに、その表面にはアルミニ
ウムと反応してガスを発生する水等の物質が吸着せしめ
られている。これらのガスは、主にH2ガスであり、そ
の他にきわめて少量のCoガス、C02ガス、H20ガ
スなどが存在する。アルミニウム材の用途によっては、
上記ガスはきわめて有害となるためこれらの量を微量に
する必要があり、表面に吸着したガスおよび表面に吸着
した物質とアルミニウムとの反応により生じるガス(以
下両者を総称して表面ガスという)についてはその成果
はある程度上っている。ところが、内部ガスについては
未だに十分な研究がなされていないのが実情である。
アルミニウム材の内部ガス量、とくにH2ガス量が多い
と次のような問題がある。すなわち、アルミニウム材を
真空用アルミニウム材、たとえばシンクロトロンなどの
加速器に使用される粒子加速用パイプ(ビームライン)
に使用した場合、バイブの内部にビームを走らせると大
ユのガスが放出され、バイブ内部の圧力が非常に高くな
るという問題がある。これはビームから放たれるシンク
ロトロン放射光がバイブ内面に入射し、アルミニウム材
の内部ガスをたたき出す結果である。また、アルミニウ
ム材を、蒸着基板に使用する場合には、基板表面に5e
Sa−5i等を蒸着するさいに「ふくれ」という現象が
起こるが、これも内部ガスの放出の影響によるものだと
いうことがわかっている。さらに、圧延時に生じる「割
れ」、「ふくれ」、「皮きず」等の表面欠陥も、アルミ
ニウム材の内部ガスの影響によるものだということがわ
かっている。したがって、内部ガス量のきわめて微量な
アルミニウム材の開発が要望されているが、内部ガスの
微量なアルミニウム材を開発するにあたっては、正確に
内部ガスを分析することが必要である。
そこで、金属材の表面に表面ガス除去処理を施した後、
この金属材を加熱して内部ガスを抽出し、定量する内部
ガスの分析方法が考えられている。この方法を正確に実
施するためには、表面ガス除去処理後の金属材の表面状
態を分析する必要があるにも拘らず、表面ガス除去処理
後の金属材の表面状態を正確に分析することのできない
のが現状である。
この発明の目的は、上記問題を解決した金属材中のガス
分析装置を提供することにある。
問題点を解決するための手段 この発明による金属材中のガス分析装置は、金属材の表
面に表面ガス除去処理を施した後、この金属材を加熱し
て内部ガスを抽出し、定量する装置であって、表面ガス
除去処理室に、オージェ電子分光により表面ガス除去処
理後の金属材の表面状態を分析する装置が設けられてい
るものである。
作   用 この発明の金属材中のガス分析装置によれば、表面ガス
除去処理後の金属材の表面状態を正確に分析することが
できる。
実  施  例 以下、この発明の実施例を図面を参照しながら説明する
この発明の装置の原理を示す第1図および第2図におい
て、極微量のガスを分析する装置は、真空チャンバ(1
)と、真空チャンバ(1)内ノ上部で金属材からなる試
料(S)を保持する2つのマニピュレータ(2)と、真
空チャンバ(1)の後側に、先端がチャンバ(1)内に
おけるマニピュレータ(2)に保持された試料(S)を
向くように取付けられたイオンビームエツチング用のイ
オン銃(3)とを備えている。
真空チャンバ(1)の内部には、載置台(4)上に載せ
られた試料溶融用アルミナ製るつぼ(5)と、るつぼ(
5)の周囲に巻回されたヒータ(6)とが設けられてい
る。ヒータ(6)の両端は、それそ゛れ真空チャンバ(
1)の底壁に設けられた端子(7)に接続されている。
また、真空チャンバ(1)の頂壁には、イオンビームエ
ツチング後の試料の表面状態をオージェ電子分光分析に
より分析する分析装置(8)が設けられている。真空チ
ャンバ(1)の外部には、4つの真空排気装置(If)
)(11)(12)(13)、ベイアートアルバート真
空計(14)、試料(S)から抽出されたガスを分析す
る4極子マスフイルタ(15)および端子(7)に接続
された外部導線(16)が設けられている。第1の真空
排気装置(1o)は、オリフィス(17)を介して真空
チャンバ(1)に接続されたアルミニウム製真空引き用
排気管(18)と、排気管(18)に下記順序で真空チ
ャンバ(1)側から直列状に設けられたバルブ(19)
、ターボ分子ポンプ(2o)およびロータリポンプ(2
1)とよりなる。そして、排気管(18)におけるバル
ブ(19)よりも真空チャンバ(1)側の部分にもベイ
アートアルバート真空計(22)が設けられている。第
2の真空排気装置(11〉は、真空チャンバ(1)に接
続されたアルミニウム製真空引き用排気管(23)と、
排気管(23)に下記順序で真空チャンバ(1)側から
直列状に設けられたバルブ(24)、ターボ分子ポンプ
(25)およびロータリポンプ(2B)とよりなる。第
3および第4の真空排気装置(12)(13)は、それ
ぞれ真空チャンバ(1)に接続されたアルミニウム製真
空引き用排気管(27)と、排気管(27)に下記順序
で真空チャンバ(1)側から直列状に設けられたバルブ
(28)およびゲッタポンプ(29)とよりなる。
ゲッタポンプ(29)は、水素吸蔵合金を内蔵しており
、真空チャンバ(1)内の水素ガスを吸着しうるように
なっている。
マニピュレータ(2)は軸線方向に移動自在である。ま
た、マニピュレータ(2)の周面の真空チャンバ(1)
の周壁との間は、シール部材によってシールされている
イオン銃(3)のケーシング(31)には、真空排気装
置(32)および不活性ガス供給装置(33)が設けら
れている。真空排気装置(32)は、ケーシング(31
)に接続されたアルミニウム製真空引き用排気管(34
)と、排気管’(34)に下記順序でケーシング(31
)側から直列状に設けられたバルブ(35)、ターボ分
子ポンプ(3B)およびロータリポンプ(37)とより
なる。不活性ガス供給装置(33)は、アルミニウム製
供給管(38)を介してケーシング(31)に接続され
た不活性ガスボンベ(39)と、供給管(38)の途上
に設けられるとともに、内部に液体窒素が入れられて不
活性ガスに含まれる不純物を除去するトラップ(40)
と、供給管(38)におけるケーシング(31)とトラ
ップ(4o)との間に設けられた可変式リークバルブ(
41)とよりなる。
また、イオン銃(3)のケーシング(31)と真空チャ
ンバ(1)との間には、スロットルノズル(42)が介
在せしめられている。そして、イオン銃(3)内に導入
され、かつイオン化されるとともに加速された不活性ガ
スは、スロットルノズル(42)を通って真空チャンバ
(1)内に入り、試料(S)に衝突するようになってい
る。
第3図および第4図には、ガス分析装置の具体例が示さ
れている。
g空チャンバ(1)は直方体状のチャンバ用箱状体(5
0)と、箱状体(50)の周壁における左側面の上部お
よび右側面の上部にそれぞれ設けられた、マニピュレー
タ差込口(51)と、箱状体(51)の後面上部に設け
られたイオン銃取付口(52)と、箱状体(50)の周
壁下部に設けられた、4つの排気口(53)〜(56)
、ベイアートアルバート真空計取付口(57)および4
極子マスフィルタ取付口(58)とよりなる。
箱状体(50)は、周壁、頂壁および底壁のすべてが加
熱流体通路と冷却流体通路とを兼ね、かつ入口および出
口を有する管状膨出部(59)を備えたアルミニウム板
で形成されたものである。
管状膨出部(59)は、第4図に示すように横断面半円
形で、チャンバ(1)の内方にのみ膨出している。管状
膨出部(59)の横断面形状は、第5図に示すように6
角形状であってもよい。横断面6角形状管状膨山部を(
70)で示す。また、管状膨出部の横断面形状は、これ
ちの形状に限るものではない。また、第3図および第4
図には省略したが、管状膨出部(59)の入口には、加
熱および冷却流体供給管が、出口には同排出管がそれぞ
れ接続されている。
各日(51)〜(58)は、箱状体(50)に設けられ
た短い円筒状突出部と、突出部の先端に設けられたフラ
ンジとよりなる。フランジを利用して各排気口(53’
)〜(56)にアルミニウム製排気管(18)(23)
 (27)が接続され、ベイアートアルバート真空計(
14)および4極子マスフイルタ(15)がそれぞれの
取付口(57)(5g)に取付けられている。排気口(
53)の先端のフランジ(53a)と、排気管(18)
の先端のフランジ(18a)との間には仕切板(60)
が介在させられ、この仕切板(60)にオリフィス(1
7)が形成されている。また、排気管(18)における
端部寄りの部分にはベイアートアルバート真空計取付口
(61)が設けられ、ここにベイアートアルバート真空
計(22)が取付けられている。
この取付口(61)も短い円筒状突出部と、突出部先端
のフランジとよりなる。
そして、真空チャンバ(1)の内面、すなわち、箱状体
(50)の内面およびすべての取付口(51)〜(58
)、(61)の突出部内面には、ちみつな酸化皮膜が形
成されている。真空チャンバ(1)内面にちみつな酸化
皮膜を形成する方法としては、たとえば次の2つの方法
がある。
その1は、アルミニウム板製真空チャンバ(1)の内面
を洗浄するとともに乾燥させて清浄でかつ水和酸化皮膜
が除去された乾燥面とした後、真空チャンバ(1)の内
面を、水分を含んだ大気と接触せず、かつ酸素含有ガス
と接触させた状態で加熱し、真空チャンバ(1)の内面
に酸化皮膜を形成する方法である。真空チャンバ(1)
の内面を洗浄するとともに乾燥させる具体的方法として
は、たとえば苛性ソーダを用いたアルカリ洗浄または硫
酸を用いた酸洗浄を施して加工油を洗い流すとともに真
空チャンバ(1)内面に形成されている水和酸化皮膜を
除去し、その後不活性ガス雰囲気中または真空雰囲気中
で低温にて乾燥させる方法がある。上記において、アル
カリ洗浄または酸洗浄後の乾燥は、真空雰囲気中で行な
うのがよい。上記洗浄後、真空炉内に入れて真空引きし
ながら乾燥させることができるからである。この乾燥は
常温〜120℃とくに70〜90℃の温度範囲で行なう
のがよい。
乾燥温度が120℃を越えるとこの乾燥工程中に水和酸
化皮膜が生成するおそれがあるからである。また、アル
カリ洗浄または酸洗浄後乾燥させる前に、真空チャンバ
(1)を水和酸化皮膜形成抑制用処理液中に浸漬して水
和酸化皮膜形成抑制処理を施すことが好ましい。水和酸
化皮膜形成抑制用処理液としては、クロム酸、ケイ酸、
バナジン酸、ジルコン酸、リン酸(ポリリン酸)、過マ
ンガン酸、タングステン酸およびモリブデン酸ならびに
これらの塩のうちの1種を含む水溶液が用いられる。処
理液中の溶質濃度は0.0000001〜5νt%、好
ましくは0.000001〜0.0005vt%の範囲
内にあるのがよい。
真空チャンバ(1)を、水分を含んだ大気と接触させず
、かつ酸素含有ガスと接触させた状態で加熱するには、
真空チャンバ(1)を酸素混合不活性ガス雰囲気中、市
販の不活性ガス雰囲気中もしくは工業的に得られる不活
性ガス雰囲気中に配置するか、またはこれらの不活性ガ
スを真空チャンバ(1)内に充填しかつ真空チャンバ(
1)を密封して行なう。また、真空チャンバ(1)を真
空雰囲気中に配置するか、または真空チャンバ(1)内
を真空引きして行なってもよい。
さらに、真空チャンバ(1)を純度100%の酸素また
は乾燥空気の雰囲気中に配置するが、またはこれらを真
空チャンバ(1)内に充填しがっ真空チャンバ(1)を
密封して行なってもよい。
酸素混合不活性ガスとしては、酸素0.5〜30vo1
%とくに1〜10vo1%を含み、残部不活性ガスより
なるものを用いるのがよい。また、市販の不活性ガスお
よび工業的に得られる不活性ガスには不純物として微量
の酸素が含まれている。さらに、真空雰囲気中、および
真空引きした真空チャンバ(1)内にも、真空チャンバ
(1)内面に酸化皮膜を形成しうる程度の酸素は含まれ
ている。また、加熱温度は120〜500℃特に200
〜300℃とし、加熱時間は0. 1〜24時間特に0
65〜6時間とするのがよい。
加熱温度および加熱時間が上記下限値未満であると、酸
化皮膜の形成がうまくいかず、上限値を越えると非結晶
質皮膜の一部が結晶化して混在した状態となり、ちみっ
な皮膜が形成されなくなるおそれがあるからである。
その2は、ドライエツチングを施して清浄でかつ水和酸
化皮膜が除去された乾燥面とした後、真空チャンバ(1
)の内面を、水分を含んだ大気と接触せず、かつ酸素含
有ガスと接触させた状態で加熱し、真空チャンバ(1)
の内面に酸化皮膜を形成する方法である。ドライエツチ
ングの具体例としては、放電洗浄、反応性ガスエツチン
グ、プラズマエツチング、反応性イオンエツチング、反
応性イオンビームエツチング、イオンビームエツチング
、反応性レーザビームエツチングなどをあげることがで
きる。ドライエツチングによりアルミニウム製真空チャ
ンバ(1)の内面を清浄でかっ水和酸化皮膜が除去され
た乾燥面とした場合には、酸洗浄やアルカリ洗浄によっ
て加工油を洗い流すとともに水和酸化皮膜を除去する場
合のように、洗浄後乾燥工程を必要としない。真空チャ
ンバ(1)の内面を、水分を含んだ大気と接触させずか
つ酸素含有ガスと接触させた状態で加熱する方法は、上
記第1の方法の場合と同様である。
また、各排気管(18) (23) (27)の内面に
もちみつな酸化皮膜が形成されている。
イオン銃(3)のケーシング(31)は、アルミニウム
製であって、取付口(52)に取付けられている。また
、ケーシング(31)には、排気口(63)および不活
性ガス供給口(64)が設けられている。
両日(63) (84)は、それぞれケーシング(31
)に設けられた短い円筒状のアルミニウム製突出部と、
突出部の先端に設けられたフランジとよりなる。
このフランジを利用して排気管(34)および不活性ガ
ス供給管(38)が接続されている。そして、両口(6
3) (84)の突出部を含むケーシング(31)内面
にちみつな酸化皮膜が形成されている。また、ケーシン
グ取付口(52)の先端のフランジ(52a)と、ケー
シング(31)のフランジ(31a)との間に、スロッ
トルノズル(42)の外端に形成されたフランジ(42
a)が挟着されている。
次に、この発明による装置を用いてアルミニウム材中の
極微量ガスを分析する方法について説明する。
まず、管状膨出部(59)内に加熱されたフレオン等の
加熱流体を流通させて真空チャンバ(1)にベーキング
処理を施した後これを常温まで冷却する。ついで、管状
膨出部(59)内に液体窒素等の冷却流体を流通させる
。そして、マニピュレータ(2)に試料(S)をセット
した後真空チャンバ(1)内にマニピュレータ(2)の
先端を差込む。その後、バルブ(28)を開くとともに
、真空排気装置(10)〜(13)、(32)により真
空排気して真空チャンバ(1)およびイオン銃(3)内
を高真空状態とする。この状態でイオン銃(3)内にN
e、Ar等の不活性ガスを導入し、これをイオン化する
。イオン化された不活性ガスを引出し電極および加速電
極により加速し、スロットルノズル(42)を通過させ
て試料(S)に弾性衝突させる。こうして試料(S)に
イオンビームエツチングを施す。このとき、イオン銃(
3)内の圧力は不活性ガスを導入することによって上昇
するが、スロットルノズル(42)の働きにより、真空
チャンバ(1)内の圧力上昇の度合いはイオン銃(3)
内の圧力上昇の度合いよりも小さくなり、当然のことな
がら真空チャンバ(1)内の不純物量は少なくなり、約
17300程度となる。また、除去された表面ガスの大
部分を占めるH2は、ゲッタポンプ(29)内の水素吸
蔵合金の内部に吸蔵されるとともに、表面に吸着され、
coは水素吸蔵合金の表面に吸着される。したがって、
イオンビームエツチング後の試料(S)表面に再吸着す
る不純物ガス量を少なくできる。そして、バルブ(28
)を閉じ、分析装置(8)を用いて、試料(S)の表面
が、酸化皮膜が存在せず、がっ不純物ガスが吸着してい
ない清浄表面であることをオージェ電子分光分析により
確認した後、マニピュレータ(2)から試料(S)を離
脱させてるつぼ(5)内に落とし、ヒータ(6)でるつ
ぼ(5)を加熱することにより試料(S)を溶融させて
内部ガスを抽出し、そのガス量を4極子マスフイルタ(
15)で定量する。
以下に、この発明による装置を用いて行った実験例につ
いて述べる。
すなわち、下記の条件でガス分析を行った。
試  料 ・・・純度99.99%の高純度アルミニウム、イオン
ビームエツチング前の真空チャンバおよびイオン銃内の
圧力・・・lXl0−’°、イオンビームエツチングに
使用する不活性ガスおよびその圧力−N e、 3 X
 10−’Torr、イオンビームエツチング時の加速
電圧 ・・・2kV、 イオンビームエツチング時のエミッション電流・・・3
0mA。
イオンビームエツチング時のドーズ量 ・ 1.Ox  10”1ons/cm  2上記条件
でイオンビームエツチングを行ったところイオンビーム
エツチング中の真空チャンバ(1)内の圧力はI X 
10−’Torrとなっていた。
その後、真空チャンバ(1)内をさらに真空引きしてそ
の圧力をI X 10−” Torrとし、引き続いて
ガス分析を行ったところ内部H2ガスは0゜0005c
c/100gAlであった。
発明の効果 この発明の金属材中のガス分析装置によれば、上述のよ
うにして、表面ガス除去処理室において表面ガス除去処
理を施した金属材の表面状態を正確に分析することがで
きる。したがって、その後工程におけるガス分析の精度
を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の装置の原理を説明する正面図、第2
図は同じく平面図、第3図はこの発明の装置を具体的に
示す斜視図、第4図は第3図の部分拡大水平断面図、第
5図は管状膨出部の変形例を示す断面図である。 (1)・・・真空チャンバ(表面ガス除去処理室)、(
8)・・・オージェ電子分光分析により金属材の表面状
態を分析する分析装置。 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 金属材の表面に表面ガス除去処理を施した後、この金属
    材を加熱して内部ガスを抽出し、定量する装置であって
    、 表面ガス除去処理室に、オージェ電子分光により表面ガ
    ス除去処理後の金属材の表面状態を分析する装置が設け
    られている金属材中のガス分析装置。
JP1077677A 1989-03-28 1989-03-28 金属材中のガス分析装置 Pending JPH01308939A (ja)

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