JPH01305863A - 窒化アルミニウム焼結体 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体Info
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- JPH01305863A JPH01305863A JP63136770A JP13677088A JPH01305863A JP H01305863 A JPH01305863 A JP H01305863A JP 63136770 A JP63136770 A JP 63136770A JP 13677088 A JP13677088 A JP 13677088A JP H01305863 A JPH01305863 A JP H01305863A
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/4807—Ceramic parts
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は熱伝導性に優れる窒化アルミニウム焼結体及び
その製造方法並びにそれを用いた電子部品に関するもの
である。
その製造方法並びにそれを用いた電子部品に関するもの
である。
[従来の技術]
近年、電子機器の小型化・高集積化が進むなかにあって
、ICチップなど電子機器に搭載される各種の半導体素
子から発生する熱をいかにして除去するかが極めて重要
な課題となっており、部品設計、回路設計、材料等の面
から種々の提案がされている。
、ICチップなど電子機器に搭載される各種の半導体素
子から発生する熱をいかにして除去するかが極めて重要
な課題となっており、部品設計、回路設計、材料等の面
から種々の提案がされている。
高集積ICなどの半導体用基板材料としては、現在、は
とんど酸化アルミニウム(熱伝導性理論値28W/m−
K)が使用されている。しかし、近年急速に進展するI
Cの高集積化及び高速化に伴いチップの放熱量が増すに
つれて、さらに熱伝導率が高く高放熱性の基板材料が要
求されるようになった。そのため、基板材料として熱伝
導率が高い酸化ベリリウム(熱伝導性理論値218W/
m・K)や炭化珪素(熱伝導性理論値270W/m−K
)等が検討された。しかし、酸化ベリリウムは、粉塵に
毒性があり、また高価格であるという欠点がある。また
、炭化珪素は、常圧焼結法では焼結が十分に出来ないた
め、ホットプレス法で焼結しなければならず、生産性に
問題があった。
とんど酸化アルミニウム(熱伝導性理論値28W/m−
K)が使用されている。しかし、近年急速に進展するI
Cの高集積化及び高速化に伴いチップの放熱量が増すに
つれて、さらに熱伝導率が高く高放熱性の基板材料が要
求されるようになった。そのため、基板材料として熱伝
導率が高い酸化ベリリウム(熱伝導性理論値218W/
m・K)や炭化珪素(熱伝導性理論値270W/m−K
)等が検討された。しかし、酸化ベリリウムは、粉塵に
毒性があり、また高価格であるという欠点がある。また
、炭化珪素は、常圧焼結法では焼結が十分に出来ないた
め、ホットプレス法で焼結しなければならず、生産性に
問題があった。
このため最近、酸化アルミニウムや酸化ベリリウムと同
等以上の強度を有し、常圧焼結が可能で、かつ熱伝導率
が高い窒化アルミニウム(熱伝導性理論値320W/m
−K)が基板材料として注目されている。しかし1通常
、市販されている窒化アルミニウム粉末(AIN粉末)
には酸素が1〜3゜5重量%程度含有されているため、
このような粉末を使用した場合には、熱伝導率の高い窒
化アルミニ市ム焼結体を得ることが難しいとされている
(例えば、「窯業協会誌JVo1.93. No、9.
1985年517〜522頁、あるいは「エレクトロニ
ク・セラミックスJVo1.16. No、3.198
5年3月号22〜27頁など参照)。
等以上の強度を有し、常圧焼結が可能で、かつ熱伝導率
が高い窒化アルミニウム(熱伝導性理論値320W/m
−K)が基板材料として注目されている。しかし1通常
、市販されている窒化アルミニウム粉末(AIN粉末)
には酸素が1〜3゜5重量%程度含有されているため、
このような粉末を使用した場合には、熱伝導率の高い窒
化アルミニ市ム焼結体を得ることが難しいとされている
(例えば、「窯業協会誌JVo1.93. No、9.
1985年517〜522頁、あるいは「エレクトロニ
ク・セラミックスJVo1.16. No、3.198
5年3月号22〜27頁など参照)。
そこで、酸素や陽イオン不純物の混入は、原料である金
属アルミニウムを粉砕する工程あるいは生成した窒化ア
ルミニウムを焼結用原料粉にするために粉砕する工程で
生ずることに着目し、(イ)アルミナと、(ロ)アルカ
リ土類金属、イツトリウム及びランタン族金属、または
これらの金属化合物と、(ハ)カーボンとを、それぞれ
適量液体分散媒体中で混合し、窒素中又はアンモニア雰
囲気中で焼成した後、未反応のカーボンを酸化除去して
平均結晶粒径2μm以下の粉末状窒化アルミニウム組成
物を得ることにより、粉砕工程を無くし、もって窒、化
アルミニウムの焼結性及び熱伝導率を向上させる方法が
提案されている(特開昭60−65768号参照)。
属アルミニウムを粉砕する工程あるいは生成した窒化ア
ルミニウムを焼結用原料粉にするために粉砕する工程で
生ずることに着目し、(イ)アルミナと、(ロ)アルカ
リ土類金属、イツトリウム及びランタン族金属、または
これらの金属化合物と、(ハ)カーボンとを、それぞれ
適量液体分散媒体中で混合し、窒素中又はアンモニア雰
囲気中で焼成した後、未反応のカーボンを酸化除去して
平均結晶粒径2μm以下の粉末状窒化アルミニウム組成
物を得ることにより、粉砕工程を無くし、もって窒、化
アルミニウムの焼結性及び熱伝導率を向上させる方法が
提案されている(特開昭60−65768号参照)。
しかしながら、この方法により得られた窒化アルミニウ
ム粉末を原料粉とし、Ca OあるいはBa(N Ox
)z等を添加して作製された窒化アルミニウム焼結体
は、酸素含有量は0.5〜1.5重量%とすくないもの
の、その熱伝導率は数10W/m・K程度であり、必ず
しも満足できる特性のものは得られていない。
ム粉末を原料粉とし、Ca OあるいはBa(N Ox
)z等を添加して作製された窒化アルミニウム焼結体
は、酸素含有量は0.5〜1.5重量%とすくないもの
の、その熱伝導率は数10W/m・K程度であり、必ず
しも満足できる特性のものは得られていない。
また、例えば、平均粒径3μm以下のAIN粉末に、0
.05〜2重量%の炭素を添加した混合粉末を50kg
/cd以上の圧力下で焼結する方法など、AIN粉末に
炭素のみを添加する方法も提案されている(特開昭60
−186479号公報、特開昭60−71576号公報
など参照)。
.05〜2重量%の炭素を添加した混合粉末を50kg
/cd以上の圧力下で焼結する方法など、AIN粉末に
炭素のみを添加する方法も提案されている(特開昭60
−186479号公報、特開昭60−71576号公報
など参照)。
この方法においては、添加物を炭素のみとしているため
非常に高純度の焼結体を得ることが出来るものの、焼結
助剤を添加しないために焼結性に難点があり、このため
加圧焼結を施している。しかし、それでも必ずしも十分
な密度が得られておらず、その熱伝導率も高々数10W
/m・K程度である。
非常に高純度の焼結体を得ることが出来るものの、焼結
助剤を添加しないために焼結性に難点があり、このため
加圧焼結を施している。しかし、それでも必ずしも十分
な密度が得られておらず、その熱伝導率も高々数10W
/m・K程度である。
[発明が解決しようとする問題点]
更にまた。酸素含有窒化アルミニウム粉末、酸化イツト
リウム、および遊離炭素よりなる混合物を形成し、この
混合物を特定組成のコンパクトに形成し、このコンパク
トを窒素含有非酸化雰囲気中で1350℃程度に加熱し
て脱酸し、得られた脱酸コンパクトを窒素含有非酸化性
雰囲気中で約1850℃程度の温度で焼結する方法も提
案されている(特開昭61−91068号公報、特開昭
61−127667号公報、特開昭61−146769
号公報、特開昭61−219763号公報など)。
リウム、および遊離炭素よりなる混合物を形成し、この
混合物を特定組成のコンパクトに形成し、このコンパク
トを窒素含有非酸化雰囲気中で1350℃程度に加熱し
て脱酸し、得られた脱酸コンパクトを窒素含有非酸化性
雰囲気中で約1850℃程度の温度で焼結する方法も提
案されている(特開昭61−91068号公報、特開昭
61−127667号公報、特開昭61−146769
号公報、特開昭61−219763号公報など)。
この方法は、■Al2O,の個別粒子、■AIN粉末粒
子を覆うおそらくはAl2O,としての酸化物被覆、お
よび■AIN格子に溶解した酸素、の3つの異なる酸素
源によってもたらされたAIN粉末に存在する酸素は、
遊離炭素を利用することにより除去出来るとの考えに基
づいて成されたものであるとされている。すなわち、窒
化アルミニウム粉末を炭素である程度まで脱酸し、次い
で酸化イツトリウムを利用してさらに脱酸および/また
は焼結することによって、100W/m・K以上の高い
熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体を得ようとす
るものであり、約170W/m・Kの事例が開示されて
いることからみても、非常に優れた方法である。
子を覆うおそらくはAl2O,としての酸化物被覆、お
よび■AIN格子に溶解した酸素、の3つの異なる酸素
源によってもたらされたAIN粉末に存在する酸素は、
遊離炭素を利用することにより除去出来るとの考えに基
づいて成されたものであるとされている。すなわち、窒
化アルミニウム粉末を炭素である程度まで脱酸し、次い
で酸化イツトリウムを利用してさらに脱酸および/また
は焼結することによって、100W/m・K以上の高い
熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体を得ようとす
るものであり、約170W/m・Kの事例が開示されて
いることからみても、非常に優れた方法である。
ところで、この方法は、前述したように、まず添加した
カーボンの働きにより脱酸コンパクトを作成し、この脱
酸コンパクトをYおよび0を主成分とし少量のAlおよ
びNを含有する液相によって焼結するものである。した
がって、この方法においては、後に液相焼結に寄与する
Yおよび0を適当量残存している脱酸コンパクトが形成
できる程度のカーボンを添加することが重要であり、余
剰のカーボンを添加して脱酸が過剰となり焼結困難とな
らないようにすべきとされている。また。
カーボンの働きにより脱酸コンパクトを作成し、この脱
酸コンパクトをYおよび0を主成分とし少量のAlおよ
びNを含有する液相によって焼結するものである。した
がって、この方法においては、後に液相焼結に寄与する
Yおよび0を適当量残存している脱酸コンパクトが形成
できる程度のカーボンを添加することが重要であり、余
剰のカーボンを添加して脱酸が過剰となり焼結困難とな
らないようにすべきとされている。また。
脱酸コンパクトをYおよび0を主成分とする液相によっ
て焼結するために、得られた焼結体には、Y2O3やY
、Al□og等からなる第2相が比較的多く存在し、酸
素量で約1〜4重量%程度残存しているものとなってい
る。
て焼結するために、得られた焼結体には、Y2O3やY
、Al□og等からなる第2相が比較的多く存在し、酸
素量で約1〜4重量%程度残存しているものとなってい
る。
一方、半導体用基板あるいは放熱板等の電子部品用途に
おいては、半導体ICの高集積化にともないSiチップ
の発熱量とチップサイズはますます増大の方向にある。
おいては、半導体ICの高集積化にともないSiチップ
の発熱量とチップサイズはますます増大の方向にある。
また、宇宙通信や自動車電話などの通信機回路に用いら
れる高周波トランジスタ、レーザーダイオードでは高電
流密度で動作させるために発熱が特に著しくなっている
(例えば10’W/d以上)、シたがって、放熱が極め
て重要であり、そこで従来実現されている熱伝導率より
も高い180W/m・K以上、好ましくは200W/m
・K以上の熱伝導率を持つものが要求され始めており、
かかる要求に応える材料の出現が望まれている。
れる高周波トランジスタ、レーザーダイオードでは高電
流密度で動作させるために発熱が特に著しくなっている
(例えば10’W/d以上)、シたがって、放熱が極め
て重要であり、そこで従来実現されている熱伝導率より
も高い180W/m・K以上、好ましくは200W/m
・K以上の熱伝導率を持つものが要求され始めており、
かかる要求に応える材料の出現が望まれている。
本発明の目的は、かかる実情に鑑み、電子部品用として
十分に高い180W/m・K以上の熱伝導率を有すると
ともに良好な機械的強度も有する窒化アルミニウム焼結
体を提供することである。
十分に高い180W/m・K以上の熱伝導率を有すると
ともに良好な機械的強度も有する窒化アルミニウム焼結
体を提供することである。
また、本発明の他の目的は、上記特性を有する窒化アル
ミニウム焼結体を特性のバラツキなく安定して提供する
ことができる製造方法を提供することである。
ミニウム焼結体を特性のバラツキなく安定して提供する
ことができる製造方法を提供することである。
[発明を解決するための手段]
本願における第1の発明は、重量比で、5%以下の希土
類金属酸化物および残部実質的に窒化アルミニウムから
なり、残存するカーボン量および酸素の量が夫々0.1
%以下および1%以下であることを特徴とする窒化アル
ミニウム焼結体である。また、その熱伝導率は180W
/m・K以上であることを特徴とするものである。本発
明における窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウ
ムを主相とするものであって、ディスプロシウムなどの
希土類金属の酸化物を主体とする第2相は3容量%以下
と少ないものであることが好ましい。
類金属酸化物および残部実質的に窒化アルミニウムから
なり、残存するカーボン量および酸素の量が夫々0.1
%以下および1%以下であることを特徴とする窒化アル
ミニウム焼結体である。また、その熱伝導率は180W
/m・K以上であることを特徴とするものである。本発
明における窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウ
ムを主相とするものであって、ディスプロシウムなどの
希土類金属の酸化物を主体とする第2相は3容量%以下
と少ないものであることが好ましい。
第2相が少ないことによって、より高熱伝導率のものが
実現できるためである。
実現できるためである。
本願における第2の発明は、窒化アルミニウム粉末を主
体とし0.5〜13重景%重量土類金属酸化物粉末を配
合してなる粉末に、1重量%以下の炭素を配合し、混合
し成形した後、不活性雰囲気中で1700〜20oO℃
の温度で焼結することを特徴とする窒化アルミニウム焼
結体の製造方法である。本発明において、上記希土類金
属酸化物としては1種々の希土類金属の酸化物を適用で
きるが、特にデシプロシウム酸化物またはイツトリウム
の酸化物を用いることが好ましい。
体とし0.5〜13重景%重量土類金属酸化物粉末を配
合してなる粉末に、1重量%以下の炭素を配合し、混合
し成形した後、不活性雰囲気中で1700〜20oO℃
の温度で焼結することを特徴とする窒化アルミニウム焼
結体の製造方法である。本発明において、上記希土類金
属酸化物としては1種々の希土類金属の酸化物を適用で
きるが、特にデシプロシウム酸化物またはイツトリウム
の酸化物を用いることが好ましい。
本願における第3の発明は、上記第1の発明の窒化アル
ミニウム焼結体を、熱伝導部または放熱部などを構成す
る部材として使用することを特徴とする電子部品である
。
ミニウム焼結体を、熱伝導部または放熱部などを構成す
る部材として使用することを特徴とする電子部品である
。
本発明者らは、粒界に存在する第2相は熱伝導率の向上
を阻害するものであるとの観点に立ち、その減少を図る
ことによって特性を改善することを試みて本発明を成し
たものである。
を阻害するものであるとの観点に立ち、その減少を図る
ことによって特性を改善することを試みて本発明を成し
たものである。
本発明における添加カーボンの作用は必ずしも明確にさ
れていないが、比較的低い温度領域(約1000℃以上
)で生ずる固相反応過程においては、主として添加した
カーボンが窒化アルミニウム原料粉末に含有されている
酸素を脱酸する(例えばAIN粒子表面のA1□01層
の厚さを薄くする)ように作用し、さらに高温度(約1
700℃以上)の液相焼結過程領域においては、粒界面
および3重点に第2相として形成され存在している希土
類金属および/またはアルミニウムの酸化物などを還元
し、その存在量を減少せしめるように作用するものと考
えられる。このことは、本発明による焼結体において、
ディスプロシウムなどが脱酸されるとともに窒素雰囲気
により窒化されて形成されたようなディスプロシウム窒
化物層が1表面部分に約0.3m程度形成される場合の
あることなどから推測されるものである。すなわち1本
発明においては、比較的低い温度領域では希土類金属/
アルミニウムの酸化物などのうちの主としてアルミニウ
ムを脱酸し、より高い温度領域ではディスプロシウムな
どの希土類金属を脱酸し、粒界面および3重点に存在す
る第2相を分離・移動せしめ減少させているものと考え
られる。したがって、本発明による窒化アルミニウム焼
結体中に残存する第2相は極めて少いのが特徴である。
れていないが、比較的低い温度領域(約1000℃以上
)で生ずる固相反応過程においては、主として添加した
カーボンが窒化アルミニウム原料粉末に含有されている
酸素を脱酸する(例えばAIN粒子表面のA1□01層
の厚さを薄くする)ように作用し、さらに高温度(約1
700℃以上)の液相焼結過程領域においては、粒界面
および3重点に第2相として形成され存在している希土
類金属および/またはアルミニウムの酸化物などを還元
し、その存在量を減少せしめるように作用するものと考
えられる。このことは、本発明による焼結体において、
ディスプロシウムなどが脱酸されるとともに窒素雰囲気
により窒化されて形成されたようなディスプロシウム窒
化物層が1表面部分に約0.3m程度形成される場合の
あることなどから推測されるものである。すなわち1本
発明においては、比較的低い温度領域では希土類金属/
アルミニウムの酸化物などのうちの主としてアルミニウ
ムを脱酸し、より高い温度領域ではディスプロシウムな
どの希土類金属を脱酸し、粒界面および3重点に存在す
る第2相を分離・移動せしめ減少させているものと考え
られる。したがって、本発明による窒化アルミニウム焼
結体中に残存する第2相は極めて少いのが特徴である。
本発明において、より低い温度領域からカーボンと希土
類金属酸化物とを反応させ、容易に第2相が粒界から抜
けるようにするためには、窒化アルミニウムの焼結助剤
として良く知られているイツトリウムよりも、ディスプ
ロシウムを用いた場合のほうが好ましい結果が得られる
。
類金属酸化物とを反応させ、容易に第2相が粒界から抜
けるようにするためには、窒化アルミニウムの焼結助剤
として良く知られているイツトリウムよりも、ディスプ
ロシウムを用いた場合のほうが好ましい結果が得られる
。
本発明においては1通常、各原料粉末を個々に配合し混
合して使用するが1例えば、Dyのアルコキシドを含有
するA18粒子の分散液を生成し、これを加水分解し沈
澱物を仮焼して得られるA18粒子の外周に酸化ディス
プロシウムの微粉が付着した複合粉末を用いても良い。
合して使用するが1例えば、Dyのアルコキシドを含有
するA18粒子の分散液を生成し、これを加水分解し沈
澱物を仮焼して得られるA18粒子の外周に酸化ディス
プロシウムの微粉が付着した複合粉末を用いても良い。
この場合には。
窒化アルミニウム結晶粒子相の平均粒径が2〜10μs
程度であり酸素含有の極めて少ない焼結体を得ることが
出来る利点がある。一方、窒化アルミニウム結晶粒子の
平均粒径が2tm未満であると窒化アルミニウム結晶粒
子間の3重点などに希土類酸化物(例えば、ディスプロ
シウム酸化物)が移動しにくく、10−を越えると焼結
体の機械的強度が低下する。尚、より望ましい平均粒径
範囲は3〜7umである。
程度であり酸素含有の極めて少ない焼結体を得ることが
出来る利点がある。一方、窒化アルミニウム結晶粒子の
平均粒径が2tm未満であると窒化アルミニウム結晶粒
子間の3重点などに希土類酸化物(例えば、ディスプロ
シウム酸化物)が移動しにくく、10−を越えると焼結
体の機械的強度が低下する。尚、より望ましい平均粒径
範囲は3〜7umである。
また、窒化アルミニウム結晶粒子相の割合は95.7容
量%以上であることが望ましく、残余は実質的にディス
プロシウム酸化物相などからなる第2相である。第2相
としての酸化物の割合が5重量%を超えると、窒化アル
ミニウム結晶粒子間の3重点などへ酸化物相が多く残存
するので熱伝導率が低くなる。したがって、5重量%以
下とすることが望ましく、より好ましくは3重量%以下
が良い、一方、第2相があまりにも少なくなると。
量%以上であることが望ましく、残余は実質的にディス
プロシウム酸化物相などからなる第2相である。第2相
としての酸化物の割合が5重量%を超えると、窒化アル
ミニウム結晶粒子間の3重点などへ酸化物相が多く残存
するので熱伝導率が低くなる。したがって、5重量%以
下とすることが望ましく、より好ましくは3重量%以下
が良い、一方、第2相があまりにも少なくなると。
焼結性が悪くなり強度も低くなるので、全く存在しない
よりは、ある程度第2相が存在することが望ましい、す
なわち、0.1容量%程度(ディスプロシウム酸化物換
算で約0.2重量%程度、イツトリウム酸化物換算で約
0.1重量%)以上は、第2相がある方が好ましい、し
たがって、残存する酸素は少なくとも約0.01〜0.
02重量%程度以上ある方が好ましいといえる このような組成及び組織状態を有する本発明窒化アルミ
ニウム焼結体は理論密度の99%以上の密度を有する。
よりは、ある程度第2相が存在することが望ましい、す
なわち、0.1容量%程度(ディスプロシウム酸化物換
算で約0.2重量%程度、イツトリウム酸化物換算で約
0.1重量%)以上は、第2相がある方が好ましい、し
たがって、残存する酸素は少なくとも約0.01〜0.
02重量%程度以上ある方が好ましいといえる このような組成及び組織状態を有する本発明窒化アルミ
ニウム焼結体は理論密度の99%以上の密度を有する。
密度が99%未満であると上記組成及び組成上の要件を
満たしていても十分な熱伝導性が得られず、また機械的
強度も劣る6密度は好まシくは99.4%以上、特に9
9.9%以上であれば優れた特性のものが得られる。
満たしていても十分な熱伝導性が得られず、また機械的
強度も劣る6密度は好まシくは99.4%以上、特に9
9.9%以上であれば優れた特性のものが得られる。
また、このような本発明の窒化アルミニウム焼結体は室
温において180W/m・K以上の熱伝導率及び30k
g/ff1m”以上の曲げ強度を有する。
温において180W/m・K以上の熱伝導率及び30k
g/ff1m”以上の曲げ強度を有する。
本発明の高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を得るため
には、窒化アルミニウム粉末とディスプロシウムの酸化
物粉末およびカーボン粉末とを混合し、成形後焼結すれ
ばよい6尚、熱伝導率が高く、かつ焼結性も十分な窒化
アルミニウム焼結体を安定して製造するためには、焼結
条件に留意することが望ましく、常圧の窒素雰囲気中で
、1800〜2000℃の温度で焼結することが好まし
い。また、諸条件に考慮をすれば、その他の特殊な焼結
法2例えば、ホットプレス法、HIP法等を用いること
もできることはいうまでもない。
には、窒化アルミニウム粉末とディスプロシウムの酸化
物粉末およびカーボン粉末とを混合し、成形後焼結すれ
ばよい6尚、熱伝導率が高く、かつ焼結性も十分な窒化
アルミニウム焼結体を安定して製造するためには、焼結
条件に留意することが望ましく、常圧の窒素雰囲気中で
、1800〜2000℃の温度で焼結することが好まし
い。また、諸条件に考慮をすれば、その他の特殊な焼結
法2例えば、ホットプレス法、HIP法等を用いること
もできることはいうまでもない。
[実施例]
本発明を実施例により、更に詳細に説明する。
実施例1
平均粒子径0.54の市販の窒化アルミニウム粉末(酸
素含有量1.2重量%)に、平均粒子径6μsのD Y
z Oz粉末を7重量%配合したちの100重斌%に
対し、平均粒径が数10〜100人のC粉末0.37重
重量を配合し、エチルアルコール500ccを入れたプ
ラスチック製ボールミル容器中でプラスチックボールを
用いて24時間混合した6混合後乾燥、造粒、成形し、
1気圧のN2ガス中で1900℃の温度にて50時間か
けて焼結した。
素含有量1.2重量%)に、平均粒子径6μsのD Y
z Oz粉末を7重量%配合したちの100重斌%に
対し、平均粒径が数10〜100人のC粉末0.37重
重量を配合し、エチルアルコール500ccを入れたプ
ラスチック製ボールミル容器中でプラスチックボールを
用いて24時間混合した6混合後乾燥、造粒、成形し、
1気圧のN2ガス中で1900℃の温度にて50時間か
けて焼結した。
得られた焼結体の熱伝導率を測定したところ230W/
m・Kであった。また、DVzOsの含有量は0.3重
量%であり、C量は0.03重量%、酸素量は0.09
9〜0.122重量%であった。
m・Kであった。また、DVzOsの含有量は0.3重
量%であり、C量は0.03重量%、酸素量は0.09
9〜0.122重量%であった。
尚、DVzOsの分析は蛍光X線分析法で行い、Cおよ
び酸素の含有量は燃焼法により分析した。また、SEM
(走査型電子顕微#りによる破断面の組織観察写真を
第1図(b)に示す、第1図(b)においても、Dy等
を含有する第2相の存在は殆どi察されない。したがっ
て、本発明による窒化アルミニウム焼結体には、第2相
が非常に少なく存在し;かつ残存するCおよび酸素が少
ないこと、とりわけ酸素量が極めて少ないという特徴が
あることがわかる。
び酸素の含有量は燃焼法により分析した。また、SEM
(走査型電子顕微#りによる破断面の組織観察写真を
第1図(b)に示す、第1図(b)においても、Dy等
を含有する第2相の存在は殆どi察されない。したがっ
て、本発明による窒化アルミニウム焼結体には、第2相
が非常に少なく存在し;かつ残存するCおよび酸素が少
ないこと、とりわけ酸素量が極めて少ないという特徴が
あることがわかる。
一方、比較のためにC粉末を配合せず、焼結を1800
℃、1時間で行なったほかは、上記と全く同様にして作
製した窒化アルミニウム焼結体のSEMによる組織si
n写真を第1図(a)に示す。
℃、1時間で行なったほかは、上記と全く同様にして作
製した窒化アルミニウム焼結体のSEMによる組織si
n写真を第1図(a)に示す。
本発明のものとは異なり、3重点などにDyzOaを含
む第2相が比較的多く存在していることが明らかである
。尚、この焼結体の熱伝導率は120W/m・Kであり
、DVzOsの量は7.0重量%、酸素量は1.0重量
%であった。
む第2相が比較的多く存在していることが明らかである
。尚、この焼結体の熱伝導率は120W/m・Kであり
、DVzOsの量は7.0重量%、酸素量は1.0重量
%であった。
実施例2
平均粒子径0.5tmの市販の窒化アルミニウム粉末(
酸素含有、fiLl、2重量%)に、平均粒子径0゜7
虜のY2O,粉末を3重量%配合したちの100重量%
に対し、平均粒径が数10〜100人のC粉末0.4重
量%を配合し、エチルアルコール500ccを入れたプ
ラスチック製ボールミル容器中でプラスチックボールを
用いて24時間混合した。
酸素含有、fiLl、2重量%)に、平均粒子径0゜7
虜のY2O,粉末を3重量%配合したちの100重量%
に対し、平均粒径が数10〜100人のC粉末0.4重
量%を配合し、エチルアルコール500ccを入れたプ
ラスチック製ボールミル容器中でプラスチックボールを
用いて24時間混合した。
混合後乾燥、造粒、成形し、1気圧のN2ガス中で19
20℃の温度にて35時間かけて焼結した。
20℃の温度にて35時間かけて焼結した。
得られた焼結体の熱伝導率を測定したところ220W/
m・Kであった。また、Y2O,の含有量は0.27重
量%であり、C量は0.02重量%、酸素量は0.06
重量%であった。
m・Kであった。また、Y2O,の含有量は0.27重
量%であり、C量は0.02重量%、酸素量は0.06
重量%であった。
一方、比較のためにC粉末を配合せず、焼結を1920
℃、35時間で行なったほかは、上記と全く同様にして
作製した窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率は132W
/m・Kであり、Y、O,の含有量は2.9重量%であ
り、残存する酸素量は1.4重量%であった。
℃、35時間で行なったほかは、上記と全く同様にして
作製した窒化アルミニウム焼結体の熱伝導率は132W
/m・Kであり、Y、O,の含有量は2.9重量%であ
り、残存する酸素量は1.4重量%であった。
実施例3
平均粒子径が0.5μsの窒化アルミニウム粉末(酸素
含有量1.2重量%)に平均粒子径が6tnaのDy2
01粒子を第1表に示す容量を配合したもの100重量
%に対し、C微粉末を0,35重量%配合し、エチルア
ルコール500ccを入れたプラスチック製ボールミル
容器中でプラスチックボールを用いて24時間混合した
。混合後頁空中で乾燥し、1気圧のN2ガス中で、第1
表に示す各条件で焼結した。得られた焼結体の熱伝導率
を第1表に示す。また、走査型電子顕微鏡による組織観
察の結果、Dy等を含有する第2相の量は非常に少なく
、いずれも3容量%以下であることが確認できた。
含有量1.2重量%)に平均粒子径が6tnaのDy2
01粒子を第1表に示す容量を配合したもの100重量
%に対し、C微粉末を0,35重量%配合し、エチルア
ルコール500ccを入れたプラスチック製ボールミル
容器中でプラスチックボールを用いて24時間混合した
。混合後頁空中で乾燥し、1気圧のN2ガス中で、第1
表に示す各条件で焼結した。得られた焼結体の熱伝導率
を第1表に示す。また、走査型電子顕微鏡による組織観
察の結果、Dy等を含有する第2相の量は非常に少なく
、いずれも3容量%以下であることが確認できた。
第1表に示した結果から本発明におけるDy20、の添
加量は、焼結条件との兼ね合いもあるが、通常は、0.
5〜13重量%程度であれば良いことがわかる。
加量は、焼結条件との兼ね合いもあるが、通常は、0.
5〜13重量%程度であれば良いことがわかる。
尚、D 3’ z O3に代えてY2O,を用いて、同
様に添加量を検討したところ、Y、O,の場合には、最
適熱処理条件に差異はあるもののD)’toyの約半分
の重量%の添加で、はぼ同じような結果が得られること
を確認した。
様に添加量を検討したところ、Y、O,の場合には、最
適熱処理条件に差異はあるもののD)’toyの約半分
の重量%の添加で、はぼ同じような結果が得られること
を確認した。
第1表
実施例4
実施例3と同じ原料粉末を使用し、窒化アルミニウムに
D’/20s粉末を7重量%配合したちの100重量%
と、第2表に示す容量のC粉末とをそれぞれ配合し、ボ
ールミルで混合後乾燥し、成形後1気圧のN2ガス中で
1900℃×5時間の焼結条件で焼結した。得られた焼
結体の熱伝導率。
D’/20s粉末を7重量%配合したちの100重量%
と、第2表に示す容量のC粉末とをそれぞれ配合し、ボ
ールミルで混合後乾燥し、成形後1気圧のN2ガス中で
1900℃×5時間の焼結条件で焼結した。得られた焼
結体の熱伝導率。
密度、D ’/ 203量、カーボン量および酸素量な
どを第2表に示す。本発明による焼結体が、C無添加よ
りも良い熱伝導率を示すこと、焼結体中の第2相の量お
よび酸素量が極めて少ないことなどが明らかである。
どを第2表に示す。本発明による焼結体が、C無添加よ
りも良い熱伝導率を示すこと、焼結体中の第2相の量お
よび酸素量が極めて少ないことなどが明らかである。
また、第2図は、カーボンの添加量が0%、0゜2%、
0.4%、および0.6%の各場合について、1800
℃、2時間焼結し得た焼結体の破断面組織のSEMI!
察写真である。この図から、カーボンの含有量が少ない
場合、第2相は3重点以外の粒界面にも多く存在するが
、カーボン量が増えるに従い粒界面の第2相は少なくな
るなど、残存する第2相の量および部位が変化している
ことがわかる。
0.4%、および0.6%の各場合について、1800
℃、2時間焼結し得た焼結体の破断面組織のSEMI!
察写真である。この図から、カーボンの含有量が少ない
場合、第2相は3重点以外の粒界面にも多く存在するが
、カーボン量が増えるに従い粒界面の第2相は少なくな
るなど、残存する第2相の量および部位が変化している
ことがわかる。
尚、D)’20m粉末に代えてY2O,粉末を4重量%
配合した他は上記と同様にして、C添加効果を検討した
ところ、はぼ同じような傾向のあることが確認された。
配合した他は上記と同様にして、C添加効果を検討した
ところ、はぼ同じような傾向のあることが確認された。
実施例5
平均粒子径0.54の窒化アルミニウム粉末(酸素含有
量1.2重量%)に平均粒子径6μsのDy20、粒子
を5重量%を配合したもの100重量%に対し、C微粉
末0.3重量%を配合し、1気圧のN2ガス中で、18
00℃の湿度で10時間焼結し、 10mmX 10m
mX 2+amの大きさの板状窒化アルミニウム焼結体
を作成した。得られた焼結体の熱伝導率は193W/m
・Kであった。次いで、この板状焼結体を酸素分圧が約
0.2気圧の雰囲気において1000℃に加熱し、20
分保持して厚さ約1μのアルミナ表面層を形成した。次
に上記アルミナ層の表面に、蒸着法により膜厚0.3μ
mのチタン層、膜厚0.7μlのニッケル層、および0
.25μmの金の層を夫々順次形成して電子部品を構成
するための半導体基板を作製した。
量1.2重量%)に平均粒子径6μsのDy20、粒子
を5重量%を配合したもの100重量%に対し、C微粉
末0.3重量%を配合し、1気圧のN2ガス中で、18
00℃の湿度で10時間焼結し、 10mmX 10m
mX 2+amの大きさの板状窒化アルミニウム焼結体
を作成した。得られた焼結体の熱伝導率は193W/m
・Kであった。次いで、この板状焼結体を酸素分圧が約
0.2気圧の雰囲気において1000℃に加熱し、20
分保持して厚さ約1μのアルミナ表面層を形成した。次
に上記アルミナ層の表面に、蒸着法により膜厚0.3μ
mのチタン層、膜厚0.7μlのニッケル層、および0
.25μmの金の層を夫々順次形成して電子部品を構成
するための半導体基板を作製した。
得られた半導体基板上に溶融はんだを載せ、はんだとの
濡れ性および窒化アルミニウムの侵食状態を調べたとこ
ろ、主として金がはんだを構成する錫および鉛との合金
層を形成することにより、濡れ性が充分に確保されると
ともに窒化アルミニウムへの侵食は全く無いことが確認
できた。また、この半導体基板の表裏にエポキシシ樹脂
を介してアルミニウムピンを固着し、接合強度の評価を
行なったところ、接合強度は7 K g / mm”以
上もあり、形成された表面層各層間は相互に強固に密着
していることがわかった。
濡れ性および窒化アルミニウムの侵食状態を調べたとこ
ろ、主として金がはんだを構成する錫および鉛との合金
層を形成することにより、濡れ性が充分に確保されると
ともに窒化アルミニウムへの侵食は全く無いことが確認
できた。また、この半導体基板の表裏にエポキシシ樹脂
を介してアルミニウムピンを固着し、接合強度の評価を
行なったところ、接合強度は7 K g / mm”以
上もあり、形成された表面層各層間は相互に強固に密着
していることがわかった。
なお、本実施例においては、熱処理することによりアル
ミナ表面層を形成したが、電子部品の用途によっては必
ずしもこの表面層の形成を必要としないことは言うまで
もない。また、本実施例ではニッケル層、チタン層、お
よび金の層を形成したが、用途によって銀など他の金属
または合金層を表面層として選択して良いことは勿論で
あり、その形成方法もメツキ法との組合せなど、蒸着以
外の方法を採用することも可能である。
ミナ表面層を形成したが、電子部品の用途によっては必
ずしもこの表面層の形成を必要としないことは言うまで
もない。また、本実施例ではニッケル層、チタン層、お
よび金の層を形成したが、用途によって銀など他の金属
または合金層を表面層として選択して良いことは勿論で
あり、その形成方法もメツキ法との組合せなど、蒸着以
外の方法を採用することも可能である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明は、残存酸素量を極めて少
なくし、ディスプロシウムの酸化物等を主体とする第2
相が殆ど存在しない窒化アルミニウム焼結体としたこと
により、厚肉材料においてもその熱伝導率が高く、18
0W/m・K以上の優れた特性を有するものであるから
、熱伝導または放熱などの働きを求められる例えば内部
配線を設けた多層基板などのような電子部品の基板、キ
ャップあるいはケースなどを構成する部材として優れた
効果を発揮出来るものである。
なくし、ディスプロシウムの酸化物等を主体とする第2
相が殆ど存在しない窒化アルミニウム焼結体としたこと
により、厚肉材料においてもその熱伝導率が高く、18
0W/m・K以上の優れた特性を有するものであるから
、熱伝導または放熱などの働きを求められる例えば内部
配線を設けた多層基板などのような電子部品の基板、キ
ャップあるいはケースなどを構成する部材として優れた
効果を発揮出来るものである。
第1図および第2図は、カーボンを所定量添加して焼結
して得た本発明による窒化アルミニウム焼結体と、カー
ボンを添加しない従来の焼結体との破断面をSEM(走
査型電子顕微鏡)によりIl!察第1 ・、−λ) ()、i2.vo) (y−hoe) 一゛ 3≧稔・。 Cつ、゛け、外 (×妬00)
して得た本発明による窒化アルミニウム焼結体と、カー
ボンを添加しない従来の焼結体との破断面をSEM(走
査型電子顕微鏡)によりIl!察第1 ・、−λ) ()、i2.vo) (y−hoe) 一゛ 3≧稔・。 Cつ、゛け、外 (×妬00)
Claims (6)
- (1)重量比で、5%以下の希土類金属酸化物および残
部実質的に窒化アルミニウムからなり、残存するカーボ
ン量および酸素の量が夫々0.1%以下および1%以下
であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 - (2)熱伝導率が180W/m・K以上である請求項1
記載の窒化アルミニウム焼結体。 - (3)上記希土類金属がデシプロシウムであることを特
徴とする請求項1または2記載の窒化アルミニウム焼結
体。 - (4)上記希土類金属がイットリウムであることを特徴
とする請求項1または2記載の窒化アルミニウム焼結体
。 - (5)0.5〜13重量%の希土類金属酸化物粉末と残
部窒化アルミニウム粉末との総量100重量%に対し、
1重量%以下の炭素を配合し、混合し成形した後、不活
性雰囲気中1700〜2000℃の温度で焼結すること
を特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 - (6)請求項1乃至4のいずれかの項に記載の窒化アル
ミニウム焼結体を、熱伝導部または放熱部を構成する部
材として使用することを特徴とする電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63136770A JPH0684265B2 (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 窒化アルミニウム焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP63136770A JPH0684265B2 (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 窒化アルミニウム焼結体 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01305863A true JPH01305863A (ja) | 1989-12-11 |
JPH0684265B2 JPH0684265B2 (ja) | 1994-10-26 |
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ID=15183108
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP63136770A Expired - Fee Related JPH0684265B2 (ja) | 1988-06-03 | 1988-06-03 | 窒化アルミニウム焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0684265B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0238366A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Kyocera Corp | 窒化アルミニウム質焼結体及びその製造方法 |
JP2005187235A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
JP2006270120A (ja) * | 2003-12-19 | 2006-10-05 | Kyocera Corp | 発光ダイオード装置 |
JP2009158549A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 立体回路基板用窒化アルミニウム系基材、その製造方法、及び立体回路基板 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61205670A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPS6252181A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-06 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPS63277567A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
JPS6429807A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Furukawa Electric Co Ltd | Fusion connecting method for plastic clad optical fiber |
JPH0196067A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Nec Corp | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPH01179365A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-17 | Canon Inc | 電界効果トランジスタ |
JPH01203270A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法 |
-
1988
- 1988-06-03 JP JP63136770A patent/JPH0684265B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61205670A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
JPS6252181A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-06 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPS63277567A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
JPS6429807A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Furukawa Electric Co Ltd | Fusion connecting method for plastic clad optical fiber |
JPH0196067A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Nec Corp | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPH01179365A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-17 | Canon Inc | 電界効果トランジスタ |
JPH01203270A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0238366A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Kyocera Corp | 窒化アルミニウム質焼結体及びその製造方法 |
JP2006270120A (ja) * | 2003-12-19 | 2006-10-05 | Kyocera Corp | 発光ダイオード装置 |
JP2005187235A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Toshiba Corp | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
JP4564257B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体 |
JP2009158549A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 立体回路基板用窒化アルミニウム系基材、その製造方法、及び立体回路基板 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0684265B2 (ja) | 1994-10-26 |
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