JPH01293595A - 厚膜配線基板の製造方法 - Google Patents
厚膜配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH01293595A JPH01293595A JP12449788A JP12449788A JPH01293595A JP H01293595 A JPH01293595 A JP H01293595A JP 12449788 A JP12449788 A JP 12449788A JP 12449788 A JP12449788 A JP 12449788A JP H01293595 A JPH01293595 A JP H01293595A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor layer
- oxidized
- ceramic substrate
- layer
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 11
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 66
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 15
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018565 CuAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018572 CuAlO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100434911 Mus musculus Angpt1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミック基板の表面に厚膜形成技術によっ
て導体層を形成された厚膜配線基板に関する。
て導体層を形成された厚膜配線基板に関する。
厚膜配線基板に用いられる導体材料としては、Ａｕ系ペ
ーストやＡｇＰｄ、 ＡｇＰｔ等のＡｇ系ペーストが一
般的であり、コスト的な面からはＡｇ系ペーストが多く
用いられているが、Ｃｕペーストを用いてＣｕ４体層を
形成することも近年実用化が進められている。これは、
Ｃｕペーストは、Ａｇ系ペーストに較べて、■耐マイグ
レーション性に優れる、■導体抵抗が低い、■耐はんだ
性に優れる、■ファインライン性に優れる、といった特
徴があるためである。
ーストやＡｇＰｄ、 ＡｇＰｔ等のＡｇ系ペーストが一
般的であり、コスト的な面からはＡｇ系ペーストが多く
用いられているが、Ｃｕペーストを用いてＣｕ４体層を
形成することも近年実用化が進められている。これは、
Ｃｕペーストは、Ａｇ系ペーストに較べて、■耐マイグ
レーション性に優れる、■導体抵抗が低い、■耐はんだ
性に優れる、■ファインライン性に優れる、といった特
徴があるためである。
上記のようにＣｕペース５分セラミック基板の表面に印
刷し、乾燥させた後に焼成してセラミック基板の表面に
Ｃｕ導体層を形成した場合、Ｃｕ導体層とアルミナ基板
等のセラミック基板との密着強度が不十分となる。この
ため、Ｃｕ導体層を強制的に酸化させることによって、
Ｃｕ導体層とセラミック基板との密着強度を向上させる
方法が検討されている９この方法は、酸化銅とアルミナ
とか反応してＣＬＩＡ＋０２が生成され、これによって
密着強度か大きくなることを利用したものである。
刷し、乾燥させた後に焼成してセラミック基板の表面に
Ｃｕ導体層を形成した場合、Ｃｕ導体層とアルミナ基板
等のセラミック基板との密着強度が不十分となる。この
ため、Ｃｕ導体層を強制的に酸化させることによって、
Ｃｕ導体層とセラミック基板との密着強度を向上させる
方法が検討されている９この方法は、酸化銅とアルミナ
とか反応してＣＬＩＡ＋０２が生成され、これによって
密着強度か大きくなることを利用したものである。
ところが、Ｃｕ導体層の密着強度を大きくするため、焼
成時の酸素濃度をある程度以上高くすると、銅の酸化に
よってはんだがつきにくくなるという開題が生じていた
。
成時の酸素濃度をある程度以上高くすると、銅の酸化に
よってはんだがつきにくくなるという開題が生じていた
。
このため、 Ｃｕ導体層を用いる場合、密着強度が十分
に強く、しかもはんだ濡れ性の良好な厚ｍ銅配線を形成
することが困難であった。
に強く、しかもはんだ濡れ性の良好な厚ｍ銅配線を形成
することが困難であった。
したがって、本発明は、Ｃｕ導体層とセラミック基板と
の密着性がよく、しかもはんだ濡れ性も良好な厚膜配線
基板を提供することを目的としている。
の密着性がよく、しかもはんだ濡れ性も良好な厚膜配線
基板を提供することを目的としている。
本発明の厚膜配線基板は、セラミック基板の表面に酸化
処理されたＣｕ導体層を形成し、この酸化処理されたＣ
ｕ導体層の上に酸化処理されていないＣｕ導体層を積層
したことを特徴としている。
処理されたＣｕ導体層を形成し、この酸化処理されたＣ
ｕ導体層の上に酸化処理されていないＣｕ導体層を積層
したことを特徴としている。
本発明の厚膜配線基板にあっては、上記の如（Ｃｕ導体
層を２層構造とし、セラミック基板側のＣｕ導体層に酸
化処理を施しなので、この下層のＣｕ導体層はアルミナ
等のセラミック基板との間にＣｕＡｌＯ２等の化合物を
形成し、Ｃｕ導体層とセラミック基板との密着強度が高
くなる。また、表面側は酸化処理されていない通常のＣ
ｕ導体層によって形成されているので、はんだ濡れ性に
優れており、また下側のＣｕ導体層とも十分な密着強度
を持っている。
層を２層構造とし、セラミック基板側のＣｕ導体層に酸
化処理を施しなので、この下層のＣｕ導体層はアルミナ
等のセラミック基板との間にＣｕＡｌＯ２等の化合物を
形成し、Ｃｕ導体層とセラミック基板との密着強度が高
くなる。また、表面側は酸化処理されていない通常のＣ
ｕ導体層によって形成されているので、はんだ濡れ性に
優れており、また下側のＣｕ導体層とも十分な密着強度
を持っている。
以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
第１区に示すように、セラミック基板１の上面には、配
線パターンに沿ってｉｓ二層構造のＣｕ導体Ｎ２，３が
形成されている。実施例では、セラミック基板１として
アルミナ基板１ａが用いられている。また、Ｃｕ導体層
２．３のうち、下層のＣｕ導体層２は製造工程において
酸化処理を施されており、酸化処理を施されていない通
常のＣｕ導体層３よりも多量の酸化銅が生じている。こ
の多量の酸化銅はアルミナ基板１ａと反応して大量のＣ
ｕＡ １０２を形成しており、これによって酸化処理さ
れた下層のＣｕ導体層２とセラミック基板１との密着強
度を大きくしている。また、表面側のＣｕ導体Ｎ３は製
造工程において特に酸化処理を施されていないので、酸
化銅が少なく、このためはんだ濡れ性が良好ではんだ付
けを行い易い、しがも、表面側のＣｕ導体層３と下層の
Ｃｕ導体層２は、焼成時に同時に１結され、その境界面
においても十分な密着強度を有している。
線パターンに沿ってｉｓ二層構造のＣｕ導体Ｎ２，３が
形成されている。実施例では、セラミック基板１として
アルミナ基板１ａが用いられている。また、Ｃｕ導体層
２．３のうち、下層のＣｕ導体層２は製造工程において
酸化処理を施されており、酸化処理を施されていない通
常のＣｕ導体層３よりも多量の酸化銅が生じている。こ
の多量の酸化銅はアルミナ基板１ａと反応して大量のＣ
ｕＡ １０２を形成しており、これによって酸化処理さ
れた下層のＣｕ導体層２とセラミック基板１との密着強
度を大きくしている。また、表面側のＣｕ導体Ｎ３は製
造工程において特に酸化処理を施されていないので、酸
化銅が少なく、このためはんだ濡れ性が良好ではんだ付
けを行い易い、しがも、表面側のＣｕ導体層３と下層の
Ｃｕ導体層２は、焼成時に同時に１結され、その境界面
においても十分な密着強度を有している。
次に、上記構造の厚膜配線基板Ａの製造工程を第２図に
沿って簡単に説明する。まず、第一の印刷工程４におい
て、スクリーン印刷によってＣｕペーストを印刷するこ
とにより、アルミナ基板１ａの上に下層となるＣｕ導体
層２を形成する０次に、第一の乾燥工程５において、こ
のＣｕ導体層２を加熱乾燥させると同時にＣｕ導体層２
に酸化処理を施す。酸化処理としては、通常の乾燥条件
（はんだの濡れ性が悪くならない条件）よりも乾燥温度
を高温に設定したり、乾燥時間を長くとったりして行う
ことができ、この酸化処理によってＣｕ導体層２には大
量の酸化銅が含まれることになる。更に、第二の印刷工
程６において、この下層のＣｕ導体層２の上に重ねてス
クリーン印刷によってＣｕペーストを印刷し、下層のＣ
ｕ導体層２の上に表面側のＣｕ導体層３を積層する。第
二の乾燥工程７においては、はんだ濡れ性を悪くしない
通常の乾燥条件で表面側のＣｕ導体層３を乾燥させる。
沿って簡単に説明する。まず、第一の印刷工程４におい
て、スクリーン印刷によってＣｕペーストを印刷するこ
とにより、アルミナ基板１ａの上に下層となるＣｕ導体
層２を形成する０次に、第一の乾燥工程５において、こ
のＣｕ導体層２を加熱乾燥させると同時にＣｕ導体層２
に酸化処理を施す。酸化処理としては、通常の乾燥条件
（はんだの濡れ性が悪くならない条件）よりも乾燥温度
を高温に設定したり、乾燥時間を長くとったりして行う
ことができ、この酸化処理によってＣｕ導体層２には大
量の酸化銅が含まれることになる。更に、第二の印刷工
程６において、この下層のＣｕ導体層２の上に重ねてス
クリーン印刷によってＣｕペーストを印刷し、下層のＣ
ｕ導体層２の上に表面側のＣｕ導体層３を積層する。第
二の乾燥工程７においては、はんだ濡れ性を悪くしない
通常の乾燥条件で表面側のＣｕ導体層３を乾燥させる。
したがって、この二層のＣｕ導体層２．３のうち下層の
Ｃｕ導体層２には大量の酸化銅が含まれているが、表面
側のＣｕ導体層３は酸化処理されていないなめに少量の
酸化銅しか含んでいない。この後、焼成工程８において
、二層のＣｕ導体層２，３を同時に焼成すると、下層の
Ｃｕ導体層２に含まれる大量の酸化銅がアルミナと反応
して大量のＣｕＡｌ０□を生成し、このため下層のＣｕ
導体層２とアルミナ基板１ａとの密着強度が大きくなる
のである。一方、表面側のＣｕ導体層３では少量の酸化
銅しか含んでいないので、酸化銅によってはんだの乗り
が悪くなることがなく、良好なはんだ濡れ性を得ること
ができるのである。
Ｃｕ導体層２には大量の酸化銅が含まれているが、表面
側のＣｕ導体層３は酸化処理されていないなめに少量の
酸化銅しか含んでいない。この後、焼成工程８において
、二層のＣｕ導体層２，３を同時に焼成すると、下層の
Ｃｕ導体層２に含まれる大量の酸化銅がアルミナと反応
して大量のＣｕＡｌ０□を生成し、このため下層のＣｕ
導体層２とアルミナ基板１ａとの密着強度が大きくなる
のである。一方、表面側のＣｕ導体層３では少量の酸化
銅しか含んでいないので、酸化銅によってはんだの乗り
が悪くなることがなく、良好なはんだ濡れ性を得ること
ができるのである。
また、上記厚膜配線基板Ａは他の製造工程によっても可
能である。これを第３図に示す。まず、第一の印刷工程
９において、スクリーン印刷によってＣｕペーストを印
刷することにより、アルミナ基板１ａの上に下層となる
Ｃｕ導体層２を形成する。次に、第一の乾燥工程１０に
おいて、通常の乾燥条件下でＣｕ導体層２を加熱乾燥さ
せる。更に、第一の焼成工程１１において、Ｃｕ導体層
２を焼成すると同時にＣｕ導体層２に酸化処理を施す。
能である。これを第３図に示す。まず、第一の印刷工程
９において、スクリーン印刷によってＣｕペーストを印
刷することにより、アルミナ基板１ａの上に下層となる
Ｃｕ導体層２を形成する。次に、第一の乾燥工程１０に
おいて、通常の乾燥条件下でＣｕ導体層２を加熱乾燥さ
せる。更に、第一の焼成工程１１において、Ｃｕ導体層
２を焼成すると同時にＣｕ導体層２に酸化処理を施す。
酸化処理としては、通常の酸素濃度（はんだの濡れ性が
悪くならない程度）よりも高い酸素濃度の雰囲気中でＣ
ｕ導体層２を焼成することによって行うことができる。
悪くならない程度）よりも高い酸素濃度の雰囲気中でＣ
ｕ導体層２を焼成することによって行うことができる。
このようにして酸化処理を施すと、高濃度酸素を含む雰
囲気中で過剰に酸素が供給されることによって酸化銅が
増え、更にアルミナ基板１ａとの間で反応してＣｕＡｌ
０□が大量に生成され、この結果下層のＣｕ導体層２と
アルミナ基板１ａとの間の密着強度が高くなる。この後
、第二の印刷工程１２において、この下層のＣｕ導体層
２の上に重ねてスクリーン印刷によってＣｕペーストを
印刷し、下層のＣｕ導体層２の上に表面側のＣｕ導体層
３を積層し、第二の乾燥工程１３において、通常の乾燥
条件下で表面側のＣｕ導体層３を乾燥させる。次いで、
第二の焼成工程１４において表面側のＣｕ導体層３を焼
成する場合には、Ｃｕ導体層３に酸化銅が生じにくいよ
うに通常の酸素濃度下で焼成する。したがって、表面側
のＣｕ導体Ｎ３は少量の酸化銅しか含まないので、優れ
たはんだ濡れ性を得ることができるのである。
囲気中で過剰に酸素が供給されることによって酸化銅が
増え、更にアルミナ基板１ａとの間で反応してＣｕＡｌ
０□が大量に生成され、この結果下層のＣｕ導体層２と
アルミナ基板１ａとの間の密着強度が高くなる。この後
、第二の印刷工程１２において、この下層のＣｕ導体層
２の上に重ねてスクリーン印刷によってＣｕペーストを
印刷し、下層のＣｕ導体層２の上に表面側のＣｕ導体層
３を積層し、第二の乾燥工程１３において、通常の乾燥
条件下で表面側のＣｕ導体層３を乾燥させる。次いで、
第二の焼成工程１４において表面側のＣｕ導体層３を焼
成する場合には、Ｃｕ導体層３に酸化銅が生じにくいよ
うに通常の酸素濃度下で焼成する。したがって、表面側
のＣｕ導体Ｎ３は少量の酸化銅しか含まないので、優れ
たはんだ濡れ性を得ることができるのである。
なお、上記実施例においては、セラミック基板としてア
ルミナ基板を用いた場合について説明したが、セラミッ
ク基板としてはアルミナ基板に限るものでなく、ＡＩを
組成に含むような他のセラミック基板でも良い。また、
酸化銅と化合物を形成するようなＡ１以外の組成を含む
セラミック基板であっても良い。
ルミナ基板を用いた場合について説明したが、セラミッ
ク基板としてはアルミナ基板に限るものでなく、ＡＩを
組成に含むような他のセラミック基板でも良い。また、
酸化銅と化合物を形成するようなＡ１以外の組成を含む
セラミック基板であっても良い。
本発明によれば、酸化処理されたＣｕ導体層によってセ
ラミック基板との密着強度を高めることができ、Ｃｕ導
体層の剥離など３生じない信頼性の高い厚膜配線基板を
得ることができる。しかも、表面の酸化処理されていな
いＣｕ導体層によってはんだ濡れ性を良好にでき、はん
だ不良も防止することができる。また、上下のＣｕ導体
層同士も十分な密着強度を有している。
ラミック基板との密着強度を高めることができ、Ｃｕ導
体層の剥離など３生じない信頼性の高い厚膜配線基板を
得ることができる。しかも、表面の酸化処理されていな
いＣｕ導体層によってはんだ濡れ性を良好にでき、はん
だ不良も防止することができる。また、上下のＣｕ導体
層同士も十分な密着強度を有している。
第１図は本発明の一実施例を示す部分断面図、第２図は
同上の厚膜配線基板を製造する方法分示す工程図、第３
図は同上の厚膜配線基板を製造する他の方法を示す工程
図である。 １・・・セラミック基板 ２・・・酸化処理されたＣｕ導体層 ３・・・酸化処理されていないＣｕ導体層特許出願人
株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 中 野 雅 房
同上の厚膜配線基板を製造する方法分示す工程図、第３
図は同上の厚膜配線基板を製造する他の方法を示す工程
図である。 １・・・セラミック基板 ２・・・酸化処理されたＣｕ導体層 ３・・・酸化処理されていないＣｕ導体層特許出願人
株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 中 野 雅 房
Claims (1)
- （１）セラミック基板の表面に酸化処理されたＣｕ導体
層を形成し、この酸化処理されたＣｕ導体層の上に酸化
処理されていないＣｕ導体層を積層したことを特徴とす
る厚膜配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124497A JPH071823B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 厚膜配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124497A JPH071823B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 厚膜配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01293595A true JPH01293595A (ja) | 1989-11-27 |
| JPH071823B2 JPH071823B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=14886955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63124497A Expired - Fee Related JPH071823B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 厚膜配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071823B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512353A (en) * | 1990-12-21 | 1996-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic substrate for an electronic circuit |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51132457A (en) * | 1975-05-13 | 1976-11-17 | Fujitsu Ltd | Method of firing thick film paste |
| JPS62198191A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波用集積回路基板の製法 |
| JPS6393193A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-23 | 松下電器産業株式会社 | 銅導体厚膜回路基板の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63124497A patent/JPH071823B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51132457A (en) * | 1975-05-13 | 1976-11-17 | Fujitsu Ltd | Method of firing thick film paste |
| JPS62198191A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波用集積回路基板の製法 |
| JPS6393193A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-23 | 松下電器産業株式会社 | 銅導体厚膜回路基板の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5512353A (en) * | 1990-12-21 | 1996-04-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic substrate for an electronic circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071823B2 (ja) | 1995-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01293595A (ja) | 厚膜配線基板の製造方法 | |
| JPH06169173A (ja) | 窒化アルミニウム質基板の製造方法 | |
| JPH04145694A (ja) | 樹脂系多層プリント基板における印刷抵抗の電極構造 | |
| JP3100796B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPS63124596A (ja) | 回路基板 | |
| JPS5619648A (en) | Package for integrated circuit | |
| JP2685890B2 (ja) | チツプ部品の電極形成方法 | |
| JPH05275832A (ja) | 厚膜回路基板 | |
| JPH0680897B2 (ja) | セラミツク銅多層配線基板の製造方法 | |
| JP2569716B2 (ja) | 多層厚膜ｉｃ基板の製造法 | |
| JPS582066Y2 (ja) | 多層配線板 | |
| JPH0682908B2 (ja) | 抵抗体付セラミック回路板の製造方法 | |
| JPS61154197A (ja) | 厚膜多層基板 | |
| KR0178788B1 (ko) | 세라믹 팩키지의 제조방법 | |
| JPH01223796A (ja) | 銅めっき導体部を有するハイブリッドｉｃおよびその製造方法 | |
| JPH0521934A (ja) | 混成集積回路用基板およびその製造方法 | |
| JPH0722221B2 (ja) | セラミツクス回路基板の製造方法 | |
| JPH02196491A (ja) | 厚膜回路基板 | |
| JP2000174423A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPS61164298A (ja) | 複合セラミツク多層配線板及びその製造方法 | |
| JPH03126291A (ja) | チップ部品実装電子回路の製造方法 | |
| JPH0362033B2 (ja) | ||
| JPH05343851A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH02260599A (ja) | 多層基板の製造法 | |
| JPH0457389A (ja) | 銅回路基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |