JPH01290658A - スルホニウム化合物の製造方法 - Google Patents
スルホニウム化合物の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は、タンパク質、ペプチド、アミノ酸、アルコー
ル等のアシル化反応に関して、特に水溶液中においてア
シル化を可能にする優れたアシル化試薬として有用なス
ルホニウム化合物の製造方法に関する。
ル等のアシル化反応に関して、特に水溶液中においてア
シル化を可能にする優れたアシル化試薬として有用なス
ルホニウム化合物の製造方法に関する。
（従来技術）
従来、チオアニソール誘導体と硫酸ジメチルから簡単で
、経済的にスルホニウム化合物を製造する方法は知られ
ていない。−船釣なスルホニウム化合物の製造方法とし
ては、ｐ−ジメチルスルホニオフェノール メチル硫酸
塩にトリエチルアミンの存在下で、酸ハロゲン化物を作
用させて下記−紋穴 ［式中Ｒはベンジルオキシ基、ｐ−メトキシベンジルオ
キシ基、フェニル基、のいずれかであるコを得る方法が
特許公開昭６３−８３６５号に開示されている。しかし
、この方法では生成した上記の化合物が副生物のトリエ
チルアミン塩酸塩と各種溶剤に対して溶解度が類似し、
このためこのトリエチルアミン塩酸塩との分離が難しく
、煩雑な精製工程が必要であり、経済的でないなどの問
題点があった。
、経済的にスルホニウム化合物を製造する方法は知られ
ていない。−船釣なスルホニウム化合物の製造方法とし
ては、ｐ−ジメチルスルホニオフェノール メチル硫酸
塩にトリエチルアミンの存在下で、酸ハロゲン化物を作
用させて下記−紋穴 ［式中Ｒはベンジルオキシ基、ｐ−メトキシベンジルオ
キシ基、フェニル基、のいずれかであるコを得る方法が
特許公開昭６３−８３６５号に開示されている。しかし
、この方法では生成した上記の化合物が副生物のトリエ
チルアミン塩酸塩と各種溶剤に対して溶解度が類似し、
このためこのトリエチルアミン塩酸塩との分離が難しく
、煩雑な精製工程が必要であり、経済的でないなどの問
題点があった。
（発明の目的）
従って本発明の目的は、簡便でしかも精製のいらない上
記−紋穴のスルホニウム化合物の製造方法を提供するこ
とにある。
記−紋穴のスルホニウム化合物の製造方法を提供するこ
とにある。
（発明の構成）
本発明は一般式（Ｉ）
Ｅ式中Ｒはベンジルオキシ基、ｐ−メトキシベンジルオ
キシ基、フェニル基のいずれかである］で示されるチオ
アニソール誘導体と、硫酸ジメチルを反応させてなる一
般式（ＩＩ） ［式中Ｒは前記と同じ意味を持つ］ で示されるスルホニウム化合物の製造方法に関するもの
である。この反応はチオアニソール誘導体に硫酸ジメチ
ルを作用させて前記−紋穴のスルホニウム化合物を得る
ことができるため、従来、中和目的に必要とされていた
トリエチルアミンを用いる必要がなく精製の必要のない
、しかも簡便な工業的に有利な製造方法である。
キシ基、フェニル基のいずれかである］で示されるチオ
アニソール誘導体と、硫酸ジメチルを反応させてなる一
般式（ＩＩ） ［式中Ｒは前記と同じ意味を持つ］ で示されるスルホニウム化合物の製造方法に関するもの
である。この反応はチオアニソール誘導体に硫酸ジメチ
ルを作用させて前記−紋穴のスルホニウム化合物を得る
ことができるため、従来、中和目的に必要とされていた
トリエチルアミンを用いる必要がなく精製の必要のない
、しかも簡便な工業的に有利な製造方法である。
（実施例）
以下、合成例ならびに使用実施例にて本発明を詳細にす
るが、本発明の有利性は下記のみに限定されるものでは
ない。
るが、本発明の有利性は下記のみに限定されるものでは
ない。
合成例１
ｐ−メチルチオフェニルベンジルカーボネートメチル硫
酸塩の合成 ｐ−メチルチオフェニルベンジルカーボネート４０ｇ
（０，１４６モル）にトルエン４０ｍ１を加えて、７０
〜８０℃で硫酸ジメチル１８．４ｇ（０゜１４６モル）
を滴下し、さらにこの温度範囲で２時間反応を行った。
酸塩の合成 ｐ−メチルチオフェニルベンジルカーボネート４０ｇ
（０，１４６モル）にトルエン４０ｍ１を加えて、７０
〜８０℃で硫酸ジメチル１８．４ｇ（０゜１４６モル）
を滴下し、さらにこの温度範囲で２時間反応を行った。
反応完結後、冷却してろ過、乾燥した。収量４５．７ｇ
（７８，３％）ｍ、ｐ、１２１〜１２４℃ 元素分析値（理論値） Ｃ，５１，２５％（５１，０１％） Ｈ，５，１２％ （４，９９％） Ｓ、１５．９２％（１５゜９９％） 合成例２ ｐ−ジメチルスルホニオフェニルベンゾエートメチル硫
酸塩の合成 ｐ−メチルチオフェニルベンゾエート４０ｇ（０゜１６
４モル）にトルエン４０ｍ１を加えて、８０〜９０℃で
硫酸ジメチル２０ｇ（０，１５９モル）を滴下し、さら
にこの温度範囲で２時間反応を行った。反応完結後、冷
却してろ過、乾燥した。収量４７．６ｇ （７８，４％
） ｍ、ｐ、 １７２〜１７５．９°Ｃ 元素分析値（理論値） Ｃ，５１，９１％（５１，８８％） Ｈ，４，９８％ （４，９０％） Ｓ、１７．２９％（１７，３１％） 比較例 ｐ−ジメチルスルホニオフェニルベンジルカーボネート
−メチル硫酸塩の合成 ｐ−ジメチルスルホニオフェノール メチル硫酸塩２６
ｇをアセトニトリル２００ｍ１に溶解し、室温で撹拌し
ながらベンジルオキシカルボニルクロライド１６ｍ１
およびトリエチルアミン１４ｍ１を滴下した。反応完
結後、ろ過し、大部分のトリエチルアミン塩酸塩を除い
たのち、ろ液を減圧下で濃縮し残香にＤＭＦ−エーテル
混合液を加えて、析出したトリエチルアミン塩酸塩をろ
過して除く。
（７８，３％）ｍ、ｐ、１２１〜１２４℃ 元素分析値（理論値） Ｃ，５１，２５％（５１，０１％） Ｈ，５，１２％ （４，９９％） Ｓ、１５．９２％（１５゜９９％） 合成例２ ｐ−ジメチルスルホニオフェニルベンゾエートメチル硫
酸塩の合成 ｐ−メチルチオフェニルベンゾエート４０ｇ（０゜１６
４モル）にトルエン４０ｍ１を加えて、８０〜９０℃で
硫酸ジメチル２０ｇ（０，１５９モル）を滴下し、さら
にこの温度範囲で２時間反応を行った。反応完結後、冷
却してろ過、乾燥した。収量４７．６ｇ （７８，４％
） ｍ、ｐ、 １７２〜１７５．９°Ｃ 元素分析値（理論値） Ｃ，５１，９１％（５１，８８％） Ｈ，４，９８％ （４，９０％） Ｓ、１７．２９％（１７，３１％） 比較例 ｐ−ジメチルスルホニオフェニルベンジルカーボネート
−メチル硫酸塩の合成 ｐ−ジメチルスルホニオフェノール メチル硫酸塩２６
ｇをアセトニトリル２００ｍ１に溶解し、室温で撹拌し
ながらベンジルオキシカルボニルクロライド１６ｍ１
およびトリエチルアミン１４ｍ１を滴下した。反応完
結後、ろ過し、大部分のトリエチルアミン塩酸塩を除い
たのち、ろ液を減圧下で濃縮し残香にＤＭＦ−エーテル
混合液を加えて、析出したトリエチルアミン塩酸塩をろ
過して除く。
さらにろ液を減圧下で濃縮し、ｎ−ヘキサン−ＤＭＦ混
合液を加えて析出したトリエチルアミン塩酸塩をろ過し
て除く。次に、ろ液を減圧下濃縮し残香にエーテルを加
えて結晶化した。収！３０ｇ（７５％） 元素分析値（理論値） Ｃ，５１，３１％（５１，０１％） Ｈ，５，１３％ （４，９９％） Ｓ、１５．９５％（１５，９９％） 実施例 ベンジルオキシカルボニルグリシンの合成合成例１で調
製したｐ−ジメチルスルホニオフェニルベンジルカーボ
ネート メチル硫酸塩４０ｇを水２００ｍ１に溶解し室
温にて撹拌しながらグリシン７．５ｇとトリエチルアミ
ン１４ｍ１との水溶液２００ｍ１を滴下した。さらに室
温で８時間撹拌し反応液に２％ＨＣＩを加えｐＨ２とし
、水溶液を酢酸エチル５００ｍ１にて２回抽出した。酢
酸エチル層を乾燥し、減圧下濃縮して得られた残香にエ
ーテルを加えて白色結晶を得た。収量２０．６ｇ（９５
，８％） ｍ、ｐ、１１９〜１２０℃（文献値１２０℃）（発明の
効果） 本発明の方法は次のような効果を奏する。
合液を加えて析出したトリエチルアミン塩酸塩をろ過し
て除く。次に、ろ液を減圧下濃縮し残香にエーテルを加
えて結晶化した。収！３０ｇ（７５％） 元素分析値（理論値） Ｃ，５１，３１％（５１，０１％） Ｈ，５，１３％ （４，９９％） Ｓ、１５．９５％（１５，９９％） 実施例 ベンジルオキシカルボニルグリシンの合成合成例１で調
製したｐ−ジメチルスルホニオフェニルベンジルカーボ
ネート メチル硫酸塩４０ｇを水２００ｍ１に溶解し室
温にて撹拌しながらグリシン７．５ｇとトリエチルアミ
ン１４ｍ１との水溶液２００ｍ１を滴下した。さらに室
温で８時間撹拌し反応液に２％ＨＣＩを加えｐＨ２とし
、水溶液を酢酸エチル５００ｍ１にて２回抽出した。酢
酸エチル層を乾燥し、減圧下濃縮して得られた残香にエ
ーテルを加えて白色結晶を得た。収量２０．６ｇ（９５
，８％） ｍ、ｐ、１１９〜１２０℃（文献値１２０℃）（発明の
効果） 本発明の方法は次のような効果を奏する。
１）溶媒中でチオアニソール誘導体と硫酸ジメチルのみ
で反応し、スルホニウム化合物が得られるので、従来法
のようなトリエチルアミン塩酸塩の除去のための精製が
必要ない。
で反応し、スルホニウム化合物が得られるので、従来法
のようなトリエチルアミン塩酸塩の除去のための精製が
必要ない。
２）その結果、工程が簡略化され溶媒コストが低減され
る０以上のことから本発明に係るスルホニウム化合物の
製造方法は、有用なアシル化試薬の製造法としで寄与す
ることが判明した。
る０以上のことから本発明に係るスルホニウム化合物の
製造方法は、有用なアシル化試薬の製造法としで寄与す
ることが判明した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中Ｒはベンジルオキシ基、ｐ−メトキシベンジルオ
キシ基、フェニル基、のいずれかである］で示されるチ
オアニソール誘導体と、硫酸ジメチルを反応させること
を特徴とする 一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ［式中Ｒは前記と同じ意味を持つ］ で示されるスルホニウム化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12093988A JPH0737440B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12093988A JPH0737440B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01290658A true JPH01290658A (ja) | 1989-11-22 |
| JPH0737440B2 JPH0737440B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=14798708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12093988A Expired - Fee Related JPH0737440B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737440B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0401696A2 (en) * | 1989-06-07 | 1990-12-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for production of sulfonium compounds and novel methylthiophenyl derivatives |
| EP0406567A2 (en) * | 1989-06-07 | 1991-01-09 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for the production of sulfonium compounds and novel methylthiophenol derivatives |
| WO2007111092A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111075A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111098A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及びその製造方法 |
| WO2007111074A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| US7358408B2 (en) | 2003-05-16 | 2008-04-15 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP12093988A patent/JPH0737440B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0401696A2 (en) * | 1989-06-07 | 1990-12-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for production of sulfonium compounds and novel methylthiophenyl derivatives |
| EP0406567A2 (en) * | 1989-06-07 | 1991-01-09 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Process for the production of sulfonium compounds and novel methylthiophenol derivatives |
| US7358408B2 (en) | 2003-05-16 | 2008-04-15 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
| WO2007111092A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111075A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111098A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及びその製造方法 |
| WO2007111074A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0737440B2 (ja) | 1995-04-26 |
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