JPH029859A - スルホニウム化合物の製造方法 - Google Patents
スルホニウム化合物の製造方法Info
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- JPH029859A JPH029859A JP63159201A JP15920188A JPH029859A JP H029859 A JPH029859 A JP H029859A JP 63159201 A JP63159201 A JP 63159201A JP 15920188 A JP15920188 A JP 15920188A JP H029859 A JPH029859 A JP H029859A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、スルホニウム化合物の製造方法に関する。さ
らに詳しくは、本発明は下記一般式で表わされるスルホ
ニウム化合物の製造方法に関する。
らに詳しくは、本発明は下記一般式で表わされるスルホ
ニウム化合物の製造方法に関する。
［ここで、Ｒ１およびＲ２はアルキル基であり、互いに
同一または異なってもよい。Ｘｌは水素原子、ハロゲン
原子またはアルキル基のいずれかである。
同一または異なってもよい。Ｘｌは水素原子、ハロゲン
原子またはアルキル基のいずれかである。
陰イオンＹ−はハロゲン陰イオン、過塩素酸根、アルキ
ル硫酸根、硫酸根またはｐ−トルエンスルホン酸根のい
ずれかである。］ 本発明に１系る上記一般式で表わされるスルホニウム化
合物は、水溶性中で優れたアシル化作用を示すので、ペ
プチド合成などの有機合成化学分野において、ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニル基（ｔ−ＢｕＯＣＯ−１以下Ｂｏ
ｃと略記する）を導入するための優れた試薬である。
ル硫酸根、硫酸根またはｐ−トルエンスルホン酸根のい
ずれかである。］ 本発明に１系る上記一般式で表わされるスルホニウム化
合物は、水溶性中で優れたアシル化作用を示すので、ペ
プチド合成などの有機合成化学分野において、ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニル基（ｔ−ＢｕＯＣＯ−１以下Ｂｏ
ｃと略記する）を導入するための優れた試薬である。
［従来の技術およびその問題点］
従来から、Ｂｏｃ基はペプチド合成の際のアミン末端保
護基として広く用いられている。Ｂｏｃ基を導入するた
めの試薬としてたとえばＢｏｃ−ＣＩまたはＢ ｏ ｃ
−Ｎｑなとのハロゲン化物またはアジドを挙げること
ができるが、ハロゲン化物は不安定で保存が困難であり
、またアジドは爆発性の危険性がある。
護基として広く用いられている。Ｂｏｃ基を導入するた
めの試薬としてたとえばＢｏｃ−ＣＩまたはＢ ｏ ｃ
−Ｎｑなとのハロゲン化物またはアジドを挙げること
ができるが、ハロゲン化物は不安定で保存が困難であり
、またアジドは爆発性の危険性がある。
このような難点を避けるために、ｐ−ニトロフェノール
、２，４．５−トリクロロフェノール、ペンタクロロフ
ェノール等とｔｅｒｔ−ブチルアルコールの混合カルボ
ナートが用いられている。しかし、これらの混合カルボ
ナート型Ｂｏｃ化試薬においては、試薬自体に水溶性あ
るいは親水性がないため、水溶液中で反応を行う場合、
水と相溶性のある有機溶媒に溶解させたのち、水溶液中
の基質と反応を行わねばならない。また、これらの試薬
を用いてアミノ酸へＢｏｃを導入した場合は、導入後に
遊離するフェノール類が水溶性ではないために目的のＢ
ｏｃ−アミノ酸との分離が困難である。
、２，４．５−トリクロロフェノール、ペンタクロロフ
ェノール等とｔｅｒｔ−ブチルアルコールの混合カルボ
ナートが用いられている。しかし、これらの混合カルボ
ナート型Ｂｏｃ化試薬においては、試薬自体に水溶性あ
るいは親水性がないため、水溶液中で反応を行う場合、
水と相溶性のある有機溶媒に溶解させたのち、水溶液中
の基質と反応を行わねばならない。また、これらの試薬
を用いてアミノ酸へＢｏｃを導入した場合は、導入後に
遊離するフェノール類が水溶性ではないために目的のＢ
ｏｃ−アミノ酸との分離が困難である。
従来、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム
メチルサルフェートのような、フェノール性水酸基を有
する化合物の水酸基をアルコール成分としてエステル化
する方法としては、第三級アミンまたはピリジンの存在
下、酸ハロゲン化物を作用させる合成方法が特開昭６３
−８３６５号公報において知られている。
メチルサルフェートのような、フェノール性水酸基を有
する化合物の水酸基をアルコール成分としてエステル化
する方法としては、第三級アミンまたはピリジンの存在
下、酸ハロゲン化物を作用させる合成方法が特開昭６３
−８３６５号公報において知られている。
しかしながら、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホ
ニウム メチルサルフェートのごときスルホニウム化合
物に上記方法を適用して、４−（ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ）フエニルジメチルスルホニウム メチ
ルサルフェートを合成する際、対応する酸ハロゲン化物
は、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルクロリドであるが、
当該化合物は非常に不安定な物質であるため、従来の方
法では目的物は低収率でしか得られない。
ニウム メチルサルフェートのごときスルホニウム化合
物に上記方法を適用して、４−（ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシ）フエニルジメチルスルホニウム メチ
ルサルフェートを合成する際、対応する酸ハロゲン化物
は、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルクロリドであるが、
当該化合物は非常に不安定な物質であるため、従来の方
法では目的物は低収率でしか得られない。
また、各種溶剤に対する溶解度が副生成物の有機アミン
塩酸塩と類似するため、この有機アミン塩酸塩との分離
が難しく、煩雑な精製工程が必要であり、経済的でない
などの問題点があった。
塩酸塩と類似するため、この有機アミン塩酸塩との分離
が難しく、煩雑な精製工程が必要であり、経済的でない
などの問題点があった。
［発明の目的］
本発明の目的は、Ｂｏｃ化試薬である、４−（ｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニルオキシ）フエニルジメチルスルホ
ニウム類を簡便かつ高収率で得られる製造方法を提供す
ることにある。
−ブトキシカルボニルオキシ）フエニルジメチルスルホ
ニウム類を簡便かつ高収率で得られる製造方法を提供す
ることにある。
［発明の構成］
本発明者らは、前述のような問題点を解決するために検
討し、下記一般式（Ｉ）で表わされるスルホニウム化合
物の有利な合成法を見出し本発明に至った。
討し、下記一般式（Ｉ）で表わされるスルホニウム化合
物の有利な合成法を見出し本発明に至った。
すなわち、本発明はジ−ｔｅｒｔ−ブチル ジカルボナ
ートと、下記一般式（ｎ）で表わされる４−ヒドロキシ
フェニルスルホニウム類とを、第三級アミンまたはピリ
ジンの存在下に反応させることを特徴とする、一般式（
Ｉ）で表わされるスルホニウム化合物の製造方法に関す
る。
ートと、下記一般式（ｎ）で表わされる４−ヒドロキシ
フェニルスルホニウム類とを、第三級アミンまたはピリ
ジンの存在下に反応させることを特徴とする、一般式（
Ｉ）で表わされるスルホニウム化合物の製造方法に関す
る。
［一般式（１）および（ＩＩ）において、Ｒ１およびＲ
２はアルキル基であり、互いに同一または異なってもよ
い。Ｘｌは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基の
いずれかである。陰イオンＹ−はハロゲン陰イオン、過
塩素酸根、アルキル硫酸根、硫酸根またはｐ−トルエン
スルホン酸根のいずれかである。］ ここでＲ，、Ｒ２としては、炭素数１〜４の低級アルキ
ル基が好ましく、特にメチル基、エチル基などが好適で
ある。また、Ｙ−は水に対する溶解性の面からアルキル
硫酸根、硫酸水紫根が好ましく、アルキル硫酸根の中で
はメチル硫酸根が特に好ましい。
２はアルキル基であり、互いに同一または異なってもよ
い。Ｘｌは水素原子、ハロゲン原子またはアルキル基の
いずれかである。陰イオンＹ−はハロゲン陰イオン、過
塩素酸根、アルキル硫酸根、硫酸根またはｐ−トルエン
スルホン酸根のいずれかである。］ ここでＲ，、Ｒ２としては、炭素数１〜４の低級アルキ
ル基が好ましく、特にメチル基、エチル基などが好適で
ある。また、Ｙ−は水に対する溶解性の面からアルキル
硫酸根、硫酸水紫根が好ましく、アルキル硫酸根の中で
はメチル硫酸根が特に好ましい。
また、置換基Ｘ１は（Ｉ）の溶解性およびアシル化反応
性などにより適宜選択されるが、Ｘｌがアルキル基であ
る場合には炭素数１〜４の低級アルキル基が好ましい。
性などにより適宜選択されるが、Ｘｌがアルキル基であ
る場合には炭素数１〜４の低級アルキル基が好ましい。
本発明の合成反応は、有機溶媒中において実施するが、
この溶媒としてはアセトニトリル、ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒、
エーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、クロロ
ホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素類が挙
げられ、中でもアセトニトリルが好ましい。その溶媒量
としては、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウ
ム類に対して１〜５０重量倍であり、好ましくは２〜１
０重量倍である。
この溶媒としてはアセトニトリル、ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒、
エーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、クロロ
ホルム、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素類が挙
げられ、中でもアセトニトリルが好ましい。その溶媒量
としては、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウ
ム類に対して１〜５０重量倍であり、好ましくは２〜１
０重量倍である。
また、本発明で反応系に存在させる第三級アミンとして
は、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロ
ピルエチルアミン、ジメチルアニリン、ジエチルアニリ
ン、Ｎ−メチルモルホリンなどが挙げられ、使用量とし
ては、−ａ式（ＩＩ）で示されるスルホニウム化合物に
対して０．５〜２．０倍モル、好ましくは０．８〜１．
５倍モルの第三級アミンもしくはピリジンが使用される
。また、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル ジカルボナートは、一
般式（Ｉｔ）で示されるスルホニウム化合物に対して１
〜５倍モル、好ましくは０．８〜１．５倍モルが使用さ
れる。本発明における反応温度は、−２０°Ｃ〜５０℃
であり、好ましくは一１０℃〜３０°Ｃである。さらに
、合成時の実施態様を示すと、この温度にてジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチル ジカルボナートを４−ヒドロキシフェニル
ジメチルスルホニウム類に対して１倍モル〜５倍モル加
えて反応させる。
は、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロ
ピルエチルアミン、ジメチルアニリン、ジエチルアニリ
ン、Ｎ−メチルモルホリンなどが挙げられ、使用量とし
ては、−ａ式（ＩＩ）で示されるスルホニウム化合物に
対して０．５〜２．０倍モル、好ましくは０．８〜１．
５倍モルの第三級アミンもしくはピリジンが使用される
。また、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル ジカルボナートは、一
般式（Ｉｔ）で示されるスルホニウム化合物に対して１
〜５倍モル、好ましくは０．８〜１．５倍モルが使用さ
れる。本発明における反応温度は、−２０°Ｃ〜５０℃
であり、好ましくは一１０℃〜３０°Ｃである。さらに
、合成時の実施態様を示すと、この温度にてジ−ｔｅｒ
ｔ−ブチル ジカルボナートを４−ヒドロキシフェニル
ジメチルスルホニウム類に対して１倍モル〜５倍モル加
えて反応させる。
反応終了後、反応液から沈殿を濾別した後、濃縮し、例
えば酢酸エチルのごとき溶媒を加え、目的物を結晶とし
て得る。生成物が若干の不純物を含んでいる場合はアセ
トニトリルから再結晶するか、またはアセトニトリル／
エーテルにより再沈殿することにより高純度の本発明の
スルホニウム化合物が得られる。
えば酢酸エチルのごとき溶媒を加え、目的物を結晶とし
て得る。生成物が若干の不純物を含んでいる場合はアセ
トニトリルから再結晶するか、またはアセトニトリル／
エーテルにより再沈殿することにより高純度の本発明の
スルホニウム化合物が得られる。
本発明により製造されるスルホニウム化合物は水溶液中
において優れたＢｏｃ化機能を有する。
において優れたＢｏｃ化機能を有する。
［実施例コ
以下合成例にて本発明を詳細にするが、本発明の有利性
は下記のみに限定されるものではない。
は下記のみに限定されるものではない。
合成例
４−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ）フエニル
ジメチルスルホニウム メチルサルフェートの合成 撹拌機、温度計、滴下ロート、コンデンサーを備えた３
Ｌガラス製反応器に４−ヒドロキシフェニルジメチルス
ルホニウム メチルサルフェート２６６ｇ （１ｍｏ
１ ）およびアセトニトリル ＩＬを仕込み、これにト
リエチルアミン １０１ｇ（１ｍｏｌ）を加えて０℃に
て１時間撹拌する。
ジメチルスルホニウム メチルサルフェートの合成 撹拌機、温度計、滴下ロート、コンデンサーを備えた３
Ｌガラス製反応器に４−ヒドロキシフェニルジメチルス
ルホニウム メチルサルフェート２６６ｇ （１ｍｏ
１ ）およびアセトニトリル ＩＬを仕込み、これにト
リエチルアミン １０１ｇ（１ｍｏｌ）を加えて０℃に
て１時間撹拌する。
さらに、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル ジカルボナート２４０
ｇ（１，１ｍｏｌ）のアセトニトリル溶液 ＩＬを２時
間かけて滴下する。５時間、後撹拌し、反応混合物を減
圧上留去し、残査にアセトン２Ｌを加えて結晶化する。
ｇ（１，１ｍｏｌ）のアセトニトリル溶液 ＩＬを２時
間かけて滴下する。５時間、後撹拌し、反応混合物を減
圧上留去し、残査にアセトン２Ｌを加えて結晶化する。
ろ過、真空乾燥後、白色結晶物２９３ｇ （８０％）の
目的物を得た。
目的物を得た。
融点 １１８．５〜１２１．０℃
ＩＲ（ＫＢｒ） １７６０ｃｍ−’
（エステル Ｃ＝０）
元素分析値 （理論値）
Ｃ４６，２１％ （４５，９２％）
Ｈ５，９８％ （６，０１％）
Ｓ Ｌ７．２８％ （１７，５１％）ＮＭＲ（ＤＭＳ
Ｏ−ｄｓ） ＰＰｍδ＝１．５０ （９Ｈ，ｓ、
（ＣＨ３）３）δ＝３．３０ （３Ｈ，ｓ、ＣＨ３
ＳＯ４）δ”３．４０ （６Ｈ，ｓ、−３” （ＣＨ３
）ｚ、）δ＝７．５０ （２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈ７，ＣＩ
、Ｈ４）δ”８．１０ （２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈ２，Ｃ６
Ｈ４）実施例（水溶液中でのアシル化） 室温で、フェニルアラニン０．８３ｇ （５，０３ｍｍ
ｏｌ）を水１０ｍ１に加えた後、トリエチルアミン１．
０５ｍ１ （７，５３ｍｍｏｌ）を加え溶解させた。
Ｏ−ｄｓ） ＰＰｍδ＝１．５０ （９Ｈ，ｓ、
（ＣＨ３）３）δ＝３．３０ （３Ｈ，ｓ、ＣＨ３
ＳＯ４）δ”３．４０ （６Ｈ，ｓ、−３” （ＣＨ３
）ｚ、）δ＝７．５０ （２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈ７，ＣＩ
、Ｈ４）δ”８．１０ （２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈ２，Ｃ６
Ｈ４）実施例（水溶液中でのアシル化） 室温で、フェニルアラニン０．８３ｇ （５，０３ｍｍ
ｏｌ）を水１０ｍ１に加えた後、トリエチルアミン１．
０５ｍ１ （７，５３ｍｍｏｌ）を加え溶解させた。
これに合成例で合成したスルホニウム化合物２、２１
ｇ （６，０４ｍｍｏｌ）を加え、室温で１５時間撹拌
した。これに２％ＨＣＩを加え、ｐＨ３〜４としたのち
、７０ｍ１の酢酸エチルで２回抽出した。
ｇ （６，０４ｍｍｏｌ）を加え、室温で１５時間撹拌
した。これに２％ＨＣＩを加え、ｐＨ３〜４としたのち
、７０ｍ１の酢酸エチルで２回抽出した。
抽出液は２０ｍ１の水で２回洗浄した後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、減圧下に濃縮し、残留物にエーテル３
０ｍ１を加え、更にジシクロヘキシルアミン０．９ｍｌ
（４，５ｍｍｏｌ）を加えて結晶化しな。
リウムで乾燥し、減圧下に濃縮し、残留物にエーテル３
０ｍ１を加え、更にジシクロヘキシルアミン０．９ｍｌ
（４，５ｍｍｏｌ）を加えて結晶化しな。
目的生成物はＢｏｃ−Ｐｈｅ−ＯＨのジシクロヘキシル
アミン塩として得られ、収量１．５７ｇ （３，５２ｍ
ｍｏｌ）、収率７０゜５％であった。
アミン塩として得られ、収量１．５７ｇ （３，５２ｍ
ｍｏｌ）、収率７０゜５％であった。
［発明の効果］
本発明は、ペプチド合成などの有機合成化学分野におい
て保護基としてのｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を導
入するための試薬として用いられる、一般式（Ｉ）で表
わされるスルホニウム化合物を効率良く製造することが
でき、工業的に極めて有用な方法である。
て保護基としてのｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を導
入するための試薬として用いられる、一般式（Ｉ）で表
わされるスルホニウム化合物を効率良く製造することが
でき、工業的に極めて有用な方法である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカルボナートと、下記一般式（
II）で表わされる４−ヒドロキシフェニルスルホニウム
類とを、第三級アミンまたはピリジンの存在下に反応さ
せることを特徴とする、一般式（ I ）で表わされるス
ルホニウム化合物の製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ［一般式（ I ）および（II）において、Ｒ＿１および
Ｒ＿２はアルキル基であり、互いに同一または異なって
もよい。Ｘ＿１は水素原子、ハロゲン原子またはアルキ
ル基のいずれかである。陰イオンＹ＾−はハロゲン陰イ
オン、過塩素酸根、アルキル硫酸根、硫酸根またはｐ−
トルエンスルホン酸根のいずれかである。］
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159201A JPH029859A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63159201A JPH029859A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH029859A true JPH029859A (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=15688534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63159201A Pending JPH029859A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | スルホニウム化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH029859A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5613896A (en) * | 1995-06-30 | 1997-03-25 | Haus; Bruce A. | Automatic bowling ball resurfacing machine |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63159201A patent/JPH029859A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5613896A (en) * | 1995-06-30 | 1997-03-25 | Haus; Bruce A. | Automatic bowling ball resurfacing machine |
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