JPH01287624A - 画像表示装置の製造方法 - Google Patents
画像表示装置の製造方法Info
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- JPH01287624A JPH01287624A JP11854188A JP11854188A JPH01287624A JP H01287624 A JPH01287624 A JP H01287624A JP 11854188 A JP11854188 A JP 11854188A JP 11854188 A JP11854188 A JP 11854188A JP H01287624 A JPH01287624 A JP H01287624A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 9
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 241000282472 Canis lupus familiaris Species 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶を用いた画像表示装置の製造方法に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
近年、液晶を用いた画像表示装置は、軽量、薄型、低消
費電力等の特徴を有しており、超小型表示やプロジェク
ション化による超大型表示が可能であるため非常に応用
範囲の広い画像表示装置として犬なる注目を集めている
。
費電力等の特徴を有しており、超小型表示やプロジェク
ション化による超大型表示が可能であるため非常に応用
範囲の広い画像表示装置として犬なる注目を集めている
。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来の液晶
を用いた画像表示装置に用いられるボンディングパソド
部の製造方法について説明する。
を用いた画像表示装置に用いられるボンディングパソド
部の製造方法について説明する。
第４図は、従来の液晶を用いた画像表示装置の最終製造
工程の直前のものの平面図、第５図は、ポンディングパ
ッド部の平面図、第６図は、第５図のＥ−ｖ線における
断面図である。第４図、第５図、第６図において、１は
石英基板、２は人ｌポンディングパッド、３はＮＳＣ膜
、６はＣｒ膜、６はＣｒによる共通アース線であり、７
は走査回路、８は画像表示部、９は上面ガラス板、１０
は共通アース線エツチング用窓である。
工程の直前のものの平面図、第５図は、ポンディングパ
ッド部の平面図、第６図は、第５図のＥ−ｖ線における
断面図である。第４図、第５図、第６図において、１は
石英基板、２は人ｌポンディングパッド、３はＮＳＣ膜
、６はＣｒ膜、６はＣｒによる共通アース線であり、７
は走査回路、８は画像表示部、９は上面ガラス板、１０
は共通アース線エツチング用窓である。
このように共通アース線６を設け、各ポンディングパッ
ド２間を短絡させることにより、液晶配向膜ラビング工
程等において発生する静電気によって、走査回路子１画
像表示部８を構成するＭＯ８素子が静電破壊されること
を防いでいる。そして最終工程において、共通アース線
エツチング用窓１ｏを通して共通アース線６をエツチン
グし、各ポンディングパッド２を独立分離させることに
より、液晶画像表示装置として動作可能な状態とするも
のである。
ド２間を短絡させることにより、液晶配向膜ラビング工
程等において発生する静電気によって、走査回路子１画
像表示部８を構成するＭＯ８素子が静電破壊されること
を防いでいる。そして最終工程において、共通アース線
エツチング用窓１ｏを通して共通アース線６をエツチン
グし、各ポンディングパッド２を独立分離させることに
より、液晶画像表示装置として動作可能な状態とするも
のである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のような構成では、最終工程で初め
てポンディングパッドが独立分離されるため、工程途中
において、走査回路７１画像表示部８を構成する諸口路
の動作特性を検査することは不可能であるという欠点を
有していた。
てポンディングパッドが独立分離されるため、工程途中
において、走査回路７１画像表示部８を構成する諸口路
の動作特性を検査することは不可能であるという欠点を
有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、液晶工程において発生する静
電気から諸口路を保護することができ、しかも、工程途
中において諸口路の検査が可能であるような画像表示装
置の製造方法を提供するものである。
電気から諸口路を保護することができ、しかも、工程途
中において諸口路の検査が可能であるような画像表示装
置の製造方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明の画像表示装置の製
造方法は、ガラス基板上に金属パッドを形成した後、第
１の絶縁膜で覆った後、ホトリソグラフィにより金属パ
ッド上の第１の絶縁膜だけを除去し、次に、第１の絶縁
膜に比較して容易にエンチングできる第２の絶縁膜を全
面に被着し、液晶工程を行なった後に、第２の絶縁膜を
選択的にエツチングして、金属パッドを露出させる工程
から構成されている。
造方法は、ガラス基板上に金属パッドを形成した後、第
１の絶縁膜で覆った後、ホトリソグラフィにより金属パ
ッド上の第１の絶縁膜だけを除去し、次に、第１の絶縁
膜に比較して容易にエンチングできる第２の絶縁膜を全
面に被着し、液晶工程を行なった後に、第２の絶縁膜を
選択的にエツチングして、金属パッドを露出させる工程
から構成されている。
作用
この構成によれば、液晶工程前に第２の絶縁膜を形成す
ることにより、ポンディングパッドは液晶工程において
電気的に絶縁されることになり、液晶工程において発生
する静電気により諸口路が静電破壊されることを防ぎ、
かつ、各ポンディングパッドが共通アース線によって短
絡されていないため、検査が可能となる。
ることにより、ポンディングパッドは液晶工程において
電気的に絶縁されることになり、液晶工程において発生
する静電気により諸口路が静電破壊されることを防ぎ、
かつ、各ポンディングパッドが共通アース線によって短
絡されていないため、検査が可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第１図は、本発明の実施例におけるポンディングパッド
部の平面図、第２図は、製造工程の流れを第１図のＣ−
Ｄにおける断面について描いた図、第３図は、液晶を用
いた画像表示装置の全体平面図である。
部の平面図、第２図は、製造工程の流れを第１図のＣ−
Ｄにおける断面について描いた図、第３図は、液晶を用
いた画像表示装置の全体平面図である。
図において、１は石英基板、２はポンディングパッド、
３は絶縁膜人、４は絶縁膜Ｂ、７は走査回路、８は画像
表示部、９は上面ガラス板、１１はレジストマスクであ
る。
３は絶縁膜人、４は絶縁膜Ｂ、７は走査回路、８は画像
表示部、９は上面ガラス板、１１はレジストマスクであ
る。
先ず、第２図已に示すように、石英基板１上に、例えば
スパッタ法により厚さ１〜２μｍのＡｌ−３上合金を形
成し、ホトリソグラフィにより、ポンディングパッド２
を形成する。次に第２図すに示すように、絶縁膜Ａ３と
して例えば、プラズマＣＶＤ法により３００〜３５０’
Ｃの成長温度で厚さ１６■〜３０００へのＳｉＮ膜を形
成し、ホトリソグラフィにより第２図Ｃに示すように、
レジストマスク１１を形成し、例えばフロンガス（ＣＦ
ａ）を用いたドライエツチングにより、ポンディングパ
ッド２上の５ｉＮｌ１３のみを除去し、その後レジスト
を除去する。ここで検査を行なうことができる。
スパッタ法により厚さ１〜２μｍのＡｌ−３上合金を形
成し、ホトリソグラフィにより、ポンディングパッド２
を形成する。次に第２図すに示すように、絶縁膜Ａ３と
して例えば、プラズマＣＶＤ法により３００〜３５０’
Ｃの成長温度で厚さ１６■〜３０００へのＳｉＮ膜を形
成し、ホトリソグラフィにより第２図Ｃに示すように、
レジストマスク１１を形成し、例えばフロンガス（ＣＦ
ａ）を用いたドライエツチングにより、ポンディングパ
ッド２上の５ｉＮｌ１３のみを除去し、その後レジスト
を除去する。ここで検査を行なうことができる。
そして、絶縁膜Ｂ４として例えばプラズマＣＶＤ法によ
り、１５０〜１７０°Ｃの低温で厚さ１００゜〜１５ｏ
Ｏ人のＳｉＮ膜を第２図ｄに示すように、ポンディング
パッド２を完全に覆うように一様に形成する。ただし絶
縁膜人３として用いる５ｉＮｌｌｌは、絶縁膜Ｂ４とし
て用いるＳｉＮ膜よりも高温で形成し、より耐エツチン
グ性に優れている。その後、第２図ｅの液晶工程におい
て、液晶配向膜ラビング等を行なった後上面ガラス板９
を、石英基板１と例えば、エポキシ系樹脂によυ画像表
示部８を覆うように接着させ、液晶の封入を行なう。
り、１５０〜１７０°Ｃの低温で厚さ１００゜〜１５ｏ
Ｏ人のＳｉＮ膜を第２図ｄに示すように、ポンディング
パッド２を完全に覆うように一様に形成する。ただし絶
縁膜人３として用いる５ｉＮｌｌｌは、絶縁膜Ｂ４とし
て用いるＳｉＮ膜よりも高温で形成し、より耐エツチン
グ性に優れている。その後、第２図ｅの液晶工程におい
て、液晶配向膜ラビング等を行なった後上面ガラス板９
を、石英基板１と例えば、エポキシ系樹脂によυ画像表
示部８を覆うように接着させ、液晶の封入を行なう。
液晶工程終了後、第２図ｆに示すように、最終工程にお
いて例えば、フッ化アンモニウムと酢酸、体積比２１の
混合液により、上面ガラス板９に覆われていない領域の
絶縁膜Ｂ４のＳｉＮ膜のみを絶縁膜Ａ３のＳｉＮ膜に対
して選択的にエツチングする。このようにして、ポンデ
ィングパッド部が出来る。
いて例えば、フッ化アンモニウムと酢酸、体積比２１の
混合液により、上面ガラス板９に覆われていない領域の
絶縁膜Ｂ４のＳｉＮ膜のみを絶縁膜Ａ３のＳｉＮ膜に対
して選択的にエツチングする。このようにして、ポンデ
ィングパッド部が出来る。
以上のように、絶縁膜Ａ３と、エツチング選択性のある
絶縁膜Ｂ４を静１破壊防止用膜として液晶工程に入る前
に形成することにより、液晶工程において発生する静電
気によって各回路が静電破壊されることを防ぐことがで
きるとともに、各ボンディングパソドが短絡されていな
いために検査が実施できる。
絶縁膜Ｂ４を静１破壊防止用膜として液晶工程に入る前
に形成することにより、液晶工程において発生する静電
気によって各回路が静電破壊されることを防ぐことがで
きるとともに、各ボンディングパソドが短絡されていな
いために検査が実施できる。
なお、本実施例では、絶縁膜人、Ｂとしてそれぞれ、３
０ｏ〜３５０°Ｃの高温で形成するＳｉＮ膜および、１
５０〜１８０’Ｃの低温で形成するＳｉＮ膜を用いたが
、両者間にエツチング選択性が存在することが重要であ
り、他の組み合わせとして、例えば、絶縁膜人として常
圧ＣＶＤ法により４２０°Ｃで形成したＮＳＣ膜、絶縁
膜ＢとしてプラズマＣｖＤ法により３００ ’Ｃで形成
したＳｉＮ膜を用いることも可能であることは言うまで
もない。この場合には、絶縁膜ＢのＳｉＮ膜を除去する
１つの方法としてＯＦ４を用いたドライエツチング法を
用いることができる。
０ｏ〜３５０°Ｃの高温で形成するＳｉＮ膜および、１
５０〜１８０’Ｃの低温で形成するＳｉＮ膜を用いたが
、両者間にエツチング選択性が存在することが重要であ
り、他の組み合わせとして、例えば、絶縁膜人として常
圧ＣＶＤ法により４２０°Ｃで形成したＮＳＣ膜、絶縁
膜ＢとしてプラズマＣｖＤ法により３００ ’Ｃで形成
したＳｉＮ膜を用いることも可能であることは言うまで
もない。この場合には、絶縁膜ＢのＳｉＮ膜を除去する
１つの方法としてＯＦ４を用いたドライエツチング法を
用いることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、共通アース線を設けずエ
ンチング選択性を有する二種類の絶縁膜を用いてポンデ
ィングパッド部を形成すれば、液晶工程において発生す
る静電気による回路の静電破壊を防止でき、かつ、工程
途中において、検査が実施できるその実用的効果は犬な
るものがある。
ンチング選択性を有する二種類の絶縁膜を用いてポンデ
ィングパッド部を形成すれば、液晶工程において発生す
る静電気による回路の静電破壊を防止でき、かつ、工程
途中において、検査が実施できるその実用的効果は犬な
るものがある。
第１図は本発明の一実施例におけるポンディングパッド
部の平面図、第２図は製造工程図、第３図は液晶画像表
示装置の全体図、第４図は従来の液晶画像表示装置の平
面図、第５図はそのポンディングパッド部の平面図、第
６図はポンディングパッド部の断面図である。 １・・・・・・石英基板、２・・・・・・ポンディング
パッド、３・・・・・絶縁膜人、４・・・・・・絶縁膜
Ｂ、７ ・・・・走査回路、８・・・・・画像表示部、
９・・・・・・上面ガラス板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ２・−−ボッチ′ｌ、グハ″７に ３−蛇氷振膜Ａ ３−１−縛矛３に月ｊ（，４ ４〜−−＃１５ １１− ルじスに７７２ （８７う扼晶二程 ｒ＋−Ｑｑ
部の平面図、第２図は製造工程図、第３図は液晶画像表
示装置の全体図、第４図は従来の液晶画像表示装置の平
面図、第５図はそのポンディングパッド部の平面図、第
６図はポンディングパッド部の断面図である。 １・・・・・・石英基板、２・・・・・・ポンディング
パッド、３・・・・・絶縁膜人、４・・・・・・絶縁膜
Ｂ、７ ・・・・走査回路、８・・・・・画像表示部、
９・・・・・・上面ガラス板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ２・−−ボッチ′ｌ、グハ″７に ３−蛇氷振膜Ａ ３−１−縛矛３に月ｊ（，４ ４〜−−＃１５ １１− ルじスに７７２ （８７う扼晶二程 ｒ＋−Ｑｑ
Claims (1)
- ガラス基板上に金属パッドを形成する工程と、前記ガラ
ス基板上の全面を第１の絶縁膜で覆う工程と、前記金属
パッド部の上の前記第１の絶縁膜だけを除去する工程と
、前記第１の絶縁膜の上にさらに第２の絶縁膜を覆う工
程と、液晶工程を行なった後に、前記第２の絶縁膜を選
択的に除去して、前記金属パッドの表面を露出する工程
とを含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11854188A JPH0830817B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 画像表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11854188A JPH0830817B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 画像表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01287624A true JPH01287624A (ja) | 1989-11-20 |
| JPH0830817B2 JPH0830817B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=14739145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11854188A Expired - Fee Related JPH0830817B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | 画像表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830817B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5671026A (en) * | 1994-03-02 | 1997-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with TFT ESD protective devices between I/O terminals or with a short circuited alignment film |
| TWI391737B (zh) * | 2009-09-03 | 2013-04-01 | Au Optronics Corp | 主動元件陣列母基板及其製作方法 |
-
1988
- 1988-05-16 JP JP11854188A patent/JPH0830817B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5671026A (en) * | 1994-03-02 | 1997-09-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with TFT ESD protective devices between I/O terminals or with a short circuited alignment film |
| US5926234A (en) * | 1994-03-02 | 1999-07-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| TWI391737B (zh) * | 2009-09-03 | 2013-04-01 | Au Optronics Corp | 主動元件陣列母基板及其製作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0830817B2 (ja) | 1996-03-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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