JPH01282828A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング方法Info
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- JPH01282828A JPH01282828A JP63113231A JP11323188A JPH01282828A JP H01282828 A JPH01282828 A JP H01282828A JP 63113231 A JP63113231 A JP 63113231A JP 11323188 A JP11323188 A JP 11323188A JP H01282828 A JPH01282828 A JP H01282828A
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- 241000587161 Gomphocarpus Species 0.000 claims 1
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- H01L2224/85201—Compression bonding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置のワイヤボンディング工程において
素子電極とボールを熱圧着するNTCボンディング方法
に関する。
素子電極とボールを熱圧着するNTCボンディング方法
に関する。
従来、この種のワイヤボンディング方法は、細線先端に
成形されたボールをそのまま素子電極上に押し当てて熱
圧着することによりボンディングを行なっていた。
成形されたボールをそのまま素子電極上に押し当てて熱
圧着することによりボンディングを行なっていた。
上述した従来のNTCワイヤボンディング方法は、半導
体装置電極上にそのままボールを押し当てて熱圧着して
いる為ボンディングツールが下降し電極にボールが接触
したときには点で当たり集中荷重が働らき衝撃値は大と
なる。このため、その衝撃により素子電極強度の弱い構
造、材質の電極は破壊されるという欠点がある。
体装置電極上にそのままボールを押し当てて熱圧着して
いる為ボンディングツールが下降し電極にボールが接触
したときには点で当たり集中荷重が働らき衝撃値は大と
なる。このため、その衝撃により素子電極強度の弱い構
造、材質の電極は破壊されるという欠点がある。
本発明のボンディング方法は、半導体装置表面の素子電
極にワイヤ先端に形成したボールを熱圧着するNTCボ
ンディング方法において、ボール先端をあらかじめ平坦
にした後素子電極にボールを熱圧着することを特徴とす
る。
極にワイヤ先端に形成したボールを熱圧着するNTCボ
ンディング方法において、ボール先端をあらかじめ平坦
にした後素子電極にボールを熱圧着することを特徴とす
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図乃至第7図は本発明の一実施例のボンディング方
法を示す工程順断面図である。第1図においてボンディ
ングツール1とボール3は同時に下降して第2図の如く
酸化膜6上に一度押し当てボール先端を平坦にする。次
に、第3図、第4図に示すように素子電極4上にボンデ
ィングツール1が移動する。その後、第5図に示すよう
に素子電極4に熱圧着した後第6図、第7図に示すよう
にボンディングツール1は移動し細線2の接続を完了す
る。
法を示す工程順断面図である。第1図においてボンディ
ングツール1とボール3は同時に下降して第2図の如く
酸化膜6上に一度押し当てボール先端を平坦にする。次
に、第3図、第4図に示すように素子電極4上にボンデ
ィングツール1が移動する。その後、第5図に示すよう
に素子電極4に熱圧着した後第6図、第7図に示すよう
にボンディングツール1は移動し細線2の接続を完了す
る。
第8図は本発明の他の実施例である。上記一実施例にお
いては半導体素子の酸化膜上に一度押し当てた後素子電
極に熱圧着したが、押し当てるべき酸化膜の面積が少な
い場合には本実施例の様にセラミック製半導体パッケー
ジ2上に押し当てた後前述の一実施例の第3図乃至第7
図と同様にして細線4を接続する。
いては半導体素子の酸化膜上に一度押し当てた後素子電
極に熱圧着したが、押し当てるべき酸化膜の面積が少な
い場合には本実施例の様にセラミック製半導体パッケー
ジ2上に押し当てた後前述の一実施例の第3図乃至第7
図と同様にして細線4を接続する。
以上説明したように本発明は、球状ボールの先端をあら
かじめ平坦にした後素子電極に熱圧着することにより、
ボンディングツールが下降し電極にボールが接触したと
きは面接触となり荷重は分散され衝撃は抑制される。こ
のことにより素子電極の破壊が防止できる効果がある。
かじめ平坦にした後素子電極に熱圧着することにより、
ボンディングツールが下降し電極にボールが接触したと
きは面接触となり荷重は分散され衝撃は抑制される。こ
のことにより素子電極の破壊が防止できる効果がある。
第1図乃至第7図は本発明の一実施例のボンディング方
法を示す工程順断面図、第8図は本発明の他の実施例の
断面図である。 工・・・・・・ボンディングツール、2・・・・・・細
線、3・・・・・・ボール、4・・・・・・素子電極、
5・・・・・・半導体素子、6・・・・・・酸化膜、1
1・・・・・・半導体素子、12・・・・・・セラミッ
ク製半導体パッケージ。 代理人 弁理士 内 原 置 方4旧 第5図 ノ、ホンデ゛イレグツール ?・ 平置tせ 3: ボ゛−ル Z: 酸化膜
法を示す工程順断面図、第8図は本発明の他の実施例の
断面図である。 工・・・・・・ボンディングツール、2・・・・・・細
線、3・・・・・・ボール、4・・・・・・素子電極、
5・・・・・・半導体素子、6・・・・・・酸化膜、1
1・・・・・・半導体素子、12・・・・・・セラミッ
ク製半導体パッケージ。 代理人 弁理士 内 原 置 方4旧 第5図 ノ、ホンデ゛イレグツール ?・ 平置tせ 3: ボ゛−ル Z: 酸化膜
Claims (1)
- 半導体装置表面の素子電極にワイヤ先端に形成したボ
ールを熱圧着するNTC(Nail Head The
rmoCompression)ボンディング方法にお
いて、ボール先端をあらかじめ平坦にした後素子電極に
ボールを熱圧着することを特徴とするワイヤボンディン
グ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63113231A JPH01282828A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | ワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63113231A JPH01282828A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01282828A true JPH01282828A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14606888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63113231A Pending JPH01282828A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01282828A (ja) |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP63113231A patent/JPH01282828A/ja active Pending
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