JPH01282760A - 光記録部材の後処理方法 - Google Patents
光記録部材の後処理方法Info
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- JPH01282760A JPH01282760A JP63111048A JP11104888A JPH01282760A JP H01282760 A JPH01282760 A JP H01282760A JP 63111048 A JP63111048 A JP 63111048A JP 11104888 A JP11104888 A JP 11104888A JP H01282760 A JPH01282760 A JP H01282760A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は小孔形成型の追記型光記録部材の感震を向上さ
せるための後処理方法に関する。
せるための後処理方法に関する。
近年、光ディスク等の光記録部材は高密度記録、ランダ
ムアクセスが可能であり、しかも可搬であるという磁気
ディスク、磁気テープ等の従来の情報記録用部材にはな
い記録媒体としてコンピューター、ビデオ等の情報記録
の分野な注目きれている。
ムアクセスが可能であり、しかも可搬であるという磁気
ディスク、磁気テープ等の従来の情報記録用部材にはな
い記録媒体としてコンピューター、ビデオ等の情報記録
の分野な注目きれている。
光ディスクはその記録・再生の特徴から、再生専用型、
追記型、消去可能型に大まかに分類できる。この中で追
記型光ディスクとは、1回のみ記録が可能であるものを
指す。この型の光ディスクは、−度記録した情報の消去
はできないが、逆に長期間の保存が必要であったり、消
去すると困る情報等の記録の分野での使用が期待されて
いる。
追記型、消去可能型に大まかに分類できる。この中で追
記型光ディスクとは、1回のみ記録が可能であるものを
指す。この型の光ディスクは、−度記録した情報の消去
はできないが、逆に長期間の保存が必要であったり、消
去すると困る情報等の記録の分野での使用が期待されて
いる。
追記型光ディスクでは書き込みレーザパルス照射部分の
記録媒体の昇華・融解により、小孔を形成せしめ、記録
部分と非記録部分との反射率や透過率の違いから情報の
読み出しを行う小孔形成型光ディスクがよく知られてい
る。小孔形成型の光ディスクの記録媒体としてはA1、
Bi、 Te5Pb、 M。
記録媒体の昇華・融解により、小孔を形成せしめ、記録
部分と非記録部分との反射率や透過率の違いから情報の
読み出しを行う小孔形成型光ディスクがよく知られてい
る。小孔形成型の光ディスクの記録媒体としてはA1、
Bi、 Te5Pb、 M。
等の金属、半金属、半導体の単体の薄膜が使用可能であ
ることが知られている。
ることが知られている。
しかし、これらの金属、半金属、半導体の単体のみでは
経時変化が起こり、情報の保存安定性に問題のあること
も知られており、保存安定性を改良するために、上記単
体の他に他の金属、半金属、半導体や有機重合体を混合
する方法が提案されている。例えば、特公昭60−23
997号公報にTe、、Biの少なくとも1つを含む記
録媒体にSeを加えることが提案されている。また、本
発明者等も有機化合物のプラズマ重合膜を保護層として
設けることを提案した(特願昭61−314,261号
)。
経時変化が起こり、情報の保存安定性に問題のあること
も知られており、保存安定性を改良するために、上記単
体の他に他の金属、半金属、半導体や有機重合体を混合
する方法が提案されている。例えば、特公昭60−23
997号公報にTe、、Biの少なくとも1つを含む記
録媒体にSeを加えることが提案されている。また、本
発明者等も有機化合物のプラズマ重合膜を保護層として
設けることを提案した(特願昭61−314,261号
)。
ところが、上記の方法により保存安定性の改良を行った
場合には元の記録媒体に比べ感度が低下しζしまい、よ
り高いパワーのレーザ光を当てないと満足のい(記録特
性が得られないことが判った。
場合には元の記録媒体に比べ感度が低下しζしまい、よ
り高いパワーのレーザ光を当てないと満足のい(記録特
性が得られないことが判った。
本発明の目的は保存安定性に(Jれ、高感度を有する光
記録部材を得るための後処理方法を提供することにある
。
記録部材を得るための後処理方法を提供することにある
。
〔課題を解決するための手段]
本発明は上記の特願昭61−314.261号で提案し
た発明の改良に関するもので、基板上に金属、半金属あ
るいは半導体から選ばれた少なくとも1つの元素を含有
する記録媒体層とその上に有機化合物のプラズマ重合膜
の保護層との少なくとも2層を有する小孔形成型追記型
光記録部材において、上記層を基板上に成膜後、温度4
0〜95°C1相対湿度50〜90%の雰囲気中に0.
1〜100時間曝すことを特徴とする光記録部材の後処
理方法を提供するものである。
た発明の改良に関するもので、基板上に金属、半金属あ
るいは半導体から選ばれた少なくとも1つの元素を含有
する記録媒体層とその上に有機化合物のプラズマ重合膜
の保護層との少なくとも2層を有する小孔形成型追記型
光記録部材において、上記層を基板上に成膜後、温度4
0〜95°C1相対湿度50〜90%の雰囲気中に0.
1〜100時間曝すことを特徴とする光記録部材の後処
理方法を提供するものである。
本発明において後処理による光記録部材の感度向上の機
構は明らかではないが、湿気のある雰囲気において加熱
処理することにより記録媒体の構造に何らかの変化が起
こるため感度が向上するものと推察される。
構は明らかではないが、湿気のある雰囲気において加熱
処理することにより記録媒体の構造に何らかの変化が起
こるため感度が向上するものと推察される。
以下、本発明を具体的に説明する。
本発明で用いられる記録媒体としては、従来小孔形成型
追記型光記録媒体として用いられているものでAI、8
1% Te、 pb、 Mo、 5eSSn1^s、
Pt。
追記型光記録媒体として用いられているものでAI、8
1% Te、 pb、 Mo、 5eSSn1^s、
Pt。
Au、 Ge等の金属、半金属あるいは半導体から選ば
れた少なくとも1つの元素を含有するもので化学的に修
飾されたものも含む。
れた少なくとも1つの元素を含有するもので化学的に修
飾されたものも含む。
これらの記録媒体層は真空蒸着法、スパッタリング法等
の公知の方法によりガラス基板、ポリカーボネート、ポ
リメチルメタクリレート等の樹脂基板上に薄膜状に形成
される。
の公知の方法によりガラス基板、ポリカーボネート、ポ
リメチルメタクリレート等の樹脂基板上に薄膜状に形成
される。
上記記録媒体層は基板上に直接に、または薄膜状に形成
された重合物のような有機物層を介して基板上に形成し
てもよい。
された重合物のような有機物層を介して基板上に形成し
てもよい。
保:I!層として用いられる有機化合物のプラズマ重合
膜はメタン、エタン、プロパン、ブタンなどの飽和炭化
水素、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等の不
飽和炭化水素、メタノール、エタノール等のアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、ベ
ンゼン、トルエンなどの芳香族化合物、二硫化炭素、メ
ルカプタンなどの含硫黄化合物、テトラフルオロエチレ
ン、ヘキサフルオロプロピレンなどの含フツ素化合物、
エチルアミン、ピリジンなどの含窒素化合物などの有機
化合物を1〜1O−6Torr程度の真空度で高周波放
電あるいは直流放電により重合させることにより作成で
きる。なお、この保護膜としては前記不飽和炭化水素、
含硫黄化合物、含フツ素化合物、含窒素化合物が好まし
く、特に含硫黄化合物が好ましい。
膜はメタン、エタン、プロパン、ブタンなどの飽和炭化
水素、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等の不
飽和炭化水素、メタノール、エタノール等のアルコール
類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、ベ
ンゼン、トルエンなどの芳香族化合物、二硫化炭素、メ
ルカプタンなどの含硫黄化合物、テトラフルオロエチレ
ン、ヘキサフルオロプロピレンなどの含フツ素化合物、
エチルアミン、ピリジンなどの含窒素化合物などの有機
化合物を1〜1O−6Torr程度の真空度で高周波放
電あるいは直流放電により重合させることにより作成で
きる。なお、この保護膜としては前記不飽和炭化水素、
含硫黄化合物、含フツ素化合物、含窒素化合物が好まし
く、特に含硫黄化合物が好ましい。
この光記録部材は、例えばTeを含む場合は予め低湿度
条件で加熱処理により結晶化されていてもよい。
条件で加熱処理により結晶化されていてもよい。
以上のように従来技術で形成された光記録部材を以下に
述べる後処理を施すことにより高感度を有する光記録部
材とすることができる。
述べる後処理を施すことにより高感度を有する光記録部
材とすることができる。
後処理を行う光記録部材は単板でもよいし、またこれら
を貼合わせた形状のものでもよい。
を貼合わせた形状のものでもよい。
後処理は温度が40〜95°Cの範囲で行うことができ
るが、基板に樹脂を用いる場合はその樹脂の熱変形温度
以下で行うことが必要である。好ましい温度範囲は40
〜90°Cで、50〜80℃が更に好ましい。
るが、基板に樹脂を用いる場合はその樹脂の熱変形温度
以下で行うことが必要である。好ましい温度範囲は40
〜90°Cで、50〜80℃が更に好ましい。
後処理時の相対湿度は50〜90%、より好ましくは6
0〜90%である。後処理は上記の雰囲気中に光記録媒
体層、保護層が成膜された光記録部材を曝すことにより
行われる。曝す時間、すなわち後処理時間は処理温度、
部材の形状によって異なるので0.1〜100時間の範
囲で温度を考慮して適宜法めればよい。0.1時間未満
の場合は処理の効果が得られず、一方、100時間を超
えても感度向上の効果が見られず、かえって下がる(頃
向がみられるので好ましくない。
0〜90%である。後処理は上記の雰囲気中に光記録媒
体層、保護層が成膜された光記録部材を曝すことにより
行われる。曝す時間、すなわち後処理時間は処理温度、
部材の形状によって異なるので0.1〜100時間の範
囲で温度を考慮して適宜法めればよい。0.1時間未満
の場合は処理の効果が得られず、一方、100時間を超
えても感度向上の効果が見られず、かえって下がる(頃
向がみられるので好ましくない。
また、単板の場合は0.1〜40時間がより好ましく、
1〜20時間が特に好ましく、貼合わせの場合は1〜1
00時間がより好ましく、5〜50時間が特に好ましい
。
1〜20時間が特に好ましく、貼合わせの場合は1〜1
00時間がより好ましく、5〜50時間が特に好ましい
。
後処理の際に所望の温度、相対湿度にする場合あるいは
室温に戻す場合、基板表面、光記録部材表面に結露を起
こさないために適当な昇温速度および降温速度を選択す
るのが好ましい。
室温に戻す場合、基板表面、光記録部材表面に結露を起
こさないために適当な昇温速度および降温速度を選択す
るのが好ましい。
本発明によれば、光記録部材を後処理することにより、
保存安定性を保った状態で記録感度の向上した光記録部
材を提供することができる。
保存安定性を保った状態で記録感度の向上した光記録部
材を提供することができる。
〔実施例)
以下実施例により本発明を具体的に説明するが本発明は
これらにより限定されるものではない。
これらにより限定されるものではない。
実施例 1
130eamφのプリグループfナポリカーボ2)基板
を真空蒸着装置内にセットし、C32ガスを導入し、高
周波コイルを用いてC3tプラズマ重合膜を基板上に形
成した。更にプラズマ重合を続けなからTeを抵抗加熱
方式のポートより蒸発させTe・C5z系膜を形成し、
ついでTeの蒸発を止め、次いでC3zプラズマ重合膜
を形成し全体で約400人の3層構造の光記録媒体を形
成した。その後、この光記録媒体が形成された基板(以
下ディスク単(反々称する。)を取り出し、相対湿度3
0%の加熱炉中で70゛C21時間加熱処理をし、成膜
したTeの結晶化を行った。
を真空蒸着装置内にセットし、C32ガスを導入し、高
周波コイルを用いてC3tプラズマ重合膜を基板上に形
成した。更にプラズマ重合を続けなからTeを抵抗加熱
方式のポートより蒸発させTe・C5z系膜を形成し、
ついでTeの蒸発を止め、次いでC3zプラズマ重合膜
を形成し全体で約400人の3層構造の光記録媒体を形
成した。その後、この光記録媒体が形成された基板(以
下ディスク単(反々称する。)を取り出し、相対湿度3
0%の加熱炉中で70゛C21時間加熱処理をし、成膜
したTeの結晶化を行った。
このディスク単板2枚をスペーサーを介して光記録媒体
面が内側になるように接着剤で貼り合わせた。この貼り
合わせディスクの記録・再生特性を830r+mのレー
ザー光を用い、再生時のレーザーパワー(1,8mWと
し、記録時のレーザーパワーを変化させて測定した。な
お、記録位置は半径40mm、回転数1800rpm
、周波数5MHzでレーザー光照射パルスは50nsで
あった。その結果、キャリヤーノイズ比(以下C/N
と称する。)45dB以上になる記録時レーザーパワー
は7mWであった。
面が内側になるように接着剤で貼り合わせた。この貼り
合わせディスクの記録・再生特性を830r+mのレー
ザー光を用い、再生時のレーザーパワー(1,8mWと
し、記録時のレーザーパワーを変化させて測定した。な
お、記録位置は半径40mm、回転数1800rpm
、周波数5MHzでレーザー光照射パルスは50nsで
あった。その結果、キャリヤーノイズ比(以下C/N
と称する。)45dB以上になる記録時レーザーパワー
は7mWであった。
次にこの貼り合わせディスクを80°0180%の相対
湿度の恒温恒湿槽中に40時間置くことにより後処理を
行ったところ、C/Nが45dB以上になる記録時レー
ザーパワーは6mWであり、後処理による感度向上が確
認された。
湿度の恒温恒湿槽中に40時間置くことにより後処理を
行ったところ、C/Nが45dB以上になる記録時レー
ザーパワーは6mWであり、後処理による感度向上が確
認された。
実施例 2
実施例1と同様にして蒸着、加熱処理をしたディスク単
板をそのまま80°C180%の相対湿度の恒温恒湿槽
中に10時間置くことにより後処理を行った。後処理の
前後での記録・再生特性を実施例】と同様に評価した。
板をそのまま80°C180%の相対湿度の恒温恒湿槽
中に10時間置くことにより後処理を行った。後処理の
前後での記録・再生特性を実施例】と同様に評価した。
C/N >45dBとなる記録レーザパワーは後処理
前で71、後処理後で66であった。
前で71、後処理後で66であった。
実施例 3
実施例1と同様にして光記録媒体を作製した。
ただ全体の厚みを約350人とし、3N目のC32プラ
ズマ重合膜をやや薄くした。実施例1と同様に加熱処理
を行った後、2枚の光デイスク単板を0.51厚のスペ
ーサーを介して記録媒体層を内側にして貼り合わせた。
ズマ重合膜をやや薄くした。実施例1と同様に加熱処理
を行った後、2枚の光デイスク単板を0.51厚のスペ
ーサーを介して記録媒体層を内側にして貼り合わせた。
この貼り合わせディスクを60゛C180%相対V=度
で30時間後処理を行い、後処理の前後での記録・再生
特性を実施例1と同様に評価した。 C/N >50d
Bとなる記、録レーザパワーは後処理前で6.5mW
、後処理後で6 mWであった。
で30時間後処理を行い、後処理の前後での記録・再生
特性を実施例1と同様に評価した。 C/N >50d
Bとなる記、録レーザパワーは後処理前で6.5mW
、後処理後で6 mWであった。
実施例 4
実施例3と同様にして蒸着、加熱処理をしたディスク単
板をそのまま60°C180%の相対湿度の恒温恒湿槽
中に1時間置(ことにより後処理を行い、後処理の前後
での記録・再生特性を実施例1と同様に評価した。 C
/N >45dBとなる記録レーザパワーは後処理前で
6゜511W、後処理後で5.5mWであった。
板をそのまま60°C180%の相対湿度の恒温恒湿槽
中に1時間置(ことにより後処理を行い、後処理の前後
での記録・再生特性を実施例1と同様に評価した。 C
/N >45dBとなる記録レーザパワーは後処理前で
6゜511W、後処理後で5.5mWであった。
実施例 5
実施例1と同様の基板にスパツタリングによりTe−5
e合金を媒体として成膜した(Tease(原子比)9
5:5) 、次いで系内にエチレンを導入し、プラズマ
重合を行い、保護層としてのエチレンプラズマ重合膜を
作成した。なお、全体の厚みは約300人であった。得
られた光デイスク単板2枚をスペーサーを介して記録媒
体層を内側にして貼り合わせた。この貼り合わせディス
クを60°C880%相対湿度で20時間後処理を行い
、後処理の前後での記録・再生特性を実施例1と同様に
評価した。C/N >45dBとなる記録レーザパワー
は後処理前で7 mW、後処理後で6 mWであった。
e合金を媒体として成膜した(Tease(原子比)9
5:5) 、次いで系内にエチレンを導入し、プラズマ
重合を行い、保護層としてのエチレンプラズマ重合膜を
作成した。なお、全体の厚みは約300人であった。得
られた光デイスク単板2枚をスペーサーを介して記録媒
体層を内側にして貼り合わせた。この貼り合わせディス
クを60°C880%相対湿度で20時間後処理を行い
、後処理の前後での記録・再生特性を実施例1と同様に
評価した。C/N >45dBとなる記録レーザパワー
は後処理前で7 mW、後処理後で6 mWであった。
Claims (1)
- 基板上に金属、半金属あるいは半導体から選ばれた少
なくとも1つの元素を含有する記録媒体層とその上に有
機化合物のプラズマ重合膜の保護層との少なくとも2層
を有する小孔形成型追記型光記録部材において、上記層
を基板上に成膜後、温度40〜95℃、相対湿度50〜
90%の雰囲気中に0.1〜100時間曝すことを特徴
とする光記録部材の後処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63111048A JPH01282760A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 光記録部材の後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63111048A JPH01282760A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 光記録部材の後処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01282760A true JPH01282760A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14551085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63111048A Pending JPH01282760A (ja) | 1988-05-06 | 1988-05-06 | 光記録部材の後処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01282760A (ja) |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63111048A patent/JPH01282760A/ja active Pending
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