JPH01282114A - 高純度β型ＳｉＣ粉末およびそれを用いた焼結体の製造方法 - Google Patents
高純度β型ＳｉＣ粉末およびそれを用いた焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPH01282114A JPH01282114A JP63112719A JP11271988A JPH01282114A JP H01282114 A JPH01282114 A JP H01282114A JP 63112719 A JP63112719 A JP 63112719A JP 11271988 A JP11271988 A JP 11271988A JP H01282114 A JPH01282114 A JP H01282114A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particle size
- particles
- less
- type sic
- sic powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H sodium hexametaphosphate Chemical compound [Na]OP1(=O)OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])OP(=O)(O[Na])O1 GCLGEJMYGQKIIW-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 235000019982 sodium hexametaphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、機械的性質および耐熱性に優れたβ型（立方
晶）焼結体の原料粉末、およびそれを用いた焼結体の製
造方法に関し、詳しくはガスタービンなどの各種エンジ
ン部品、耐食、耐磨耗部品、あるいは各種摺動部材等の
β型ＳｉＣ焼結体の原料粉末として非常に有用な高純度
β型ＳＩＣ粉末、およびそれを用いた焼結体の製造方法
に関する。
晶）焼結体の原料粉末、およびそれを用いた焼結体の製
造方法に関し、詳しくはガスタービンなどの各種エンジ
ン部品、耐食、耐磨耗部品、あるいは各種摺動部材等の
β型ＳｉＣ焼結体の原料粉末として非常に有用な高純度
β型ＳＩＣ粉末、およびそれを用いた焼結体の製造方法
に関する。
（従来の技術およびその解決すべき課題］近年、ＳＩＣ
焼結体は高温での機械的強度が大きいことから、ガスタ
ービンのような高温精造材料として非常に注目されてい
る。
焼結体は高温での機械的強度が大きいことから、ガスタ
ービンのような高温精造材料として非常に注目されてい
る。
このＳＩＣ焼結体を機械的材料として使用するためには
、いかにうまく原料粉末を成形するか、いかに寸法精度
の高い焼結体を得ることができるかが重要な課題である
。
、いかにうまく原料粉末を成形するか、いかに寸法精度
の高い焼結体を得ることができるかが重要な課題である
。
そのためには、壊れにくく強度のある成形体や焼結時に
収縮率が低く、後で大幅の加工が不必要な成形体が求め
られている。
収縮率が低く、後で大幅の加工が不必要な成形体が求め
られている。
しかしながら、従来技術においては、余りに粉末の焼結
活性に留意し過ぎていたため、より粒径の小さい粒子を
最良のものとし、上記用途にはこれらの粉末を使用する
場合が多かった。
活性に留意し過ぎていたため、より粒径の小さい粒子を
最良のものとし、上記用途にはこれらの粉末を使用する
場合が多かった。
その結果、平均粒径の小さい粒子は、グリーン密度が上
がらず、グリーン成形体の強度が弱いため壊れやすく、
また焼結時に収縮率が大きいため焼結後の寸法精度が上
がらず、後の加工に負担がかかるため、精密な機械材料
の製作が難しい、加工費用が高価になる等の問題点が生
じることとなった。
がらず、グリーン成形体の強度が弱いため壊れやすく、
また焼結時に収縮率が大きいため焼結後の寸法精度が上
がらず、後の加工に負担がかかるため、精密な機械材料
の製作が難しい、加工費用が高価になる等の問題点が生
じることとなった。
［！１題を解決するための手段」
本発明者らはこのような現状において、グリーン密度の
高い成形体を得るべく、鋭意検討を重ねた結果、ＳｉＣ
粉末の粒度、粒度分布を特定の割合に調節すると、非常
にグリーン密度の高い成形体が得られることがわかり、
本発明に到達したものである。
高い成形体を得るべく、鋭意検討を重ねた結果、ＳｉＣ
粉末の粒度、粒度分布を特定の割合に調節すると、非常
にグリーン密度の高い成形体が得られることがわかり、
本発明に到達したものである。
すなわち本発明は、平均粒径０．４μｍ以上０．８μｍ
以下のβ型ＳｉＣ粉末であって、その粒度分布が、０．
７μｍ以下の粒子４５〜６０重量％、１．４７４ ｍを
越える粒子２０〜３５重量％、残部が０．７μｍを越え
１．４μｍ以下の粒子からなり、ＢＥＴ比表面積が１２
＋ｙｆ／ｇ以上２０ポ／ｇ以下のβ型ＳｉＣ粉末、およ
び該粒子を、非酸化性雰囲気下、１９００℃以上２１０
０℃以下で焼結することを特徴とするβ型ＳｉＣ焼結体
の製造方法である。
以下のβ型ＳｉＣ粉末であって、その粒度分布が、０．
７μｍ以下の粒子４５〜６０重量％、１．４７４ ｍを
越える粒子２０〜３５重量％、残部が０．７μｍを越え
１．４μｍ以下の粒子からなり、ＢＥＴ比表面積が１２
＋ｙｆ／ｇ以上２０ポ／ｇ以下のβ型ＳｉＣ粉末、およ
び該粒子を、非酸化性雰囲気下、１９００℃以上２１０
０℃以下で焼結することを特徴とするβ型ＳｉＣ焼結体
の製造方法である。
本発明において、平均粒径は０．４７１ｍ以上０．８μ
ｍ以下がよ＜、０．４μｍ未満では粒子が細かすぎるた
めグリーンの密度が上がらず、従って焼結時の収縮率が
大きいため好ましくないが、一方０．８μｍを越えた場
合、グリーンの密度は上がるが焼結活性が低くなるため
、焼結温度を上げざるを得す、また異常粒成長の粒子を
含有しやすくなり、異なる結晶相であるα相の結晶を含
有しやすくなるため、焼結体の機械的性質が損なわれる
や また、該粉末の粒度分布を、０．７７ｘｍ以下の粒子４
５〜６０重量％、１．４μｍを越える粒子２０〜３５重
量％、残部が０．７μｍを越え１．４μｍ以下の粒子と
したのは、上記粒度分布を有する粉末は、粒径の大きい
粒子と小さい粒子がうまく組み合わさることによりグリ
ーン成形体の密度が非常に高くなることを見いだしたか
らである。
ｍ以下がよ＜、０．４μｍ未満では粒子が細かすぎるた
めグリーンの密度が上がらず、従って焼結時の収縮率が
大きいため好ましくないが、一方０．８μｍを越えた場
合、グリーンの密度は上がるが焼結活性が低くなるため
、焼結温度を上げざるを得す、また異常粒成長の粒子を
含有しやすくなり、異なる結晶相であるα相の結晶を含
有しやすくなるため、焼結体の機械的性質が損なわれる
や また、該粉末の粒度分布を、０．７７ｘｍ以下の粒子４
５〜６０重量％、１．４μｍを越える粒子２０〜３５重
量％、残部が０．７μｍを越え１．４μｍ以下の粒子と
したのは、上記粒度分布を有する粉末は、粒径の大きい
粒子と小さい粒子がうまく組み合わさることによりグリ
ーン成形体の密度が非常に高くなることを見いだしたか
らである。
従って、０．７μｍ以下の粒子が６０重量％を越えた場
合や１．４μｍを越える粒子が２０重量％未満の場合は
、粒径分布が微粒子側に偏るため、グリーン密度は低下
し、０．７μｍ以下の粒子が４５重量％未満の場合や１
．４μｍを越える粒子が３５１ｉ量％より大きい場合も
同様にグリーン密度が上がらないが、これは粗粒子と微
粒子の組合せが高充填するのに不利であるため、グリー
ン密度が上がらないものと考えられる。
合や１．４μｍを越える粒子が２０重量％未満の場合は
、粒径分布が微粒子側に偏るため、グリーン密度は低下
し、０．７μｍ以下の粒子が４５重量％未満の場合や１
．４μｍを越える粒子が３５１ｉ量％より大きい場合も
同様にグリーン密度が上がらないが、これは粗粒子と微
粒子の組合せが高充填するのに不利であるため、グリー
ン密度が上がらないものと考えられる。
次に、ＢＥＴ比表面積を上記範囲内に限定したのは、Ｂ
ＥＴ比表面積は単に粒径を表わすファクターではなく、
その中に粒子の形状についての情報も含んでいるからで
ある。
ＥＴ比表面積は単に粒径を表わすファクターではなく、
その中に粒子の形状についての情報も含んでいるからで
ある。
すなわち、成形体の密度を上げるためには、粒子がなる
べく球形に近い形をしている必要があり、そのためには
ＳｉＣ粉末が上記平均粒径、粒度分布を満足し、かつＢ
ＥＴ比表面積が１２ｍ２／ｇ以上２０ｎ？／ｇ以下にな
った場合、高密度充填に必要な球状に近い形となるから
である。
べく球形に近い形をしている必要があり、そのためには
ＳｉＣ粉末が上記平均粒径、粒度分布を満足し、かつＢ
ＥＴ比表面積が１２ｍ２／ｇ以上２０ｎ？／ｇ以下にな
った場合、高密度充填に必要な球状に近い形となるから
である。
β型ＳｉＣ粉末が上述のような条件を満足した場合、か
さ比重１．９５以上の高密度のグリーン成形体を得るこ
とができ、焼結時寸法収縮の少ない焼結体を容易に得る
ことができる。
さ比重１．９５以上の高密度のグリーン成形体を得るこ
とができ、焼結時寸法収縮の少ない焼結体を容易に得る
ことができる。
本発明において、粒度分布の測定は、島津製作所製の遠
心沈降式粒度分布測定装置（ＳＡ−ＣＲ２）を用い、０
，２χヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液を分散媒とし
たβ型ＳｉＣ粉末の希薄スラリーに、１χアンモニア水
を加えてＰＨ１０，５に調整した試料液を１５秒間超音
波分散機にかけた後、直ちに測定した。
心沈降式粒度分布測定装置（ＳＡ−ＣＲ２）を用い、０
，２χヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液を分散媒とし
たβ型ＳｉＣ粉末の希薄スラリーに、１χアンモニア水
を加えてＰＨ１０，５に調整した試料液を１５秒間超音
波分散機にかけた後、直ちに測定した。
なお、平均粒径は、累積分布で表示した時の５０χ径で
ある。
ある。
また、グリーン密度は、ラバープレスによる１５００ｋ
ｇ／−の等方加圧により成形したものの重さと寸法形状
から求めた。
ｇ／−の等方加圧により成形したものの重さと寸法形状
から求めた。
なお、成形体の密度を上げるための条件としては、粉末
の分散性が挙げられ、これは表わす関数はなかなか適当
なものがないが、ＢＥＴ比表面積より求めた粒子径と上
記遠心沈降法による平均粒径との比較は一つの目安とな
り、その差が余り大きくなく両者の比が一定の範囲内に
納まるものが、グリーンの密度を上げるための条件の一
つである。
の分散性が挙げられ、これは表わす関数はなかなか適当
なものがないが、ＢＥＴ比表面積より求めた粒子径と上
記遠心沈降法による平均粒径との比較は一つの目安とな
り、その差が余り大きくなく両者の比が一定の範囲内に
納まるものが、グリーンの密度を上げるための条件の一
つである。
本発明で使用するβ型ＳｉＣ粉末の製造方法は特に限定
しないが、例えばシリカ還四法で製造されたもの、ある
いは、それらのブレンド品が好ましい。
しないが、例えばシリカ還四法で製造されたもの、ある
いは、それらのブレンド品が好ましい。
次に、上記粉末を用いた焼結体の製造方法について述べ
ると、このような原料粉末を用いて焼結する場合、焼結
助剤としてほう素、炭素を用いる方法が好ましく、通常
はう素の添加量は０．１〜１重蓋％、炭素の添加量は１
〜３重量％がよい。
ると、このような原料粉末を用いて焼結する場合、焼結
助剤としてほう素、炭素を用いる方法が好ましく、通常
はう素の添加量は０．１〜１重蓋％、炭素の添加量は１
〜３重量％がよい。
これらの範囲をはずれた場合、異常特成長が起こったり
、焼結が充分に進行せず、機械的性質の優れたｍ、Ｖｉ
体を得ることができない。
、焼結が充分に進行せず、機械的性質の優れたｍ、Ｖｉ
体を得ることができない。
まず、原料粉末に所定量の焼結助剤を添加し、ボールミ
ルにて湿式混合し、乾燥後成形し、焼結操作を行う、こ
の時の焼結温度は１９００℃以上２１００”Ｃ以下にす
る必要がある。
ルにて湿式混合し、乾燥後成形し、焼結操作を行う、こ
の時の焼結温度は１９００℃以上２１００”Ｃ以下にす
る必要がある。
１９００℃未満の温度では焼結が充分に進行しないため
密度が上がらず、一方２１００’Ｃより高い場合、α相
への転移が起こるからである。
密度が上がらず、一方２１００’Ｃより高い場合、α相
への転移が起こるからである。
また、焼結時には雰囲気はアルゴンや窒素等の非酸化性
の雰囲気で行う必要があるが、焼結温度に達する前の昇
温過程においては、１５００℃までは真空雰囲気で行う
のがよい。
の雰囲気で行う必要があるが、焼結温度に達する前の昇
温過程においては、１５００℃までは真空雰囲気で行う
のがよい。
これは、炭素とシリカ等の酸化物および遊離シリコンと
の反応を活性化させ、飛散除去を促進させる効果がある
ためである。
の反応を活性化させ、飛散除去を促進させる効果がある
ためである。
１実施例］
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明は係る実施例に限定されるものではない。
明は係る実施例に限定されるものではない。
実施例１
シリカ還元炭化法により製造した、ＢＥＴ比表面１１１
１２．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．６９μｍ、Ｑ、７μｍ
以下の粒子が５１重量％、０７μｍを越え１．４μｍ以
下の粒子が２５重量％、１，４μｍを越える粒子が２４
重量％のβ型ＳｉＣ粉末を使用して、下記の焼結実験を
行った。
１２．７ｍ２／ｇ、平均粒径０．６９μｍ、Ｑ、７μｍ
以下の粒子が５１重量％、０７μｍを越え１．４μｍ以
下の粒子が２５重量％、１，４μｍを越える粒子が２４
重量％のβ型ＳｉＣ粉末を使用して、下記の焼結実験を
行った。
まず、前記ＳＬＣ１００重量部に対して、炭素源として
フェノール樹脂（レゾール型 残炭素率５２重量％）を
炭素換算で、２．０重量部になるように添加した。フェ
ノール樹脂を硬化処Ｆ！後、はう素０．３重量部を添加
し、更にｎ−ヘキサンを加えて２４時間、ポリエチレン
製ボールミルで湿式混合した。乾燥後、２００ｋｇ／ｃ
ｊの圧力で金型成形し、次に静水圧プレス機により、１
．５ ｔｏｎ／−の圧力で成形した。 この時のグリー
ン密度は２．０４であった。
フェノール樹脂（レゾール型 残炭素率５２重量％）を
炭素換算で、２．０重量部になるように添加した。フェ
ノール樹脂を硬化処Ｆ！後、はう素０．３重量部を添加
し、更にｎ−ヘキサンを加えて２４時間、ポリエチレン
製ボールミルで湿式混合した。乾燥後、２００ｋｇ／ｃ
ｊの圧力で金型成形し、次に静水圧プレス機により、１
．５ ｔｏｎ／−の圧力で成形した。 この時のグリー
ン密度は２．０４であった。
この成形体を高周波加熱炉に装入し、常温〜１５００℃
までは真空引きしながら昇温し、それ以上はアルゴンガ
ス大気圧下で昇温、１９７０℃で６０分間保持した。
までは真空引きしながら昇温し、それ以上はアルゴンガ
ス大気圧下で昇温、１９７０℃で６０分間保持した。
得られた焼結体は３．１２ｇ／ｃ＋Ｊの密度を有してい
た。従って、本実施例での焼結時の線収縮率は１５．２
％となった。 ここで、焼結体の密度はアルキメデス法
により測定した。
た。従って、本実施例での焼結時の線収縮率は１５．２
％となった。 ここで、焼結体の密度はアルキメデス法
により測定した。
Ｓ ｔ Ｃ粉末の特性、焼結条件、焼結体特性をまとめ
て第１表に示す。
て第１表に示す。
実施例２〜５、比較例１〜５
実施例１と同様の方法で、実施例２〜５、比較例１〜５
を実施した。その時のＳｉＣ粉末の特性、焼結条件、焼
結体特性をまとめて第１表に表わす。
を実施した。その時のＳｉＣ粉末の特性、焼結条件、焼
結体特性をまとめて第１表に表わす。
［発明の効果］
本発明による高純度ＳｉＣ粉末は、平均粒径、粒度分布
、ＢＥＴ比表面積等が、高密度のグリーン成形体および
機械的性質の優れた焼結体を製造するための最適範囲に
制御されており、この粉末を原料として成形を行うこと
により、高密度で壊れ難い成形体かえられ、該成形体を
焼結することにより、焼結時の収縮率が低いため、機械
加工等の後処理工程の負担が少なく、しかも機械的性質
の優れた焼結体を得ることができる。
、ＢＥＴ比表面積等が、高密度のグリーン成形体および
機械的性質の優れた焼結体を製造するための最適範囲に
制御されており、この粉末を原料として成形を行うこと
により、高密度で壊れ難い成形体かえられ、該成形体を
焼結することにより、焼結時の収縮率が低いため、機械
加工等の後処理工程の負担が少なく、しかも機械的性質
の優れた焼結体を得ることができる。
Claims (2)
- １．平均粒径が０．４μｍ以上０．８μｍ以下のβ型Ｓ
ｉＣ粉末であって、その粒度分布が、０．７μｍ以下の
粒子４５〜６０重量％、１．４μｍを越える粒子２０〜
３５重量％、残部が０．７μｍを越え１．４μｍ以下の
粒子からなり、ＢＥＴ比表面積が１２ｍ＾２／ｇ以上２
０ｍ＾２／ｇ以下のβ型ＳｉＣ粉末。 - ２．平均粒径が０．４μｍ以上０．８μｍ以下のβ型Ｓ
ｉＣ粉末であって、その粒度分布が、０．７μｍ以下の
粒子４５〜６０重量％、１．４μｍを越える粒子２０〜
３５重量％、残部が０．７μｍを越え１．４μｍ以下の
粒子からなり、ＢＥＴ比表面積が１２ｍ＾２／ｇ以上２
０ｍ＾２／ｇ以下のβ型ＳｉＣ粉末を、非酸化性雰囲気
下、１９００℃以上２１００℃以下で焼結することを特
徴とするβ型ＳｉＣ焼結体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112719A JPH01282114A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 高純度β型ＳｉＣ粉末およびそれを用いた焼結体の製造方法 |
| GB8908946A GB2220409A (en) | 1988-04-26 | 1989-04-20 | Beta-silicon carbide powder for sintering and method of preparing same |
| DE3913591A DE3913591A1 (de) | 1988-04-26 | 1989-04-25 | Ss-sic-pulver zum sintern und verfahren zu seiner herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112719A JPH01282114A (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | 高純度β型ＳｉＣ粉末およびそれを用いた焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01282114A true JPH01282114A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14593808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63112719A Pending JPH01282114A (ja) | 1988-04-26 | 1988-05-10 | 高純度β型ＳｉＣ粉末およびそれを用いた焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01282114A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001163670A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-19 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 |
| CN105645965A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-06-08 | 苏州莱特复合材料有限公司 | 一种SiC陶瓷材料的制备方法 |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP63112719A patent/JPH01282114A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001163670A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-19 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 |
| CN105645965A (zh) * | 2016-03-09 | 2016-06-08 | 苏州莱特复合材料有限公司 | 一种SiC陶瓷材料的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Suzuki et al. | Fabrication of textured titania by slip casting in a high magnetic field followed by heating | |
| KR20070065353A (ko) | 지르코니아 세라믹 | |
| JP2506852B2 (ja) | セラミック研磨剤製品及びその製造方法並びに表面研削方法 | |
| Hassanzadeh-Tabrizi | Spark plasma sintering of forsterite nanopowder and mechanical properties of sintered materials | |
| CN109971982B (zh) | 原位自生陶瓷相增强钛基复合材料的制备方法及制品 | |
| Kawano et al. | Spark plasma sintering of nano‐sized TiN prepared from TiO2 by controlled hydrolysis of TiCl4 and Ti (O‐i‐C3H7) 4 solution | |
| JP2008150263A (ja) | 炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
| CN108178636B (zh) | 一种Si3N4/SiC复合吸波陶瓷及其制备方法 | |
| CN112194482B (zh) | 一种超低损耗的宽温功率MnZn铁氧体、制备方法及其5G通讯领域应用 | |
| JP2018508376A (ja) | 多結晶研磨材構築物 | |
| JPH01282114A (ja) | 高純度β型ＳｉＣ粉末およびそれを用いた焼結体の製造方法 | |
| JP2003112974A (ja) | 配向性セラミックス焼結体およびその製造方法 | |
| JP6220527B2 (ja) | セラミックス複合材料の製造方法およびセラミックス複合材料 | |
| JPH04930B2 (ja) | ||
| Muroi et al. | Preparation of nano-grained zirconia ceramics by low-temperature, low-pressure spark plasma sintering | |
| JPS63103864A (ja) | 部分安定化された酸化ジルコニウムからなる焼結成形体およびその製造法 | |
| JP3268020B2 (ja) | 窒化珪素粉末の製造方法 | |
| JP2008156169A (ja) | 炭化ケイ素顆粒、これを用いた炭化ケイ素焼結体の製造方法および炭化ケイ素焼結体 | |
| KR100606328B1 (ko) | 고밀도 서멧트 소결체 제조를 위한 나노분말 처리 | |
| CN116375468B (zh) | 一种低掺杂高性能的四方相氧化锆纳米陶瓷及其制备方法 | |
| JPH06287018A (ja) | チタン酸金属塩繊維及び高誘電性材料 | |
| WO2022210214A1 (ja) | 窒化ケイ素粉末、スラリー、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法 | |
| JP2011136878A (ja) | ジルコニア−アルミナ複合セラミック材料の製造方法 | |
| JP2510251B2 (ja) | 炭化珪素焼結体の製造法 | |
| Zhang et al. | Composite modification of fine SiC powder by 3-aminopropyl triethoxysilane and sodium polystyrene sulfonate and its slip casting study |