JPH01270314A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH01270314A JPH01270314A JP9944188A JP9944188A JPH01270314A JP H01270314 A JPH01270314 A JP H01270314A JP 9944188 A JP9944188 A JP 9944188A JP 9944188 A JP9944188 A JP 9944188A JP H01270314 A JPH01270314 A JP H01270314A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相成長法による薄膜製造装置に関し、更に詳
しくいえば、キャリアガスを流すことによって、液体あ
るいは固体原料を蒸気化するバブラー近傍のバルブある
いは流量制御器への原料ガスの目詰まり防止に関する。
しくいえば、キャリアガスを流すことによって、液体あ
るいは固体原料を蒸気化するバブラー近傍のバルブある
いは流量制御器への原料ガスの目詰まり防止に関する。
最近、半導体薄膜デバイスの薄膜化や多層化等の技術と
して、例えば液体原料を使用する有機金属気相成長法が
利用されている。
して、例えば液体原料を使用する有機金属気相成長法が
利用されている。
従来の気相成長装置は、特開昭６１−１８７２２９に記
載され第２図に示すように成長炉２０１と、成長炉内に
必要な原料ガスを運ぶための導入管２０２と、成長炉を
バイパスして原料ガスを排気装置２０３に運ぶ排気管２
０４と、キャリアガスを流すことによって液体あるいは
固体原料を蒸気化するバブラー２０５と、原料ガス供給
管２０６により構成されていた。
載され第２図に示すように成長炉２０１と、成長炉内に
必要な原料ガスを運ぶための導入管２０２と、成長炉を
バイパスして原料ガスを排気装置２０３に運ぶ排気管２
０４と、キャリアガスを流すことによって液体あるいは
固体原料を蒸気化するバブラー２０５と、原料ガス供給
管２０６により構成されていた。
しかし、上記の従来技術によると、バブラー２０５と排
気装置２０３を連結し、原料ガスを運ぶための原料ガス
供給管２０６及び導入管２０２あるいは排気管２０４の
長さが長いため、高真空引き状態の時にバブラー２０５
Ｍ近まで十分に排気が行なえず、バブラー２０５内で
蒸気化された原料ガスがバブラー２０５付近のバルブあ
るいは流量制御器へ付着し固相化して、目詰まりが発生
するという問題点を有していた。
気装置２０３を連結し、原料ガスを運ぶための原料ガス
供給管２０６及び導入管２０２あるいは排気管２０４の
長さが長いため、高真空引き状態の時にバブラー２０５
Ｍ近まで十分に排気が行なえず、バブラー２０５内で
蒸気化された原料ガスがバブラー２０５付近のバルブあ
るいは流量制御器へ付着し固相化して、目詰まりが発生
するという問題点を有していた。
そこで本発明はこのような間組点を解決するもので、原
料ガス供給管２０６より分岐して第２の排気装置をバブ
ラー２０５付傍に取り付け、バブラー２０５内で蒸気化
された原料ガスの排気能力を充分に高めることにより、
バブラー２０５付近のバルブあるいは流量制御器への原
料ガスの付着、固相化による目詰まりをなくすことを目
的としている。
料ガス供給管２０６より分岐して第２の排気装置をバブ
ラー２０５付傍に取り付け、バブラー２０５内で蒸気化
された原料ガスの排気能力を充分に高めることにより、
バブラー２０５付近のバルブあるいは流量制御器への原
料ガスの付着、固相化による目詰まりをなくすことを目
的としている。
上記問題点を解決するために、本発明の気相成長装置は
、成長炉と、前記成長炉に連結されて前記成長炉内に必
要な原料ガスを運ぶための導入管と、前記成長炉をバイ
パスして排気装置に連結されて前記原料ガスを前記排気
装置に運ぶ排気管と、キャリアガスを流すことによって
液体あるいは固体原料を蒸気化するバブラーと、前記バ
ブラーから前記導入管と前記排気管に分岐して連結され
る原料ガス供給管を具備することを特徴とする気相成長
装置において、前記原料ガス供給管より分岐して少なく
とも第２の排気装置を具備することを特徴とする。
、成長炉と、前記成長炉に連結されて前記成長炉内に必
要な原料ガスを運ぶための導入管と、前記成長炉をバイ
パスして排気装置に連結されて前記原料ガスを前記排気
装置に運ぶ排気管と、キャリアガスを流すことによって
液体あるいは固体原料を蒸気化するバブラーと、前記バ
ブラーから前記導入管と前記排気管に分岐して連結され
る原料ガス供給管を具備することを特徴とする気相成長
装置において、前記原料ガス供給管より分岐して少なく
とも第２の排気装置を具備することを特徴とする。
以下に本発明の第１の実施例を図面に基づいて説明する
。成長炉１０１と、成長炉内に必要な原料ガスを運ぶた
めの導入管１０２と、成長炉をバイパスして原料ガスを
排気装置１０３に運ぶ排気管１０４と、キャリアガスを
流すことによって液体あるいは固体原料を蒸気化するバ
ブラー１０５と、バブラー１０５から導入管１０２と排
気管１０４に三方バルブ１０７を介して連結される原料
ガス供給管１０６と、バブラー１０５の中に液体あるい
は固定原料を蒸気化するためのキャリアガスの流量を制
御する流量制御器１０８と、バルブ１０９．１１０．１
１１．１１２．１１３と、第２の排気装置１１４から主
に構成される。
。成長炉１０１と、成長炉内に必要な原料ガスを運ぶた
めの導入管１０２と、成長炉をバイパスして原料ガスを
排気装置１０３に運ぶ排気管１０４と、キャリアガスを
流すことによって液体あるいは固体原料を蒸気化するバ
ブラー１０５と、バブラー１０５から導入管１０２と排
気管１０４に三方バルブ１０７を介して連結される原料
ガス供給管１０６と、バブラー１０５の中に液体あるい
は固定原料を蒸気化するためのキャリアガスの流量を制
御する流量制御器１０８と、バルブ１０９．１１０．１
１１．１１２．１１３と、第２の排気装置１１４から主
に構成される。
有機金属気相成長法を例に詳細に説明すると、化合物半
導体を半導体基板１１５上にエピタキシャル成長する成
長方法であり、■族原料にバブラー１０５内に納められ
た液体原料としてトリメチルガリウムを用い、Ｖ族原料
に水素化物としてアルシンを用いるとＧａＡｓをエピタ
キシャル成長することができる。結晶成長中においては
、三方バルブ１０７を原料ガスが導入管１０２側に流れ
るよう切り替え、バルブ１０９．１１１．１１２は開状
態、バルブ１１０．１１３は閉状態とする。
導体を半導体基板１１５上にエピタキシャル成長する成
長方法であり、■族原料にバブラー１０５内に納められ
た液体原料としてトリメチルガリウムを用い、Ｖ族原料
に水素化物としてアルシンを用いるとＧａＡｓをエピタ
キシャル成長することができる。結晶成長中においては
、三方バルブ１０７を原料ガスが導入管１０２側に流れ
るよう切り替え、バルブ１０９．１１１．１１２は開状
態、バルブ１１０．１１３は閉状態とする。
結晶成長前あるいは結晶成長後は通常、ガス配管はすべ
て高真空状態とするため、バルブ１１０．１１３は開状
態とし、バルブ１０９．１１１．１１２は閉状態としバ
ルブ１１２よりバブラー１０５側の原料ガス供給管１０
６は第２の排気装置１１４により真空引きを行なう、一
方、バルブ１１２より三方バルブ１０７１１１の原料ガ
ス供給管１０６は、排気装置１０３により真空引きを行
なう。
て高真空状態とするため、バルブ１１０．１１３は開状
態とし、バルブ１０９．１１１．１１２は閉状態としバ
ルブ１１２よりバブラー１０５側の原料ガス供給管１０
６は第２の排気装置１１４により真空引きを行なう、一
方、バルブ１１２より三方バルブ１０７１１１の原料ガ
ス供給管１０６は、排気装置１０３により真空引きを行
なう。
このように、バブラー１０５の近傍に第２の排気装置１
１４を設けることにより、流量制御器１０８と、バルブ
１１０及びバルブ１１２の目詰まりをなくすことができ
る。
１４を設けることにより、流量制御器１０８と、バルブ
１１０及びバルブ１１２の目詰まりをなくすことができ
る。
次に第２の実施例を第３図に基づいて説明する。
第１の実施例との相違点は、液体あるいは固体原料を蒸
気化するバブラーの数が２台となっている点である。新
たなバブラー３０５内には、■族の液体原料としてトリ
メチルアルミニウムが用いられており、三方バルブ１０
７．３０７の切り替えにより、ＧａＡｓ、Ａｌｌ Ａｓ
、Ａｊ ＧａＡｓをエピタキシャル成長することができ
る。この時バルブ３０９．３１１．３１２．１０９．１
１１．１１２は開状態、バルブ３１０．３１３．１１０
．１１３は閉状態とする。
気化するバブラーの数が２台となっている点である。新
たなバブラー３０５内には、■族の液体原料としてトリ
メチルアルミニウムが用いられており、三方バルブ１０
７．３０７の切り替えにより、ＧａＡｓ、Ａｌｌ Ａｓ
、Ａｊ ＧａＡｓをエピタキシャル成長することができ
る。この時バルブ３０９．３１１．３１２．１０９．１
１１．１１２は開状態、バルブ３１０．３１３．１１０
．１１３は閉状態とする。
結晶成長前あるいは結晶成長後は通常、ガス配管はすべ
て高真空状態とするため、バルブ１１０．１１３．３１
０．３１３は開状態とし、バルブ１０９．１１１．１１
２．３０９．３１１．３１２は閉状態とし、バルブ１１
２よりバブラー１０５側およびバルブ３１２よりバブラ
ー３０５側の原料カス供給管１０６．３０６は第２の排
気装置１１４により真空引きを行なう、一方、バルブ１
１２．３１２より三方バルブ１０７．３０７側の原料ガ
ス供給管１０６．３０６は、排気装置１０３により真空
引きを行なう。
て高真空状態とするため、バルブ１１０．１１３．３１
０．３１３は開状態とし、バルブ１０９．１１１．１１
２．３０９．３１１．３１２は閉状態とし、バルブ１１
２よりバブラー１０５側およびバルブ３１２よりバブラ
ー３０５側の原料カス供給管１０６．３０６は第２の排
気装置１１４により真空引きを行なう、一方、バルブ１
１２．３１２より三方バルブ１０７．３０７側の原料ガ
ス供給管１０６．３０６は、排気装置１０３により真空
引きを行なう。
このように、バブラー１０５及び３０５の近傍に第２の
排気装置１１４を設けることにより、流量制御器１０８
．３０８とバルブ１１０．１１２．３１０．３１２の目
詰まりをなくすことができる。
排気装置１１４を設けることにより、流量制御器１０８
．３０８とバルブ１１０．１１２．３１０．３１２の目
詰まりをなくすことができる。
最後に第３の実施例を第４図に基づいて説明する。第２
の実施例との相違点は、液体あるいは固体原料の排気ラ
インを別々にして、第２の排気装置１１４に加えて、第
３の排気装置４１４を設けたことである。
の実施例との相違点は、液体あるいは固体原料の排気ラ
インを別々にして、第２の排気装置１１４に加えて、第
３の排気装置４１４を設けたことである。
以上詳しく説明したように、本発明の気相成長装置によ
れば、キャリアガスを流すことによって液体あるいは固
体原料を蒸気化するバブラー近傍に排気装置を取り付け
ることにより、バブラー近りをなくすことができ、その
結果、上記部品の修理を必要とせず、その修理により配
管を大気にさらす必要がないため、配管内部のクリーン
度が保たれるので再現性よく結晶成長を繰り返し行なう
ことができ、更に配管を大気にさらした場合は十分なパ
ージが必要であるが、その必要もなく効率よく、生産性
よく結晶成長を行なうことができるという効果を有する
。
れば、キャリアガスを流すことによって液体あるいは固
体原料を蒸気化するバブラー近傍に排気装置を取り付け
ることにより、バブラー近りをなくすことができ、その
結果、上記部品の修理を必要とせず、その修理により配
管を大気にさらす必要がないため、配管内部のクリーン
度が保たれるので再現性よく結晶成長を繰り返し行なう
ことができ、更に配管を大気にさらした場合は十分なパ
ージが必要であるが、その必要もなく効率よく、生産性
よく結晶成長を行なうことができるという効果を有する
。
第１図は本発明の気相成長装置を説明するための模式図
、第２図は従来の気相成長装置を説明するための模式図
、第３図は本発明の気相成長装置を説明するための模式
図、第４図は本発明の気相成長装置を説明するための模
式図。 １０１．２０１・・・成長炉 １０２．２０２−−：導入管 １０３．２０３・・・排気装置 １０４．２０４・・・排気管 １０５．２０５．３０５ ・・・バブラー １０６．２０６．３０６ ・・・原料ガス供給管 １０７．３０７・・・三方バルブ １０８．３０８・・・流量制御器 １０９．１１０．１１１．１１２．１１３．３０９．３
１０．３１１．３１２．３１３・・・バルブ １１４・・・・・・・第２の排気装置 １１５・・・・・・・半導体基板 ４１４・・・・・・・第３の排気装置 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
、第２図は従来の気相成長装置を説明するための模式図
、第３図は本発明の気相成長装置を説明するための模式
図、第４図は本発明の気相成長装置を説明するための模
式図。 １０１．２０１・・・成長炉 １０２．２０２−−：導入管 １０３．２０３・・・排気装置 １０４．２０４・・・排気管 １０５．２０５．３０５ ・・・バブラー １０６．２０６．３０６ ・・・原料ガス供給管 １０７．３０７・・・三方バルブ １０８．３０８・・・流量制御器 １０９．１１０．１１１．１１２．１１３．３０９．３
１０．３１１．３１２．３１３・・・バルブ １１４・・・・・・・第２の排気装置 １１５・・・・・・・半導体基板 ４１４・・・・・・・第３の排気装置 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 成長炉と、前記成長炉に連結されて前記成長炉内に必
要な原料ガスを運ぶための導入管と、前記成長炉をバイ
パスして排気装置に連結されて前記原料ガスを前記排気
装置に運ぶ排気管と、キャリアガスを流すことによって
液体あるいは固体原料を蒸気化するバブラーと、前記バ
ブラーから前記導入管と前記排気管に分岐して連結され
る原料ガス供給管を具備することを特徴とする気相成長
装置において、前記原料ガス供給管より分岐して少なく
とも第２の排気装置を具備することを特徴とする気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9944188A JPH01270314A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9944188A JPH01270314A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270314A true JPH01270314A (ja) | 1989-10-27 |
Family
ID=14247490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9944188A Pending JPH01270314A (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01270314A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697691B1 (ko) * | 2005-07-27 | 2007-03-20 | 삼성전자주식회사 | 소스 가스 공급 유닛 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치 |
| JP2010084194A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Hoya Corp | 蒸着装置及び蒸着方法 |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP9944188A patent/JPH01270314A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697691B1 (ko) * | 2005-07-27 | 2007-03-20 | 삼성전자주식회사 | 소스 가스 공급 유닛 및 이를 갖는 화학 기상 증착 장치 |
| JP2010084194A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Hoya Corp | 蒸着装置及び蒸着方法 |
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