JPH01266763A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
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- JPH01266763A JPH01266763A JP9591688A JP9591688A JPH01266763A JP H01266763 A JPH01266763 A JP H01266763A JP 9591688 A JP9591688 A JP 9591688A JP 9591688 A JP9591688 A JP 9591688A JP H01266763 A JPH01266763 A JP H01266763A
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- Japan
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- charge transfer
- shift register
- charge
- transfer shift
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電荷転送装置に関し、特に電荷転送シフトレジ
スタの最高駆動周波数を上げるためのゲート電極形状に
関する。
スタの最高駆動周波数を上げるためのゲート電極形状に
関する。
従来、この種の電荷転送装置の電荷転送シフトレジスタ
のゲート電極は少なくとも中央部は長方形であった。従
来例を第３図に示す。光電変換領域１で変換された電荷
は移送ゲート２を通って第１の電荷転送シフトレジスタ
３又は第２の電荷転送シフトレジスタ４に移送される。
のゲート電極は少なくとも中央部は長方形であった。従
来例を第３図に示す。光電変換領域１で変換された電荷
は移送ゲート２を通って第１の電荷転送シフトレジスタ
３又は第２の電荷転送シフトレジスタ４に移送される。
第１の電荷転送シフトレジスタ３および第２の電荷転送
シフトレジスタ４は３相の駆動クロックφ１（５） 、
φ２ （６） 。
シフトレジスタ４は３相の駆動クロックφ１（５） 、
φ２ （６） 。
φ、（７）によって順次出力側へ電荷を転送する。この
第１の電荷転送シフトレジスタ３又は第２の電荷転送シ
フトレジスタ４によって転送された電荷を出力ゲート８
により交互に出力回路９に転送する。
第１の電荷転送シフトレジスタ３又は第２の電荷転送シ
フトレジスタ４によって転送された電荷を出力ゲート８
により交互に出力回路９に転送する。
第４図（ａ）に第３図の第１の電荷転送シフトレジスタ
の中央部３−１の部分拡大図を示す。第４図（ａ）より
明らかなようにゲート電極形状は長方形である。第４図
（ｂ）に第３図の第１の電荷転送シフトレジスタ３の出
力ゲート５に近い部分３−２の部分拡大図を示す。第４
図（ｂ）より明らかなようにゲート電極形状は台形であ
る。しかし、第１の電荷転送シフトレジスタ３の出力ゲ
ート５に近い部分３−２が台形であるのは単に第１の電
荷転送シフトレジスタ３からの電荷と第２の電荷転送シ
フトレジスタ４からの電荷を出力ゲート５で交互に出力
回路９へ出力するための便宜上の形状であって電荷転送
シフトレジスタの最高駆動周波数を早めるためのもので
はない。このことは第１の電荷転送シフトレジスタ３の
部分３−１のゲート電極形状が長方形であることから容
易に判断できるであろう。
の中央部３−１の部分拡大図を示す。第４図（ａ）より
明らかなようにゲート電極形状は長方形である。第４図
（ｂ）に第３図の第１の電荷転送シフトレジスタ３の出
力ゲート５に近い部分３−２の部分拡大図を示す。第４
図（ｂ）より明らかなようにゲート電極形状は台形であ
る。しかし、第１の電荷転送シフトレジスタ３の出力ゲ
ート５に近い部分３−２が台形であるのは単に第１の電
荷転送シフトレジスタ３からの電荷と第２の電荷転送シ
フトレジスタ４からの電荷を出力ゲート５で交互に出力
回路９へ出力するための便宜上の形状であって電荷転送
シフトレジスタの最高駆動周波数を早めるためのもので
はない。このことは第１の電荷転送シフトレジスタ３の
部分３−１のゲート電極形状が長方形であることから容
易に判断できるであろう。
上述した従来の電荷転送装置は電荷転送シフトレジスタ
の少なくとも中央部のゲート電極形状が長方形となって
いるので最高駆動周波数が電荷転送シフトレジスタの各
電極間ピッチＬで決まってしまうという欠点がある。
の少なくとも中央部のゲート電極形状が長方形となって
いるので最高駆動周波数が電荷転送シフトレジスタの各
電極間ピッチＬで決まってしまうという欠点がある。
本発明の電荷転送装置は光電変換領域と少なくとも中央
部のゲート電極が形成する矩形の内角の１つ以上が９０
°を越える形状を有する電荷転送シフトレジスタと前記
光電変換領域によって光電変換された電荷を前記電荷転
送シフトレジスタへ移送するための移送ゲートと電荷転
送レジスタからの電荷を電圧に変換する出力回路を有し
ている。
部のゲート電極が形成する矩形の内角の１つ以上が９０
°を越える形状を有する電荷転送シフトレジスタと前記
光電変換領域によって光電変換された電荷を前記電荷転
送シフトレジスタへ移送するための移送ゲートと電荷転
送レジスタからの電荷を電圧に変換する出力回路を有し
ている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す電荷転送シフトレジス
タの中央部の部分拡大図である。第１の電荷転送シフト
レジスタ３は３相クロツクφ１゜φ２．φ３によって駆
動され電荷は順次出力側へ転送される。この３相クロッ
クφ１．φ２．φ、はそれぞれφ１用ゲート電極１５．
φ２用ゲート電極１６゜φ、用ゲート電極１７に接続さ
れる。φ１用ゲート電極１５は下層のポリシリコンで形
成され、φ２用およびφ、用のゲート電極１６，１７は
上層のポリシリコンで形成されている。又各電極間のピ
ッチはＬであり、各電極の形状は台形である。
タの中央部の部分拡大図である。第１の電荷転送シフト
レジスタ３は３相クロツクφ１゜φ２．φ３によって駆
動され電荷は順次出力側へ転送される。この３相クロッ
クφ１．φ２．φ、はそれぞれφ１用ゲート電極１５．
φ２用ゲート電極１６゜φ、用ゲート電極１７に接続さ
れる。φ１用ゲート電極１５は下層のポリシリコンで形
成され、φ２用およびφ、用のゲート電極１６，１７は
上層のポリシリコンで形成されている。又各電極間のピ
ッチはＬであり、各電極の形状は台形である。
電荷転送シフトレジスタ１３で転送される電荷は電極の
幅が短かい程早く電極下を通過できるので、電荷転送シ
フトレジスタ１３の幅Ｗの１／２よりもゲート電極の短
辺に近い領域を通過する。従って電荷の通過経路は第１
図の破線で示した経路となり、各ゲート電極下を電荷が
移動する距離はＬ′で各電極間のピッチＬよりも短かく
なる。電荷の移動する時間は移動する距離に比例して短
かくなるので、従って最高駆動周波数は早くなる。
幅が短かい程早く電極下を通過できるので、電荷転送シ
フトレジスタ１３の幅Ｗの１／２よりもゲート電極の短
辺に近い領域を通過する。従って電荷の通過経路は第１
図の破線で示した経路となり、各ゲート電極下を電荷が
移動する距離はＬ′で各電極間のピッチＬよりも短かく
なる。電荷の移動する時間は移動する距離に比例して短
かくなるので、従って最高駆動周波数は早くなる。
第２図は本発明の他の実施例の電荷転送レジスタの電極
形状を示す図である。φ１．φ２．φ、に対応する各ビ
ット毎の電極形状は平行四辺形であり、実効的に電荷の
移動距離はＬ″（波線で示した経路で１つのゲート電極
下を通過する距離）となり、第１図の一実施例よりも更
に電荷の移動距離は短かくなる。つまり電荷転送シフト
レジスタの最高駆動周波数が早くなるという利点がある
。
形状を示す図である。φ１．φ２．φ、に対応する各ビ
ット毎の電極形状は平行四辺形であり、実効的に電荷の
移動距離はＬ″（波線で示した経路で１つのゲート電極
下を通過する距離）となり、第１図の一実施例よりも更
に電荷の移動距離は短かくなる。つまり電荷転送シフト
レジスタの最高駆動周波数が早くなるという利点がある
。
以上説明したように本発明は電荷転送シフトレジスタの
少なくとも中央部のゲート電極形状を台形や平行四辺形
などの矩形の内角の１つ以上が９０°を越える形状にす
ることにより電荷転送シフトレジスタの最高駆動周波数
を早める効果がある。
少なくとも中央部のゲート電極形状を台形や平行四辺形
などの矩形の内角の１つ以上が９０°を越える形状にす
ることにより電荷転送シフトレジスタの最高駆動周波数
を早める効果がある。
尚、各実施例では３相クロツクの例で説明したが、３相
に限られないことは言うまでもない。
に限られないことは言うまでもない。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は本発
明の他の実施例を示す平面図、第３図は従来の電荷転送
装置を示すブロック図、第４図（ａ）は第３図の電荷転
送シフトレジスタの部分拡大図、第４図（ｂ）は第３図
の電荷転送シフトレジスタの他の部分拡大図である。 ■・・・・・・光電変換領域、２・・・・・・移送ゲー
ト、３・・・・・・台１の電荷転送シフトレジスタ、４
・・・・・・第２の電荷転送シフトレジスタ、５・・・
・・・駆動クロックφ１．６・・・・・・駆動クロック
φ２．７・旧・・駆動クロックφ１．８・・・・・・出
力ゲート、９・・・・・・出力回路、１５・・・・・・
φ、用ゲート電極、１６・・・・・・φ２用ゲート電極
、１７・・・・・・φ、用ゲート電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 ＄／※ 第２図 第３図 （ａ−） １ぐ 第４０
明の他の実施例を示す平面図、第３図は従来の電荷転送
装置を示すブロック図、第４図（ａ）は第３図の電荷転
送シフトレジスタの部分拡大図、第４図（ｂ）は第３図
の電荷転送シフトレジスタの他の部分拡大図である。 ■・・・・・・光電変換領域、２・・・・・・移送ゲー
ト、３・・・・・・台１の電荷転送シフトレジスタ、４
・・・・・・第２の電荷転送シフトレジスタ、５・・・
・・・駆動クロックφ１．６・・・・・・駆動クロック
φ２．７・旧・・駆動クロックφ１．８・・・・・・出
力ゲート、９・・・・・・出力回路、１５・・・・・・
φ、用ゲート電極、１６・・・・・・φ２用ゲート電極
、１７・・・・・・φ、用ゲート電極。 代理人 弁理士 内 原 晋 ＄／※ 第２図 第３図 （ａ−） １ぐ 第４０
Claims (1)
- 少くとも一半導体基板上に光電変換領域と該光電変換
領域の信号電荷を読み出す移送ゲートと該信号電荷を順
次転送する為の二層電極から構成されるシフトレジスタ
とを有する電荷転送装置において、前記シフトレジスタ
を構成する電極が形成する矩形の内角の少なくとも１つ
が９０゜を越えることを特徴とする電荷転送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63095916A JP2712270B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 電荷転送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63095916A JP2712270B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 電荷転送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01266763A true JPH01266763A (ja) | 1989-10-24 |
| JP2712270B2 JP2712270B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=14150604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63095916A Expired - Lifetime JP2712270B2 (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 電荷転送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712270B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0316231A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Matsushita Electron Corp | 電荷転送装置 |
| JPH046839A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電荷転送素子 |
| JPH05110057A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006174404A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子および固体撮像装置 |
| JP2008288373A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 固体撮像装置 |
| WO2010035367A1 (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-01 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5533068A (en) * | 1978-08-29 | 1980-03-08 | Fujitsu Ltd | Charge transfer device |
| JPS58190169A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-07 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPS58212176A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-09 | Nec Corp | 電荷転送装置 |
| JPS5944870A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-13 | Nec Corp | 電荷転送装置 |
| JPS6265372A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP63095916A patent/JP2712270B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5533068A (en) * | 1978-08-29 | 1980-03-08 | Fujitsu Ltd | Charge transfer device |
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Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0316231A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Matsushita Electron Corp | 電荷転送装置 |
| JPH046839A (ja) * | 1990-04-25 | 1992-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電荷転送素子 |
| JPH05110057A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
| JP2006174404A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像素子および固体撮像装置 |
| JP2008288373A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JP4724151B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2011-07-13 | 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| WO2010035367A1 (ja) * | 2008-09-25 | 2010-04-01 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2712270B2 (ja) | 1998-02-10 |
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