JPH01266752A - 半導体装置の実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、コンピュータ等に用いられる半導体装置の実
装方法に関するものである。

従来の技術 近年、電気製品の軽薄短小化に伴ない、ＩＣの実装もＤ
ＩＰタイプからフラットパッケージタイプになっている
。特に最近ではパッケージのない裸のＩＣチップも使わ
れており、ワイヤーボンディング方式からフィルムキャ
リア方式が使われ、一部にはフリップチップ方式も使わ
れている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、ワイヤーボンディング方式ではワイヤー
をボンディングするキャピラリーの大きさのため狭いピ
ッチでボンディングができない。

またフィルムキャリア方式では、フィルムを使っている
ため、高密度になると、銅箔のエツチング残渣による、
マイグレーションで、パターンがショートすることがあ
る。さらに他の基板に実装する場合、現在の方法では半
田付けの点から実装面積の小型化は困難である。またフ
リップチップ方式は高密度のため作業性が悪いものであ
った。以上のように、従来の実装方式にはそれぞれ問題
点を有していた。

これらの問題を解決するため本発明は高密度で、高信頼
性でかつ、作業性の良い、半導体装置の実装方法を提供
するものである。

課題を解決するだめの手段 上記目的を達成するため本発明はフィルムキャリアと同
様に半導体素子にリードを接合し、次にこのリード全表
面にポリウレタン樹脂を塗布し、加熱硬化後、リードを
切断する。

これを実装基板の所定の位置に載せ、上方より治具を用
い加熱、加圧し、実装基板上の半田コートを融かし、半
田付けをして実装をするようにしたものである。

作　　　用 本発明によれば、リードにポリウレタン樹脂を塗布し、
リードを切断し、これを加熱、加圧して接合するため、
高密度実装が容易になる。

実施例 以下図面を用いて本発明の実施例につき説明をする。

第１図は本発明を用いて製造した半導体装置の断面図で
ある。半導体装置を構成する集積回路ＩＣのチップ１の
表面には外部との接続のための電ｔｂとしてＡ２パッド
２がある。このＭバッド２と銅箔からなるリード４とを
接続するための金属の粒であるＡｕバンプ３を設ける。

この形成方法としては、例えばＡｕバンプ３をＡｊパッ
ド２上に、メツキで付ける方法とポリイミドやガラスエ
ポキシ樹脂のフィルム１０のリード４に同じくメツキで
付ける方法と、別の基板にＡｕバンプをメツキで付け、
これを転写する方法とがある。

次にこのようにしてＡ、４パツド２とＡｕバンプ３とリ
ード４を接合させるため、その上方よシ硬い′金属又は
ダイヤモンドをコートしたツール１１で加熱、加圧し、
それらの熱拡散による合金層を形成する。

なおリード３０表面には合金層を形成しやすくするため
Ｓｎをメツキで１μ以下に付けている。この様子を第２
図に示す。

このように通常のフィルムキャリアと同じ方法でチップ
１とフィルム１ｏのリード４は、位置合わせ後、加熱加
圧され、接合される。

次にチップ１の表面に外部からの環境による汚染を防止
するためエポキシ樹脂等のチップコート剤８をコートす
る。その後、約１５０°Ｃ１時間の熱硬化をする。次に
リード４の全周囲にポリウレタン樹脂６を、デイスペン
サー等を使って１００μ以下と薄く、均一にコートする
。この後約２４０°Ｃ以下で熱硬化させる。熱硬化して
形成したものを第３図に示し、さらにそのリード４を所
定の寸法に切ったものを第４図に示し、同じく第６図に
斜視図を示す。

次にこれを、実装しようとする実装基板７の所定の位置
にある表面に約１０μの半田コートをした半田コート銅
箔６上に合わし、上よシ半田ゴテツール１２で約３８０
″Ｃ前後に加熱、加圧する。

これによシ半田コート銅箔６の半田が融はリード４のポ
リウレタン樹脂６も融は半田付けされる。

半田付けしだものを第６図に示す。この後、チップ１お
よびリード４の機械的保護等のため全体にエポキシ樹脂
で２次コート９をし、熱硬化させる。

以上のように本実施例による半導体装置は通常のフィル
ムキャリアと同じようにして作るため、リ−１−’４の
ピッチを２００μ以下でも容易にリード４をチップ１と
接合できる。

一方実装基板７へも、リード４をポリウレタン樹脂６で
埋めるようにコートしているため位置がズレずに精度良
く実装できる。この時リード４はフィルム１０と分離し
ているので高密度ピッチの高湿度の電場における銅のマ
イグレーションによるリード４間のショートはない。こ
のマイグレーションは銅リード４エツチングの残りが大
きく起因しているためである。

′なおポリウレタン樹脂６は低吸湿、高耐熱等の特長が
あシ高信頼性である。

さらに実装基板７と実装する場合、ポリウレタン樹脂６
はフラックス性があるため、フラックス塗布が不用であ
ゆ、また後の洗浄も不用であシ、７ラツクス残渣による
リード４の腐食の問題もない。

なおここでは説明上ポリウレタン樹脂をリードの表面だ
けについて述べたがチップ１の表面を含め全体にコート
しても同じ効果が得られることは当然である。

発明の効果 上記実施例より明らかなように本発明によれば高密度実
装を小型、薄型、低コストに容易に行え、かつ高信頼度
であり、価値の高い実装方法を提供するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体装置の実装方法を用いた半導体
装置の断面図、第２図〜第４図はその各工程の要部断面
図、第６図はその一工程における同斜視図、第６図は実
装基板７に実装している状態を示す半導体装置の断面図
である。 １・・・・・・チップ、２・・・・・・Ｍパッド、３・
・・・・・バンプ、４・・・・・・リード、５・・・・
・・ポリウレタン樹脂、６・・・・・・半田コート銅箔
、７・・・・・・実装基板、８・・・・・・チップコー
ト剤、９・・・・・・２次コート剤、１ｏ・・・・・・
フィルム。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第３
図 ／ 第４図 ／Ｚ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体装置に接合したリードの表面にポリウレタン樹
   脂をコーティングし、硬化後、半田コートした実装基板
   に半田付けすることを特徴とする半導体装置の実装方法
   。