JPH01265510A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH01265510A JPH01265510A JP9298488A JP9298488A JPH01265510A JP H01265510 A JPH01265510 A JP H01265510A JP 9298488 A JP9298488 A JP 9298488A JP 9298488 A JP9298488 A JP 9298488A JP H01265510 A JPH01265510 A JP H01265510A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、良好な漏れ電流特性を維持しつつ。
誘電損失が小さく、製造工程が簡単な固体電解コンデン
サの製造方法に関する。
サの製造方法に関する。
[従来の技術]
一般に固体電解コンデンサの素子は、弁作用金属からな
る陽極基体の表面に酸化皮膜層を形成し、この酸化皮膜
層の外面に対向?[ft4として二酸化マンガンなどの
半導体層を形成し、さらに接触抵抗を減じるために鍜ペ
ースト層等を設けて導電体層を形成している。
る陽極基体の表面に酸化皮膜層を形成し、この酸化皮膜
層の外面に対向?[ft4として二酸化マンガンなどの
半導体層を形成し、さらに接触抵抗を減じるために鍜ペ
ースト層等を設けて導電体層を形成している。
上述した二酸化マンガン以外の半導体として二酸化鉛は
、その電導度が比較的高いため、高性能な固体電解コン
デンサを作成することが期待されたが実現されたものは
なかった。このような中で1本発明者等は特開昭63−
51621等で二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層を持
つ性能が良好で工業的に実現可能な固体電解コンデンサ
およびその固体電解コンデンサの製造方法等を提案した
。さらに、この種の固体電解コンデンサのエージング方
法として特開昭62−279623等で導電体層形成後
に化成処理を施すことを提案した。また、特開昭62−
98714において特定の化合物を溶解した溶液で半導
体層を洗浄することにより電気特性の良好な固体電解コ
ンデンサが得られることを提案した。
、その電導度が比較的高いため、高性能な固体電解コン
デンサを作成することが期待されたが実現されたものは
なかった。このような中で1本発明者等は特開昭63−
51621等で二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層を持
つ性能が良好で工業的に実現可能な固体電解コンデンサ
およびその固体電解コンデンサの製造方法等を提案した
。さらに、この種の固体電解コンデンサのエージング方
法として特開昭62−279623等で導電体層形成後
に化成処理を施すことを提案した。また、特開昭62−
98714において特定の化合物を溶解した溶液で半導
体層を洗浄することにより電気特性の良好な固体電解コ
ンデンサが得られることを提案した。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、上述した方法を利用して固体電解コンデ
ンサを製造した場合、漏れ電流と↑n失係数を同時に小
さくするためには、少な(とも洗浄工程とエージング工
程のニ工程を要するため、製造時間が長くまた最終的に
は製造原価が高くつくという問題があった。
ンサを製造した場合、漏れ電流と↑n失係数を同時に小
さくするためには、少な(とも洗浄工程とエージング工
程のニ工程を要するため、製造時間が長くまた最終的に
は製造原価が高くつくという問題があった。
[課題を解決するための手段]
本発明は、上述した問題点を解決するために成されたも
ので弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面に誘電
体酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半導体
層、導電体層を順次J[a成して行く固体電解コンデン
サの製造方法において。
ので弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面に誘電
体酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半導体
層、導電体層を順次J[a成して行く固体電解コンデン
サの製造方法において。
前記半導体層まで形成した固体電解コンデンサ素子をカ
ルボン酸、オキシ酸、カルボン酸塩またはオキシ酸塩を
含んだ溶液中でエージングすることを特徴とする固体電
解コンデンサの製造方法を提供するものである。
ルボン酸、オキシ酸、カルボン酸塩またはオキシ酸塩を
含んだ溶液中でエージングすることを特徴とする固体電
解コンデンサの製造方法を提供するものである。
以下、本発明の固体電解コンデンサについて説明する。
本発明の固体電解コンデンサの陽極として用いられる弁
金属基体としては、例えばアルミニウム、タンタル、ニ
オブ、ヂクンおよびこれらを基質とする合金等、弁作用
を有する金属がいずれも使用できろ。
金属基体としては、例えばアルミニウム、タンタル、ニ
オブ、ヂクンおよびこれらを基質とする合金等、弁作用
を有する金属がいずれも使用できろ。
陽極基体表面の誘電体酸化皮膜層は、陽極基体表層部分
に設けられた陽極基体自体の酸化物層であっても良く、
あるいは、陽極基体の表面上に設けられた他の誘電体酸
化物の層であっても良いが、特に陽極弁金属自体の酸化
物からなる層であることが望ましい、いずれの場合にも
酸化物層を設ける方法としては、従来公知の方法を用い
ることができる。
に設けられた陽極基体自体の酸化物層であっても良く、
あるいは、陽極基体の表面上に設けられた他の誘電体酸
化物の層であっても良いが、特に陽極弁金属自体の酸化
物からなる層であることが望ましい、いずれの場合にも
酸化物層を設ける方法としては、従来公知の方法を用い
ることができる。
本発明の固体電解コンデンサ素子の半導体層は、二酸化
鉛と硫酸鉛を主成分とする層であり、例えば、本発明前
等が特開昭62−279623等で提案した方法で形成
される。
鉛と硫酸鉛を主成分とする層であり、例えば、本発明前
等が特開昭62−279623等で提案した方法で形成
される。
半導体層を形成時に生じた誘電体酸化皮膜層の劣化を修
復するためにエージングを行なうが、カルボン酸、オキ
シ酸またはそれらの塩を少なくとも一鍾含んだ溶液中で
エージングすることが肝要である。この中でもとりわけ
カルボン酸塩、オキシ酸塩が良好である。
復するためにエージングを行なうが、カルボン酸、オキ
シ酸またはそれらの塩を少なくとも一鍾含んだ溶液中で
エージングすることが肝要である。この中でもとりわけ
カルボン酸塩、オキシ酸塩が良好である。
カルボン酸、オキシ酸、カルボン酸塩およびオキシ酸塩
の代表例として酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉贋酸、し
ゅう酸、こはく酸、アジピン酸、アクリル酸、クロトン
酸、フマル酸、マレイン酸、安息香酸、フタル酸、グリ
コール酸、グリセリン酸、ヒドロキシプロピオン酸、ヒ
ドロキシ醋酸、酒石酸、りんご酸、グリコン酸、サリチ
ル酸およびこれらの酸のアンモニウム塩、ナトリウム塩
、カリウム塩等が挙げられる。
の代表例として酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉贋酸、し
ゅう酸、こはく酸、アジピン酸、アクリル酸、クロトン
酸、フマル酸、マレイン酸、安息香酸、フタル酸、グリ
コール酸、グリセリン酸、ヒドロキシプロピオン酸、ヒ
ドロキシ醋酸、酒石酸、りんご酸、グリコン酸、サリチ
ル酸およびこれらの酸のアンモニウム塩、ナトリウム塩
、カリウム塩等が挙げられる。
これらエージング工程に使用する有機酸、またはその塩
類はほとんど一塩基酸、二塩基酸、脂肪族、芳香族、オ
キシ酸、またはその塩として差はないが、価格の面から
酢酸アンモニウムが主として使用されよう。
類はほとんど一塩基酸、二塩基酸、脂肪族、芳香族、オ
キシ酸、またはその塩として差はないが、価格の面から
酢酸アンモニウムが主として使用されよう。
、濃度もあまり制限がなく、希薄なものから飽和溶液ま
で使用できるが、希薄なものはエージングの時間がかか
り、溶液の取り替えも頻度が多くなるので、酢酸アンモ
ニウムの場合20〜40 w t%位のものが結晶の析
出もなく扱い易い。
で使用できるが、希薄なものはエージングの時間がかか
り、溶液の取り替えも頻度が多くなるので、酢酸アンモ
ニウムの場合20〜40 w t%位のものが結晶の析
出もなく扱い易い。
エージング方法は、半導体層まで形成した固体電解コン
デンサ素子を陽極側とし、陰極側に例えばアルミ箔を使
用して前述した溶液中で所定の電圧と時間をかけて行な
われる。エージング時間は、固体電解コンデンサ素子の
容量によっても変化するが、一般には1時間以内である
。
デンサ素子を陽極側とし、陰極側に例えばアルミ箔を使
用して前述した溶液中で所定の電圧と時間をかけて行な
われる。エージング時間は、固体電解コンデンサ素子の
容量によっても変化するが、一般には1時間以内である
。
エージング後、固体、電解コンデンサ素子を十分洗浄し
、乾燥後半導体層上に導電体層が形成される。導電体層
として従来公知のものおよび方法が採用できるが、とり
わけ銀等の導電体粉末を使用した導電ペーストに固体電
解コンデンサ素子を浸漬して引き一ヒげ乾燥する方法が
簡便である。
、乾燥後半導体層上に導電体層が形成される。導電体層
として従来公知のものおよび方法が採用できるが、とり
わけ銀等の導電体粉末を使用した導電ペーストに固体電
解コンデンサ素子を浸漬して引き一ヒげ乾燥する方法が
簡便である。
以上述べた如く本発明の方法によって製造された固体電
解コンデンサは1例えば、樹脂モールド、樹脂ケース、
金属製の外装ケース、樹脂のディッピング、ラミネート
フィルムによる外装などにより各ト1用途の汎用コンデ
ンザ製品とすることができる。
解コンデンサは1例えば、樹脂モールド、樹脂ケース、
金属製の外装ケース、樹脂のディッピング、ラミネート
フィルムによる外装などにより各ト1用途の汎用コンデ
ンザ製品とすることができる。
[実施例]
以下、実施例および比較例を示して本発明をさらに詳し
く説明する。
く説明する。
(実施例1〜4)
長さ2 cm、幅0.5cmのアルミニウム箔を陽極と
し、交流により箔の表面に電気化学的にエッチグ処理し
た後、エツチングアルミニウム箔に陽極端子をかしめ付
けし、陽極リード線を接続した。
し、交流により箔の表面に電気化学的にエッチグ処理し
た後、エツチングアルミニウム箔に陽極端子をかしめ付
けし、陽極リード線を接続した。
ついで、りん酸と、りん酸アンモニウムの水溶液中で電
気化学的に処理してアルミナの酸化皮膜を形成し、低圧
用エツチングアルミニウム箔成箔(約10μF / c
が)を(りた、この化成箔を巻回した後、化成箔の陽極
リード線以外の部分を酢酸鉛三水和物2.4モル/2の
水溶液と過硫酸アンモニウム4モル/2の水溶液の混合
液に浸漬し。
気化学的に処理してアルミナの酸化皮膜を形成し、低圧
用エツチングアルミニウム箔成箔(約10μF / c
が)を(りた、この化成箔を巻回した後、化成箔の陽極
リード線以外の部分を酢酸鉛三水和物2.4モル/2の
水溶液と過硫酸アンモニウム4モル/2の水溶液の混合
液に浸漬し。
80℃で30分間反応させた。生じた半導体層を水洗し
未反応物を除去した。
未反応物を除去した。
形成された半導体層は、二酸化鉛が約25重量%、硫酸
鉛が約75重量%からなることをX線分析、赤外分光分
析により確認した。
鉛が約75重量%からなることをX線分析、赤外分光分
析により確認した。
以上の方法で作製した固体電解コンデンサ素子を40点
用意し、各jO点づつを30%酢酸アンモニウム水溶液
(実施例1)、20%乳酸アンモニウム水溶液(実施例
2)、15%しゅう酸水溶液(実施例3)、15%乳酸
水溶液(実施例4)中で、陰極側にアルミニウム箔を使
用して。
用意し、各jO点づつを30%酢酸アンモニウム水溶液
(実施例1)、20%乳酸アンモニウム水溶液(実施例
2)、15%しゅう酸水溶液(実施例3)、15%乳酸
水溶液(実施例4)中で、陰極側にアルミニウム箔を使
用して。
15V定電圧でlO分エージング操作を行なった。
その後、水洗を十分行ない110℃で乾燥した。さらに
銀ペースト浴に浸漬して、導電体層を形成し、すずメツ
キ銅線で陰極を取りだした後乾燥した。さらにエポキシ
樹脂で封口処理して固体電解コンデンサを作製した。
銀ペースト浴に浸漬して、導電体層を形成し、すずメツ
キ銅線で陰極を取りだした後乾燥した。さらにエポキシ
樹脂で封口処理して固体電解コンデンサを作製した。
(比較例1)
実施例と同様にして半導体層まで形成した固体電解コン
デンサ素子10点を、従来一般に行なわれる方法である
りん酸とアンモニウム(P It 3.2、比抵抗32
5Ωcm)中で実施例と同様な陰極および電圧を用いて
エージング操作を行なった。
デンサ素子10点を、従来一般に行なわれる方法である
りん酸とアンモニウム(P It 3.2、比抵抗32
5Ωcm)中で実施例と同様な陰極および電圧を用いて
エージング操作を行なった。
更に、導電体習形成、陰極取りだし、封口な行なって固
体電解コンデンサを作製した。
体電解コンデンサを作製した。
実施例1〜4.比較例1で作製した固体電解コンデンサ
の特性値(10点の平均)を−括して第1表に示す。
の特性値(10点の平均)を−括して第1表に示す。
* 12011zでの値
傘型 10KIIzでの値
傘型*10vでの値
[発明の効果]
弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面に、誘電体
酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半導体層
、導電体層を順次形成してなる固体電解コンデンサの製
造方法において、前記半導体層まで形成した固体電解コ
ンデンサ素子を、カルボン酸、オキシ酸、カルボン酸塩
、またはオキシ酸塩を含んだ溶液中でエージングするこ
とを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法によれば
、漏れ電流および損失係数が小さくかつ簡単な製造工程
で肴#汝固体電解コンデンサを製造できる。
酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半導体層
、導電体層を順次形成してなる固体電解コンデンサの製
造方法において、前記半導体層まで形成した固体電解コ
ンデンサ素子を、カルボン酸、オキシ酸、カルボン酸塩
、またはオキシ酸塩を含んだ溶液中でエージングするこ
とを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法によれば
、漏れ電流および損失係数が小さくかつ簡単な製造工程
で肴#汝固体電解コンデンサを製造できる。
特許出願人 昭和電工株式会社
Claims (1)
- 弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面に、誘電
体酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半導体
層、導電体層を順次形成させる固体電解コンデンサの製
造方法において、前記半導体層まで形成した固体電解コ
ンデンサ素子を、カルボン酸、オキシ酸、またはそれら
の塩を含んだ溶液中でエージングすることを特徴とする
固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9298488A JPH01265510A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9298488A JPH01265510A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01265510A true JPH01265510A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14069643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9298488A Pending JPH01265510A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01265510A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6483536B2 (en) | 2000-11-17 | 2002-11-19 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Distance measuring apparatus and method employing two image taking devices having different measurement accuracy |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9298488A patent/JPH01265510A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6483536B2 (en) | 2000-11-17 | 2002-11-19 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Distance measuring apparatus and method employing two image taking devices having different measurement accuracy |
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