JPH02166714A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH02166714A JPH02166714A JP32295188A JP32295188A JPH02166714A JP H02166714 A JPH02166714 A JP H02166714A JP 32295188 A JP32295188 A JP 32295188A JP 32295188 A JP32295188 A JP 32295188A JP H02166714 A JPH02166714 A JP H02166714A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は良好な漏れ電流特性を維持しつつ、高周波性能
の良好な固体電解コンデンサの製造方法に関する。
の良好な固体電解コンデンサの製造方法に関する。
一般に固体電解コンデンサの素子は、弁作用金属からな
る陽極基体の表面に酸化皮膜層を形成し、この酸化皮膜
層の外面に対向電極として二酸化マンガンなどの半導体
層を形成し、さらに接触抵抗を減らすために銀ペースト
層等を設けて導電体層を形成し、次いで樹脂層によって
外部環境との断絶をとっている。
る陽極基体の表面に酸化皮膜層を形成し、この酸化皮膜
層の外面に対向電極として二酸化マンガンなどの半導体
層を形成し、さらに接触抵抗を減らすために銀ペースト
層等を設けて導電体層を形成し、次いで樹脂層によって
外部環境との断絶をとっている。
上述した二酸化マンガン以外の半導体として二酸化鉛は
、その電導度が比較的高いため、高性能な固体電解コン
デンサを作製することが期待されていたが実現されたも
のはなかった。このような中で、本発明者等は特開昭８
３−５１６２１号公報等で二酸化鉛と硫酸鉛からなる半
導体層をもつ性能が良好で工業的に実現可能な固体電解
コンデンサおよびその製造法を提案した。
、その電導度が比較的高いため、高性能な固体電解コン
デンサを作製することが期待されていたが実現されたも
のはなかった。このような中で、本発明者等は特開昭８
３−５１６２１号公報等で二酸化鉛と硫酸鉛からなる半
導体層をもつ性能が良好で工業的に実現可能な固体電解
コンデンサおよびその製造法を提案した。
そして、一般に固体電解コンデンサの製造段階で生じる
誘電体酸化皮膜層の劣化を修復するために、樹脂層を形
成した後、高温下で電圧を印加してエージングする方法
がとられている。
誘電体酸化皮膜層の劣化を修復するために、樹脂層を形
成した後、高温下で電圧を印加してエージングする方法
がとられている。
しかしながら、上述した方法を利用して固体電解コンデ
ンサをエージングした場合、所望した漏れ電流（ＬＣと
略す）値を得るには非常な高温を有するため高周波性能
が劣化するという問題点があった。
ンサをエージングした場合、所望した漏れ電流（ＬＣと
略す）値を得るには非常な高温を有するため高周波性能
が劣化するという問題点があった。
本発明は上述の問題点を解決するためになされたもので
、弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面に、誘電
体酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半導体
層、および導電体層を順次形成した後に、０Ｖから所定
の最終エージング電圧まで階段状に電圧を印加してエー
ジングを行い、その後に導電体層上に樹脂層を形成して
固体電月７コンデンサを製造する方法にある。
、弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面に、誘電
体酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半導体
層、および導電体層を順次形成した後に、０Ｖから所定
の最終エージング電圧まで階段状に電圧を印加してエー
ジングを行い、その後に導電体層上に樹脂層を形成して
固体電月７コンデンサを製造する方法にある。
以下、本発明の固体電解コンデンサの製造方法について
説明する。
説明する。
本発明の固体電解コンデンサの陽極として用いられる弁
金属基体としては、例えば、アルミニウム、タンタル、
ニオブ、チタンおよびこれらを基質とする合金等、弁作
用を有する金属がいずれも使用できる。
金属基体としては、例えば、アルミニウム、タンタル、
ニオブ、チタンおよびこれらを基質とする合金等、弁作
用を有する金属がいずれも使用できる。
陽極基体表面の誘電体酸化皮膜層は、陽極基体表層部分
に設けられた陽極基体自体の酸化物層であっても良く、
あるいは陽極基体の表面上に設けられた他の誘電体酸化
物の層であってもよいが、特に陽極弁金属自体の酸化物
からなる層であることが望ましい。いずれの場合にも酸
化物層を受ける方法としては、従来公知の方法を用いる
ことができる。
に設けられた陽極基体自体の酸化物層であっても良く、
あるいは陽極基体の表面上に設けられた他の誘電体酸化
物の層であってもよいが、特に陽極弁金属自体の酸化物
からなる層であることが望ましい。いずれの場合にも酸
化物層を受ける方法としては、従来公知の方法を用いる
ことができる。
本発明の固体電解コンデンサ素子の半導体層は、二酸化
鉛と硫酸鉛を主成分とする層であり、例えば、本発明者
等が特開昭６３−５１８２１号公報で提案した鉛イオン
と過硫酸イオンを含んだ反応母液から二酸化鉛と硫酸鉛
の混合物を化学的に析出漏る方法で形成される。さらに
半導体層上に導電体層が形成されるが、導電体層として
導電ペースト等の従来公知のものおよび方法が採用でき
る。
鉛と硫酸鉛を主成分とする層であり、例えば、本発明者
等が特開昭６３−５１８２１号公報で提案した鉛イオン
と過硫酸イオンを含んだ反応母液から二酸化鉛と硫酸鉛
の混合物を化学的に析出漏る方法で形成される。さらに
半導体層上に導電体層が形成されるが、導電体層として
導電ペースト等の従来公知のものおよび方法が採用でき
る。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法において、導電
体層の上に樹脂層を形成する前にエージングすることが
肝要である。樹脂層を形成した後にエージングすると所
望の漏れ電流特性と高周波性能の両者を具備した固体電
解コンデンサを作製することは困難である。
体層の上に樹脂層を形成する前にエージングすることが
肝要である。樹脂層を形成した後にエージングすると所
望の漏れ電流特性と高周波性能の両者を具備した固体電
解コンデンサを作製することは困難である。
そして次に、導電体層まで形成した固体電解コンデンサ
素子をエージングするが、コンデンサ素子にＯｖから最
終エージング電圧まで階段状に電圧を印加してエージン
グを行う。階段状に電圧印加する電圧幅は最終エージン
グ電圧、コンデンサ素子の大きさ等によって変化するが
、一般に０．２Ｖ〜５Ｖの間である。また電圧幅は、各
段階で数点穴なるものを使用してもよい。各段階での電
圧印加時間は数分から数１０分であり、各段階での電圧
印加時間の和は３０分から２時間の間であるか、最終エ
ージング電圧では数時間続けて電圧印加してもよい。ま
たエージング時に、加温してもよい。
素子をエージングするが、コンデンサ素子にＯｖから最
終エージング電圧まで階段状に電圧を印加してエージン
グを行う。階段状に電圧印加する電圧幅は最終エージン
グ電圧、コンデンサ素子の大きさ等によって変化するが
、一般に０．２Ｖ〜５Ｖの間である。また電圧幅は、各
段階で数点穴なるものを使用してもよい。各段階での電
圧印加時間は数分から数１０分であり、各段階での電圧
印加時間の和は３０分から２時間の間であるか、最終エ
ージング電圧では数時間続けて電圧印加してもよい。ま
たエージング時に、加温してもよい。
以上、エージング操作によって所望のＬＣ値まで落とさ
れたコンデンサ素子は、エポキシ樹脂やフェノール樹脂
等、従来公知の樹脂によって封＋Ｌされ樹脂層が形成さ
れる。
れたコンデンサ素子は、エポキシ樹脂やフェノール樹脂
等、従来公知の樹脂によって封＋Ｌされ樹脂層が形成さ
れる。
本発明において、樹脂層が形成された後、さらに従来公
知の方法でエージングしても良く、この場合、固体電解
コンデンサ素子の性能の劣化は無い。
知の方法でエージングしても良く、この場合、固体電解
コンデンサ素子の性能の劣化は無い。
以下、実施例および比較例を示して本発明をさらに詳し
く説明する。
く説明する。
実施例１〜５ 比較例１〜６
長さ１ｃｍ、幅１（２）のアルミニウム箔を陽極とし、
交流により箔の表面に電気化学的にエツチング処理した
後、エツチングアルミニウム箔に陽極端子をかしめ付け
し、陽極リード線を接続した。
交流により箔の表面に電気化学的にエツチング処理した
後、エツチングアルミニウム箔に陽極端子をかしめ付け
し、陽極リード線を接続した。
ついで、りん酸とりん酸アンモニウムの水溶液中で電気
化学的に処理してアルミナの酸化皮膜を形成して、低圧
用エツチングアルミニウム化成箔（実施例１〜３および
比較例１〜３では約１０μＦ／ｃＪ、実施例４〜５およ
び比較例４〜６ては約３０μＦ ／ ｃＪ ）を作製し
、次に化成箔の陽極リード線以外の部分を酢酸鉛三水和
物２．４モル／ｇの水溶液と過硫酸アンモニウム４モル
／ｇの水溶液の混合液に浸漬し６０℃で３０分反応させ
た。生じた半導体層を水洗し未反応物を除去した。
化学的に処理してアルミナの酸化皮膜を形成して、低圧
用エツチングアルミニウム化成箔（実施例１〜３および
比較例１〜３では約１０μＦ／ｃＪ、実施例４〜５およ
び比較例４〜６ては約３０μＦ ／ ｃＪ ）を作製し
、次に化成箔の陽極リード線以外の部分を酢酸鉛三水和
物２．４モル／ｇの水溶液と過硫酸アンモニウム４モル
／ｇの水溶液の混合液に浸漬し６０℃で３０分反応させ
た。生じた半導体層を水洗し未反応物を除去した。
形成された半導体層は、二酸化鉛が約２５重量％、硫酸
鉛が約７５重量％からなることをＸ線分析、赤外分光分
析により確認した。
鉛が約７５重量％からなることをＸ線分析、赤外分光分
析により確認した。
ついで銀ペースト浴に素子を浸漬し、半導体層上に導電
体層を形成した。
体層を形成した。
以上の方法で作製した固体電解コンデンサ素子を３３０
点用意し、各３０点ずつを各実施例および比較例に割り
当て、第１表に示したエージング条件でエージング操作
を行った。
点用意し、各３０点ずつを各実施例および比較例に割り
当て、第１表に示したエージング条件でエージング操作
を行った。
（以下余白）
第
＊
全て１５５℃憤温器内でエージング処理したその後、エ
ポキシ樹脂で封止処理して固体電解コンデンサを作製し
た。なお、比較例２，３゜５．６では導電体層を形成し
た後にエージングを行わずに、直接樹脂層を形成してか
らエージングを行った。
ポキシ樹脂で封止処理して固体電解コンデンサを作製し
た。なお、比較例２，３゜５．６では導電体層を形成し
た後にエージングを行わずに、直接樹脂層を形成してか
らエージングを行った。
実施例１〜５、比較例１〜６で作製した固体電解コンデ
ンサの特性値（３０点の平均値）を−括して第２表に示
す。
ンサの特性値（３０点の平均値）を−括して第２表に示
す。
（以下余白）
第
＊ １２０Ｈｚでの値
＊ ＊ １ｏｋｌｌｚでの値
木本＊実施例１〜３、比較例１〜３は２１Ｖ。
実施例４〜５、比較例４〜６はＩＩＶでの値〔発明の効
果〕 本発明によれば、弁作用金属からなる陽極基体の表面に
、誘電体酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする
半導体層および導電体層を順次形成した後に、Ｏｖから
所定のエージング電圧まで階段状に電圧を印加してエー
ジングを行い、その後に樹脂層を形成しているので、漏
れ電流が少なく、合せて高周波性能の良好な固体型角’
Ｆコンデンサが製造できる。
果〕 本発明によれば、弁作用金属からなる陽極基体の表面に
、誘電体酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする
半導体層および導電体層を順次形成した後に、Ｏｖから
所定のエージング電圧まで階段状に電圧を印加してエー
ジングを行い、その後に樹脂層を形成しているので、漏
れ電流が少なく、合せて高周波性能の良好な固体型角’
Ｆコンデンサが製造できる。
Claims (1)
- （１）弁作用を有する金属からなる陽極基体の表面に、
誘電体酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸鉛を主成分とする半
導体層、および導電体層を順次形成した後に、０Ｖから
所定のエージング電圧まで階段状に電圧を印加してエー
ジングを行い、しかる後、前記導電体層上に樹脂層を形
成することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32295188A JPH02166714A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32295188A JPH02166714A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166714A true JPH02166714A (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=18149464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32295188A Pending JPH02166714A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166714A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02297917A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサのエージング方法 |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP32295188A patent/JPH02166714A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02297917A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-10 | Marcon Electron Co Ltd | 固体電解コンデンサのエージング方法 |
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