JP2874423B2 - タンタル固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
タンタル固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JP2874423B2 JP2874423B2 JP3359658A JP35965891A JP2874423B2 JP 2874423 B2 JP2874423 B2 JP 2874423B2 JP 3359658 A JP3359658 A JP 3359658A JP 35965891 A JP35965891 A JP 35965891A JP 2874423 B2 JP2874423 B2 JP 2874423B2
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- electrolytic capacitor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐湿性を向上した高圧用
のタンタル固体電解コンデンサの製造方法に関する。
のタンタル固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】タンタル固体電解コンデンサは、一般的
に、タンタルの微粉末からなる焼結体に陽極酸化皮膜、
二酸化マンガン等の半導体層、カーボン層及び銀ペース
ト層を順次設けた構成になっている。
に、タンタルの微粉末からなる焼結体に陽極酸化皮膜、
二酸化マンガン等の半導体層、カーボン層及び銀ペース
ト層を順次設けた構成になっている。
【０００３】陽極酸化皮膜は、硝酸やリン酸等の溶液中
に焼結体を浸潰し、化成電圧を印加して形成する。特
に、硝酸化成液は火花電圧が比較的に低いために、高圧
品にはリン酸化成液を用いて化成している。
に焼結体を浸潰し、化成電圧を印加して形成する。特
に、硝酸化成液は火花電圧が比較的に低いために、高圧
品にはリン酸化成液を用いて化成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、陽極酸化皮膜
中、特に弁作用金属側から少なくとも１／２の厚さの部
分にりんイオンが含まれていると、耐湿性が低下し、そ
のなかでも特に漏れ電流（以下ＬＣという）が増加する
欠点があることがわかった。
中、特に弁作用金属側から少なくとも１／２の厚さの部
分にりんイオンが含まれていると、耐湿性が低下し、そ
のなかでも特に漏れ電流（以下ＬＣという）が増加する
欠点があることがわかった。
【０００５】本発明の目的は、以上の欠点を改良し、耐
湿性を向上できるタンタル固体電解コンデンサ及びその
製造方法を提供するものである。
湿性を向上できるタンタル固体電解コンデンサ及びその
製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、タンタルの微粉末を化成して陽極酸化
皮膜を形成したタンタル固体電解コンデンサの製造方法
において、硝酸化成液を用い最大化成電圧の１／２以上
の電圧から前期最大化成電圧よりも低い電圧で化成する
工程と、この工程後にりんイオンを含む化成液を用い前
記最大化成電圧まで化成する工程とを行うことを特徴と
するタンタル固体電解コンデンサの製造方法を提供する
ものである。
達成するために、タンタルの微粉末を化成して陽極酸化
皮膜を形成したタンタル固体電解コンデンサの製造方法
において、硝酸化成液を用い最大化成電圧の１／２以上
の電圧から前期最大化成電圧よりも低い電圧で化成する
工程と、この工程後にりんイオンを含む化成液を用い前
記最大化成電圧まで化成する工程とを行うことを特徴と
するタンタル固体電解コンデンサの製造方法を提供する
ものである。
【０００７】
【作用】
本発明は、先ず、硝酸化成液を用いて最大化成
電圧の１／２の電圧から最大化成電圧よりも低い電圧ま
での大きさの化成電圧により化成する。その後、りんイ
オンを含む化成液を用いて最大化成電圧まで化成する。
この化成処理により、陽極酸化皮膜は、少なくとも弁作
用金属から１／２の厚さの部分がりんイオンを含まない
領域となる。従って、りんイオンによる耐湿性の低下を
少なくできる。また、硝酸化成液によって最大化成電圧
まで化成することなく、りんイオンを含む化成液によっ
て化成しているため、陽極酸化皮膜の表面側には必ずり
んイオンを含む領域が形成される。このため、コンデン
サの耐圧を高くでき、高圧用に適したタンタル固体電解
コンデサを製造できる。
電圧の１／２の電圧から最大化成電圧よりも低い電圧ま
での大きさの化成電圧により化成する。その後、りんイ
オンを含む化成液を用いて最大化成電圧まで化成する。
この化成処理により、陽極酸化皮膜は、少なくとも弁作
用金属から１／２の厚さの部分がりんイオンを含まない
領域となる。従って、りんイオンによる耐湿性の低下を
少なくできる。また、硝酸化成液によって最大化成電圧
まで化成することなく、りんイオンを含む化成液によっ
て化成しているため、陽極酸化皮膜の表面側には必ずり
んイオンを含む領域が形成される。このため、コンデン
サの耐圧を高くでき、高圧用に適したタンタル固体電解
コンデサを製造できる。
【０００８】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
図１は本発明の実施例の方法により製造したコンデンサ
素子の断面図を示す。 １はタンタルの微粉末からなる焼
結体である。２はこの焼結体１から引き出したタンタル
のリード線である。３は焼結体１を化成して形成した陽
極酸化皮膜である。そしてこの陽極酸化皮膜３は、タン
タルの弁作用金属側から少なくとも１／２の厚さを占め
るりんイオンを含まない部分４とそれ以外の外側のりん
イオンを含む部分５とから形成されている。６は陽極酸
化皮膜３に積層した二酸化マン ガンからなる半導体層で
ある。７は半導体層に積層したカーボン層である。８は
カーボン層に積層した銀ペースト層である。９は銀ペー
スト層８に半田１０付けした陰極リード線である。
図１は本発明の実施例の方法により製造したコンデンサ
素子の断面図を示す。 １はタンタルの微粉末からなる焼
結体である。２はこの焼結体１から引き出したタンタル
のリード線である。３は焼結体１を化成して形成した陽
極酸化皮膜である。そしてこの陽極酸化皮膜３は、タン
タルの弁作用金属側から少なくとも１／２の厚さを占め
るりんイオンを含まない部分４とそれ以外の外側のりん
イオンを含む部分５とから形成されている。６は陽極酸
化皮膜３に積層した二酸化マン ガンからなる半導体層で
ある。７は半導体層に積層したカーボン層である。８は
カーボン層に積層した銀ペースト層である。９は銀ペー
スト層８に半田１０付けした陰極リード線である。
【０００９】次に、本発明の実施例の製造方法を説明す
る。 先ず、タンタルの微粉末を、タンタルのリード線２
を引き出した状態で圧縮成形し、真空熱処理して焼結体
１を形成する。焼結体１を形成後、硝酸溶液等のりんイ
オンを含まない化成液に浸漬し、最大化成電圧の１／２
以上の電圧から最大化成電圧より低い電圧で化成する。
次に、焼結体１を、りん酸溶液等のりんイオンを含む化
成液に浸漬し、最大化成電圧まで化成する。すなわち、
化成を２段階に分けて行い陽極酸化皮膜３を形成する。
陽極酸化皮膜３を形成後、焼結体１を、硝酸マンガン溶
液に浸漬して液を含浸し、焼成及び再化成して二酸化マ
ンガン層６を形成する。二酸化マンガン層６を形成後に
カーボンを塗布してカーボン層７を形成する。カーボン
層７を形成後に、銀ペーストを塗布して銀ペースト層８
を形成する。銀ペースト層８を形成後、これに陰極リー
ド線９を半田１０付けする。 なお、化成は３段階以上に
分けて行ってもよい。
る。 先ず、タンタルの微粉末を、タンタルのリード線２
を引き出した状態で圧縮成形し、真空熱処理して焼結体
１を形成する。焼結体１を形成後、硝酸溶液等のりんイ
オンを含まない化成液に浸漬し、最大化成電圧の１／２
以上の電圧から最大化成電圧より低い電圧で化成する。
次に、焼結体１を、りん酸溶液等のりんイオンを含む化
成液に浸漬し、最大化成電圧まで化成する。すなわち、
化成を２段階に分けて行い陽極酸化皮膜３を形成する。
陽極酸化皮膜３を形成後、焼結体１を、硝酸マンガン溶
液に浸漬して液を含浸し、焼成及び再化成して二酸化マ
ンガン層６を形成する。二酸化マンガン層６を形成後に
カーボンを塗布してカーボン層７を形成する。カーボン
層７を形成後に、銀ペーストを塗布して銀ペースト層８
を形成する。銀ペースト層８を形成後、これに陰極リー
ド線９を半田１０付けする。 なお、化成は３段階以上に
分けて行ってもよい。
【００１０】以下に、タンタル固体電解コンデンサにつ
いて、実施例、従来例及び比較例に分けて、プレッシャ
ークッカーテストを行いＬＣの変化を求めた。実施例等
の化成条件は表１の通りとし、ＬＣの変化を表２に示し
た。なお、テストの条件は、温度１２１℃、湿度１００
％、気圧２ａｔｍ、時間０〜４４ｈｒとする。
いて、実施例、従来例及び比較例に分けて、プレッシャ
ークッカーテストを行いＬＣの変化を求めた。実施例等
の化成条件は表１の通りとし、ＬＣの変化を表２に示し
た。なお、テストの条件は、温度１２１℃、湿度１００
％、気圧２ａｔｍ、時間０〜４４ｈｒとする。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【表２】
【００１３】表２から明らかな通り、ＬＣは平均値で、
４４ｈｒ後において、実施例１及び実施例２が０．９０
０〜１．１７μＡ、従来例が１１．５μＡそして比較例
が９ ．９０μＡとなる。すなわち、実施例１及び実施例
２は従来例の約７．８〜１０．２％、比較例の約９．１
〜１１．８％に低下する。
４４ｈｒ後において、実施例１及び実施例２が０．９０
０〜１．１７μＡ、従来例が１１．５μＡそして比較例
が９ ．９０μＡとなる。すなわち、実施例１及び実施例
２は従来例の約７．８〜１０．２％、比較例の約９．１
〜１１．８％に低下する。
【００１４】
【発明の効果】
以上の通り、本発明の製造方法によれ
ば、先ず、硝酸化成液を用いて最大化成電圧の１／２以
上の電圧から最大化成電圧よりも低い電圧により化成
し、次に、りんイオンを含む化成液を用いて最大化成電
圧まで化成しているため、耐湿性を向上でき、ＬＣを改
善できるとともに、高圧用に適したタンタル固体電解コ
ンデンサが得られる。
ば、先ず、硝酸化成液を用いて最大化成電圧の１／２以
上の電圧から最大化成電圧よりも低い電圧により化成
し、次に、りんイオンを含む化成液を用いて最大化成電
圧まで化成しているため、耐湿性を向上でき、ＬＣを改
善できるとともに、高圧用に適したタンタル固体電解コ
ンデンサが得られる。
【図１】本発明の実施例により製造したコンデンサ素子
の断面図を示す。
の断面図を示す。
１…焼結体、 ３…陽極酸化皮膜、 ４…りんイオンを
含まない部分、５…りんイオンを含む部分。
含まない部分、５…りんイオンを含む部分。
Claims (1)
- 【請求項１】 タンタルの微粉末を化成して陽極酸化皮
膜を形成したタンタル固体電解コンデンサの製造方法に
おいて、硝酸化成液を用い最大化成電圧の１／２以上の
電圧から前期最大化成電圧よりも低い電圧で化成する工
程と、この工程後にりんイオンを含む化成液を用い前記
最大化成電圧まで化成する工程とを行うことを特徴とす
るタンタル固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3359658A JP2874423B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | タンタル固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3359658A JP2874423B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | タンタル固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182869A JPH05182869A (ja) | 1993-07-23 |
| JP2874423B2 true JP2874423B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=18465628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3359658A Expired - Lifetime JP2874423B2 (ja) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | タンタル固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2874423B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4545204B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2010-09-15 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP4275044B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2009-06-10 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| WO2021172031A1 (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ用電極およびその製造方法、ならびに電解コンデンサ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834924B2 (ja) * | 1975-10-08 | 1983-07-29 | エルナ−株式会社 | デンカイコンデンサヨウアルミニウム ノ ヨウキヨクサカホウホウ |
| JPS6053452B2 (ja) * | 1976-01-28 | 1985-11-26 | エルナ−株式会社 | 電解コンデンサ用アルミニウムの陽極酸化方法 |
| JPS52139993A (en) * | 1976-05-18 | 1977-11-22 | Toshiba Corp | Preparation of dielectric layer |
| JPH02277212A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | タンタル電解コンデンサおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP3359658A patent/JP2874423B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05182869A (ja) | 1993-07-23 |
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