JPH01253920A - 塗布膜形成方法 - Google Patents
塗布膜形成方法Info
- Publication number
- JPH01253920A JPH01253920A JP8201088A JP8201088A JPH01253920A JP H01253920 A JPH01253920 A JP H01253920A JP 8201088 A JP8201088 A JP 8201088A JP 8201088 A JP8201088 A JP 8201088A JP H01253920 A JPH01253920 A JP H01253920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating film
- main
- sub
- coating
- edge part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 3
- 238000009498 subcoating Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造プロセスでウェハに対して例えば
フォトレジスト等の薬液を塗布することによりレジスト
膜を形成する塗布膜形成方法に関する。
フォトレジスト等の薬液を塗布することによりレジスト
膜を形成する塗布膜形成方法に関する。
従来、この種の方法に用いる塗布膜形成装置は第３図に
示すように構成されている。これを同図に基づいて概略
説明すると、同図において、符号１で示すものはレジス
トカップ（図示せず）内に設置されリンス液２を噴射す
るバンクリンスノズル、３はこのバックリンスノズル１
の上方に設けられその表面上に例えばフォトレジスト等
の塗布膜４が形成された半導体ウェハである。なお、薬
液塗布用のノズル（図示せず）は前記半導体ウェハ３の
上方に設置されている。
示すように構成されている。これを同図に基づいて概略
説明すると、同図において、符号１で示すものはレジス
トカップ（図示せず）内に設置されリンス液２を噴射す
るバンクリンスノズル、３はこのバックリンスノズル１
の上方に設けられその表面上に例えばフォトレジスト等
の塗布膜４が形成された半導体ウェハである。なお、薬
液塗布用のノズル（図示せず）は前記半導体ウェハ３の
上方に設置されている。
このように構成された塗布膜形成装置を用いる塗布膜形
成方法は、半導体ウェハ３に対し薬液塗布用のノズル（
図示せず）から薬液を塗布して塗布膜４を形成した後、
バックリンスノズル１からリンス液２を噴射して塗布膜
４のエツジ部分を除去することにより行われる。
成方法は、半導体ウェハ３に対し薬液塗布用のノズル（
図示せず）から薬液を塗布して塗布膜４を形成した後、
バックリンスノズル１からリンス液２を噴射して塗布膜
４のエツジ部分を除去することにより行われる。
ところで、従来の塗布膜形成方法においては、半導体ウ
ェハ３に対して単に一層の塗布膜４を形成するものであ
るため、バンクリンスノズルｌによる噴射力が塗布膜４
のエツジ部分に側方から作用してこの部分が盛り上がっ
ていた。この結果、後工程における例えばエツチング時
にプラズマＡによって第４図に矢印Ｂで示すように塗布
膜４の一部が剥離してパターン欠陥となり、半導体装置
としての品質が低下するという問題があった。
ェハ３に対して単に一層の塗布膜４を形成するものであ
るため、バンクリンスノズルｌによる噴射力が塗布膜４
のエツジ部分に側方から作用してこの部分が盛り上がっ
ていた。この結果、後工程における例えばエツチング時
にプラズマＡによって第４図に矢印Ｂで示すように塗布
膜４の一部が剥離してパターン欠陥となり、半導体装置
としての品質が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
製造プロセスにおけるパターン欠陥を低減することがで
き、もって半導体製品としての品質を向上させることが
できる塗布膜形成方法を提供するものである。
製造プロセスにおけるパターン欠陥を低減することがで
き、もって半導体製品としての品質を向上させることが
できる塗布膜形成方法を提供するものである。
本発明に係る塗布膜形成方法は、ウェハ上に薬液を塗布
することにより主塗布膜を形成する工程と、この塗布膜
のエツジ部分に薬液を塗布することにより副塗布膜を形
成する工程とを備えたものである。
することにより主塗布膜を形成する工程と、この塗布膜
のエツジ部分に薬液を塗布することにより副塗布膜を形
成する工程とを備えたものである。
本発明においては、副塗布膜によって主塗布膜のエツジ
部分を被覆することができる。
部分を被覆することができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る方法に用いる塗布膜形成装置を示
す断面図で、同図以下において第３図および第４図と同
一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省
略する。同図において、符号１１で示すものは薬液１２
を噴射するノズルで、レジストカップ（図示せず）の内
部に設置されており、噴射時に前記半導体ウェハ３上の
主塗布膜１３のエツジ部分に塗布して副塗布膜１４を形
成するように構成されている。また、１５はこの副塗布
膜１４および前記主塗布膜１３からなる塗布膜である。
す断面図で、同図以下において第３図および第４図と同
一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省
略する。同図において、符号１１で示すものは薬液１２
を噴射するノズルで、レジストカップ（図示せず）の内
部に設置されており、噴射時に前記半導体ウェハ３上の
主塗布膜１３のエツジ部分に塗布して副塗布膜１４を形
成するように構成されている。また、１５はこの副塗布
膜１４および前記主塗布膜１３からなる塗布膜である。
なお、この塗布膜１５の副塗布膜１４は前記主塗布膜１
３に対してマスク性を有する。
３に対してマスク性を有する。
このように構成された塗布膜形成装置を用いて塗布膜１
５を形成するには、半導体ウェハ３の表面に薬液（図示
せず）を塗布して主塗布膜１３を形成し、次にこの主塗
布膜１３のエツジ部分に薬液１２を塗布して副塗布膜１
４を形成することにより行う。
５を形成するには、半導体ウェハ３の表面に薬液（図示
せず）を塗布して主塗布膜１３を形成し、次にこの主塗
布膜１３のエツジ部分に薬液１２を塗布して副塗布膜１
４を形成することにより行う。
すなわち、本発明においては、半導体ウェハ３上に薬液
１２を塗布することにより主塗布膜１３を形成する工程
と、この主塗布膜１３のエツジ部分に薬液１２を塗布す
ることにより副塗布膜１４を形成する工程とを備えてい
るのである。
１２を塗布することにより主塗布膜１３を形成する工程
と、この主塗布膜１３のエツジ部分に薬液１２を塗布す
ることにより副塗布膜１４を形成する工程とを備えてい
るのである。
したがって、副塗布膜１４によって主塗布膜１３のエツ
ジ部分を被覆することができるから、バックリンスノズ
ル１ （第３図に図示）による噴射力が副塗布膜１４の
エツジ部分に側方から作用しても後工程（例えばプラズ
マエツチング工程）で主塗布膜１３の一部が剥離するこ
とがなくなり、半導体製造プロセスにおけるパターン欠
陥を低減することができる。
ジ部分を被覆することができるから、バックリンスノズ
ル１ （第３図に図示）による噴射力が副塗布膜１４の
エツジ部分に側方から作用しても後工程（例えばプラズ
マエツチング工程）で主塗布膜１３の一部が剥離するこ
とがなくなり、半導体製造プロセスにおけるパターン欠
陥を低減することができる。
なお、本実施例においては、副塗布膜１４が主塗布膜１
３のエツジ部分のみを覆う例を示したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、第２図（ａ）および（ｂ）
に示すように副塗布膜１６．１７によって主塗布膜１３
の全体を覆うものでも差し支えない、この場合、副塗布
膜１６ａ （１６ｂ） 、 １７ａ （１７ｂ）を順次
積層する。
３のエツジ部分のみを覆う例を示したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、第２図（ａ）および（ｂ）
に示すように副塗布膜１６．１７によって主塗布膜１３
の全体を覆うものでも差し支えない、この場合、副塗布
膜１６ａ （１６ｂ） 、 １７ａ （１７ｂ）を順次
積層する。
また、本実施例においては、フォトレジスト等の塗布膜
１５を形成する場合に適用する例を示したが、本発明は
この他ポリイミドやシリカガラス等の塗布膜を形成する
場合にも適用可能である。
１５を形成する場合に適用する例を示したが、本発明は
この他ポリイミドやシリカガラス等の塗布膜を形成する
場合にも適用可能である。
以上説明したように本発明によれば、ウェハ上に薬液を
塗布することにより主塗布膜を形成する工程と、この塗
布膜のエツジ部分に薬液を塗布することにより副塗布膜
を形成する工程とを備えたので、副塗布膜によって主塗
布膜のエツジ部分を被覆することができる。したがって
、塗布膜の形成時にバックリンスノズルによる噴射力が
塗布膜のエツジ部分に側方から作用してもこの部分が盛
り上がることがなくなるから、後工程における塗布膜の
剥離発生を防止して半導体製造プロセスにおけるパター
ン欠陥を低減することができ、半導体製品としての品質
を確実に向上させることができる。
塗布することにより主塗布膜を形成する工程と、この塗
布膜のエツジ部分に薬液を塗布することにより副塗布膜
を形成する工程とを備えたので、副塗布膜によって主塗
布膜のエツジ部分を被覆することができる。したがって
、塗布膜の形成時にバックリンスノズルによる噴射力が
塗布膜のエツジ部分に側方から作用してもこの部分が盛
り上がることがなくなるから、後工程における塗布膜の
剥離発生を防止して半導体製造プロセスにおけるパター
ン欠陥を低減することができ、半導体製品としての品質
を確実に向上させることができる。
第１図は本発明に係る方法に用いる塗布膜形成装置を示
す断面図、第２図（ａｌおよび（ｂ）は他の実施例を示
す断面図、第３図は従来の方法に用いる塗布膜形成装置
を示す断面図、第４図はその塗布膜形成装置を用いて実
施した例を示す断面図である。 ３・・・・半導体ウェハ、１２・・・・薬液、１３・・
・・主塗布膜、１４・・・・副塗布膜、１５・・・・塗
布膜。 代 理 人 大 岩 増 雄 第２図
す断面図、第２図（ａｌおよび（ｂ）は他の実施例を示
す断面図、第３図は従来の方法に用いる塗布膜形成装置
を示す断面図、第４図はその塗布膜形成装置を用いて実
施した例を示す断面図である。 ３・・・・半導体ウェハ、１２・・・・薬液、１３・・
・・主塗布膜、１４・・・・副塗布膜、１５・・・・塗
布膜。 代 理 人 大 岩 増 雄 第２図
Claims (1)
- ウェハ上に薬液を塗布することにより主塗布膜を形成
する工程と、この主塗布膜のエッジ部分に薬液を塗布す
ることにより副塗布膜を形成する工程とを備えたことを
特徴とする塗布膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8201088A JPH01253920A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 塗布膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8201088A JPH01253920A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 塗布膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253920A true JPH01253920A (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=13762551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8201088A Pending JPH01253920A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 塗布膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01253920A (ja) |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP8201088A patent/JPH01253920A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100865815B1 (ko) | 적층막의 복합 웨트에칭 방법 | |
| JPH01253920A (ja) | 塗布膜形成方法 | |
| GB2337826A (en) | Semiconductor patterning method | |
| JPH08236498A (ja) | エアナイフ乾燥方法 | |
| JPH01253923A (ja) | 塗布膜除去装置 | |
| JP2000150627A (ja) | 液塗布装置 | |
| JPH06138640A (ja) | ホトマスクの製法 | |
| JPH0274948A (ja) | レジスト膜の塗布方法 | |
| KR20020085400A (ko) | 스핀 온 글라스막의 에지 비드 제거 방법 | |
| JPH01283930A (ja) | ウエハチヤツク | |
| KR950012542B1 (ko) | 감광막의 이중 선택 노광에 의한 콘택홀 형성 방법 | |
| KR19980048845A (ko) | 반도체소자의 패턴형성방법 | |
| KR100206896B1 (ko) | 바이폴라 소자의 컨택형성 방법 | |
| JPS6161416A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS5974626A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| KR960013140B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPH03231227A (ja) | 電極パターンの形成方法 | |
| JPS60144735A (ja) | フオト・レジスト膜の形成方法 | |
| JPH02100313A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6273744A (ja) | 金属配線パタ−ンの形成方法 | |
| KR19990027895A (ko) | 스피너 장치 및 스피너 장치를 이용하는 반도체 장치 제조 방법 | |
| JPH05283429A (ja) | 薄膜トランジスタ装置の製造方法 | |
| KR20020024888A (ko) | 웨이퍼 상에 스핀 온 글래스막을 도포하는 방법 | |
| JPH02295107A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04283751A (ja) | 感光性ポリイミド前駆体の現像方法 |