JPH01253287A - 端面発光ダイオード - Google Patents
端面発光ダイオードInfo
- Publication number
- JPH01253287A JPH01253287A JP63080646A JP8064688A JPH01253287A JP H01253287 A JPH01253287 A JP H01253287A JP 63080646 A JP63080646 A JP 63080646A JP 8064688 A JP8064688 A JP 8064688A JP H01253287 A JPH01253287 A JP H01253287A
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- JP
- Japan
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- light
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- emitting diode
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、光通信用光源として最適な端面発光ダイオ
ードに関する。
ードに関する。
端面発光ダイオードでは、端面間での光の反射による共
振器が形成されてレーザ発振が生じると、発光ダイオー
ドの特徴である半導体レーザに比較して広いスペクトル
幅、光出力の温度依存性が小さいという利点が失われる
ため、端面間での光の反射を防ぐ必要がある。 レーザ発振を抑制するための構造としては、従来より、
光取り出し側とは反対側の端面を化学的エツチングによ
り斜めに除去したり、あるいは、光取り出し側とは反対
側の端面近くには活性層を設けずに損失媒体を設けるも
のなどが知られている。
振器が形成されてレーザ発振が生じると、発光ダイオー
ドの特徴である半導体レーザに比較して広いスペクトル
幅、光出力の温度依存性が小さいという利点が失われる
ため、端面間での光の反射を防ぐ必要がある。 レーザ発振を抑制するための構造としては、従来より、
光取り出し側とは反対側の端面を化学的エツチングによ
り斜めに除去したり、あるいは、光取り出し側とは反対
側の端面近くには活性層を設けずに損失媒体を設けるも
のなどが知られている。
しかしながら、このように、光取り出し側とは反対側の
端面を斜めに除去したり、損失媒体を設ける場合には、
製造プロセスが複雑になるという問題がある。 この発明は、製造プロセスが複雑にならず生産性が優れ
ており、しかもレーザ発振を効果的に抑制することがで
きる、端面発光ダイオードを提供することを目的とする
。
端面を斜めに除去したり、損失媒体を設ける場合には、
製造プロセスが複雑になるという問題がある。 この発明は、製造プロセスが複雑にならず生産性が優れ
ており、しかもレーザ発振を効果的に抑制することがで
きる、端面発光ダイオードを提供することを目的とする
。
上記目的を達成するため、この発明によれば、一導電型
の半導体基板の一表面上に反対導電型の半導体層を結晶
成長させてなる端面発光ダイオードにおいて、上記半導
体基板の一表面はその上の結晶成長層をへき開したとき
に得られるへき開面と垂直の関係にない面とされており
、且つ、光取り出し側端面及びその反対側の端面がへき
開により形成されていることを特徴とする。
の半導体基板の一表面上に反対導電型の半導体層を結晶
成長させてなる端面発光ダイオードにおいて、上記半導
体基板の一表面はその上の結晶成長層をへき開したとき
に得られるへき開面と垂直の関係にない面とされており
、且つ、光取り出し側端面及びその反対側の端面がへき
開により形成されていることを特徴とする。
たとえば一導電型のＩｎＰ基板を（１１１）面に沿って
切り出し、この面上に反対導電型の半導体層を結晶成長
させ、この結晶成長層をへき開すると、上記の（１１１
）面と垂直の関係にない（０］、 １． ）面に沿って
へき開されることになる。この場合、（１１，１）面と
（０１１）面とは５４．７度の角度をなす。 そこで、このようなへき開により光取り出し側端面及び
その反対側の端面を形成すると、これらの端面が、基板
の結晶成長した面に対して斜めになるため、活性層で発
生した光が端面で反射してもとの活性層に戻ることなく
、レーザ共振器が形成されず、レーザ発振が抑制される
。 このように、光取り出し側端面及びその反対側の端面が
へき開により作られるため、製造プロセスは簡単であり
、端面発光ダイオードを生産性良好に得ることができる
。
切り出し、この面上に反対導電型の半導体層を結晶成長
させ、この結晶成長層をへき開すると、上記の（１１１
）面と垂直の関係にない（０］、 １． ）面に沿って
へき開されることになる。この場合、（１１，１）面と
（０１１）面とは５４．７度の角度をなす。 そこで、このようなへき開により光取り出し側端面及び
その反対側の端面を形成すると、これらの端面が、基板
の結晶成長した面に対して斜めになるため、活性層で発
生した光が端面で反射してもとの活性層に戻ることなく
、レーザ共振器が形成されず、レーザ発振が抑制される
。 このように、光取り出し側端面及びその反対側の端面が
へき開により作られるため、製造プロセスは簡単であり
、端面発光ダイオードを生産性良好に得ることができる
。
つぎにこの発明の一実施例について図面を参照しながら
説明する。図はダブルへテロ接合を有するリッジ導波路
型端面発光ダイオードにこの発明を適用したものであり
、この図において、ｎ−ＩｎＰ基板１は（１１１）面に
沿って切り出されたもので、その（１１１）面上に、ｎ
−１ｎＰバツフアＮ２と、Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層
３と、ｐ−１ｎＰクラツドＮ４と、ｐ −１ｎＧａＡｓ
Ｐキャップ層５とが順次エキタビシャル成長させられて
いる。そしてｆ） −１ｎＧａＡｓＰキャップ層５には
その中央部（リッジ部とされる部分）においてＺｎ拡散
が施される。 このエピタキシャル成長側の表面から選択的なエツチン
グが行なわれ、Ｐ−ＩｎＰクラッド層４の下端にまで到
達する２つの溝部が形成され、これｔ：より、これらの
溝部の間に幅数μｍのリッジ部が形成される。その後、
上記の表面側には５ｉｎ２絶縁層７が形成され、さらに
その後フォトワークによりリッジ部頂上部分の絶縁層７
が取り除かれる。 この基板１の裏面側にｎ−電極６が形成され、この表面
側にｐ−電極８が形成される。 そ［７て、これらの結晶成長層２．３．４．５等をへき
開し、所定の長さ（約３００μｍ）のチップとする６す
ると、これにより形成された光取り出し、側端面及びそ
の反対側端面９は（０１１）面に沿ってへき開された面
となる。 電極８．６間に電流が流されたとき、リッジ部直下のＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層３が発光領域（図ではメツ２、−ユ
部として示される）となって、ここから発光する。そし
て、この発光領域の真上に位置する部分にメサ状のｐ
−１ｎＰクラッド層４が形成されているため、この部分
の屈折率が等価的に高くなってリッジ導波路が形成され
、発生した光をこの領域（メツシュ部）に閉じ込めるこ
とができる。 この光は前後の端面９に向かうが、これらの端面っけへ
き開により形成されたもので、半導体層２．３．４．５
は基板１の（１１１）面上に結晶成長させられたもので
あるからその結晶構造により、これらの端面９は（１１
１）面と５４．７度の角度をなす（０１，ｉ ＞面とな
っている。そのため、活性層３で発生した光が端面９で
反射してもとの活性層３に戻ることがなくなる。こうし
てレーザ発振の抑制ができ、レーザ共振器の形成を防止
できる。 なお、上記ではｎ −１ｎＰ基板１を使用しているが、
ｐ−１ｎＰ基板を用いてもよい。この場合には、基板上
の各層の導電型は上記とは反対になる。またこの場合、
オーミック接触が容易に得られるため、上記の実施例で
行なったＺｎ拡散のプロセスは不要となる。 さらに、ＧａＡｓ基板を用いたいわゆる雑波長帯の端面
発光ダイオードにも適用することができる。 【発明の効果］ この発明の端面発光ダイオードによれば、光取り出し側
端面及び反対側の端面をへき開により得て斜めの端面と
しているので、製造プロセスが簡単であり、生産性が高
く、レーザ共振器の形成を効果的に抑制できて、安定し
たＬＦ、Ｄモードの発光３得ることができる。光取り出
し側とは反対側の端面からも光を減衰なく取り出すこと
が可能であるため、この光をモニター光として利用する
こともでき、Ａ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏｎ＋ａｔｉｃ Ｐｏ
ｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ ）のための構成を容易に実現
できる。
説明する。図はダブルへテロ接合を有するリッジ導波路
型端面発光ダイオードにこの発明を適用したものであり
、この図において、ｎ−ＩｎＰ基板１は（１１１）面に
沿って切り出されたもので、その（１１１）面上に、ｎ
−１ｎＰバツフアＮ２と、Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ活性層
３と、ｐ−１ｎＰクラツドＮ４と、ｐ −１ｎＧａＡｓ
Ｐキャップ層５とが順次エキタビシャル成長させられて
いる。そしてｆ） −１ｎＧａＡｓＰキャップ層５には
その中央部（リッジ部とされる部分）においてＺｎ拡散
が施される。 このエピタキシャル成長側の表面から選択的なエツチン
グが行なわれ、Ｐ−ＩｎＰクラッド層４の下端にまで到
達する２つの溝部が形成され、これｔ：より、これらの
溝部の間に幅数μｍのリッジ部が形成される。その後、
上記の表面側には５ｉｎ２絶縁層７が形成され、さらに
その後フォトワークによりリッジ部頂上部分の絶縁層７
が取り除かれる。 この基板１の裏面側にｎ−電極６が形成され、この表面
側にｐ−電極８が形成される。 そ［７て、これらの結晶成長層２．３．４．５等をへき
開し、所定の長さ（約３００μｍ）のチップとする６す
ると、これにより形成された光取り出し、側端面及びそ
の反対側端面９は（０１１）面に沿ってへき開された面
となる。 電極８．６間に電流が流されたとき、リッジ部直下のＩ
ｎＧａＡｓＰ活性層３が発光領域（図ではメツ２、−ユ
部として示される）となって、ここから発光する。そし
て、この発光領域の真上に位置する部分にメサ状のｐ
−１ｎＰクラッド層４が形成されているため、この部分
の屈折率が等価的に高くなってリッジ導波路が形成され
、発生した光をこの領域（メツシュ部）に閉じ込めるこ
とができる。 この光は前後の端面９に向かうが、これらの端面っけへ
き開により形成されたもので、半導体層２．３．４．５
は基板１の（１１１）面上に結晶成長させられたもので
あるからその結晶構造により、これらの端面９は（１１
１）面と５４．７度の角度をなす（０１，ｉ ＞面とな
っている。そのため、活性層３で発生した光が端面９で
反射してもとの活性層３に戻ることがなくなる。こうし
てレーザ発振の抑制ができ、レーザ共振器の形成を防止
できる。 なお、上記ではｎ −１ｎＰ基板１を使用しているが、
ｐ−１ｎＰ基板を用いてもよい。この場合には、基板上
の各層の導電型は上記とは反対になる。またこの場合、
オーミック接触が容易に得られるため、上記の実施例で
行なったＺｎ拡散のプロセスは不要となる。 さらに、ＧａＡｓ基板を用いたいわゆる雑波長帯の端面
発光ダイオードにも適用することができる。 【発明の効果］ この発明の端面発光ダイオードによれば、光取り出し側
端面及び反対側の端面をへき開により得て斜めの端面と
しているので、製造プロセスが簡単であり、生産性が高
く、レーザ共振器の形成を効果的に抑制できて、安定し
たＬＦ、Ｄモードの発光３得ることができる。光取り出
し側とは反対側の端面からも光を減衰なく取り出すこと
が可能であるため、この光をモニター光として利用する
こともでき、Ａ Ｐ Ｃ（Ａｕｔｏｎ＋ａｔｉｃ Ｐｏ
ｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ ）のための構成を容易に実現
できる。
図はこの発明の一実施例の模式的な斜視図である。
１ ＝−（１１１）面ｎ −１ｎＰ基板、２−ｎ −１
ｎＰバッファ層、３−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４−ｐ
−１ｎＰクラッド層、５・・・ｐ −ＴｎＧａＡｓＰキ
ャップ層、６・・・ｎ−電極、７・・・５ｆ０２絶縁層
、８・・・ｐ−電極、９・・・（０１１）へき開面。
ｎＰバッファ層、３−ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４−ｐ
−１ｎＰクラッド層、５・・・ｐ −ＴｎＧａＡｓＰキ
ャップ層、６・・・ｎ−電極、７・・・５ｆ０２絶縁層
、８・・・ｐ−電極、９・・・（０１１）へき開面。
Claims (1)
- （１）一導電型の半導体基板の一表面上に反対導電型の
半導体層を結晶成長させてなる端面発光ダイオードにお
いて、上記半導体基板の一表面はその上の結晶成長層を
へき開したときに得られるへき開面と垂直の関係にない
面とされており、且つ、光取り出し側端面及びその反対
側の端面がへき開により形成されていることを特徴とす
る端面発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080646A JPH01253287A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 端面発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63080646A JPH01253287A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 端面発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253287A true JPH01253287A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=13724132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63080646A Pending JPH01253287A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 端面発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01253287A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681980A (zh) * | 2012-09-25 | 2014-03-26 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63080646A patent/JPH01253287A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681980A (zh) * | 2012-09-25 | 2014-03-26 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种含背镀反射层的发光二极管的切割方法 |
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