JPH01246520A - 磁気光学ガーネット - Google Patents
磁気光学ガーネットInfo
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- JPH01246520A JPH01246520A JP7311788A JP7311788A JPH01246520A JP H01246520 A JPH01246520 A JP H01246520A JP 7311788 A JP7311788 A JP 7311788A JP 7311788 A JP7311788 A JP 7311788A JP H01246520 A JPH01246520 A JP H01246520A
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- garnet
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は１例えば光アイソレータのファラデー回転子に
用いられる磁気光学ガーネット材料に関する。
用いられる磁気光学ガーネット材料に関する。
光フアイバ通信における半導体レーデの反射光雑音除去
のために光アイソレータの使用が提案されている。現在
液相エビタキンヤル法で育成された（ ｃｄｎｔ） ３
（ＦｅＡｔＧａ） ５０１２の化学式を有するガーネッ
ト厚膜をファラデー回転子として用いることが提案され
ている。ファラデー回転子は順方向の光損失ができるだ
け小さいことが望まれており４５゜回転する間の光損失
Ｌ（：ｄＢ：）は Ｌ＝ ４５０／１ｎｌＯＸαＡ で与えられる。ここに、αは光吸収係数（ｃｒｎ−１，
：ｌ。
のために光アイソレータの使用が提案されている。現在
液相エビタキンヤル法で育成された（ ｃｄｎｔ） ３
（ＦｅＡｔＧａ） ５０１２の化学式を有するガーネッ
ト厚膜をファラデー回転子として用いることが提案され
ている。ファラデー回転子は順方向の光損失ができるだ
け小さいことが望まれており４５゜回転する間の光損失
Ｌ（：ｄＢ：）は Ｌ＝ ４５０／１ｎｌＯＸαＡ で与えられる。ここに、αは光吸収係数（ｃｒｎ−１，
：ｌ。
Ｆはファラデー回転係数〔度／ｃｒｎ：ｌを表す。した
がって損失りを小さくするには光吸収係数αを小さくす
るか、ファラデー回転係数Ｆを大きくすることが要求さ
れる。
がって損失りを小さくするには光吸収係数αを小さくす
るか、ファラデー回転係数Ｆを大きくすることが要求さ
れる。
しかし波長１．３〜１．５μｍではガーネット結晶中に
混入した不純物や格子欠陥等に起因する光損失が存在し
９元吸収係数を急激に減少させるのは困難である。一方
、従来の結晶育成に用いられているガドリニウム・ガリ
ウム・ガーネット（ＧＧＧ）基板とネオジウム・ガリウ
ム・ガーネ、 ト（ＮＧＧ）基板でＢｉｔ換がトリニウ
ムガーネット結晶を育成した場合、十分なりｉ置換量を
得るだめにはＦｅ サイトの一部をＡｔ 、 Ｇａで置
換せねばならず、 Ａｔ。
混入した不純物や格子欠陥等に起因する光損失が存在し
９元吸収係数を急激に減少させるのは困難である。一方
、従来の結晶育成に用いられているガドリニウム・ガリ
ウム・ガーネット（ＧＧＧ）基板とネオジウム・ガリウ
ム・ガーネ、 ト（ＮＧＧ）基板でＢｉｔ換がトリニウ
ムガーネット結晶を育成した場合、十分なりｉ置換量を
得るだめにはＦｅ サイトの一部をＡｔ 、 Ｇａで置
換せねばならず、 Ａｔ。
Ｇａ置換量に比例してファラデー回転係数が減少し大き
なファラデー回転係数が得られないという欠点があった
。
なファラデー回転係数が得られないという欠点があった
。
それ故に本発明は、波長１．３〜１．５μｍ帯において
ファラデー回転４５度あたシの光損失が小さい磁気光学
ガーネットを提供することを目的とする。
ファラデー回転４５度あたシの光損失が小さい磁気光学
ガーネットを提供することを目的とする。
本発明者は、格子定数１２．５２０Ｘ〜１２．５５０Ｘ
のＧＴＳＧＧ基板を用いることによりＡｔ、 Ｇａ等非
磁性イオンを置換しなくても十分なりｉ置換量が得られ
。
のＧＴＳＧＧ基板を用いることによりＡｔ、 Ｇａ等非
磁性イオンを置換しなくても十分なりｉ置換量が得られ
。
従来のＡｔ、 Ｇａが置換されたガーネット結晶に比べ
光吸収係数を増加させることなくファラデー回転係数を
増大できることを実験的に見い出し本発明をなすにいた
った。すなわち本発明の磁気光学ガーネット（ＧｄＢ
ｉ ） ３Ｆｅ ５０１２は格子定数１２．５２０〜１
２．５５０ＸのＧＴＳＧＧ基板を用いて液相エピタキシ
ャル成長をさせたことを特徴とする。
光吸収係数を増加させることなくファラデー回転係数を
増大できることを実験的に見い出し本発明をなすにいた
った。すなわち本発明の磁気光学ガーネット（ＧｄＢ
ｉ ） ３Ｆｅ ５０１２は格子定数１２．５２０〜１
２．５５０ＸのＧＴＳＧＧ基板を用いて液相エピタキシ
ャル成長をさせたことを特徴とする。
以下宗日
〔実施例〕
以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
実施例１
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマスー酸化ホ
ウ素系融剤よシフ５２℃において格子定数１２．５２０
ＸのＧＴＳＧＧ基板（１１１）面上にＧｄ２．２Ｂｉ
Ｏ，８”ｅ５ｏ１２なる化学式を有する磁性ガーネット
単結晶を育成した。波長１．３μｍ１１．５５μｍで測
定した光吸収係数、ファラデー回転係数、及び回転角４
５度あたりの光損失は第１表及び第２表に示すごとくで
あった。
ウ素系融剤よシフ５２℃において格子定数１２．５２０
ＸのＧＴＳＧＧ基板（１１１）面上にＧｄ２．２Ｂｉ
Ｏ，８”ｅ５ｏ１２なる化学式を有する磁性ガーネット
単結晶を育成した。波長１．３μｍ１１．５５μｍで測
定した光吸収係数、ファラデー回転係数、及び回転角４
５度あたりの光損失は第１表及び第２表に示すごとくで
あった。
第１表は波長１．３μｍでのＴＳＧＧ基板、非磁性カル
シウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ＧＧＧ 基板
上に育成した磁性パーネット（ＧｄＢｉ ）５Ｆｅ５−
ｘ（Ａ／！Ｇａ）ｘｏ１２（ｘ＝ｏ、１．０）のファラ
デー回転係数、光吸収係数２回転角４５度あたシの光損
失を示す。
シウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ＧＧＧ 基板
上に育成した磁性パーネット（ＧｄＢｉ ）５Ｆｅ５−
ｘ（Ａ／！Ｇａ）ｘｏ１２（ｘ＝ｏ、１．０）のファラ
デー回転係数、光吸収係数２回転角４５度あたシの光損
失を示す。
また第２表は、波長１．５５μｍでのＴＳＧＧ基板非磁
性カルシウム・マグネシウムΦノルコニウム置換ＧＧＧ
基板上に育成した磁性ガーネット（ＧｄＢｉ）３Ｆｅ５
−ｘ（ＡｔＧａ）Ｘ０１２ （ｘ ＝ ０ ＋ １．０
） のファラデー回転係数光吸収係数回転角４５度
あたりの光損失を示す。
性カルシウム・マグネシウムΦノルコニウム置換ＧＧＧ
基板上に育成した磁性ガーネット（ＧｄＢｉ）３Ｆｅ５
−ｘ（ＡｔＧａ）Ｘ０１２ （ｘ ＝ ０ ＋ １．０
） のファラデー回転係数光吸収係数回転角４５度
あたりの光損失を示す。
他方、従来の基板である格子定数１２．４９７Ｘの非磁
性カルシウム、マグネシウム、ジルコニウム置換ＧＧＧ
の（１１１）面に育成した Ｇｄ ＋、ａＢｉ ＋、２Ｆｅ ４．ｏＡｔｏ、５Ｇａ
ｏ、ｓｏ＋ ２磁性ガーネツトでの結果も第１表及び第
２表に示した。
性カルシウム、マグネシウム、ジルコニウム置換ＧＧＧ
の（１１１）面に育成した Ｇｄ ＋、ａＢｉ ＋、２Ｆｅ ４．ｏＡｔｏ、５Ｇａ
ｏ、ｓｏ＋ ２磁性ガーネツトでの結果も第１表及び第
２表に示した。
第１表及び第２表によれば、格子定数１２．５２０Ｘの
ＧＴＳＧＧ基板を用いて育成した結晶は、光吸収係数が
増加することなく、ファラデー回転係数のみ増大し２回
転角４５度あたりの光損失が低減している。
ＧＴＳＧＧ基板を用いて育成した結晶は、光吸収係数が
増加することなく、ファラデー回転係数のみ増大し２回
転角４５度あたりの光損失が低減している。
実施例２
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマスー酸化ホ
ウ素系融剤より温度７３０℃において格子定数１２．５
３８ＸのＧＴＳＧＧ基板（１１１）面上にＧｄ １ 、
ＢＢ １１．２Ｆｅ ５０１２なる化学式を有する磁性
ガーネット単結晶を育成した。波長１．３μｍ１．５５
μｍで測定した光吸収係数、ファラデー回転係数及び回
転角４５度あたりの光損失は第１表及び第２表に示すご
とくであった。
ウ素系融剤より温度７３０℃において格子定数１２．５
３８ＸのＧＴＳＧＧ基板（１１１）面上にＧｄ １ 、
ＢＢ １１．２Ｆｅ ５０１２なる化学式を有する磁性
ガーネット単結晶を育成した。波長１．３μｍ１．５５
μｍで測定した光吸収係数、ファラデー回転係数及び回
転角４５度あたりの光損失は第１表及び第２表に示すご
とくであった。
同時に第１表及び第２表に示した非磁性カルシウム・マ
グネシウム・ジルコニウム置換ＧＧＧ基板（１１１）面
上に育成したＧｄ １．ＢＢ ｉ １．２Ｆｅ ４．。
グネシウム・ジルコニウム置換ＧＧＧ基板（１１１）面
上に育成したＧｄ １．ＢＢ ｉ １．２Ｆｅ ４．。
硫、ｃｆｉｍｏ、５０１２磁性ノｆ−ネット結晶に比較
し、光吸収係数が増加することなくファラデー回転係数
のみが増大し。
し、光吸収係数が増加することなくファラデー回転係数
のみが増大し。
回転角４５度あたシの光損失が低減している。
実施例３
白金るつぼに保持された酸化鉛−酸化ビスマスー酸化ホ
ウ素系融剤よシ温度７２０℃において格子定数１２．５
４８ＸのＧＴＳＧＧ基板（１１１）面にＧｄ４．５Ｂ１
１，５Ｆｅ５０１２なる化学式を有する磁性ガーネット
単結晶を育成した。波長１．３μｍｔ１．５５μｍで測
定した光吸収係数、ファラデー回転係数、及び回転角４
５度あたりの光損失は第１表及び第２表に示すごとくで
あった。
ウ素系融剤よシ温度７２０℃において格子定数１２．５
４８ＸのＧＴＳＧＧ基板（１１１）面にＧｄ４．５Ｂ１
１，５Ｆｅ５０１２なる化学式を有する磁性ガーネット
単結晶を育成した。波長１．３μｍｔ１．５５μｍで測
定した光吸収係数、ファラデー回転係数、及び回転角４
５度あたりの光損失は第１表及び第２表に示すごとくで
あった。
同時に第１表及び第２表に示した非磁性カルシウム・マ
グネシウム・ジルコニウム置換ＧＧＧ基板（１１１）面
に育成したＧｄ１．ＢＢｉ １．２”ｅ４．ｏＡ−’０
．５Ｇａｏ、５０１２磁性ガーネット結晶に比較し、光
吸収係数が増加することなく、ファラデー回転係数のみ
が増大し回転角４５度あたりの光損失は低減している。
グネシウム・ジルコニウム置換ＧＧＧ基板（１１１）面
に育成したＧｄ１．ＢＢｉ １．２”ｅ４．ｏＡ−’０
．５Ｇａｏ、５０１２磁性ガーネット結晶に比較し、光
吸収係数が増加することなく、ファラデー回転係数のみ
が増大し回転角４５度あたりの光損失は低減している。
以下余日
第 ２ 表
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明を用いることによシ。
波長１．３〜１．５μｍ帯で光損失の小さい磁気光学ガ
ーネットの供給が可能となる。
ーネットの供給が可能となる。
Claims (1)
- （１）格子定数が１２．５２０Å〜１２．５５０Åのガ
ドリニウム・テルビウム・スカンジウム・ガリウム・ガ
ーネット（ＧＴＳＧＧ）基板を用いて液相エピタキシャ
ル成長させたことを特徴とする化学式 （ＧｄＢｉ）＿３Ｆｅ＿５Ｏ＿１＿２で示される使用波
長１．３〜１．５μｍ帯用の磁気光学ガーネット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311788A JPH01246520A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 磁気光学ガーネット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7311788A JPH01246520A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 磁気光学ガーネット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246520A true JPH01246520A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13508988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7311788A Pending JPH01246520A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 磁気光学ガーネット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246520A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5547613A (en) * | 1994-07-05 | 1996-08-20 | Fdk Corporation | Magneto-optical element material formed of magnetic garnet single crystals |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP7311788A patent/JPH01246520A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5547613A (en) * | 1994-07-05 | 1996-08-20 | Fdk Corporation | Magneto-optical element material formed of magnetic garnet single crystals |
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