JPH01246359A - 誘導加熱るつぼ - Google Patents
誘導加熱るつぼInfo
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- JPH01246359A JPH01246359A JP7350888A JP7350888A JPH01246359A JP H01246359 A JPH01246359 A JP H01246359A JP 7350888 A JP7350888 A JP 7350888A JP 7350888 A JP7350888 A JP 7350888A JP H01246359 A JPH01246359 A JP H01246359A
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- Japan
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- crucible
- induction heating
- induction
- impurities
- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラスチックフィルム等の蒸着基板に金属め
っきを施す真空蒸着装置に適用される誘導加熱るつぼに
関する。
っきを施す真空蒸着装置に適用される誘導加熱るつぼに
関する。
従来の誘導加熱るつぼを適用した蒸着部の模式図を第４
図に、また、第５図には誘導加熱周波数−加熱効率の関
係を示すグラフである。
図に、また、第５図には誘導加熱周波数−加熱効率の関
係を示すグラフである。
プラスチック等の蒸着基板に金属めっきを施す真空蒸着
装置には、蒸着基板を含めたすべてを真空度の高い密閉
空間に閉じこめてめっき処理を行うパッチ式のものがあ
り、また近年これに代えて外部（大気圧）→蒸着室（高
真空）→外部（大気圧）という具合に蒸着基板を連続的
に供給しながらめっき処理を行い、生産性の向上を図る
連続式のものも提案されているが、これらはその何れも
高真空下において蒸着基板を走行させ、その下方に設置
しであるるつぼ中の蒸着金属を蒸発させてめっきするよ
うになっている。るつぼ中の蒸着金属を加熱・蒸発させ
る方式には誘導加熱方式、電子ビーム加熱方式等がある
が、誘導加熱方式によるものを同図に示し、 ０１は回
転ロー／Ｌ１０２に当接して走行するフィルム、 ０３
はるつぼ本体、０４はアルミニウム（ＡＪＩ’）。
装置には、蒸着基板を含めたすべてを真空度の高い密閉
空間に閉じこめてめっき処理を行うパッチ式のものがあ
り、また近年これに代えて外部（大気圧）→蒸着室（高
真空）→外部（大気圧）という具合に蒸着基板を連続的
に供給しながらめっき処理を行い、生産性の向上を図る
連続式のものも提案されているが、これらはその何れも
高真空下において蒸着基板を走行させ、その下方に設置
しであるるつぼ中の蒸着金属を蒸発させてめっきするよ
うになっている。るつぼ中の蒸着金属を加熱・蒸発させ
る方式には誘導加熱方式、電子ビーム加熱方式等がある
が、誘導加熱方式によるものを同図に示し、 ０１は回
転ロー／Ｌ１０２に当接して走行するフィルム、 ０３
はるつぼ本体、０４はアルミニウム（ＡＪＩ’）。
０５は誘導コイルであり、誘導コイ／ＶＯ５に高周波電
流を流すことにより周囲に磁界を形成し、もって、この
磁界の強さに応じた渦電流をＡｌＯ４内に発生させ、そ
のジュール熱によってＡｌＯ４を加熱・蒸着させて、フ
ィルム０１表面に蒸着させている。０６はＡｌＯ４上に
浮遊する不純物（酸化皮膜など）である。
流を流すことにより周囲に磁界を形成し、もって、この
磁界の強さに応じた渦電流をＡｌＯ４内に発生させ、そ
のジュール熱によってＡｌＯ４を加熱・蒸着させて、フ
ィルム０１表面に蒸着させている。０６はＡｌＯ４上に
浮遊する不純物（酸化皮膜など）である。
ところで、従来の誘導加熱コイルに通電される誘導加熱
周波数は第５図に示すとお９４〜１０ｋＭｚ程度のもの
が用いられている。同図で示すような加熱効率との関係
によると第４図に示した例からＡ４の表面に不純物が散
在することとなる（理由は後述する）。
周波数は第５図に示すとお９４〜１０ｋＭｚ程度のもの
が用いられている。同図で示すような加熱効率との関係
によると第４図に示した例からＡ４の表面に不純物が散
在することとなる（理由は後述する）。
前述したように高周波数のも・のを用いると。
第４図に示すようにどうしてもＡｌの表面に不純物が散
在してしまい、そのため、スプラッシュ（不純物のはね
上がり）が生じ、フィルムの品質上好ましくない。
在してしまい、そのため、スプラッシュ（不純物のはね
上がり）が生じ、フィルムの品質上好ましくない。
そこで、従来ではるつぼとフィルムの蒸着位置との間を
長くとり、スプラッシュがフィルムまで到達しないよう
にしていた。ところが、このようにるつぼ−フィルレム
蒸着位置間を長くすればするほど、蒸発したＡＩが周囲
に飛散する割合（無効蒸発量）が高くなり、蒸着効率が
悪くなるばかりか、蒸着部周囲の装置ケーシング内面等
に付着する量が増大するため、これらの清掃に費やすメ
インテナンスも多大なものとなっていた。
長くとり、スプラッシュがフィルムまで到達しないよう
にしていた。ところが、このようにるつぼ−フィルレム
蒸着位置間を長くすればするほど、蒸発したＡＩが周囲
に飛散する割合（無効蒸発量）が高くなり、蒸着効率が
悪くなるばかりか、蒸着部周囲の装置ケーシング内面等
に付着する量が増大するため、これらの清掃に費やすメ
インテナンスも多大なものとなっていた。
本発明は、上記問題点を解決するために、誘導コイルに
２ ｋＨｚ以下の誘導加熱周波数を通電してるつぼ内部
に貯蔵された蒸着金属の中央部を周囲より盛上げ、かつ
、るつぼ壁上端にスプフッシュ力バーを設置したもので
ある。すなわち、外側に巻付けた誘導コイルにより内部
に貯蔵された蒸着金属を加熱し、上方を走行する蒸着基
板に向けて蒸着金属を蒸発させる誘導加熱るつぼにおい
て、前記誘導コイルに通電する誘導加熱周波数を２ ｋ
Ｈｚ以下とし、かつ、るつぼ壁上端にスプラッシュ防止
カバーを具備したことを特徴とする誘導加熱るつぼを提
供するものである。
２ ｋＨｚ以下の誘導加熱周波数を通電してるつぼ内部
に貯蔵された蒸着金属の中央部を周囲より盛上げ、かつ
、るつぼ壁上端にスプフッシュ力バーを設置したもので
ある。すなわち、外側に巻付けた誘導コイルにより内部
に貯蔵された蒸着金属を加熱し、上方を走行する蒸着基
板に向けて蒸着金属を蒸発させる誘導加熱るつぼにおい
て、前記誘導コイルに通電する誘導加熱周波数を２ ｋ
Ｈｚ以下とし、かつ、るつぼ壁上端にスプラッシュ防止
カバーを具備したことを特徴とする誘導加熱るつぼを提
供するものである。
本発明の誘導加熱るつぼは上記のような蒸着構造となる
ので、誘導コイルに通電する誘導加熱周波数と蒸着金属
であるＡｌ中央部の盛上がり量の関係を示した第３図の
とおり、前記周波数が低くなるほどＡ４中央部の盛上が
り量が増大することが分かる。従来の４〜１０ｋＨｚで
はＡｌ中央部の盛上がり量は５Ｍ程度にも満たず、その
ためＡ１表面全体に不純物が散在する結果となっている
。そこで誘導加熱周波数を低くとり、 Ａｌ中央部があ
る程度以上盛上がるようにしてやれば。
ので、誘導コイルに通電する誘導加熱周波数と蒸着金属
であるＡｌ中央部の盛上がり量の関係を示した第３図の
とおり、前記周波数が低くなるほどＡ４中央部の盛上が
り量が増大することが分かる。従来の４〜１０ｋＨｚで
はＡｌ中央部の盛上がり量は５Ｍ程度にも満たず、その
ためＡ１表面全体に不純物が散在する結果となっている
。そこで誘導加熱周波数を低くとり、 Ａｌ中央部があ
る程度以上盛上がるようにしてやれば。
Ａ１表面に浮遊する不純物はＡ１表面周辺部（＝るつぼ
本体内壁部）方向に移動することになり。
本体内壁部）方向に移動することになり。
その結果スプラッシュはＡ／表面周辺部でしか発生せず
、もし発生してもるつぼ上部に付けたカバーによシ再び
るつぼ内に戻されて蒸着効率の向上が可能となる。
、もし発生してもるつぼ上部に付けたカバーによシ再び
るつぼ内に戻されて蒸着効率の向上が可能となる。
以下９本発明を図面に示す実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１実施例に係る誘導加熱るつぼを適
用した蒸着部の模式図。第２図は本発明の第２実施例に
係る誘導加熱るつぼ全適用した蒸着部の模式図。第８図
は本第１．２実施例に係る誘導加熱周波数−Ａｌ盛上が
り量の関係のグラフである。ここで従来例を示す瀉４図
と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
用した蒸着部の模式図。第２図は本発明の第２実施例に
係る誘導加熱るつぼ全適用した蒸着部の模式図。第８図
は本第１．２実施例に係る誘導加熱周波数−Ａｌ盛上が
り量の関係のグラフである。ここで従来例を示す瀉４図
と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
本第１実施例である第１図では、誘導コイル５に９００
Ｈｚの誘導加熱周波数を通電したもので。
Ｈｚの誘導加熱周波数を通電したもので。
Ａ１４の中央部はその周囲よりも３０順程度盛上がり、
その結果、Ａ１４表面に浮遊する不純物６は。
その結果、Ａ１４表面に浮遊する不純物６は。
図に示すようにるつぼ本体８の内壁側へと完全に移動す
ることが確認できた。また、不純物６かたまる部分の上
方に２図に示すようなるつぼ本体３内壁より内側に若干
突出するカバー７を設けたところ、るつぼ本体３より上
方へ飛散するスプラッシュをほぼ完全に防止することが
できた。
ることが確認できた。また、不純物６かたまる部分の上
方に２図に示すようなるつぼ本体３内壁より内側に若干
突出するカバー７を設けたところ、るつぼ本体３より上
方へ飛散するスプラッシュをほぼ完全に防止することが
できた。
第２図は本発明の第２実施例を示すもので。
カバー７′の形状が第１図のものと異なるだけで他は同
一である。図より明らかなように、このカバー７ノは、
第１図のカバー７と同様、るつぼ本体３の内壁付近に集
っている不純物６が、スプラツシユによりるつぼ本体３
より飛散するのを防止することに加え、カバー７′のＡ
ｌ４に対向する面を傾斜させることによって、いったん
カバー７′のＡ１４に対向した面に凝縮する液状のＡｇ
４をるつぼ本体ａ内へ流れ（回収し）やすくしたもので
ある。
一である。図より明らかなように、このカバー７ノは、
第１図のカバー７と同様、るつぼ本体３の内壁付近に集
っている不純物６が、スプラツシユによりるつぼ本体３
より飛散するのを防止することに加え、カバー７′のＡ
ｌ４に対向する面を傾斜させることによって、いったん
カバー７′のＡ１４に対向した面に凝縮する液状のＡｇ
４をるつぼ本体ａ内へ流れ（回収し）やすくしたもので
ある。
なお、誘導加熱周波数を２ ｋＨｚとした場合について
も、ア！レミニウム中央部の盛上がりにより、不純物が
その周辺部に移動することを確認済みである。
も、ア！レミニウム中央部の盛上がりにより、不純物が
その周辺部に移動することを確認済みである。
また、誘導加熱周波数の盛上がり量特性、及び加熱効率
特性の双方を考慮した場合、実機においては誘導加熱周
波数を５００Ｈ２〜２ ｋＨｚの範囲内とすることがス
プラッシュ防止、加熱効率の両面から考えて適当と言え
る。
特性の双方を考慮した場合、実機においては誘導加熱周
波数を５００Ｈ２〜２ ｋＨｚの範囲内とすることがス
プラッシュ防止、加熱効率の両面から考えて適当と言え
る。
以上、具体的に説明したように１本発明においては誘導
コイルに通電する誘導加熱周波数ｆｔ２ｋＨｚ以下とす
ることによりアルミニウムの表面に浮遊する不純物がそ
の周辺部に移動するので。
コイルに通電する誘導加熱周波数ｆｔ２ｋＨｚ以下とす
ることによりアルミニウムの表面に浮遊する不純物がそ
の周辺部に移動するので。
るつぼから飛散するスプラッシュの量を減少させること
ができ２品質が向上するとともにるつぼ−フィルレム蒸
着位置を短かくして蒸着効率の向上（無効蒸発量の低減
）を図ることができる。
ができ２品質が向上するとともにるつぼ−フィルレム蒸
着位置を短かくして蒸着効率の向上（無効蒸発量の低減
）を図ることができる。
第１図は本発明の第１実施例に係る誘導加熱るつぼを適
用した蒸着部の模式図、第２図は本発明の第２実施例に
係る誘導加熱るつぼを適用した蒸着部の模式図、第３図
は本第１．２実施例に係る誘導加熱周波数−Ａｌ盛上が
り量の関係のグラフ、第４図は従来の誘導加熱るつぼを
適用した蒸着部の模式図、第５図は従来の誘導加熱周波
数−加熱効率の関係を示すグラフである。 １・・・フィルム、２・・・回転ロール、３・・・るつ
ぼ本体、４・・・蒸着金属、５・・・誘導コイル、６・
・・不躬１圓 、ｆ１２閃 躬３閃 掲４区
用した蒸着部の模式図、第２図は本発明の第２実施例に
係る誘導加熱るつぼを適用した蒸着部の模式図、第３図
は本第１．２実施例に係る誘導加熱周波数−Ａｌ盛上が
り量の関係のグラフ、第４図は従来の誘導加熱るつぼを
適用した蒸着部の模式図、第５図は従来の誘導加熱周波
数−加熱効率の関係を示すグラフである。 １・・・フィルム、２・・・回転ロール、３・・・るつ
ぼ本体、４・・・蒸着金属、５・・・誘導コイル、６・
・・不躬１圓 、ｆ１２閃 躬３閃 掲４区
Claims (1)
- 外側に巻付けた誘導コイルにより内部に貯蔵された蒸着
金属を加熱し、上方を走行する蒸着基板に向けて蒸着金
属を蒸発させる誘導加熱るつぼにおいて、前記誘導コイ
ルに通電する誘導加熱周波数を２ｋＨｚ以下とし、かつ
、るつぼ壁上端にスプラッシュ防止カバーを具備したこ
とを特徴とする誘導加熱るつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7350888A JPH01246359A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 誘導加熱るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7350888A JPH01246359A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 誘導加熱るつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246359A true JPH01246359A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13520261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7350888A Pending JPH01246359A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 誘導加熱るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246359A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10312536A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体の製造装置及び同装置用るつぼ |
| JP2017186603A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社アルバック | 蒸発源、真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP7350888A patent/JPH01246359A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10312536A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体の製造装置及び同装置用るつぼ |
| JP2017186603A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 株式会社アルバック | 蒸発源、真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
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