CN201437549U - 蒸镀装置 - Google Patents

蒸镀装置 Download PDF

Info

Publication number
CN201437549U
CN201437549U CN2009200783701U CN200920078370U CN201437549U CN 201437549 U CN201437549 U CN 201437549U CN 2009200783701 U CN2009200783701 U CN 2009200783701U CN 200920078370 U CN200920078370 U CN 200920078370U CN 201437549 U CN201437549 U CN 201437549U
Authority
CN
China
Prior art keywords
crucibles
crucible
cover board
evaporation
vapor plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN2009200783701U
Other languages
English (en)
Inventor
张海波
杨爽
李伟
许峰嘉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Chengdu Cension Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Chengdu Cension Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp, Chengdu Cension Semiconductor Manufacturing Co Ltd filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN2009200783701U priority Critical patent/CN201437549U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201437549U publication Critical patent/CN201437549U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种蒸镀装置,包括:多个坩埚,具有坩埚口,用于盛放膜料;第一盖板,具有第一开口大于所述坩埚口,设置于所述坩埚上,并与所述坩埚间具有间隙,防止所述坩埚中膜料的交叉污染;以及第二盖板,设置于所述第一盖板上,具有第二开口与所述坩埚口匹配。该蒸镀装置是在坩埚上另加一第二盖板,其开口与坩埚口匹配,在电子枪式蒸镀制程中,若膜料飞溅,则会溅到该第二盖板之上,不影响坩埚的正常转动,则蒸镀制程不会由于溅锅而终止,保证了蒸镀的正常进行。

Description

蒸镀装置
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,特别涉及一种蒸镀装置。
背景技术
在半导体制程工艺中,金属镀膜(Metal Deposition)又称物理镀膜(PhysicalVapor Deposition;PVD),依原理分为蒸镀(evaporation)与溅镀(sputtering)两种。
其中蒸镀就加热方式差异,分为电阻式(thermal coater)与电子枪式(E-gun evaporator)两类机台。前者在原理上较容易,就是直接将准备熔融蒸发的金属以线材方式挂在加热钨丝上,一旦受热熔融,因液体表面张力之故,会攀附在加热钨丝上,然后徐徐蒸着至四周(包含晶圆)。因加热钨丝耐热能力与供金属熔液攀附空间有限,仅用于低熔点的金属镀着,如铝,且蒸着厚度有限。
电子枪式蒸镀机则是利用电子束进行加热,熔融蒸发的金属膜料放在石墨或钨质坩埚(crucible)中。待金属蒸气压超过临界限度,也开始徐徐蒸着至四周(包含晶圆)。电子枪式蒸镀机可蒸着熔点较高的金属,厚度也比较不受限制。
电子枪式蒸镀的膜料一般为钛、镍、银,由于镍(Ni)有磁性,请结合参见图1A及图1B,在利用电子束加热熔化过程中,容易吸附许多杂质,当电子束扫描到杂质上时,晶体感应器不能检测到所沉淀的金属,则电子枪的功率会一直上升导致制程功率过大,膜料就会飞溅出来,呈抛物线状溅到坩埚110的边沿上面,在旋转型多坩埚上装有盖板120可用于防止膜料之间的交叉污染,由于坩埚110和盖板120之间的间隙较小,飞溅出来的金属会堆积在坩埚110的边沿上,易导致坩埚110不能转动而卡锅。
实用新型内容
本实用新型旨在解决现有技术中由于在电子枪式蒸镀过程中,膜料溅出堆积在坩埚边上,导致坩埚不能转动而卡锅的问题。
有鉴于此,本实用新型提供一种蒸镀装置,包括:多个坩埚,具有坩埚口,用于盛放膜料;第一盖板,具有第一开口大于所述坩埚口,设置于所述坩埚上,并与所述坩埚间具有间隙,防止所述坩埚中膜料的交叉污染;以及第二盖板,设置于所述第一盖板上,具有第二开口与所述坩埚口匹配。
进一步的,所述坩埚为旋转型多坩埚。
进一步的,所述多个坩埚为4个。
进一步的,所述坩埚的材质石墨或钨质。
进一步的,所述膜料为钛或镍或银。
综上所述,利用本实用新型所提供的蒸镀装置是在坩埚上另加一第二盖板,其开口与坩埚口匹配,在电子枪式蒸镀制程中,若膜料飞溅,则会溅到该第二盖板之上,不影响坩埚的正常转动,则制程不会由于溅锅而终止,保证了蒸镀的正常进行。
附图说明
图1A所示为现有电子枪蒸镀所使用的坩埚的结构示意图;
图1B所示为现有电子枪蒸镀造成坩埚卡锅的示意图;
图2所示为本实用新型一实施例所提供的蒸镀装置的示意图;
图3所示为本本实用新型一实施例所提供的蒸镀用坩埚的俯视图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、特征更明显易懂,给出较佳实施例并结合附图,对本实用新型作进一步说明。
请参见图2,其所示为本实用新型一实施例所提供的蒸镀装置的俯视图,该蒸镀装置,包括:多个坩埚210,具有坩埚口211,用于盛放膜料;第一盖板220,具有第一开口221大于所述坩埚口211,设置于所述坩埚210上,并与所述坩埚210间具有间隙,防止所述坩埚210中膜料的交叉污染;以及第二盖板230,设置于所述第一盖板220上,具有第二开口231与所述坩埚口211匹配。在利用电子束加热熔化过程中,容易吸附许多杂质,当电子束扫描到杂质上时,晶体感应器不能检测到所沉淀的金属,则电子枪的功率会一直上升导致制程功率过大,膜料就会飞溅出来,因为加装了第二盖板230,如果膜料飞溅出来,则会溅到该第二盖板230之上,而不会呈抛物线状溅到坩埚的边沿上面,避免了坩埚因此不能转动而卡锅的问题。
在本实用新型一实施例中,请参见图3,为了实现多膜料的蒸镀,如钛或镍或银。坩埚210为旋转型多坩埚,坩埚的个数为4个,但本实用新型不限于此。电子枪蒸镀会产生高温高热,所以在本实用新型一实施例中,所述坩埚210的材质石墨或钨质。
综上所述,本实用新型所提供的蒸镀装置是在坩埚另加一第二盖板,其开口与坩埚口匹配,在电子枪式蒸镀制程中,若膜料飞溅,则会溅到该第二盖板之上,不影响坩埚的正常转动,则制程不会由于溅锅而终止,保证了蒸镀的正常进行。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本实用新型,任何熟习此技术者,在不脱离本实用新型的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (5)

1.一种蒸镀装置,其特征在于,包括:
多个坩埚,具有坩埚口,用于盛放膜料;
第一盖板,具有第一开口大于所述坩埚口,设置于所述坩埚上,并与所述坩埚间具有间隙,防止所述坩埚中膜料的交叉污染;以及
第二盖板,设置于所述第一盖板上,具有第二开口与所述坩埚口匹配。
2.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,其中所述坩埚为旋转型多坩埚。
3.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,其中所述多个坩埚为4个。
4.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,其中所述坩埚的材质石墨或钨质。
5.根据权利要求1所述的蒸镀装置,其特征在于,其中所述膜料为钛或镍或银。
CN2009200783701U 2009-07-16 2009-07-16 蒸镀装置 Expired - Lifetime CN201437549U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009200783701U CN201437549U (zh) 2009-07-16 2009-07-16 蒸镀装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009200783701U CN201437549U (zh) 2009-07-16 2009-07-16 蒸镀装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201437549U true CN201437549U (zh) 2010-04-14

Family

ID=42399525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009200783701U Expired - Lifetime CN201437549U (zh) 2009-07-16 2009-07-16 蒸镀装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201437549U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102392220A (zh) * 2010-09-30 2012-03-28 四川虹欧显示器件有限公司 用于形成等离子显示屏保护层的蒸镀装置
CN102808155A (zh) * 2012-08-01 2012-12-05 东莞宏威数码机械有限公司 电子轰击式蒸发源系统
CN108517495A (zh) * 2018-06-26 2018-09-11 光驰科技(上海)有限公司 一种蒸发源位置的可调节结构及利用其进行镀膜的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102392220A (zh) * 2010-09-30 2012-03-28 四川虹欧显示器件有限公司 用于形成等离子显示屏保护层的蒸镀装置
CN102808155A (zh) * 2012-08-01 2012-12-05 东莞宏威数码机械有限公司 电子轰击式蒸发源系统
CN108517495A (zh) * 2018-06-26 2018-09-11 光驰科技(上海)有限公司 一种蒸发源位置的可调节结构及利用其进行镀膜的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2017128471A1 (zh) 真空蒸镀加热装置
CN201437549U (zh) 蒸镀装置
KR20130029365A (ko) 투명 도전막
CN107761056A (zh) 一种点蒸发源、蒸镀设备及点蒸发源的控制方法
TWI433954B (zh) 高速濺鍍裝置及方法
JP2014109050A (ja) 蒸着装置用蒸発源
JP2015183229A (ja) 真空蒸着装置
CN102373421A (zh) 真空蒸镀装置
JP2014508860A (ja) 堆積装置および堆積装置用の坩堝を生産する方法
JPH11236664A (ja) スパッタリング用ターゲットのバッキングプレート
CN101591764A (zh) 材料成膜装置、制备方法及其制备的有机电致发光器件
CN209759574U (zh) 一种具有溅射靶材预热功能的靶材基座
CN204111859U (zh) 磁控溅射环装置及磁控溅射反应器
KR20180016150A (ko) 스피팅 방지 구조체를 구비한 증착장치용 증발원
CN104372296B (zh) 一种利用电子束蒸发制备金属薄膜的方法
CN115558900A (zh) 一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法
CN111455322B (zh) 坩埚装置、蒸镀装置
CN100516284C (zh) 蒸镀装置
Xu et al. An Oxide‐Dispersed Preparation Strategy for Silver Ultrathin Films with Low Percolation Threshold Thickness, Subnanometer Smoothness, and Prominent Durability
CN209584357U (zh) 一种真空蒸镀设备的蒸发源
CN201390780Y (zh) 一种微波真空金属镀膜装置
CN106282960B (zh) 一种择优取向的铟锡合金薄膜及其制备方法
CN204097556U (zh) 一种防止蒸镀源交叉污染的蒸镀装置
CN2592655Y (zh) 蒸镀装置
US7125581B2 (en) Evaporation method and apparatus thereof

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20100414

CX01 Expiry of patent term