JPH01241868A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01241868A JPH01241868A JP7055688A JP7055688A JPH01241868A JP H01241868 A JPH01241868 A JP H01241868A JP 7055688 A JP7055688 A JP 7055688A JP 7055688 A JP7055688 A JP 7055688A JP H01241868 A JPH01241868 A JP H01241868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- field effect
- channel region
- effect transistor
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にＭＯＳ電界効果トラン
ジスタのチャンネル領域の構造に関する。
ジスタのチャンネル領域の構造に関する。
従来のＭＯ８電界効果トランジスタは、一般に第５図に
示すように、半導体基板１上にフィールド酸化膜２によ
り素子形成領域を分離したのち、この素子形成領域にゲ
ート酸化Ｍ３を形成し、このゲート酸化膜３上に多結晶
シリコンからなるゲート電極４を設けた構造となってい
た。このため、チャンネル領域７は平坦になっていた。
示すように、半導体基板１上にフィールド酸化膜２によ
り素子形成領域を分離したのち、この素子形成領域にゲ
ート酸化Ｍ３を形成し、このゲート酸化膜３上に多結晶
シリコンからなるゲート電極４を設けた構造となってい
た。このため、チャンネル領域７は平坦になっていた。
上述した従来のＭＯ８電界効果トランジスタにおいては
、チャンネル領域が平坦に形成されているため、高集積
化が困難であるという欠点があった。特にトランジスタ
数を増した場合チップ面積が大きくなるため、結晶欠陥
等により製造歩留りが低下するという欠点があった。
、チャンネル領域が平坦に形成されているため、高集積
化が困難であるという欠点があった。特にトランジスタ
数を増した場合チップ面積が大きくなるため、結晶欠陥
等により製造歩留りが低下するという欠点があった。
本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成されたＭＯ
Ｓ電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、
すくなくとも１個の前記ＭＯ８電界効果１〜ランジスタ
のチャンネル領域の一部を凸状に形成したものである。
Ｓ電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、
すくなくとも１個の前記ＭＯ８電界効果１〜ランジスタ
のチャンネル領域の一部を凸状に形成したものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図（ａ）
、（ｂ）は、その製造方法を説明するための半導体チッ
プの断面図である。以下製造方法と共に説明する。
、（ｂ）は、その製造方法を説明するための半導体チッ
プの断面図である。以下製造方法と共に説明する。
訣す第２図（ａ）に示すように、半導体基板１上にを化
シリコン膜５を成長させた後、ＭＯＳ電界効果トランジ
スタのチャンネル領域の凸部になるところを覆うように
フォトレジストを用いて選択的にパターニングする。次
にこの窒化シリコン膜５をマスクとして半導体基板１を
約３μｍエツチンクする。
シリコン膜５を成長させた後、ＭＯＳ電界効果トランジ
スタのチャンネル領域の凸部になるところを覆うように
フォトレジストを用いて選択的にパターニングする。次
にこの窒化シリコン膜５をマスクとして半導体基板１を
約３μｍエツチンクする。
次に第２図（ｂ）に示すように窒化シリコン膜５を除去
した後１０００’ｔＣ程度で熱酸化し、ゲート酸化膜３
を成長させる。次に全面に再び窒化シリコンＪＩｉ５Ａ
を形成したのちパターニングし、ＭＯ８電界効果トラン
ジスタ領域になるところに選択的に窒化シリコン膜５Ａ
を残したのち酸化し、フィールド酸化膜２を形成する。
した後１０００’ｔＣ程度で熱酸化し、ゲート酸化膜３
を成長させる。次に全面に再び窒化シリコンＪＩｉ５Ａ
を形成したのちパターニングし、ＭＯ８電界効果トラン
ジスタ領域になるところに選択的に窒化シリコン膜５Ａ
を残したのち酸化し、フィールド酸化膜２を形成する。
次に第１図に示したように、リン酸を用いて窒化シリコ
ンＪｌｌｊ５Ａをエツチングして除去する。次て多結晶
シリコンを成長させ、パターニングしてゲート電極４を
形成する。
ンＪｌｌｊ５Ａをエツチングして除去する。次て多結晶
シリコンを成長させ、パターニングしてゲート電極４を
形成する。
このようにして形成された第１図の実施例においては、
チャンネル領域７は第１図に示したように凸状になるた
め、従来のＭＯＳ電界効果トランジスタに比ペチャンネ
ル領域を広くすることができる。従って同一チャンネル
幅を必要とするＭＯ８電界効果１ヘランジスタの集積度
を向上させることかできる。
チャンネル領域７は第１図に示したように凸状になるた
め、従来のＭＯＳ電界効果トランジスタに比ペチャンネ
ル領域を広くすることができる。従って同一チャンネル
幅を必要とするＭＯ８電界効果１ヘランジスタの集積度
を向上させることかできる。
第３図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第３図に示したように第２の実施例においては、チャン
ネル領域７の凸部が２ケ所に形成されている。このよう
にチャンネル領域７の凸部を複数個形成ることにより、
チャンネル領域７かより長くなるため、それだけＭＯ８
電界効果トランジスタの集積度を向上させることかでき
る。尚、製造方法は第１の実施例とほぼ同一の工程を用
いることができる。
ネル領域７の凸部が２ケ所に形成されている。このよう
にチャンネル領域７の凸部を複数個形成ることにより、
チャンネル領域７かより長くなるため、それだけＭＯ８
電界効果トランジスタの集積度を向上させることかでき
る。尚、製造方法は第１の実施例とほぼ同一の工程を用
いることができる。
第４図は本発明の第３の実施例の断面図であり、従来と
同様に平坦なチャンネル領域を有するＭＯ８電界効果ト
ランジスタと凸状に形成されたチャンネル領域を有する
ＭＯ８電界効果トランジスタとを形成した場合である。
同様に平坦なチャンネル領域を有するＭＯ８電界効果ト
ランジスタと凸状に形成されたチャンネル領域を有する
ＭＯ８電界効果トランジスタとを形成した場合である。
本第３の実施例によれば、従来と同一の面積で、チャン
ネル幅の広いＭＯ８電界効果トランジスタを、必要に応
じて形成することができる。
ネル幅の広いＭＯ８電界効果トランジスタを、必要に応
じて形成することができる。
以上説明したように本発明は、チャンネル領域を凸状に
することにより、投影的には同一面積でもチャンネル領
域を広く取ることができる。ずなわち同じチャンネル幅
を必要とした場合、小さい面積でＭＯＳ電界効果トラン
ジスタを作ることができるため、ＩＣのチップサイズを
小さくてきる効果がある。
することにより、投影的には同一面積でもチャンネル領
域を広く取ることができる。ずなわち同じチャンネル幅
を必要とした場合、小さい面積でＭＯＳ電界効果トラン
ジスタを作ることができるため、ＩＣのチップサイズを
小さくてきる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図、第２図は第１
の実施例の製造方法を説明するための半導体チップの断
面図、第３図及び第４図は本発明の第２及び第３の実施
例の断面図、第５図は従来の半導体装置の一例の断面図
である。 １・・半導体基板、２・フィールド酸化膜、３・・ゲー
ト酸化膜、４・ケート電極、５．５Ａ・・・窒化シリコ
ン膜、７・・・チャンネル領域。
の実施例の製造方法を説明するための半導体チップの断
面図、第３図及び第４図は本発明の第２及び第３の実施
例の断面図、第５図は従来の半導体装置の一例の断面図
である。 １・・半導体基板、２・フィールド酸化膜、３・・ゲー
ト酸化膜、４・ケート電極、５．５Ａ・・・窒化シリコ
ン膜、７・・・チャンネル領域。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された複数のＭＯＳ電界効果トラ
ンジスタを有する半導体装置において、少なくとも１個
の前記ＭＯＳ電界効果トランジスタのチャンネル領域は
凸状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7055688A JPH01241868A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7055688A JPH01241868A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241868A true JPH01241868A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13434917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7055688A Pending JPH01241868A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241868A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247663A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果素子およびその製造方法 |
| JP2007180486A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Hynix Semiconductor Inc | ５チャネルのフィントランジスタ及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986241A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP7055688A patent/JPH01241868A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986241A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04247663A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果素子およびその製造方法 |
| JP2007180486A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Hynix Semiconductor Inc | ５チャネルのフィントランジスタ及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08204191A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH03114233A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| CA1154543A (en) | Mesh gate v-mos power fet | |
| JPS6015155B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01241868A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001176983A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH03191564A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH0864810A (ja) | 縦型ｍｏｓ ｆｅｔの製造方法 | |
| JPH04233758A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH0221662A (ja) | 絶縁ゲート電界効果トランジスタ | |
| KR0162147B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JPH0334373A (ja) | Ｍｏｓ型トランジスタ | |
| JPH0546706B2 (ja) | ||
| JPS6097662A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60207367A (ja) | 相補型半導体装置の製造方法 | |
| KR100268902B1 (ko) | 반도체소자의소자격리층형성방법 | |
| JPH0330307B2 (ja) | ||
| JP2556619B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04324922A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS60193358A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5856472A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1032264A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0298969A (ja) | Ｍｏｓトランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH04188876A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03120847A (ja) | 半導体装置の製造方法 |