JPH01241200A - 電磁シールド材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、各種電子機器、シールドルームや磁気カード
の保護ケース等に用いられる電磁シールド材料に関する
ものである。

〔従来の技術〕

近年電子機器が高度化し、かつ多数用いられるようにな
ったために、電磁波によるノイズの増大あるいは機器の
誤動作が大きな問題となってきている。

従来電子製品のは筐体には鋼板などの金属材料が使用さ
れ、されらは電磁波をシールドする効果があるため、放
射性電磁波ノイズによる電は障害の問題は今日はど重要
視されていなかった。ところが、電子機器の軽量化、小
型化、量産化の要求に対応して、それらの筐体には電磁
波に対して透明なプラスチック類が採用されはじめ、電
磁障害の発生源および被害が急速に増加するようになっ
てきた。

電磁障害はその形態として、電子機器の筐体を貫通して
空間に放射される放射性電磁障害と、電波ラインや信号
ラインを介して伝導される伝導性電磁障害とに分けられ
る。

後者の伝導性ノイズに対しては通常ノイズフィルターが
使用され、前者の放射性電磁障害の対策としてはシール
ド材が用いられる。

従来、電磁界シールド材としては導電性の物質、例えば
ニッケル、銀、銅、カーボンブラック、グラファイト等
が多く用いられており、それなりの効果が得られている
。

すなわち、上記導電性物質の粉末をバインダー材のアク
リルやウレタン樹脂中に混練し塗料として使用さ−れる
場合が多い。

しかし、これらの材料では、塗膜厚さを加減することで
所望の電界シールド効果は得られるが、１００、ｋＨｚ
以下での磁界シールド効果は殆ど得られない。このため
磁気カードを磁界から守る等の用途には適さない。

１００ｋＨｚ以下の低周波での磁界シールドをするため
には、鉄箔が有効であることが知られてぃる。

これは鉄が軟磁性体であり、その透磁率を利用すること
により磁界シールドが可能となる。

すなわち、より透磁率の大きなもの程磁界シールドに対
して有効であり、パーマロイなどが磁界シールドによく
使われる所以である。

ところが、軟磁性体に非晶質軟磁性材料を用いることに
より、より大きな磁界シールドが可能であるという発明
がなされ、それらは特開昭５２．−１０６６０号、同５
５−２１１９６号、同５６−８４８５２号の各公報等で
開示されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

軟磁性材料として、非晶質合金を用いることにより、あ
る程度磁界シールド性は向上するが、アモルファス合金
の場合、特に高透磁率のＣｏ基アモルファス合金は飽和
磁束密度が十分でな（、強い静磁界に対しての磁気シー
ルド効果が十分でない欠点がある。また熱的に不安定で
ありシールド特性の経時変化がある。

一方、Ｆｅ基アモルファス合金は飽和磁束密度は高いが
、透磁率が十分でなく、弱磁界を完全にシールドする用
途に対しては十分な効果が得られない。また磁歪が著し
く大きいため、曲げたりわん曲させ使用する場合、著し
く電磁シールド効果が悪（なる欠点がある。

一方、電界シールドに用いられる銅箔等は低周波の磁界
シールド効果が不十分である。

本発明の目的は電磁シールド特性に優れ、歪による特性
劣化、経時変化が小さい新規の電磁シールド材料を提供
することである。

〔問題点を解決するための手段〕

上記問題点を解決するために本発明者は鋭意検討の結果
ミ一般式 ％式％ （ただし、ＭはＣｏ及び／又はＮｉであり、Ｍ′はＮｂ
。

Ｗ＊　Ｔａ＋　Ｚｒ、　Ｈｆｌ　Ｔｔ及びＭｏからなる
群から選ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ＃はＶ、　Ｃ
ｒ、　Ｍｎ。

ＡＩ、白金属元素ｒ　Ｓｃ＋　ｙ、＾ｕ＋　Ｚｎ、　Ｓ
ｎ、　Ｒｅ、　Ａｇからなる群から選ばれた少なくとも
１種の元素、ＸはＣ，Ｇｅ、　Ｐ、　Ｇａ、　Ｓｂ＋　
Ｉｎ、　Ｂｅ、　Ａｓからなる群から選ばれた少なくと
も１種の元素であり、ａｈ　　ＸＩ　　）’ｌ　　２１
　α、β及びγはそれぞれ０≦ａ＜Ｑ、３，０．１≦ｘ
≦３．０≦ｙ≦２５゜３≦２≦１７．１０≦ｙ＋ｚ≦３
０．０．１≦α≦１０９０≦β≦１０及び０≦γ≦１０
を満たす。）により表わされる組成を有し、組織の少な
くとも５０％が微細な結晶粒からなり、その結晶粒が１
０００Å以下の平均粒径を有する合金が優れた電磁シー
ルド効果を有し、 電磁シールド材料に最適であることを見い出し本発明に
想到した。

本発明に係る合金において、Ｃｕは必須元素であり、そ
の含有量Ｘは０．１〜３原子％の範囲である。

０．１原子％より少ないとＣｕ添加によるシールド効果
、改善の効果がほとんどなく、一方３原子％より多いと
シールド効果が未添加のものよりかえって劣化すること
がある。また本発明において特に好ましいＣｕの含有ｉ
ｉｘは０．５〜２原子％であり、この範囲では特にシー
ルド効果が良好のものが得られる。

本発明に係る合金は、前記組成の非晶質合金を溶湯から
急冷することにより得る工程、あるいはスパッター法、
蒸着法等の気相急冷法により得る工程と、これを加熱し
微細な結晶粒を形成する熱処理工程に依って通常得るこ
とができる。

Ｃｕによるシールド効果改善作用の原因は明らかではな
いが次のように考えられる。

ＣｕとＦｅの相互作用パラメータは正であり、固溶度が
低く分離する傾向があるため非晶質状態の合金を加熱す
るとＦｅ原子同志またはＣｕ原子またはＣｕ原子同志が
寄り集まり、クラスターを形成し組成ゆらぎが生じる。

このため部分的に結晶化しやすい領域が多数でき、そこ
を核とした微細な結晶粒が生成される。この結晶はＰｅ
を主成分とするものであり、ＦｅとＣｕの固溶度はほと
んどないため結晶化によりＣｕは微細結晶粒の周囲には
き出され、結晶粒周辺のＣｕ濃度が高くなる。このため
結晶粒は成長しにくいと考えられる。

Ｃｕ添加により結晶核が多数できることと、結晶粒が成
長しにくいため結晶微細化が起こると考えられるが、こ
の作用はＮｂ、　Ｔａ、　Ｗ、　Ｍｏ、　Ｚｒｔ　Ｈｆ
＋Ｔｉ等の存在により特に著しく強められると考えられ
る。

Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｗ、　Ｍｏ、　Ｚｒ、　Ｈｆ、　Ｔｉ
等が存在しない場合は結晶粒はあまり微細化されず軟磁
気特性も悪く磁気シールド特性も十分でない。

また本発明に係る合金はＦｅを主成分とする微細結晶相
が生ずるためｒｅ基非晶質合金に比べ磁歪が小さくなっ
ており、磁歪が小さくなることにより、内部応カー歪に
よる磁気異方性が小さくなることも軟磁気特性及びシー
ルド特性が改善される理由の１つと考えられる。

Ｃｕを添加しない場合は結晶粒は微細化されにくく、化
合物相が形成しやすいため結晶化により磁気特性は劣化
する。このため磁気シールド特性は著しく悪くなる。

Ｓｉ及びＢは合金の微細化および磁歪調整に有用な元素
である。本発明の合金は、好ましくは、−旦Ｓｉ、　Ｂ
添加効果により非晶質合金とした後で、熱処理により微
細結晶粒を形成することにより得られる。Ｓｉ含有１ｙ
の限定理由は、ｙが２５原子％を超えると磁気シールド
特性の良好な条件では磁歪が大きくなってしまい歪によ
りシールド特性が劣化しやすくなり好ましくないためで
ある。Ｂの含有量２の限定理由は、２が３原子％未満で
は均一な結晶粒ｍ織が得にくく軟磁気特性が劣化し磁気
シールド効果も悪くなり好ましくなく、２が１７原子％
を超えると磁気シールド特性の良好な熱処理条件では磁
歪が大きくなってしまい好ましくないためである。Ｓｉ
とＢの総和量ｙ＋ｚの値に関しては、ｙ＋ｚがｌＯ原子
％未満では非晶質化が困難になり磁気特性が劣化し好ま
しくなく、−方、）Ｆ＋２が３０原子％を超えると飽和
磁束密度の著しい低下および磁気シールド効果の劣化お
よび磁歪の増加がある。より好ましいＳｉ、　Ｂ含有量
の範囲はｌＯ≦ｙ≦２５，３≦２≦１２．１８≦ｙ＋ｚ
≦２８であり、この範囲では一５Ｘ１０−６〜＋５Ｘ１
０−”の範囲の飽和磁歪で磁気シールド効果の大きい合
金が得られやすい。

特に好ましくは１１≦ｙ≦２４．３≦２≦９゜１８≦ｙ
＋ｚ≦２７であり、この範囲では−１，５ＸＩＯ−’〜
＋１．５Ｘ１０−’の範囲の飽和磁歪で変形等によるシ
ールド効果劣化の小さい材料が得られやすい。

本発明に係る合金においてＭ′はＣｕとの複合添加によ
り析出する結晶粒を微細化する作用を有するものであり
、Ｎｂ、　ｗ、　Ｔａｎ　Ｚｒ、　Ｈｆ＊　Ｔｉ及びＭ
ｏからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素である
。Ｎｂ等は合金の結晶化温度を上昇させる作用を有する
が、クラスターを形成し結晶化温度を低下させる作用を
有するＣｕとの相互作用により結晶粒の成長を抑え析出
する結晶粒が微細化するものと考えられる。Ｍ′の含有
量αは０．１≦α≦１０の範囲が望ましい。αが０．１
原子％未満ではコア損失が低いものが得にくく、１０原
子％を超えると飽和磁束密度の著しい低下を招くためで
ある。好ましいαの範囲は２≦α≦８であり、この範囲
で特に優れたシールド効果が得られる。

Ｍ′の添加により、耐食性の改善、シールド効果の改善
、又は磁歪調整効果等が得られる。

Ｍ＃がｌＯ原子％を超えると、飽和磁束密度の低下が著
しい。

本発明に係る合金においてＣ，Ｇｅ、　　Ｐ、　Ｇａ＋
　Ｓｂ＋Ｉｎ、　Ｂｅ、　Ａｓ等からなる群から選ばれ
た少なくとも１種の元素を１０原子％以下含む合金を使
用できる。これらの元素は非晶質化に有効な元素であり
、Ｓｉ、　Ｂと共に添加することにより合金の非晶質化
を助けたり、磁歪やキュリー温度調整に効果である。

残部は不純物を除いて実質的にＦｅが主体であるがＦｅ
の１部は成分Ｍ　（Ｃｏ及び／又はＮｉ）により置換さ
れていても良い。Ｍの含有量はＯ≦ａ　＜　Ｑ、　３で
あるが、０．３を超えると磁歪が大きくなったり、シー
ルド効果が劣化するためである。

本発明材料に係る合金はｂｃｃ構造の鉄固溶体を主体と
する合金であるが、非晶質相やＦｅ、Ｂ、　Ｐｅ、Ｂ。

Ｎｂ等の遷移金属の化合物、Ｆｅ１Ｓｉ規則相等を含む
場合もある。これらの相は磁気シールド特性を劣化させ
る場合がある。特にＦｅ２Ｂ等の化合物相は磁気シール
ド特性を劣化させやすい。したがってこれらの相はでき
るだけ存在しない方が望ましい。

本発明材料に係る合金は１０００Å以下の粒径の超微細
な均一に分布した結晶粒からなるが、優れた磁気シール
ド効果が得られる合金の場合はその粒径が５００Å以下
の場合が多い。特に優れた磁気シールド効果は２０〜２
００人の平均粒径を有する場合に得やすく、チョークコ
イル用磁心に用いた場合優れた特性が得られる。

この結晶粒はα−Ｆｅ固溶体を主体とするものでＳｉや
Ｂ等が固溶していると考えられる。合金組織のうち微細
結晶粒以外の部分は主に非晶質である。

なお微細結晶粒の割合が実質的に１００％になっても本
発明材料は十分に優れたシールド特性を示す。

なお、Ｎ、　Ｏ，Ｓ等の不可避的不純物やＣａ、　Ｓｒ
。

Ｂａ、　Ｍｇ等については所望の特性が劣化しない程度
に含有していても本発明の材料に用いられる合金組成と
同一とみなすことができるのはもちろんである。

本発明の材料に用いられる合金は、単ロール法、双ロー
ル法、遠心急冷法等により非晶質薄帯を作製後熱処理を
行ない微細な結晶粒を形成する方法、蒸着法、スパッタ
ー法やイオンブレーティング等により非晶質膜を作製後
熱処理し結晶化させる方法や回転液中紡糸法やガラス被
覆紡糸法により、非晶質線を得た後熱処理し結晶化させ
る方法等いろいろな方法で作製することができる。した
がって、本発明の材料は線、薄帯、膜などいろいろな形
状で使用できる。

本発明材料を得る際行われる熱処理は内部歪を小さくす
ることと、微細結晶粒組織とし軟磁気特性を改善し磁気
シールド効果を改善するとともに磁歪を小さ（する目的
で行なわれる。

熱処理は通常真空中または水素ガス、窒素ガス、アルゴ
ンガス等の不活性ガス雰囲気中において行なわれる。し
かし場合によっては大気中等の酸化性雰囲気で行っても
良い。

熱処理温度及び時間は非晶質状態の合金の形状サイズ、
組成により異なるが、−船釣には結晶化温度より高い４
５０℃〜７００℃に５分から２４時間程度保持し熱処理
するのが望ましい。

熱処理の際の昇温や急冷の条件は状況に応じて任意に変
えることができる。また同一温度または異なる温度で複
数回にわけ熱処理を行ったり、多段の熱処理パターンで
熱処理を行なうこともできる。更には、熱処理を直流あ
るいは交流の磁場中で行なうこともできる。磁場中熱処
理により磁気異方性を付与したり、回転磁場中で熱処理
する°ことにより磁気異方性を低減することができる。

本発明電磁シールド材料は薄帯の形状、フレーク状の形
状、粉末状の形状、ワイヤー状の形状や薄膜等いろいろ
な形態で使用できる。

薄帯の場合は巻いたり積層したりして使用する場合が多
い。また電界シールド効果を更に改善する目的で薄帯表
面にＡｕ、　Ｃｕ、　Ａｇ、　Ｎｉ、　Ｃｒ、　Ｓｎ。

Ａ１等の導電性の良い金属層をメツキしたり、蒸着、ス
パッタ−ング、イオンブレーティング等の方法により形
成したり、ろう付けによりハンダ形成する場合がある。

また同様の目的でＣｕ、Ａｌ２゜Ａｇ、　Ａｕ等の金属
薄帯を接着する場合もある。

本発明材料にかかわる合金は一般的には脆化しているの
で合成樹脂テープと接着し破損を損いたり、合成樹脂と
混和し成形し、破損を損ぐことができる。また、フレー
ク状や粉末状の合金を用いる場合は、シート杖やブロッ
ク状のシールド材料を得るために樹脂と混和し成形する
場合がある。

また高周波における磁気シールド効果を改善する目的で
合金表面に酸化物絶縁物層を形成しても良い。

また、合金薄帯の表面に１部あるいは全部に粘着剤を形
成した場合、容易に接着を可能とし、シールドが必要な
箇所にはりつけ電磁界シールドを行うことができる。

粉末の場合はアクリルやウレタン樹脂等のバインダーと
混ぜ塗料として使用することもできる。

またこの場合Ｃｕｒ　Ａｇ＋　Ａβ等の粉末を混ぜ電界
シールド効果を改善することもできる。

〔実施例〕

以下本発明を実施例に従って説明するが本発明はこれら
に限定されるものではない。

尖旌炎上 第１表に示す組成の合金溶湯を単ロール法により急冷し
幅５０ｍ１、厚さ２５μｍの非晶質合金薄帯を作製した
。

次にこの合金を窒素ガス雰囲気中第１表の条件で熱処理
し、薄帯を一部重ね合わせ、２００Ｘ２００の平面板測
定試料を作製し、シールド効果評価器により、磁界に対
するシールド性の評価を行った。

第１表に磁界シールド性の評価結果を示す。なお熱処理
後の合金は組織の大部分が５００Å以下の粒径の結晶粒
からなり結晶主体の合金であった。

本発明材料の磁界シールド効果はＦｅ基アモルファスや
電解銅箔より優れており、シールド材として優れている
。

ス財１辻劃 第２表に示す組成の合金溶湯から単ロール法により急冷
し幅５０ｍ、厚さ２５μｍの非晶質合金薄帯を作製した
。

次にこの合金を熱処理し、第２表に示す材質、厚さのメ
ツキを行い、薄帯を１部重ね合わせ、２００Ｘ２００の
平面板測定試料を作製し、シールド効果評価器により、
磁界および電界に対するシールド性の評価を行った。な
お熱処理後の合金は、実施例１と同様の組織を有してい
た。

表かられかるように本発明材料は磁界シールド効果、電
界シールド効果ともに優れている。

大隻桝ユ 第３表に示す組成の厚さ１０〜５０μｍ、幅０．１〜２
鶴、長さ２〜１０ｗ１のアモルファスフレークをキュビ
テーション法により作製した。

作製したフレークを熱処理し結晶化させ実施例１と同様
の組織とし銅メツキを行いアクリル系の塗料に４０ｗｔ
％の充填率に混ぜ電磁シールド用の塗料を製造した。

第３表に示す組成の合金フレークより製造した塗料を１
５０１角の樹脂板の片面に厚さ約１００μｍ塗布し乾燥
後、電磁シールド効果を測定した。

結果を第３表に示す。

本発明材料は４０−ｔ％の充填率ですぐれたシールド特
性を示す。

スＪ１生１ キャビテーション法によって Ｆｅｔｓ、５Ｃｔｌ＋５ｉｌｔＢＪｂｚ、ｓ　（ａｔ％
）の組成を有する非晶質合金フレークを作製した。次に
このアスペクト比２００〜５００の合金フレークを５５
０℃で１時間保持し熱処理を行なった。Ｘ線回折および
ミクロ組織観察の結果この合金はｂｃｃ　Ｆｅ固溶体を
主体とした超微細な１００〜２００人程度の粒径程度晶
質合金であることが確認された。

次にこの合金フレークを幅５００　＊＊、厚さ３０μｍ
のポリエステルフィルム上に均一に分散させ、その上に
厚さ３０μｍのポリエステルフィルムを被せた。・この
シートを１００℃に加熱した２つのゴムロールの間を通
過させて圧着し、厚さ１５０μｍの合金積層シートとし
た。

この積層シートの磁界シールド効果は１００ｋＨｚで３
２ｄＢであり、良好なシールド効果を示した。

去１１辻ｉ 水アトマイズ法によりＦｅ６ｑＣｕ１Ｎｂ７Ｓｉｔ４Ｂ
、（原子％）の組成を有するアモルファス合金粉末を作
製し、これを５９０℃に加熱し９０分保持後室温まで冷
却した。

次にこの粉末と銅粉末をアクリル樹脂中に混練し、塗料
を作製した。

次にこの塗料を樹脂板に厚さ約３ｍｍに塗り、電磁シー
ルド特性を調べた。

１００ＭＨｚで４０ｄＢの電界シールド効果、１００Ｍ
Ｈｚで３５ｄＢの磁界シールド効果が得られ、電磁シー
ルド塗料としては良好なシールド効果が得られた。

ス膚Ｕ用ｉ 単ロール法により厚さ２５μｍのＦｅＣｕ　ｌ　Ｓｔ　
ＨＪｔＮｂ３非晶質合金薄帯を作製し、耐熱性の粘着剤
が片面についた厚さ３６μｍのＣｕテープを両面にはり
つけ複合テープを作製した。

次にこの複合テープを５３０℃で９０分保持し熱処理を
行った。

得られた複合テープを一部重ね合わせ、２００×２００
の平面板測定試料を作製し、シールド効果評価器により
磁界および電界のシールド効果を測定した。

磁界シールド効果は１ｋＨｚで１８ｄＢ、１００ｋＨｚ
で２５ｄＢ、電界シールド効果はｌＱＭｌｌｚで１２５
ｄＢ、１００ＭＨｚで１１０ｄＢであり良好な特性を有
していた。

災施適工 単ロール法により幅１５ｍｍ厚さ２５μｍのＦｅ、ｔ、
５ＣＬｌｔ、ｓＳｉ＋ｔＢＪｏ３Ｃｒｌ非晶質合金薄帯
を作製し、５３０℃に１時間保持し熱処理を行った。熱
処理後の合金は実施例１と同様超微細な結晶粒組織を有
していた。

次にこの合金薄帯の片面に粘着剤を塗布し、接着可能な
金属テープを作製した。

この金属テープを、２００Ｘ２００のアクリル板に貼り
つけシールド効果を測定したところ、顕著な磁気シール
ド効果が得られた。

大施拠ｌ 単ロール法により幅１５鶴厚さ２６μｍ（７）Ｆｅ、３
．　ｓｃｕ＋ｓｉ　ｔ　ｓ、　５ＢｓＮｂ＊Ｇ１３ｏ、
　５Ｇａｏ、　ｓ非晶質合金を作製した、。

次にこの合金薄帯を５５０℃で１時間保持する熱処理を
行った。得られた合金の組織は実施例１とほぼ同様であ
った。

次にこの合金薄帯の両面にふっ素樹脂製のテープをはり
つけ複合テープを作製した。

作製した複合テープは実施例１と同様すぐれたシールド
特性を示した。

尖施廻工 単ロール法により幅１０鶴厚さ２２μｍのＦｅ７２．１
１Ｃｕ１．　ｇｓｆ＋ｔＢｓ、　５Ｎｂｚ、　ｓＴａ＋
非晶質合金を作製した。次にこの合金薄帯を外径１００
μｍのセラミック類の長さ２５０ｎのパイプ全体に厚さ
約０．５Ｎになるように巻きつけ５７０℃で１時間熱処
理後直流外部磁界によるシールド率の変化を測定した。

得られた結果を第１図に示す。図かられかるように本発
明材料は、高透磁率高飽和磁束密度であり、パーマロイ
より優れた磁気シールド特性を示す。

次にこの試料を５０ｃｍの高さから床に落下させ再度シ
ールド率を測定した。

パーマロイは８％程度外部磁界の小さい領域でシールド
率の低下が認められたが、本発明材はほとんど劣化が認
められなかった。

次にこの試料を１２０℃で５００時間保持後再度シール
ド率を測定したが、変化はほとんど認められなかった。

比較のため作製したＣ０ａｑＦｅＪＯｚＳｉ　ｌｓＢ＋
　ｏアモルファス合金は１２０℃に５００時間保持した
ところ外部磁界の小さい領域のシールド率が約５０％も
低下した。

〔発明の効果〕

本発明によれば、磁気シールド特性に優れ、歪による特
性劣化、経時変化が小さい電磁シールド材料を提供する
ことができるためその効果は著しいものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るシールド材のシールド率の外部磁
界依存性の一例を示した図である。

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. １．一般式 （Ｆｅ＿ｉ＿−＿ａＭ＿ａ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−
   ＿ｙ＿−＿ｚ＿−＿α＿−＿γＣｕ＿ｘＳｉ＿ｙＢ＿ｚ
   Ｍ′αＭ″βＸγ（原子％） （ただし、ＭはＣｏ及び／又はＮｉであり、Ｍ′はＮｂ
   ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔｉ及びＭｏからなる群から
   選ばれた少なくとも１種の元素、Ｍ″はＶ，Ｃｒ，Ｍｎ
   ，Ａｌ，白金属元素，Ｓｃ，Ｙ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｒ
   ｅ，Ａｇからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素
   、ＸはＣ，Ｇｅ，Ｐ，Ｇａ，Ｓｂ，Ｉｎ，Ｂｅ，Ａｓか
   らなる群から選ばれた少なくとも１種の元素であり、ａ
   ，ｘ，ｙ，ｚ，α，β及びγはそれぞれ ０≦ａ＜０．３，０．１≦ｘ≦３，０≦ｙ≦２５，３≦
   ｚ≦１７，１０≦ｙ＋ｚ≦３０，０．１≦α≦１０，０
   ≦β≦１０及び０≦γ≦１０を満たす。）により表わさ
   れる組成を有し、組織の少なくとも５０％が微細な結晶
   粒からなり、その結晶粒が１０００Å以下の平均粒径を
   有する合金よりなることを特徴とする電磁シールド材料
   。
2. ２．特許請求の範囲第１項に記載の電磁シールド材料に
   おいて、 ０≦ａ≦０．１，０．５≦ｘ≦２，１０≦ｙ≦２５，３
   ≦ｚ≦１２，１８≦ｙ＋ｚ≦２８，２≦α≦８の関係を
   有することを特徴とする電磁シールド材料。
3. ３．特許請求の範囲第１項ならびに第２項に記載の電磁
   シールド材料において前記結晶粒の周囲が非晶質である
   組織からなる合金よりなることを特徴とする電磁シール
   ド材料。
4. ４．特許請求の範囲第１項ならびに第２項に記載の電磁
   シールド材料において前記合金組織が実質的に微細な結
   晶粒からなることを特徴とする電磁シールド材料。
5. ５．特許請求の範囲第１項乃至第４項に記載の電磁シー
   ルド材料において、前記合金が、厚さ５０μｍ以下の薄
   帯であることを特徴とする電磁シールド材料。
6. ６．特許請求の範囲第１項乃至第４項に記載の電磁シー
   ルド材料において、前記合金が、厚さ５０μｍ以下、ア
   スペクト比（但し、アスペクト比は最小長さに対する最
   大長さの比である。）５０００以下のフレークであるこ
   とを特徴とする電磁シールド材料。
7. ７．特許請求の範囲第１項乃至第４項に記載の電磁シー
   ルド材料において、前記合金が粉末状であることを特徴
   とする電磁シールド材料。
8. ８．特許請求の範囲第１項乃至第７項に記載の電磁シー
   ルド材料において、前記合金表面に導電性の高い金属層
   を形成したことを特徴とする電磁シールド材料。
9. ９．特許請求の範囲第１項乃至第８項に記載の電磁シー
   ルド材料において、前記合金表面に絶縁物層を形成した
   ことを特徴とする電磁シールド材料。
10. １０．特許請求の範囲第１項乃至第９項に記載の電磁シ
    ールド材料において、前記合金と導電性の高い金属薄帯
    が接着あるいはロウ付けされていることを特徴とする電
    磁シールド材料。
11. １１．特許請求の範囲第５項に記載の電磁シールド材料
    において、前記合金と合成樹脂テープが接着されている
    ことを特徴とする電磁シールド材料。
12. １２．前記合金を混和した合成樹脂より成形されてなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１０項に
    記載の電磁シールド材料。
13. １３．特許請求の範囲第５項、第６項、第８項並びに第
    １０項に記載の電磁シールド材料において、前記合金薄
    帯の表面の１部あるいは全部に粘着剤が形成されている
    ことを特徴とする電磁シールド材料。
14. １４．特許請求の範囲第７項に記載の電磁シールド材料
    において、前記合金粉末をバインダーと混練し塗料とし
    たことを特徴とする電磁シールド材料。
15. １５．導電性の良い金属粉末と混練したことを特徴とす
    る特許請求の範囲第１４項に記載の電磁シールド材料。