JPH01239812A - ガラス封入型サーミスタの製造方法 - Google Patents
ガラス封入型サーミスタの製造方法Info
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- JPH01239812A JPH01239812A JP6662988A JP6662988A JPH01239812A JP H01239812 A JPH01239812 A JP H01239812A JP 6662988 A JP6662988 A JP 6662988A JP 6662988 A JP6662988 A JP 6662988A JP H01239812 A JPH01239812 A JP H01239812A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高応答性の水温計に用いられる低比抵抗、高
Ｂ定数を有するガラス封入型サーミスタの製造方法に関
するものである。
Ｂ定数を有するガラス封入型サーミスタの製造方法に関
するものである。
従来の技術
周知のように、サーミスタはセラミックの温度が上昇す
るに伴って抵抗が減少する性質を有しておりこの性質を
利用して温度上ンサ、液位センサなどの各種センサや温
度補償回路、サージ防止回路などに広く使用されている
。従来、汎用サーミスタとしては、スピネル型結晶構造
をもったＭｎ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｕ酸化物系サーミスタが
主流であった。
るに伴って抵抗が減少する性質を有しておりこの性質を
利用して温度上ンサ、液位センサなどの各種センサや温
度補償回路、サージ防止回路などに広く使用されている
。従来、汎用サーミスタとしては、スピネル型結晶構造
をもったＭｎ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｕ酸化物系サーミスタが
主流であった。
そして、水温計としてはこの素子にムｇまたはλｇ−Ｐ
ｄ 電極を８ｏ○℃付近で焼付けたものを７００℃付近
でガラス封入したものを使用していた。
ｄ 電極を８ｏ○℃付近で焼付けたものを７００℃付近
でガラス封入したものを使用していた。
発明が解決しようとする課題
一方、低比抵抗、高Ｂ定数を有するＧｏ−Ｃｕ−Ｌｉ酸
化物系サーミスタはＮａＣ１型の結晶構造をもっている
。しかし、ガラス封入は、Ｎ２中７００℃付近で行われ
るだめ、８００℃付近で暁付ける電極を用いる必要があ
るが、そのような電極を空気中で焼付けると結晶構造が
変化し、特性の劣化がみられるという問題があった。
化物系サーミスタはＮａＣ１型の結晶構造をもっている
。しかし、ガラス封入は、Ｎ２中７００℃付近で行われ
るだめ、８００℃付近で暁付ける電極を用いる必要があ
るが、そのような電極を空気中で焼付けると結晶構造が
変化し、特性の劣化がみられるという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、初期特性
劣化のないガラス封入型サーミスタの提供を目的とする
ものである。
劣化のないガラス封入型サーミスタの提供を目的とする
ものである。
課題を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、構成金属元素が
Ｃｏ，Ｃｕ、Ｌｉの３元素からなる酸化物焼結体の表面
にスパッタ法により形成された電極を設けた素子をガラ
ス管に封入、密封するものである。
Ｃｏ，Ｃｕ、Ｌｉの３元素からなる酸化物焼結体の表面
にスパッタ法により形成された電極を設けた素子をガラ
ス管に封入、密封するものである。
作用
この方法により、電極形成時に結晶構造の変化を起こさ
ずに、特性を維持したままガラス封入を行うことができ
る。
ずに、特性を維持したままガラス封入を行うことができ
る。
実施例
市販の炭酸コバルト、酸化銅、酸化リチウムを配合、混
合し、８ｏＯ〜１０００℃で仮焼を行う。
合し、８ｏＯ〜１０００℃で仮焼を行う。
そして、粉砕、造粒、成形の後、Ｎ２中で１０００〜１
２００℃の温度で焼成を行う。こうして得られた焼結体
を厚み２００７１ｍにスライシングし、有機溶剤で洗浄
後、これをスパッタ装置にセットし、スパッタ法によっ
て厚み６００〜２００ＯＡのλｇ−Ｐｄ の電極を両
面に形成する。この後、電極の形成された素子をダイシ
ングソウによって５００μｍｘｓｏｏμｍのチップに切
り出す。このチップ型サーミスタとデュメット線からな
るリード線とガラス管とを封着装置にセットし、Ｎ２中
で６９０℃、１０分でガラス封入を行う。以」二の工程
によって第１図に示すようなガラス封入型サーミスタが
完成する。第１図において、１はサーミスタ素子、２は
スパッタ法による電極、３はデュメット線、４はガラス
管である。
２００℃の温度で焼成を行う。こうして得られた焼結体
を厚み２００７１ｍにスライシングし、有機溶剤で洗浄
後、これをスパッタ装置にセットし、スパッタ法によっ
て厚み６００〜２００ＯＡのλｇ−Ｐｄ の電極を両
面に形成する。この後、電極の形成された素子をダイシ
ングソウによって５００μｍｘｓｏｏμｍのチップに切
り出す。このチップ型サーミスタとデュメット線からな
るリード線とガラス管とを封着装置にセットし、Ｎ２中
で６９０℃、１０分でガラス封入を行う。以」二の工程
によって第１図に示すようなガラス封入型サーミスタが
完成する。第１図において、１はサーミスタ素子、２は
スパッタ法による電極、３はデュメット線、４はガラス
管である。
下記の表に従来法と本発明のスパッタ法によって得た特
性を示す。ここで評価は結晶変化を起こさない低温焼結
銀でチップのみの評価を行い、同ロット素子を各方法で
電極を形成した後、ガラス封入し評価を行った。
性を示す。ここで評価は結晶変化を起こさない低温焼結
銀でチップのみの評価を行い、同ロット素子を各方法で
電極を形成した後、ガラス封入し評価を行った。
（以下 余 白）
このように従来の焼付は法による電極形成に対し、スパ
ッタ法は特性の劣化もなく、素子を供給することができ
る。
ッタ法は特性の劣化もなく、素子を供給することができ
る。
発明の効果
以上のように本発明によれば、低比抵抗、高Ｂ定数を有
する素子をガラス封入のための電極形成をする上で初期
特性を損うことなく電極形成をする有効な方法であり、
高応答性の温度センサなどガラス封入型の各種センサの
製造に幅広く応用でき、その工業的価値は大なるもので
ある。
する素子をガラス封入のための電極形成をする上で初期
特性を損うことなく電極形成をする有効な方法であり、
高応答性の温度センサなどガラス封入型の各種センサの
製造に幅広く応用でき、その工業的価値は大なるもので
ある。
第１図は本発明方法により得られた一実施例のガラス封
入型サーミスタを示す断面図である。 １°”°゛・サーミスタ素子、２・・・・・・スパッタ
法による電極、３・・・・・・デュメット線、４・・・
・・・ガラス管。
入型サーミスタを示す断面図である。 １°”°゛・サーミスタ素子、２・・・・・・スパッタ
法による電極、３・・・・・・デュメット線、４・・・
・・・ガラス管。
Claims (1)
- 構成金属元素がＣｏ，Ｃｕ，Ｌｉの３元素からなる酸化
物焼結体の表面にスパッタ法により形成された電極を設
けた素子をガラス管に封入，密封することを特徴とする
ガラス封入型サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066629A JP2638903B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガラス封入型サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066629A JP2638903B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガラス封入型サーミスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239812A true JPH01239812A (ja) | 1989-09-25 |
| JP2638903B2 JP2638903B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=13321377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066629A Expired - Lifetime JP2638903B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガラス封入型サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2638903B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142439U (ja) * | 1980-03-27 | 1981-10-27 | ||
| JPS6230302U (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-24 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066629A patent/JP2638903B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56142439U (ja) * | 1980-03-27 | 1981-10-27 | ||
| JPS6230302U (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2638903B2 (ja) | 1997-08-06 |
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