JP2638903B2 - ガラス封入型サーミスタの製造方法 - Google Patents
ガラス封入型サーミスタの製造方法Info
- Publication number
- JP2638903B2 JP2638903B2 JP63066629A JP6662988A JP2638903B2 JP 2638903 B2 JP2638903 B2 JP 2638903B2 JP 63066629 A JP63066629 A JP 63066629A JP 6662988 A JP6662988 A JP 6662988A JP 2638903 B2 JP2638903 B2 JP 2638903B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- thermistor
- electrode
- manufacturing
- sealed
- Prior art date
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高応答性の水温計に用いられる低比抵抗，
高Ｂ定数を有するガラス封入型サーミスタの製造方法に
関するものである。
高Ｂ定数を有するガラス封入型サーミスタの製造方法に
関するものである。
従来の技術 周知のように、サーミスタはセラミックの温度が上昇
するに伴って抵抗が減少する性質を有しておりこの性質
を利用して温度センサ，液位センサなどの各種センサや
温度補償回路，サージ防止回路などに広く使用されてい
る。従来、汎用サーミスタとしては、スピネル型結晶構
造をもったMn−Co−Ni−Cu酸化物系サーミスタが主流で
あった。そして、水温計としてはこの素子にAgまたはAg
−Pd電極を800℃付近て焼付けたものを700℃付近でガラ
ス封入したものを使用していた。
するに伴って抵抗が減少する性質を有しておりこの性質
を利用して温度センサ，液位センサなどの各種センサや
温度補償回路，サージ防止回路などに広く使用されてい
る。従来、汎用サーミスタとしては、スピネル型結晶構
造をもったMn−Co−Ni−Cu酸化物系サーミスタが主流で
あった。そして、水温計としてはこの素子にAgまたはAg
−Pd電極を800℃付近て焼付けたものを700℃付近でガラ
ス封入したものを使用していた。
発明が解決しようとする課題 一方、低比抵抗，高Ｂ定数を有するCo−Cu−Li酸化物
系サーミスタはNaCl型の焼結構造をもっている。しか
し、ガラス封入は、N2中700℃付近で行われるため800℃
付近で焼付ける電極を用いる必要があるが、そのような
電極を空気中で焼付けると結晶構造が変化し、特性の劣
化がみられるという問題があった。
系サーミスタはNaCl型の焼結構造をもっている。しか
し、ガラス封入は、N2中700℃付近で行われるため800℃
付近で焼付ける電極を用いる必要があるが、そのような
電極を空気中で焼付けると結晶構造が変化し、特性の劣
化がみられるという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、初期特
性劣化のないガラス封入型サーミスタの提供を目的とす
るものである。
性劣化のないガラス封入型サーミスタの提供を目的とす
るものである。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明のガラス封入サーミ
スタは、構成金属元素がCo、Cu、Liの三元素からなる酸
化物焼結体の表面にスパッタ法により電極を形成し、次
に前記酸化物焼結体とリード線とをガラス管に封入し、
密封することを特徴とするものである。
スタは、構成金属元素がCo、Cu、Liの三元素からなる酸
化物焼結体の表面にスパッタ法により電極を形成し、次
に前記酸化物焼結体とリード線とをガラス管に封入し、
密封することを特徴とするものである。
作用 この方法により、電極形成時に結晶構造の変化を起こ
さずに、特性を維持したままガラス封入を行うことがで
きる。
さずに、特性を維持したままガラス封入を行うことがで
きる。
実施例 市販の炭酸コバルト，酸化銅，酸化リチウムを配合、
混合し、800〜1000℃で仮焼を行う。そして、粉砕，造
粒，成形の後、N2中で1000〜1200℃の温度で焼成を行
う。こうして得られた焼結体を厚み200μｍにスライシ
ングし、有機溶剤で洗浄後、これをスパッタ装置にセッ
トし、スパッタ法によって厚み500〜2000ÅのAg−Pdの
電極を両面に形成する。この後、電極の形成された素子
をダイシングソウによって500μｍ×500μｍのチップに
切り出す。このチップ型サーミスタとデュメット線から
なるリード線とガラス管とを封着装置にセットし、N2中
で690℃,10分でガラス封入を行う。以上の行程によって
第１図に示すようなガラス封入型サーミスタが完成す
る。第１図において、１はサーミスタ素子、２はスパッ
タ法による電極、３はデュメット線、４はガラス管であ
る。
混合し、800〜1000℃で仮焼を行う。そして、粉砕，造
粒，成形の後、N2中で1000〜1200℃の温度で焼成を行
う。こうして得られた焼結体を厚み200μｍにスライシ
ングし、有機溶剤で洗浄後、これをスパッタ装置にセッ
トし、スパッタ法によって厚み500〜2000ÅのAg−Pdの
電極を両面に形成する。この後、電極の形成された素子
をダイシングソウによって500μｍ×500μｍのチップに
切り出す。このチップ型サーミスタとデュメット線から
なるリード線とガラス管とを封着装置にセットし、N2中
で690℃,10分でガラス封入を行う。以上の行程によって
第１図に示すようなガラス封入型サーミスタが完成す
る。第１図において、１はサーミスタ素子、２はスパッ
タ法による電極、３はデュメット線、４はガラス管であ
る。
下記の表に従来法と本発明のスパッタ法によって得た
特性を示す。ここで評価は結晶変化を起こさない低温焼
結銀でチップのみの評価を行い、同ロット素子を各方法
で電極を形成した後、ガラス封入し評価を行った。
特性を示す。ここで評価は結晶変化を起こさない低温焼
結銀でチップのみの評価を行い、同ロット素子を各方法
で電極を形成した後、ガラス封入し評価を行った。
このように従来の焼付け法による電極形成に対し、ス
パッタ法は特性の劣化もなく、素子を供給することがで
きる。
パッタ法は特性の劣化もなく、素子を供給することがで
きる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、低比抵抗，高Ｂ定数を
有する素子をガラス封入のための電極形成をする上で初
期特性を損うことなく電極形成をする有効な方法であ
り、高応答性の温度センサなどガラス封入型の各種セン
サの製造に幅広く応用でき、その工業的価値は大なるも
のである。
有する素子をガラス封入のための電極形成をする上で初
期特性を損うことなく電極形成をする有効な方法であ
り、高応答性の温度センサなどガラス封入型の各種セン
サの製造に幅広く応用でき、その工業的価値は大なるも
のである。
第１図は本発明方法により得られた一実施例のガラス封
入型サーミスタを示す断面図である。 １……サーミスタ素子、２……スパッタ法による電極、
３……デュメット線、４……ガラス管。
入型サーミスタを示す断面図である。 １……サーミスタ素子、２……スパッタ法による電極、
３……デュメット線、４……ガラス管。
Claims (1)
- 【請求項１】構成金属元素がCo、Cu、Liの三元素からな
る酸化物焼結体の表面にスパッタ法により電極を形成
し、次に前記酸化物焼結体とリード線とをガラス管に封
入し、密封することを特徴とするガラス封入型サーミス
タの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066629A JP2638903B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガラス封入型サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066629A JP2638903B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガラス封入型サーミスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239812A JPH01239812A (ja) | 1989-09-25 |
| JP2638903B2 true JP2638903B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=13321377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066629A Expired - Lifetime JP2638903B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガラス封入型サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2638903B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5935782Y2 (ja) * | 1980-03-27 | 1984-10-03 | 株式会社ボッシュオートモーティブ システム | 空気調和装置用温度センサ− |
| JPS6230302U (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-24 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066629A patent/JP2638903B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01239812A (ja) | 1989-09-25 |
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