JPH01233821A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
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- JPH01233821A JPH01233821A JP5931488A JP5931488A JPH01233821A JP H01233821 A JPH01233821 A JP H01233821A JP 5931488 A JP5931488 A JP 5931488A JP 5931488 A JP5931488 A JP 5931488A JP H01233821 A JPH01233821 A JP H01233821A
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- Japan
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- chip
- piezoelectric crystal
- acoustic wave
- surface acoustic
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- Pending
Links
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
伝送装置のタイミング波抽出用フィルタ等に用いられる
弾性表面波デバイスに関し、 端子部の浮遊インダクタンス及び浮遊容量を減少して挿
入損失の減少と阻止域減衰量を増大し、且つ小形化する
ことを目的とし、 圧電結晶のチップ上にインターディジタルトランスジュ
ーサが設けられた弾性表面波デバイスにおいて、上記イ
ンターディジタルトランスジューサからの外部接続リー
ドがチップ側面から下面にかけて延在するように形成さ
れ、且つチップのインターディジタルトランスジューサ
が設けられた面に、前記チップと同一素材の圧電結晶か
らなるキャップを密封剤を用いて密封するように構成す
る。
弾性表面波デバイスに関し、 端子部の浮遊インダクタンス及び浮遊容量を減少して挿
入損失の減少と阻止域減衰量を増大し、且つ小形化する
ことを目的とし、 圧電結晶のチップ上にインターディジタルトランスジュ
ーサが設けられた弾性表面波デバイスにおいて、上記イ
ンターディジタルトランスジューサからの外部接続リー
ドがチップ側面から下面にかけて延在するように形成さ
れ、且つチップのインターディジタルトランスジューサ
が設けられた面に、前記チップと同一素材の圧電結晶か
らなるキャップを密封剤を用いて密封するように構成す
る。
本発明は伝送装置等のタイミング波抽出用フィルタ等に
用いられる弾性表面波デバイスに関する。
用いられる弾性表面波デバイスに関する。
第３図は従来の弾性表面波デバイスの１例を示す図であ
る。これは水晶等の圧電結晶のチップ１の表面にそれぞ
れ１対の櫛形状の電極をインターディジタル状に組み合
わせた入カドランスジューサ２と出カドランスジューサ
３とが設けられ°ζ弾性表面波素子４を構成している。
る。これは水晶等の圧電結晶のチップ１の表面にそれぞ
れ１対の櫛形状の電極をインターディジタル状に組み合
わせた入カドランスジューサ２と出カドランスジューサ
３とが設けられ°ζ弾性表面波素子４を構成している。
そして人カドランスジューサ２から電気信号を人力する
と電極の間隔に応じた弾性表面波が発生し、チップｌの
表面を伝播して出カドランス゛ジューサ３に到達する。
と電極の間隔に応じた弾性表面波が発生し、チップｌの
表面を伝播して出カドランス゛ジューサ３に到達する。
こごで再び電気信号に変換される。この場合電極パター
ンの設計を工夫することにより電気信号から音響信号へ
変換するとき、あるいはその逆変換のとき任意のフィル
タ特性とすることができる。
ンの設計を工夫することにより電気信号から音響信号へ
変換するとき、あるいはその逆変換のとき任意のフィル
タ特性とすることができる。
このような弾性表面波素子４はチップ１の表面を弾性表
面波が伝播するため、その表面の状況、例えばゴミ、湿
気等の付着に敏感に影響し素子特性が変化する。このた
め図に示すようにベース５に搭載され、外部接続端子６
ヘリード！ｓ７で接続した後キャップ８で密封される。
面波が伝播するため、その表面の状況、例えばゴミ、湿
気等の付着に敏感に影響し素子特性が変化する。このた
め図に示すようにベース５に搭載され、外部接続端子６
ヘリード！ｓ７で接続した後キャップ８で密封される。
このような弾性表面波デバイスは、伝送装置の高周波化
、小形化が急速に進展するに伴って高周波化、小形化の
要請が強くなっている。
、小形化が急速に進展するに伴って高周波化、小形化の
要請が強くなっている。
上記従来の弾性表面波デバイスでは、高周波（ｌＧＨｚ
以上）化を実現する場合、リード線７の浮遊インダクタ
ンスや外部接続端子部６の浮遊容量の影響が大きくなり
、挿入損失の増大、阻止域減衰量の減少が生じるという
問題がある。また寸法の面でも気密容器にガラス封止し
た外部接続端子を設ける必要があるため、機能部分であ
る圧電チップの大きさに対し気密容器がかなり大きくな
るという問題があった。
以上）化を実現する場合、リード線７の浮遊インダクタ
ンスや外部接続端子部６の浮遊容量の影響が大きくなり
、挿入損失の増大、阻止域減衰量の減少が生じるという
問題がある。また寸法の面でも気密容器にガラス封止し
た外部接続端子を設ける必要があるため、機能部分であ
る圧電チップの大きさに対し気密容器がかなり大きくな
るという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、端子部の浮遊インダクタン
ス及び浮遊容量を減少して挿入損失の減少と阻止域減衰
量を増大し、且つ小形化した弾性表面波デバイスを提供
することを目的とするものである。
ス及び浮遊容量を減少して挿入損失の減少と阻止域減衰
量を増大し、且つ小形化した弾性表面波デバイスを提供
することを目的とするものである。
上記目的は、圧電結晶のチップ１０上にインターディジ
タルトランスジューサ１２．１３が設けられた弾性表面
波デバイスにおいて、上記インターディジタルトランス
ジューサ１２．１３からの外部接続リード１４がチップ
ＩＯ側面から下面にかけて延在するように形成され、且
つチップ１０のインターディジタルトランスジューサが
設けられた面に、前記チップｌＯと同一素材の圧電結晶
からなるキャップ１１を密封剤１５を用いて密封したこ
とを特徴とする弾性表面波デバイスによって達成される
。
タルトランスジューサ１２．１３が設けられた弾性表面
波デバイスにおいて、上記インターディジタルトランス
ジューサ１２．１３からの外部接続リード１４がチップ
ＩＯ側面から下面にかけて延在するように形成され、且
つチップ１０のインターディジタルトランスジューサが
設けられた面に、前記チップｌＯと同一素材の圧電結晶
からなるキャップ１１を密封剤１５を用いて密封したこ
とを特徴とする弾性表面波デバイスによって達成される
。
〔作 用］
圧電結晶チップｌＯのインターディジタルトランスジュ
ーサ１２．１３が設けられた面を、圧電結晶チップｌＯ
と同一素材のキャップ１１で密封したことにより、線膨
張係数の違いによる歪が生ずることがなく、また従来使
用していた気密容器が不要となるため、浮遊インダクタ
ンスや浮遊容量が減少でき、高周波（ｌＧＨｚ以上）に
おいても特性が劣化することがなく、また気密封止され
ているため経時変化が小さい。また外形寸法は圧電結晶
のチップと同一面積しか必要としないため従来に比して
大幅な小形化が可能となる。
ーサ１２．１３が設けられた面を、圧電結晶チップｌＯ
と同一素材のキャップ１１で密封したことにより、線膨
張係数の違いによる歪が生ずることがなく、また従来使
用していた気密容器が不要となるため、浮遊インダクタ
ンスや浮遊容量が減少でき、高周波（ｌＧＨｚ以上）に
おいても特性が劣化することがなく、また気密封止され
ているため経時変化が小さい。また外形寸法は圧電結晶
のチップと同一面積しか必要としないため従来に比して
大幅な小形化が可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、ａは分解斜視
図、ｂは組立斜視図である。
図、ｂは組立斜視図である。
本実施例は、先ずａ図に示すように水晶等の圧電結晶の
チップｌＯとキャップ１１とよりなり、圧電結晶のチッ
プ１０は、その上面に入力用インターディジタルトラン
スジューサ１２及び出力用インターディジタルトランス
ジューサ１３を形成し、その各トランスジューサ１２．
１３の外部接続リード１４を蒸着又はスパッタリング等
によりチップ１０の側面から下面に延びる様に形成して
おき、キャップ１１は、圧電結晶のチップ１０と同一素
材で形成し、その一方の面の外周部に密封剤１５として
低融点ガラスをスクリーン印刷等で塗布しておき、この
密封剤１５を塗布した面をチップ１０のインターディジ
タルトランスジューサ１２．１３の形成されている面に
対向させて重ね合わせ加熱して密封剤１５を溶融させ、
ｂ図に示すようにチップｌＯにキャンプ１１を封着して
いる。
チップｌＯとキャップ１１とよりなり、圧電結晶のチッ
プ１０は、その上面に入力用インターディジタルトラン
スジューサ１２及び出力用インターディジタルトランス
ジューサ１３を形成し、その各トランスジューサ１２．
１３の外部接続リード１４を蒸着又はスパッタリング等
によりチップ１０の側面から下面に延びる様に形成して
おき、キャップ１１は、圧電結晶のチップ１０と同一素
材で形成し、その一方の面の外周部に密封剤１５として
低融点ガラスをスクリーン印刷等で塗布しておき、この
密封剤１５を塗布した面をチップ１０のインターディジ
タルトランスジューサ１２．１３の形成されている面に
対向させて重ね合わせ加熱して密封剤１５を溶融させ、
ｂ図に示すようにチップｌＯにキャンプ１１を封着して
いる。
なお密封した空間にはＮ２等の不活性ガスを封入する。
このように構成された本実施例は、圧電結晶のチップＩ
Ｏの入出力用インターディジタルトランスジューサ１２
．１３を形成した面を、該圧電結晶チップ１０と同一素
材のギャップ１１で密ｆｌているため、両者の熱膨張係
数の違いによる歪みが生ずることがない。またトランス
ジューサからの外部引出しり一ド１４を圧電結晶チップ
１０に直接形成しているため、従来の気密容器を使用し
た場合に必要であったボンディングリードや外部端子が
不要となるため、浮遊インダクタンスや浮遊容量が減少
でき、高周波（ｌＧＨｚ以上）においても特性が劣化す
ることがなく、かつ気密封止されているため経時変化も
少ない。
Ｏの入出力用インターディジタルトランスジューサ１２
．１３を形成した面を、該圧電結晶チップ１０と同一素
材のギャップ１１で密ｆｌているため、両者の熱膨張係
数の違いによる歪みが生ずることがない。またトランス
ジューサからの外部引出しり一ド１４を圧電結晶チップ
１０に直接形成しているため、従来の気密容器を使用し
た場合に必要であったボンディングリードや外部端子が
不要となるため、浮遊インダクタンスや浮遊容量が減少
でき、高周波（ｌＧＨｚ以上）においても特性が劣化す
ることがなく、かつ気密封止されているため経時変化も
少ない。
また外形寸法は圧電結晶のチップＩＯと同一の面積しか
必要とせず、従来に比較して大幅に小形化することが可
能となる。
必要とせず、従来に比較して大幅に小形化することが可
能となる。
なおキャップ１１について、第１図に示したものは圧電
結晶チップｌＯを封止する面が平面であったが、この面
を第２図ａ、ｂに示すように中央部をエツチングして凹
部１６を形成することにより封着時に密封剤１５の低融
点ガラスが内部に流入することを防止することができる
。
結晶チップｌＯを封止する面が平面であったが、この面
を第２図ａ、ｂに示すように中央部をエツチングして凹
部１６を形成することにより封着時に密封剤１５の低融
点ガラスが内部に流入することを防止することができる
。
〔発明の効果］
以上説明した様に本発明によれば、圧電結晶チップを同
じ素材のキャップで封止することにより、小形化でき、
且つ浮遊インダクタンスや浮遊容量を減少し挿入損失の
減少と阻止域減衰量の増大が可能で経時変化の少ない弾
性表面波デバイスを堤供することができる。
じ素材のキャップで封止することにより、小形化でき、
且つ浮遊インダクタンスや浮遊容量を減少し挿入損失の
減少と阻止域減衰量の増大が可能で経時変化の少ない弾
性表面波デバイスを堤供することができる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
第２図は本発明の他の実施例のキャップを示す図、
第３図は従来の弾性表面波デバイスを示す図である。
図において、
１０は圧電結晶チップ、
１１とキャップ、
１２は入力用インターディジタルトランスジューサ、
１３は出力インターディジタルトランスジューサ、
Ｉ４は外部引出しリード、
Ｉ５は密封剤、
１６は凹部
を示ず。
Claims (1)
- １．圧電結晶のチップ（１０）上にインターディジタル
トランスジューサ（１２，１３）が設けられた弾性表面
波デバイスにおいて、 上記インターディジタルトランスジューサ（１２，１３
）からの外部接続リード（１４）がチップ（１０）の側
面から下面にかけて延在するように形成され、且つチッ
プ（１０）のインターディジタルトランスジューサが設
けられた面に、前記チップ（１０）と同一素材の圧電結
晶からなるキャップ（１１）を密封剤（１５）を用いて
密封したことを 特徴とする弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5931488A JPH01233821A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5931488A JPH01233821A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01233821A true JPH01233821A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13109777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5931488A Pending JPH01233821A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01233821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018211A (en) * | 1993-04-28 | 2000-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544300A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-28 | United Technologies Corp | Vacuum sealed saw device structure and method of manufacturing same |
| JPS58207709A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP5931488A patent/JPH01233821A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5544300A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-28 | United Technologies Corp | Vacuum sealed saw device structure and method of manufacturing same |
| JPS58207709A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6018211A (en) * | 1993-04-28 | 2000-01-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
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