JPH01232871A - 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ - Google Patents
完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリInfo
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- JPH01232871A JPH01232871A JP63058310A JP5831088A JPH01232871A JP H01232871 A JPH01232871 A JP H01232871A JP 63058310 A JP63058310 A JP 63058310A JP 5831088 A JP5831088 A JP 5831088A JP H01232871 A JPH01232871 A JP H01232871A
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
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- H04N1/0315—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes
- H04N1/0316—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors using photodetectors and illumination means mounted on separate supports or substrates or mounted in different planes illuminating the scanned image elements through the plane of the photodetector, e.g. back-light illumination
-
- H—ELECTRICITY
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- H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors
- H04N1/0313—Direct contact pick-up heads, i.e. heads having no array of elements to project the scanned image elements onto the photodectors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Signal Processing (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、完全密着読取センサ及びこれを用いたアセン
ブリに係り、特にファクシミリの読取部等に用いられる
集光レンズ不要の装置に適する完全密着型読取センサの
構造及びこれを用いたセンサアセンブリに関する。
ブリに係り、特にファクシミリの読取部等に用いられる
集光レンズ不要の装置に適する完全密着型読取センサの
構造及びこれを用いたセンサアセンブリに関する。
従来の完全密着型読取センサの構成は、日経エレクトロ
ニクス、４３４ （１９８７年）第２０７項から第２２
１項に記載のようにセンサ基板上に導電性処理したガラ
スを装着した構造となっていた。
ニクス、４３４ （１９８７年）第２０７項から第２２
１項に記載のようにセンサ基板上に導電性処理したガラ
スを装着した構造となっていた。
上記従来技術は厚さ５０μｍ程度の薄いガラスをセンサ
基板上に装着したため、薄いガラスの取扱い時に破損し
やすく１組立て作成に多大の労力を要していた。
基板上に装着したため、薄いガラスの取扱い時に破損し
やすく１組立て作成に多大の労力を要していた。
本発明の目的は作成が容易で、読取り性能の安定した完
全密着型読取センサとセンサアセンブリを提供すること
である。
全密着型読取センサとセンサアセンブリを提供すること
である。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的はガラスに代えて透明導電性フィルムを採用す
ることにより達せられる。このフィルムの使用は可塑性
があり傷付き易いことが当初懸念されたものの現実には
さしたる支障がなくかつ効果絶大であることが本発明者
等の試行によって明らかになった。
ることにより達せられる。このフィルムの使用は可塑性
があり傷付き易いことが当初懸念されたものの現実には
さしたる支障がなくかつ効果絶大であることが本発明者
等の試行によって明らかになった。
本願第１請求項のセンサは、複数のセンサ素子と、該セ
ンサ素子群を搭載しかつ少なくとも該搭載部位近傍が透
光する構造のセンサ素子搭載用基板と、該基板上面に前
記センサ素子群を覆うように積層してなる導電性透明樹
脂フィルムとを備えてなることを特徴とする。
ンサ素子群を搭載しかつ少なくとも該搭載部位近傍が透
光する構造のセンサ素子搭載用基板と、該基板上面に前
記センサ素子群を覆うように積層してなる導電性透明樹
脂フィルムとを備えてなることを特徴とする。
本願第２請求項のセンサは、複数のセンサ素子と、該セ
ンサ素子群を搭載しかつ少なくとも該搭載部位近傍が透
光する構造のセンサ素子搭載用基板と、該基板上面に前
記センサ素子群を覆うように積層してなる導電性透明フ
ィルムとを備え、かつ該フィルムの片面は少なくとも前
記センサに面する側かつセンサ近傍位置に表面微細凹凸
加工を施こしてあることを特徴とする。
ンサ素子群を搭載しかつ少なくとも該搭載部位近傍が透
光する構造のセンサ素子搭載用基板と、該基板上面に前
記センサ素子群を覆うように積層してなる導電性透明フ
ィルムとを備え、かつ該フィルムの片面は少なくとも前
記センサに面する側かつセンサ近傍位置に表面微細凹凸
加工を施こしてあることを特徴とする。
本願第３請求項のセンサは、複数のセンサ素子と、該セ
ンサ素子群を搭載しかつ少なくとも搭載部位近傍が透光
する構造のセンサ素子搭載用基板と、該基板上面に前記
センサ素子群を覆うように積層してなる導電性透明フィ
ルムとを備え、かつ該フィルムの片面は少なくとも前記
センサに面する側でかつセンサ近傍位置が入射光の散乱
面となっていることを特徴とする。
ンサ素子群を搭載しかつ少なくとも搭載部位近傍が透光
する構造のセンサ素子搭載用基板と、該基板上面に前記
センサ素子群を覆うように積層してなる導電性透明フィ
ルムとを備え、かつ該フィルムの片面は少なくとも前記
センサに面する側でかつセンサ近傍位置が入射光の散乱
面となっていることを特徴とする。
本願第４請求項のセンサは、請求項２または３の導電性
透明フィルムの反センサ基板側に更に導電性透明フィル
ムを積層してなることを特徴とする。
透明フィルムの反センサ基板側に更に導電性透明フィル
ムを積層してなることを特徴とする。
本願第５請求項に係る発明はセンサアセンブリであって
、請求項１，２．３または４の完全密着性読取センサに
おける前記透光部裏面に入射光路を確保すると共に、前
記導電性フィルムの外側かつ前記センサ素子群近傍に紙
面を介してプラテンロータが当接するように構成してな
ることを特徴とする。
、請求項１，２．３または４の完全密着性読取センサに
おける前記透光部裏面に入射光路を確保すると共に、前
記導電性フィルムの外側かつ前記センサ素子群近傍に紙
面を介してプラテンロータが当接するように構成してな
ることを特徴とする。
本願第６請求項に係るアセンブリは、請求項５における
光路確保の為にセンサ素子搭載用基板を取付けるベース
内に光源を具備してなることを特徴とする。
光路確保の為にセンサ素子搭載用基板を取付けるベース
内に光源を具備してなることを特徴とする。
表面微細凹凸加工は、梨地つや消し加工が最適である。
即ち導電性フィルムの片面を梨地状につや消し加工し、
梨地面をセンサ上面側に装着することによって達成され
る構成や透明フィルムの片面を梨地状につや消し加工し
、梨地面をセンサ上面側に装着し、さらに、前記梨地加
工したフィルムの上に導電性透明フィルムを装着するこ
とが好ましい。
梨地面をセンサ上面側に装着することによって達成され
る構成や透明フィルムの片面を梨地状につや消し加工し
、梨地面をセンサ上面側に装着し、さらに、前記梨地加
工したフィルムの上に導電性透明フィルムを装着するこ
とが好ましい。
導電性フィルムはセンサ基板上面に直接、間接いずれで
装着（接着）してもよい。
装着（接着）してもよい。
ここで梨地面とは、表面に微細な凹凸があり、これによ
って反射光及び透過光の光路が変化し乱散される面を言
う、好ましくは表面粗さが平均の高さで０．２μｍから
１０μｍ程度あり、散乱光を含めた光の透過率が７０％
以上の面をいう。
って反射光及び透過光の光路が変化し乱散される面を言
う、好ましくは表面粗さが平均の高さで０．２μｍから
１０μｍ程度あり、散乱光を含めた光の透過率が７０％
以上の面をいう。
尚、梨地加工に限られ、センサ基板の上に導電性フィル
ムを設けて該フィルム表面の光の集中反射凹面鏡的反射
を防止する機構にすれば当初の目的を達せられる。
ムを設けて該フィルム表面の光の集中反射凹面鏡的反射
を防止する機構にすれば当初の目的を達せられる。
センサ搭載用基板は絶縁材で成ることが望ましい。素子
搭載部位近傍とは素子取付部分とその周囲を示し、″周
囲″は例えば導電性フィルムとセンサ搭載基板とがプラ
テンローラの押圧によってもセンサ素子の厚みによって
必然的に生じてしまうような時間を形成する領域に相当
する。
搭載部位近傍とは素子取付部分とその周囲を示し、″周
囲″は例えば導電性フィルムとセンサ搭載基板とがプラ
テンローラの押圧によってもセンサ素子の厚みによって
必然的に生じてしまうような時間を形成する領域に相当
する。
透光・透明の意義は、使用光源によって影響される。使
用光はセンサ素子が感知する波長域の光であって、ａ−
８ｉ（非晶質シリコン）製センサ素子の場合は可視光全
般となる。
用光はセンサ素子が感知する波長域の光であって、ａ−
８ｉ（非晶質シリコン）製センサ素子の場合は可視光全
般となる。
尚、光源を納めたベース自体がセンサ搭載支持板を兼ね
ても差支えない。
ても差支えない。
センサ基板上に導電性透明フィルムを装着することによ
り、読取性能の安定した作成が容易な完全密着センサを
得ることができる。導電性透明フィルムは荷重が加わる
と簡単に弾性変形するため破損しにくい。また、導電性
透明フィルムは電波および静電気誘動に対してシールド
となるので。
り、読取性能の安定した作成が容易な完全密着センサを
得ることができる。導電性透明フィルムは荷重が加わる
と簡単に弾性変形するため破損しにくい。また、導電性
透明フィルムは電波および静電気誘動に対してシールド
となるので。
完全密着型読取センサの出力信号のノイズを防止する効
果がある。また、原稿面とセンサ素子との間のスペーサ
となるため、照明の透光スペーサとしてまた耐摩耗性保
護フィルムとしても働く、これらの効果のため、本請求
項に係る完全密着型読取センサは組立性が良く、従来と
同程度の読取性能を安定に得ることができる。
果がある。また、原稿面とセンサ素子との間のスペーサ
となるため、照明の透光スペーサとしてまた耐摩耗性保
護フィルムとしても働く、これらの効果のため、本請求
項に係る完全密着型読取センサは組立性が良く、従来と
同程度の読取性能を安定に得ることができる。
導電フィルムに高分子フィルムを用いれば鏡面部分を少
なくして散乱効果を向上させ、これが読取センサの機能
の一助となる。
なくして散乱効果を向上させ、これが読取センサの機能
の一助となる。
導電フィルムの片面を梨地状につや消し加工し、梨地面
をセンサ上面側に装着すると、裏面からの照明光は梨地
面で散乱され、透過および反射する。
をセンサ上面側に装着すると、裏面からの照明光は梨地
面で散乱され、透過および反射する。
原稿を押し付けることによって、梨地加工した導電フィ
ルムは変形し、反射の方向が変化するが、梨地加工のな
い平滑面では照明光の鏡面反射がセンサ素子に入射して
原稿からの光に加りるため白出力が異常に大きくなる欠
点があるが、一方梨地面では反射光も散乱されるまでこ
のような反射光を防止できる。このため上記の作用に加
えて、フィルム表面反身による異常白出力をなくして、
安定な読取り性能が確保できることになる。
ルムは変形し、反射の方向が変化するが、梨地加工のな
い平滑面では照明光の鏡面反射がセンサ素子に入射して
原稿からの光に加りるため白出力が異常に大きくなる欠
点があるが、一方梨地面では反射光も散乱されるまでこ
のような反射光を防止できる。このため上記の作用に加
えて、フィルム表面反身による異常白出力をなくして、
安定な読取り性能が確保できることになる。
第４の請求項に係る発明の作用は第２，３の請求項によ
る作用と同じであるが、導電フィルムと梨地加工したフ
ィルムを別にして、それぞれの作用を分離したものであ
る。即ち、片面を梨地加工したフィルムを、梨地面をセ
ンサー上面側となるようにセンサに装着することによっ
て反射光を散乱させ、センサ基板裏側からの照明光が鏡
面反射してセンサ素子に入射することによって起る出力
異常を防止する。更にセンサ基板に導電性透明フィルム
を接着すると原稿を読取センサに押付けた時のフィルム
の変形が抑えられるので、フィルムのセンサ基板側表面
での照明の反射がセンサ素子に入射するのを抑制し、出
力異常が出にくくなる。
る作用と同じであるが、導電フィルムと梨地加工したフ
ィルムを別にして、それぞれの作用を分離したものであ
る。即ち、片面を梨地加工したフィルムを、梨地面をセ
ンサー上面側となるようにセンサに装着することによっ
て反射光を散乱させ、センサ基板裏側からの照明光が鏡
面反射してセンサ素子に入射することによって起る出力
異常を防止する。更にセンサ基板に導電性透明フィルム
を接着すると原稿を読取センサに押付けた時のフィルム
の変形が抑えられるので、フィルムのセンサ基板側表面
での照明の反射がセンサ素子に入射するのを抑制し、出
力異常が出にくくなる。
また、センサ基板と導電性透明フィルムを接着すると、
センサ基板と導電性透明フィルムとの間に屈折率の低い
空気層がなくなるので、導電性フィルムのセンサ基板側
表面における反射率が低下して、同じく出力異常を出に
くくする作用をする。
センサ基板と導電性透明フィルムとの間に屈折率の低い
空気層がなくなるので、導電性フィルムのセンサ基板側
表面における反射率が低下して、同じく出力異常を出に
くくする作用をする。
第３請求項に係る発明の作用は導電性透明フィルムをセ
ンサ基板の上に装着することによって第１の請求項に係
る発明の作用と同じ効果がある。
ンサ基板の上に装着することによって第１の請求項に係
る発明の作用と同じ効果がある。
また、導電性透明フィルムの表面での反射を防止するこ
とによって、センサ素子に原稿からの反射光以外の反射
光が入射するのを防止することができるので安定なセン
サ出力を得られる。
とによって、センサ素子に原稿からの反射光以外の反射
光が入射するのを防止することができるので安定なセン
サ出力を得られる。
以下、本発明の詳細な説明する。第１図は第１の請求項
に係る発明の完全密着型読取センサを装置に組込んだ場
合の一実施例を示す。第２図。
に係る発明の完全密着型読取センサを装置に組込んだ場
合の一実施例を示す。第２図。
第３図にはその要部を示す。
第１図において１はセンサ基板、１ａはセンサ素子、２
は取付ベース、３はＩＣカバー、４はセンサ駆動ＩＣｌ
３は光源、６は導電性透明フィルム、７は原稿、８はプ
ラテンローラを示す、使用する光源５はＬＥＤ （発光
ダイオード）である。
は取付ベース、３はＩＣカバー、４はセンサ駆動ＩＣｌ
３は光源、６は導電性透明フィルム、７は原稿、８はプ
ラテンローラを示す、使用する光源５はＬＥＤ （発光
ダイオード）である。
１１は光源５からの照明点であり、１２はコネクタを示
す。
す。
即ち光源５は取付ベース２内に納められ、この取付ベー
ス上にセンサ基板１が配設されている。
ス上にセンサ基板１が配設されている。
センサ基板１の一部は透光性を有し、その透光部は光源
５の出射光の光路上にある。その光路上にセンサ素子１
ａも搭載されており、この素子１ａを導電性フィルム６
が覆っている。フィルム６はＩＣカバー３上に至り、Ｉ
Ｃカバー３内にはセンサ駆動ＩＣ４が配設されている。
５の出射光の光路上にある。その光路上にセンサ素子１
ａも搭載されており、この素子１ａを導電性フィルム６
が覆っている。フィルム６はＩＣカバー３上に至り、Ｉ
Ｃカバー３内にはセンサ駆動ＩＣ４が配設されている。
本例ではＢ４サイズの紙面対応で１ライン上にセンサ素
子を２０４８ケ搭載しており、１μｓ ／ １素子、５
ｍｓ／１ラインの速度で動作させるようにしである。Ｉ
Ｃ４と素子１ａとの配線関係を第３図に例示する。
子を２０４８ケ搭載しており、１μｓ ／ １素子、５
ｍｓ／１ラインの速度で動作させるようにしである。Ｉ
Ｃ４と素子１ａとの配線関係を第３図に例示する。
本項の実施例の完全密着型読取センサの動作は次のよう
である。すなわち、センサ基板１の裏面から光源５によ
り照明すると、照明光はセンサ基板１、導電性透明フィ
ルム６を透過し原稿６を照明する。照明光１１は原稿６
の白黒の程度に応じた強さで反射され、光電変換を行う
センサ素子１ａに入射する。これによってセンサ素子に
光量に比例した光電流が流れ、この信号を検出すること
によって原稿８を読取る。このセンサ素子１ａは通常ラ
イン状に多数並べてあり、センサ駆動ＩＣ４で順次素子
を切換えて１ラインの読取を行う。１ラインの読取が終
ると、プラテンローラ８を回転させて原稿を送り次のラ
インを読取る。この時１Ｍ稿７と導電性透明フィルムは
摩擦するため、静電気が発生する。導電性透明フィルム
がない場合には静電気や１周囲の電波によって、センサ
素子１ａや回路配線にノイズが誘動されて出力信号が不
安定となるが、この導電性透明フィルムがあると誘動を
シールドするため安定な出方が得られる効果がある。
である。すなわち、センサ基板１の裏面から光源５によ
り照明すると、照明光はセンサ基板１、導電性透明フィ
ルム６を透過し原稿６を照明する。照明光１１は原稿６
の白黒の程度に応じた強さで反射され、光電変換を行う
センサ素子１ａに入射する。これによってセンサ素子に
光量に比例した光電流が流れ、この信号を検出すること
によって原稿８を読取る。このセンサ素子１ａは通常ラ
イン状に多数並べてあり、センサ駆動ＩＣ４で順次素子
を切換えて１ラインの読取を行う。１ラインの読取が終
ると、プラテンローラ８を回転させて原稿を送り次のラ
インを読取る。この時１Ｍ稿７と導電性透明フィルムは
摩擦するため、静電気が発生する。導電性透明フィルム
がない場合には静電気や１周囲の電波によって、センサ
素子１ａや回路配線にノイズが誘動されて出力信号が不
安定となるが、この導電性透明フィルムがあると誘動を
シールドするため安定な出方が得られる効果がある。
導電性透明フィルムは、外力により容易に変形するので
、破損することがなく、組立が容易となる効果があり、
信頼性が高い。
、破損することがなく、組立が容易となる効果があり、
信頼性が高い。
この導電性透明フィルムには光を透過するポリエステル
、ナイロン、アクリル等を用いることができ、導電性は
ＩＴＯ（インジウム スズ酸化物）、スズ酸化物等の透
明導電性の材料や、金属薄膜をコーティングして得るの
が容易である０面積抵抗は１００ＫΩ／口よりも小さい
のが好ましい、以下に述べる導電性透明フィルムも同様
のフィルムを用い得る。
、ナイロン、アクリル等を用いることができ、導電性は
ＩＴＯ（インジウム スズ酸化物）、スズ酸化物等の透
明導電性の材料や、金属薄膜をコーティングして得るの
が容易である０面積抵抗は１００ＫΩ／口よりも小さい
のが好ましい、以下に述べる導電性透明フィルムも同様
のフィルムを用い得る。
第３図においてはＩＣ４の内容を示してあり、４１はシ
フトレジスタであって、データが１になったところでオ
ンして出力信号を取り出し、こうしてセンサ駆動ＩＣ４
により順次センサ素子１ａを切換えて１ライン上の読取
りを行うようにしである。
フトレジスタであって、データが１になったところでオ
ンして出力信号を取り出し、こうしてセンサ駆動ＩＣ４
により順次センサ素子１ａを切換えて１ライン上の読取
りを行うようにしである。
他の実施例を第４図に示す、構成は第２図で示した実施
例とほぼ同じであるが、ただ、導電性透明フィルム６の
片面を梨地状につや消し加工した梨地面１０を持った梨
地加工導電性透明フィルム６ａに代えたものである９本
実施例によれば、前記第１実施例の効果に加えて、フィ
ルム表面の反射光による異常出力を防止し、安定な出力
信号を得られる効果がある。すなわち、センサ基板側の
導電性透明フィルム表面が平滑であると、原稿をセンサ
に密着させるために押付けた時にフィルムが変形しこの
表面で照明光が反射してセンサ素子に入射し易くなるこ
とがある。そうなると、センサ素子は原稿表面からの反
射光以外の光が入射するため、出力信号が異常となる。
例とほぼ同じであるが、ただ、導電性透明フィルム６の
片面を梨地状につや消し加工した梨地面１０を持った梨
地加工導電性透明フィルム６ａに代えたものである９本
実施例によれば、前記第１実施例の効果に加えて、フィ
ルム表面の反射光による異常出力を防止し、安定な出力
信号を得られる効果がある。すなわち、センサ基板側の
導電性透明フィルム表面が平滑であると、原稿をセンサ
に密着させるために押付けた時にフィルムが変形しこの
表面で照明光が反射してセンサ素子に入射し易くなるこ
とがある。そうなると、センサ素子は原稿表面からの反
射光以外の光が入射するため、出力信号が異常となる。
この面を本実施例のように梨地面とすることによって、
梨地面で反射した照明光は散乱されるので安定な出力信
号が得られる効果がある。また５本実施例では梨地加工
導電性透明フィルム６ａは表面がよごれた場合に容易に
変換できるので保守性が良い効果がある。
梨地面で反射した照明光は散乱されるので安定な出力信
号が得られる効果がある。また５本実施例では梨地加工
導電性透明フィルム６ａは表面がよごれた場合に容易に
変換できるので保守性が良い効果がある。
更に他の実施例を第５図に示す。
構成は、前記梨地加工導電性透明フィルム６ａを、導電
性透明フィルム６と梨地加工フィルムロｂとに置き換え
た以外は第４図で示した実施例と同一である。
性透明フィルム６と梨地加工フィルムロｂとに置き換え
た以外は第４図で示した実施例と同一である。
この構成では、導電性透明フィルム６は第１実施例の効
果と同じ効果を持ち、また梨地フィルム６ｂは梨地面１
０の効果を得ることができる６本実施例では、フィルム
を２枚に分けているため汎用のフィルムを使用すること
ができるため、安価に製造できる効果がある。
果と同じ効果を持ち、また梨地フィルム６ｂは梨地面１
０の効果を得ることができる６本実施例では、フィルム
を２枚に分けているため汎用のフィルムを使用すること
ができるため、安価に製造できる効果がある。
更に他の一実施例を第６図により説明する。
構成は第２図における導電性透明フィルム６を接着剤層
９によりセンサ基板１に接着したものである。
９によりセンサ基板１に接着したものである。
本実施例によれば、第１実施例の効果に加えて、導電性
透明フィルム６のセンサ基板側表面での光の反射による
出力異常を防止する効果がある。即ち、接着層９により
導電性透明フィルムの変形が抑えられ、また、導電性透
明フィルム６と接着層９の屈折率差は通常小さくできる
ため、この界面での反射率は小さくなる。この両者の効
果のため、照射光がセンサ素子１ａに入射して出力異常
を発生するのを防止する効果がある。
透明フィルム６のセンサ基板側表面での光の反射による
出力異常を防止する効果がある。即ち、接着層９により
導電性透明フィルムの変形が抑えられ、また、導電性透
明フィルム６と接着層９の屈折率差は通常小さくできる
ため、この界面での反射率は小さくなる。この両者の効
果のため、照射光がセンサ素子１ａに入射して出力異常
を発生するのを防止する効果がある。
更に実施例として導電性透明フィルム表面での照明光の
反対がセンサ素子に入射するのを防止する点を検討して
みる。第２図のようにセンサ基板１上に導電性透明フィ
ルム６を装着したものであるが、さらに、導電性透明フ
ィルム６のセンサ基板１側に面した面の光の反射がセン
サ素子１ａに入射するのを防止する手段を設けたもので
ある。
反対がセンサ素子に入射するのを防止する点を検討して
みる。第２図のようにセンサ基板１上に導電性透明フィ
ルム６を装着したものであるが、さらに、導電性透明フ
ィルム６のセンサ基板１側に面した面の光の反射がセン
サ素子１ａに入射するのを防止する手段を設けたもので
ある。
これにより、センサ素子１ａには原稿７からの反射光が
主として入射するので安定な読取ができる効果がある。
主として入射するので安定な読取ができる効果がある。
また導電性透明フィルムを用いているため、第１実施例
と同じ効果がある。
と同じ効果がある。
第６図の実施例においては接着層９を介在されているが
、これを用いずに直接、導電性透明フィルム６を基板１
に付着させても良い、尚、接着剤を用いる場合は光路の
妨げとならぬよう少なくとも所定箇所については透明接
着剤を使用すべきである。
、これを用いずに直接、導電性透明フィルム６を基板１
に付着させても良い、尚、接着剤を用いる場合は光路の
妨げとならぬよう少なくとも所定箇所については透明接
着剤を使用すべきである。
第７図に凹面鏡効果を示す、光線１１はフィルム６真面
の凹面鏡効果で集中して素子１ａに反射光となって入っ
てしまう。しかしながら、このフィルム６裏面を梨地状
にすれば光線は散乱されるから素子１ａへの入射光（反
射光）量は減少することになる。
の凹面鏡効果で集中して素子１ａに反射光となって入っ
てしまう。しかしながら、このフィルム６裏面を梨地状
にすれば光線は散乱されるから素子１ａへの入射光（反
射光）量は減少することになる。
本発明によれば、容易に弾性変形する透明導電性フィル
ムを用いるので、作成が容易であり、読取性能の安定し
た完全密着型読取センサを提供することができる効果が
ある。
ムを用いるので、作成が容易であり、読取性能の安定し
た完全密着型読取センサを提供することができる効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例に係る読取センサアセンブリ
の断面図、第２図は第１図の実施例に用いる読取センサ
の断面図、第３図は第１図の実施例に用いるセンサ素子
１ａ及びＩＣ４の回路略図。 第４図、第５図、第６図は夫々本発明の他の実施例に係
る読取センサの断面図、第７図は本発明に対する比較例
として示した読取センサの断面図である。 １・・・センサ基板、１ａ・・・センサ素子、２・・・
取付ベース、３・・・ＩＣカバー、４・・・センサ駆動
用ＩＣｌ３・・・光源、６・・・導電性透明フィルム、
６ａ・・・梨地加工導電性透明フィルム、６ｂ・・・梨
地加工フィルム、７・・・原稿、８・・・プラテンロー
ラ、９・・・接着層、＊ １ 酌 ＄２ 閃 属 ３ 凹 ｌｃｔ・−・［２１時 ４７・−・しフトし５°７フ ケ ・−七゛−′す′、う８管カニ０ ＄ｌｆ−図 某 Ｓｌ！３ ＩＯ−耐シ４Ｌ愼 ４〇−
の断面図、第２図は第１図の実施例に用いる読取センサ
の断面図、第３図は第１図の実施例に用いるセンサ素子
１ａ及びＩＣ４の回路略図。 第４図、第５図、第６図は夫々本発明の他の実施例に係
る読取センサの断面図、第７図は本発明に対する比較例
として示した読取センサの断面図である。 １・・・センサ基板、１ａ・・・センサ素子、２・・・
取付ベース、３・・・ＩＣカバー、４・・・センサ駆動
用ＩＣｌ３・・・光源、６・・・導電性透明フィルム、
６ａ・・・梨地加工導電性透明フィルム、６ｂ・・・梨
地加工フィルム、７・・・原稿、８・・・プラテンロー
ラ、９・・・接着層、＊ １ 酌 ＄２ 閃 属 ３ 凹 ｌｃｔ・−・［２１時 ４７・−・しフトし５°７フ ケ ・−七゛−′す′、う８管カニ０ ＄ｌｆ−図 某 Ｓｌ！３ ＩＯ−耐シ４Ｌ愼 ４〇−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数のセンサ素子と、該センサ素子群を搭載しかつ
少なくとも該搭載部位近傍が透光する構造のセンサ素子
搭載用基板と、該基板上面に前記センサ素子群を覆うよ
うに積層してなる導電性透明樹脂フィルムとを備えてな
ることを特徴とする完全密着型読取センサ。 ２、複数のセンサ素子と、該センサ素子群を搭載しかつ
少なくとも該搭載部位近傍が透光する構造のセンサ素子
搭載用基板と、該基板上面に前記センサ素子群を覆うよ
うに積層してなる導電性透明フィルムとを備え、かつ該
フィルムの片面は少なくとも前記センサ面に面する側か
つセンサ近傍位置に表面微細凹凸加工を施こしてあるこ
とを特徴とする完全密着型読取センサ。 ３、複数のセンサ素子と、センサ素子群を搭載しかつ少
なくとも該搭載部位近傍が透光する構造のセンサ素子搭
載用基板と、該基板上面に前記センサ素子群を覆うよう
に積層してなる導電性透明フィルムとを備え、かつ光フ
ィルムの片面は少なくとも前記センサに面する側でかつ
センサ近傍位置が入射光の散乱面となつていることを特
徴とする完全密着型読取センサ。 ４、請求項２または３の導電性透明フィルムの反センサ
基板側に更に導電性透明フィルムを積層してなることを
特徴とする完全密着型読取センサ。 ５、請求項１、２、３または４の完全密着型読取センサ
における前記透光部裏面に入射光路を確保すると共に、
前記導電性フィルムの外側かつ前記センサ素子群近傍に
紙面を介してプラテンロータが当接するように構成して
なることを特徴とする読取センサアセンブリ。 ６、請求項５における光路確保の為にセンサ素子搭載用
基板を取付けるベース内に光源を具備してなることを特
徴とする読取センサアセンブリ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058310A JPH088624B2 (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
| US07/321,881 US4940888A (en) | 1988-03-14 | 1989-03-10 | Direct-contact-type image sensor and image sensor assembly |
| US07/517,810 US4977313A (en) | 1988-03-14 | 1990-05-02 | Facsimile equipment with direct-contact-type image sensor |
| US07/559,144 US5162644A (en) | 1988-03-14 | 1990-07-30 | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63058310A JPH088624B2 (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01232871A true JPH01232871A (ja) | 1989-09-18 |
| JPH088624B2 JPH088624B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=13080669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63058310A Expired - Lifetime JPH088624B2 (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 完全密着型読取センサ及び読取センサアセンブリ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4940888A (ja) |
| JP (1) | JPH088624B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5162644A (en) * | 1988-03-14 | 1992-11-10 | Hitachi, Ltd. | Contact type image sensor having photoelectric conversion elements to reduce signal variation caused by luminous intensity variation of light source |
| JPH02305064A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-18 | Nippon Steel Corp | 完全密着型イメージセンサ |
| US5101285A (en) * | 1989-07-24 | 1992-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device having an improved illuminating system and information processing apparatus mounting the device |
| US5149955A (en) * | 1989-07-26 | 1992-09-22 | Nippon Steel Corporation | Full contact image sensor device with light blocking means |
| US5196691A (en) * | 1989-11-21 | 1993-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting device having original conveyance guide and an image processing apparatus incorporating the device |
| US5517329A (en) * | 1990-06-29 | 1996-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Contact-type image sensor having an adhesive elastic layer therein |
| JP2924927B2 (ja) * | 1991-01-17 | 1999-07-26 | ローム 株式会社 | イメージセンサ |
| EP0504998A3 (en) * | 1991-03-22 | 1993-01-13 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken | Device for the optical scanning of a document |
| JPH04316478A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-06 | Nec Corp | 生物試料観察装置、システムおよび方法 |
| JPH0583470A (ja) * | 1991-09-25 | 1993-04-02 | Rohm Co Ltd | イメージセンサ |
| JPH0591248A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Rohm Co Ltd | イメージセンサ |
| DE69321745T2 (de) * | 1992-02-04 | 1999-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Direktkontakt-Bildsensor und Herstellungsverfahren dafür |
| DE69632228T2 (de) * | 1995-07-13 | 2005-04-14 | Eastman Kodak Co. | Bildsensor mit einem Trägergehäuse |
| US5861654A (en) * | 1995-11-28 | 1999-01-19 | Eastman Kodak Company | Image sensor assembly |
| US6552828B1 (en) * | 1999-07-01 | 2003-04-22 | Cyberscan Technology, Inc. | Precision deep input guide clip for document scanners and document scanner incorporating same |
| JP4037197B2 (ja) * | 2002-07-17 | 2008-01-23 | 富士フイルム株式会社 | 半導体撮像装置実装構造体の製造方法 |
| JP4091948B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2008-05-28 | 松下電器産業株式会社 | 集光装置およびそれを用いた密着型固体撮像装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236961A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4354104A (en) * | 1980-05-06 | 1982-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image pickup device |
| JPS5980964A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Toshiba Corp | 光電変換素子 |
| US4497974A (en) * | 1982-11-22 | 1985-02-05 | Exxon Research & Engineering Co. | Realization of a thin film solar cell with a detached reflector |
| US4556790A (en) * | 1982-11-30 | 1985-12-03 | At&T Bell Laboratories | Photodetector having a contoured, substantially periodic surface |
| JPS6088482A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 光電変換装置 |
| US4691244A (en) * | 1984-05-04 | 1987-09-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Contact-type document scanner including static shield |
| DE3522314A1 (de) * | 1984-06-21 | 1986-01-02 | Kyocera Corp., Kyoto | Leseeinrichtung und herstellungsverfahren dafuer |
| JPS6141268A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 密着形イメ−ジセンサ |
| JPS6184862A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置の製造方法 |
| JPS61161757A (ja) * | 1985-01-11 | 1986-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPH0815211B2 (ja) * | 1986-09-25 | 1996-02-14 | 株式会社日立製作所 | 光配線式半導体集積回路 |
| JPS6394125A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-25 | Yamatake Honeywell Co Ltd | カラ−センサ |
| JPS63133667A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Ricoh Co Ltd | 密着形光電変換装置 |
| JPS6415970A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Canon Kk | Image reading equipment |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP63058310A patent/JPH088624B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-10 US US07/321,881 patent/US4940888A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-05-02 US US07/517,810 patent/US4977313A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236961A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088624B2 (ja) | 1996-01-29 |
| US4977313A (en) | 1990-12-11 |
| US4940888A (en) | 1990-07-10 |
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